2024/03/27 更新

ウエダ カズシゲ
植田 和茂
UEDA Kazushige
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所属
大学院工学研究院 物質工学研究系
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教授
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093-884-3339
研究室FAX
093-884-3300
外部リンク

研究キーワード

  • 透明導電体

  • 酸化物半導体

  • 酸化物

  • 発光

  • 蛍光体

  • セラミックス

出身学校

  • 1991年03月   東京工業大学   工学部   無機材料工学科   卒業   日本国

出身大学院

  • 1998年03月   東京工業大学   総合理工学研究科   材料科学専攻   博士課程・博士後期課程   修了   日本国

取得学位

  • 東京工業大学  -  博士(工学)   1998年03月

学内職務経歴

  • 2024年03月 - 現在   九州工業大学   大学院工学研究院   物質工学研究系     教授

  • 2008年04月 - 2024年02月   九州工業大学   大学院工学研究院   物質工学研究系     准教授

学外略歴

  • 1998年04月 - 2003年03月   東京工業大学 応用セラミックス研究所   助手   日本国

論文

  • Site-Selective Eu<sup>3+</sup> Doping and Enhanced Luminescence from Eu<sup>3+</sup> at B Sites in Perovskite-Type Strontium Zirconate and Hafnate 査読有り 国際誌

    Ueda K., Ogata T., Mitsuda S., Nakamura K., Honma T.

    Journal of Physical Chemistry C   127 ( 31 )   15641 - 15647   2023年08月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    To achieve efficient Eu3+ luminescence, site-selective doping of Eu3+ was attempted in perovskite-type (ABO3) SrMO3 (M = Zr, Hf). In contrast to CaMO3 and BaMO3, it was found that the doping sites of Eu3+ (EuSr• or EuZr′/EuHf′) could be highly controlled in SrMO3 by a codoping technique. This was mainly because the size of Sr2+ was suitable for the site-selective doping of Eu3+ in SrMO3. The codoping of small Ga3+ at B sites (GaZr′/GaHf′) was carried out for A-site doping of Eu3+, whereas the codoping of large La3+ at A sites (LaSr•) or small Nb5+ at B sites (NbZr•/NbHf•) was conducted for B-site doping of Eu3+. As a result, the proportion of Eu3+ at A and B sites became more than 90% by the A-site and B-site doping, respectively, from the analysis of X-ray absorption near-edge structures for the Eu L3 edge. Eu3+ ions were driven to intentional sites by codoping due to the dual effects of charge compensation and ionic size balance. The high Eu3+ proportion at B sites, viz. the almost complete B-site doping, led to the findings of significant enhancement of Eu3+ luminescence, which was derived from the magnetic dipole transitions from 5D0 to 7F1 states. The quantum efficiencies of the enhanced luminescence from SrMO3 doped with Eu3+ at B sites exceeded 50% at room temperature.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c03621

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  • Site-Dependent Luminescence from Pr<sup>3+</sup> in Double-Perovskite-Type Alkaline Earth Lanthanum Tantalates 査読有り 国際誌

    Ueda K., Oya A., Nagashima S., Ogata T., Honma T., Omata T.

    Journal of Physical Chemistry C   127 ( 18 )   8833 - 8839   2023年05月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Site-dependent photoluminescence (PL) from Pr3+ was investigated in Pr3+-doped alkaline earth lanthanum tantalates with a double-perovskite-type structure (AA’)[BB’]O6. Pr3+ was partly substituted for La3+ in both (CaLa)[CaTa]O6 (CLTO) and (Ba2)[LaTa]O6 (BLTO). The results of X-ray absorption near-edge structure of the Pr L3 absorption edge strongly supported that Pr3+ ions were located at A sites in CLTO:Pr3+ and at B sites in BLTO:Pr3+. In the PL excitation (PLE) spectra, both CLTO:Pr3+ and BLTO:Pr3+ showed intense peaks in the UV region, which were assignable to the 4f-5d transitions in Pr3+. The energy for the 4f-5d excitation peak in BLTO:Pr3+ was found to be lower than that in CLTO:Pr3+, which was primarily attributed to the low energy of Pr3+ 5d states resulted from a large crystal field at B sites. On the Pr3+ 4f-5d excitation by UV light, CLTO:Pr3+ showed white PL due to the transitions from both 3PJ and 1D2 levels, whereas BLTO:Pr3+ exhibited red PL caused by the transitions from only 1D2 levels. The low energy of Pr3+ 5d states at B sites was responsible for the quenching of the blue-green luminescence from 3PJ levels in BLTO:Pr3+

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c01208

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  • Effects of Codoping on Site-Dependent Eu<sup>3+</sup> Luminescence in Perovskite-Type Calcium Zirconate and Hafnate 査読有り 国際誌

    Ueda K., Ogata T., Honma T.

    Inorganic chemistry   62 ( 5 )   2146 - 2152   2023年02月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The single doping of Eu3+ and codoping with Ga3+ or La3+ into perovskite (ABO3)-type CaZrO3 and CaHfO3 were carried out to investigate the effect of codoping on the photoluminescence (PL) features of Eu3+, attempting the site-selective Eu3+ doping at either A or B sites. To comprehend the Eu3+ PL features, the accurate locations of Eu3+ were examined by X-ray absorption near edge structure (XANES) and the proportions of Eu3+ located at A or B sites (Eu3+(A) or Eu3+(B); EuCa• or EuZr'/EuHf') were analyzed. No considerable differences in the XANES spectra and in the proportions of Eu3+(A) and Eu3+(B) were observed in the single-doped samples. On the other hand, the shape of the XANES spectra and the Eu3+ proportion markedly differed in the codoped samples. Ga3+ codoping (GaZr'/GaHf') achieved Eu3+(A) proportions of more than 90%, and La3+ codoping (LaCa•) resulted in the largest Eu3+(B) proportions of approximately 40%. In both PL and PL excitation spectra, the site-dependent spectral features were changed depending on the proportion of Eu3+(A) and Eu3+(B), especially the PL peaks at 595 nm were intensified most in the La3+ codoped samples. Consequently, the site-dependent Eu3+ PL features in CZO and CHO were found to become more conspicuous by the effect of Ga3+ or La3+ codoping. The results also revealed that the codoped ions work not only to compensate for the charge of aliovalent Eu3+ but also to drive Eu3+ to the intentional doping sites.

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.2c03809

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  • Site-Dependent Tb<sup>3+</sup>Luminescence by Energy Transfer from Ce<sup>3+</sup>in Ce<sup>3+</sup>-Tb<sup>3+</sup>Codoped LaLuO<inf>3</inf> 査読有り 国際誌

    Nagashima S., Ueda K., Omata T.

    Journal of Physical Chemistry C   126 ( 14 )   6499 - 6504   2022年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Ce3+-Tb3+codoped LaLuO3was prepared by doping Tb3+site-selectively at a La or Lu site and doping Ce3+simultaneously at a La site. X-ray diffraction analysis revealed the expansion and contraction of the unit-cell volume according to the substituting sites of Ce3+and Tb3+, confirming the occupation of Ce3+at a La site and Tb3+at a La or Lu site. Photoluminescence due to energy transfer from Ce3+to Tb3+was investigated by exciting the 4f-5d transition band of Ce3+. The site-dependent Tb3+luminescence spectra revealed that the energy transfer occurred from Ce3+to not only Tb3+at La sites but also Tb3+at Lu sites. Because Tb3+at both sites can show green luminescence by Ce3+4f-5d excitation, as well as Tb3+4f-5d excitation, in Ce3+-Tb3+codoped LaLuO3, the excitation wavelength range for Tb3+luminescence was widely extended up to 380 nm, which is attainable with near-UV LEDs.

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c01074

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  • Energy Diagrams of Lanthanide Energy Levels in Perovskite-Type Calcium-Based Double Oxides Examined by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 招待有り 査読有り 国際誌

    Ueda K., Yamamoto R., Shimizu Y.

    Physica Status Solidi (B) Basic Research   258 ( 12 )   2021年12月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The energy levels of 4f ground states for trivalent lanthanide ions (Ln3+) in CaMO3 (M=Ti, Sn, Zr, Hf) are examined using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Some Ln3+ 4f energy levels referred to the valence band maximum (VBM), especially for Tb3+, are evaluated from the Ln3+ 4f states extracted by the difference XPS spectra between nondoped and Ln3+-doped materials. The energy position of the zigzag curves for the Ln3+ 4f energy levels are referred to the Tb3+ 4f energy levels obtained from the XPS measurements. Energy gaps and Ln2+ 4f energy levels are also estimated from the absorption and photoluminescence excitation spectra of nondoped and Eu3+-doped materials. On the basis of the experimental values, the energy diagrams aligned at the VBM are illustrated and compared to understand the Ln 4f energy levels in the electronic structures of the perovskite-type calcium-based double oxides.

    DOI: 10.1002/pssb.202100450

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  • Host Lattice-Excitation-Enhanced Photoluminescence in Eu<sup>3+</sup>-Doped LaInO<inf>3</inf>Epitaxial Films 査読有り

    Oshime N., Ueda K., Takashima H.

    Crystal Growth and Design   21 ( 5 )   2663 - 2667   2021年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Oxide-phosphor epitaxial films having a large lattice mismatch with the substrate may significantly alter the photoluminescence (PL) properties of the bulk or powder. We investigated the PL characteristics of phosphor Eu0.10La0.90InO3 (ELIO; lattice mismatch of approximately 5-7% with SrTiO3 (STO)) epitaxially grown on an STO single crystal (001). X-ray diffraction patterns indicated that the ELIO epitaxial film on STO (001) formed a 90° domain with a size of tens of nanometers and underwent 4.62% lattice expansion. Intense orange-red luminescence was observed from the ELIO epitaxial film under ultraviolet excitation, similar to the case of the ELIO powder. The PL excitation spectra indicated that host lattice (HL) excitation, rather than charge-transfer excitation, led to the red luminescence in the ELIO epitaxial film, in contrast to that in the ELIO powder. The efficient HL excitation in the ELIO epitaxial film will be advantageous for the fabrication of thin-film-type EL devices with an ELIO emitting layer.

    DOI: 10.1021/acs.cgd.0c01531

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  • Site-Dependent Eu<sup>3+</sup> Photoluminescence in Double Perovskite-Type Alkaline Earth Lanthanum Tantalates 査読有り

    Ueda K., Yoshino T., Shimizu Y., Honma T., Massuyeau F., Jobic S.

    Journal of Luminescence   229   2021年01月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Site-dependent Eu3+ photoluminescence (PL) was examined utilizing the structural difference of two Eu3+ doped alkaline earth lanthanum tantalates with the B-site-ordered double perovskite-type structure (AA’)[BB’]O6, viz. (CaLa1−xEux)[CaTa]O6 (CLTO:Eu3+) and (Ba2)[La1−xEuxTa]O6 (BLTO:Eu3+) (x = 0.01, 0.10). The locations of the Eu3+ ions were experimentally determined by X-ray absorption near edge structure of the Eu LIII edge and confirmed to be A sites in CLTO:Eu3+ and B sites in BLTO:Eu3+ as expected from the nominal compositions. Intense charge transfer (CT) excitation bands were observed in the UV region in the PL excitation spectra of both materials. Because of the shorter bond lengths and larger electronic repulsion at B sites than A sites, the CT excitation band of Eu3+ at B sites in BLTO:Eu3+ was blue-shifted compared to that of Eu3+ at A sites in CLTO:Eu3+. By UV excitation in the CT bands, both materials showed red luminescence. However, due to the difference in the site symmetry of A and B sites, the Eu3+ emission was mainly derived from the 5D0 – 7F2 transitions in CLTO:Eu3+ and from the 5D0 – 7F1 transitions in BLTO:Eu3+ in relation with Eu3+ at A and B sites, respectively. The lifetimes of the emission were also dependent on the Eu3+ sites resulting in the longer lifetimes of Eu3+ ions at B sites than those at A sites.

    DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117683

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  • 希土類イオン添加ペロブスカイト型酸化物蛍光体のサイト別発光とサイト間エネルギー移動 招待有り 査読有り

    植田和茂

    セラミックス ( 日本セラミックス協会 )   55 ( 11 )   800 - 805   2020年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)

    その他リンク: https://member.ceramic.or.jp/journal/vol_no/55/11/55_11.html

  • Site dependence of Tb<sup>3+</sup> luminescence in double perovskite-type alkaline earth lanthanum tantalates 査読有り

    Ueda K., Tanaka S., Yamamoto R., Shimizu Y., Honma T., Massuyeau F., Jobic S.

    Journal of Physical Chemistry C   124 ( 1 )   854 - 860   2020年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Tb3+ doped alkaline earth lanthanum tantalates with the B-site-ordered double perovskite-type structure (AA′)[BB′]O6 (namely, (CaLa1−xTbx)[CaTa]O6 (CLTO:Tb3+) and Ba2[La1−xTbxTa]O6 (BLTO:Tb3+) with x = 0.01, 0.10) were prepared, and their Tb3+ photoluminescence (PL) properties were examined and explained based on the occupied crystal sites (A or B sites). The locations of the Tb3+ activators were elucidated by analyzing powder X-ray diffraction patterns and X-ray absorption near edge structure at the Tb LIII edge. Tb3+ ions are located at A sites in CLTO:Tb3+ and at B sites in BLTO:Tb3+ as indicated in the nominal compositions. Both CLTO:Tb3+ and BLTO:Tb3+ exhibited intense PL excitation (PLE) peaks in the UV region due to the 4f−5d excitation for Tb3+. The PLE peak of Tb3+ in BLTO:Tb3+ showed a marked red-shift compared to that in CLTO:Tb3+ primarily because of the larger crystal fields at the B sites than at the A sites. The main PL peaks associated with the 4f−4f transitions from 5D4 to 7F5 states are also influenced by the crystal field, and the splitting of the PL peaks for Tb3+ at the B sites in BLTO:Tb3+ is more pronounced than that at the A sites in CLTO:Tb3+. In addition, owing to a downshift of the Tb 5d orbitals, the PL in the blue region derived from 5D3−7FJ transitions is quenched for Tb3+ in BLTO:Tb3+

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b09260

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  • 九州工業大学工学部応用化学科の化学実験教育 招待有り 査読有り

    中戸 晃之, 竹中 繁織, 岡内 辰夫, 山村 方人, 植田 和茂

    化学と教育 ( 公益社団法人 日本化学会 )   68 ( 3 )   114 - 117   2020年01月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)

    <p>九州工業大学工学部応用化学科では,2年次前期より3年次後期にかけて,分析化学,物理化学,有機化学,化学工学・無機化学の順序で,学生実験を実施している。実験技術の習得に加え,エンジニアリングデザイン,コミュニケーション,チームワークなどの能力の涵養も目的としている。有機化学実験ではPBL(課題解決型学習)方式を取り入れており,学生アンケートや教員の実感では有効に機能していると考えられる。</p>

    DOI: 10.20665/kakyoshi.68.3_114

    CiNii Article

    CiNii Research

    その他リンク: https://ci.nii.ac.jp/naid/130007993107

  • Site-Selective Doping and Site-Sensitive Photoluminescence of Eu<sup>3+</sup> and Tb<sup>3+</sup> in Perovskite-Type LaLuO<inf>3</inf> 査読有り 国際誌

    Ueda K., Tanaka S., Yoshino T., Shimizu Y., Honma T.

    Inorganic Chemistry   58 ( 16 )   10890 - 10897   2019年08月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2019 American Chemical Society. Eu3+ and Tb3+ ions were site-selectively doped into LaLuO3 with the orthorhombic perovskite-type structure (ABO3), and their luminescence properties were examined considering the doping sites (A or B sites). The X-ray diffraction analysis revealed the expansion or contraction of the unit cell volumes of the materials depending on the doping sites. The spectra of X-ray absorption near edge structure for the Eu and Tb LIII edge exhibited different shapes for the ions at A and B sites, confirming the site-selective doping of Eu3+ and Tb3+ in LaLuO3. The photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) spectra of the materials also showed some differences caused by the doping sites. The intensities of the Eu3+ PL peaks derived from the 5D0-7F1 transitions and those from the 5D0-7F2 transitions were markedly different between Eu3+ at A sites and those at B sites because of the different site symmetries. The splitting of the intense Tb3+ PL peaks originating from the 5D4-7F5 transitions and the absence of PL peaks from 5D3-7FJ transitions were found only for Tb3+ at B sites because of the strong crystal field at B sites. In addition to the PL spectra, the positions of PLE peaks originating from charge transfer transitions in Eu3+ and the 4f-5d transitions in Tb3+ depended on the doping sites. The successful site-selective doping enabled us to clarify the site-sensitive luminescence properties of Eu3+ and Tb3+ doped in the perovskite-type LaLuO3.

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.9b01273

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  • Ultraviolet emission from YAlO<inf>3</inf>:Gd<sup>3+</sup> thin film electroluminescent devices fabricated on perovskite-type oxide substrates 査読有り 国際誌

    Shimizu Y., Ueda K.

    Optical Materials   91   371 - 375   2019年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2019 Elsevier B.V. Inorganic ultraviolet-electroluminescent (UV-EL) devices with a Gd3+-doped YAlO3 thin film emitting layer were fabricated by radio frequency sputtering. Three kinds of perovskite-type oxide substrates, namely a SrTiO3 single crystal (STO-SC), BaTiO3 single crystal (BTO-SC), and BaTiO3 polycrystalline disk (BTO-PC), were used for the devices. The influence of the substrates on the UV-EL properties of YAlO3:Gd3+ was investigated. It was found that EL threshold voltage, emitting locations, and EL intensity have changed depending on the substrates. The UV-EL attributed to the 6PJ-8S7/2 transitions in Gd3+ was observed in the BTO-PC substrate device with applied voltage of approximately over 200 V and in the STO-SC and BTO-SC substrate devices with that of approximately over 500 V. The STO-SC and BTO-SC devices showed EL only near the edges of a back electrode, whereas the BTO-PC device showed surface EL over the whole electrode. It was considered the local EL at the electrode edges in the SC substrate devices was caused by a concentrated electric field in the vicinity of the electrodes. The BTO-PC device showed not only the lowest EL threshold voltage but also the most intense EL in the three devices. Because the BTO-PC substrate has a high dielectric constant and appropriate surface roughness, which results in a high and uniform electric field over the back electrode, the YAlO3:Gd3+ emitting layer showed intense surface UV-EL with lower applied voltage.

    DOI: 10.1016/j.optmat.2019.03.047

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  • Ln <sup>3+</sup> 4f Energy Levels in CaTiO <inf>3</inf> Analyzed by XPS Measurements 査読有り 国際誌

    Yamamoto R., Ueda K.

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science   216 ( 5 )   1700776(1) - 1700776(5)   2019年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim The energy levels of Ln 3+ 4f ground states in CaTiO 3 are analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The Ln 4f states in the XPS spectra are extracted utilizing large photoionization cross section differences between Ln 4f and O 2p states. The Ln 3+ 4f energy levels referred to the valence band maximum are evaluated to be 0.8 eV for Pr 3+ , −5.0 eV for Gd 3+ , 0.9 eV for Tb 3+ , and −4.6 eV for Lu 3+ from the extracted XPS spectra. Although the obtained values of Gd 3+ and Lu 3+ 4f levels are deeper in the valence band, the values of Pr 3+ and Tb 3+ 4f levels are in good agreement with those reported previously. The difference in the photoluminescence colors between Pr 3+ -doped CaTiO 3 and CaZrO 3 is simply explained from the Pr 3+ 4f energy levels located in the bandgaps.

    DOI: 10.1002/pssa.201700776

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  • Luminescence and Location of Gd<sup>3+</sup>or Tb<sup>3+</sup>Ions in Perovskite-Type LaScO<inf>3</inf> 査読有り 国際誌

    Ueda K., Aoki T., Shimizu Y., Massuyeau F., Jobic S.

    Inorganic Chemistry   57 ( 15 )   8718 - 8721   2018年08月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2018 American Chemical Society. The luminescence properties of Gd3+or Tb3+ions at La and Sc sites were investigated in LaScO3with a distorted perovskite-type structure (ABO3). Although the luminescence of lanthanide ions located at B sites is not common and has not been examined in detail, Gd3+or Tb3+luminescence from B sites and A sites is clearly observed in Gd3+- or Tb3+-doped LaScO3. The differences in the luminescence characteristics concern peak positions, peak shapes, and decay time, which are all influenced by the crystal field and the site symmetry. The UV luminescence of Gd3+at B sites shows a red shift compared to Gd3+at A sites, and the green luminescence of Tb3+at B sites contrasts with the blue-violet and green luminescence of Tb3+at A sites. The decay time of the luminescence from B sites is systematically longer than that from A sites in both the Gd3+and Tb3+cases.

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.8b01288

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  • 照明の化学2 招待有り 査読有り

    植田 和茂

    化学と教育 ( 公益社団法人 日本化学会 )   65 ( 11 )   578 - 581   2017年11月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)

    <p>炎色反応といえばいくつかの元素とその色の対応をすぐに思い出されるかもしれないが,天井の蛍光灯を見ても同じように元素とその発光色の対応をすぐに想像できないと思われる。蛍光灯ではいくつかの色を混ぜて白色にしているため,想像できないのも当然であるが,原子からの固有の発光を見ているという点では炎色反応の発色も蛍光灯も同じことである。放電ランプでは放電管中の気体の原子やイオンからの発光を利用し,蛍光灯やLED照明では蛍光体中に添加された微量の陽イオンからの発光を利用している。ここでは,照明として身近に使われる放電ランプ,蛍光灯,LED照明の仕組みと進歩について簡単に解説する。</p>

    DOI: 10.20665/kakyoshi.65.11_578

    CiNii Article

    CiNii Research

  • Photo- and cathodoluminescence of Eu<sup>3+</sup>or Tb<sup>3+</sup>doped CaZrO<inf>3</inf>films prepared by pulsed laser deposition 査読有り 国際誌

    Ueda K., Shimizu Y., Takashima H., Massuyeau F., Jobic S.

    Optical Materials   73   504 - 508   2017年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2017 Elsevier B.V. Luminescent films of Eu 3+ or Tb 3+ doped CaZrO 3 were epitaxially grown on SrTiO 3 or LaAlO 3 (001) single crystal substrates by pulsed laser deposition (PLD). They showed a high transmittance in the visible region and a smooth surface. Uniform red photoluminescence (PL) was observed from Eu 3+ 5% doped films, and blue and green PL was observed from Tb 3+ 0.5% and 5% doped films, respectively. These PL spectra of the films turned out to be very similar to those of the powder samples. Practically, it has to be noticed the use of a LaAlO 3 substrate is necessary for intense blue luminescence for Tb 3+ 0.5% doped films to avoid optical absorption of emitted light by the SrTiO 3 substrate. The cathodoluminescence (CL) spectra of the red and green luminescent films were almost the same as those PL spectra. In contrast, blue CL was significantly enhanced in CL compared to PL. This was attributed to the shorter lifetime of the 5 D 3 - 7 F J transitions and many excited electron-hole pairs, which were generated rapidly on high energy electron irradiation.

    DOI: 10.1016/j.optmat.2017.09.007

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  • Luminescence and Valence of Tb Ions in Alkaline Earth Stannates and Zirconates Examined by X-ray Absorption Fine Structures 査読有り 国際誌

    Ueda K., Shimizu Y., Nagamizu K., Matsuo M., Honma T.

    Inorganic Chemistry   56 ( 20 )   12625 - 12630   2017年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2017 American Chemical Society. The difference in Tb 3+ green luminescence intensities in doped perovskite(ABO 3 )-type alkaline earth stannates, AeSnO 3 (Ae = Ca, Sr, Ba), and the Mg codoping effect on the luminescence intensities in doped CaMO 3 (M = Sn, Zr) were investigated utilizing the X-ray absorption fine structures (XAFS) of the Tb L III absorption edge. It is considered that the local symmetry at A sites is responsible for the different Tb 3+ luminescence intensities in AeSnO 3 (Ae = Ca, Sr, Ba) doped with Tb ions at A sites. However, it was found from the XAFS spectra that some Tb ions are unintentionally stabilized at B sites as Tb 4+ , especially in BaSnO 3 . Not only the central symmetry for Tb 3+ at A sites but also the presence of Tb 4+ at B sites were considered to bring about the absence of Tb 3+ luminescence in doped cubic BaSnO 3 . No obvious changes in the Tb 3+ local structure at A sites were detected between Tb single doped and Tb-Mg codoped CaMO 3 (M = Sn, Zr) from the extended XAFS oscillation, but the trace of Tb 4+ at B sites in the Tb single doped sample was observed in the X-ray absorption near edge structures. It is, therefore, considered that the Tb 3+ luminescence enhancement by Mg codoping is primarily attributed to the charge compensation rather than the changes in the local structure around Tb 3+ at A sites.

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.7b02165

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  • Thermoelectric properties and figure of merit of perovskite-type Sr1-xLaxSnO3 ceramics 査読有り 国際誌

    Masahiro Yasukawa, Kazushige Ueda, Satoru Fujitsu, Hideo Hosono

    Ceramics International   43 ( 13 )   9653 - 5657   2017年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The thermoelectric properties of perovskite-type Sr1−xLaxSnO3 ceramics with x=0.01–0.05 were evaluated from the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, and thermal conductivity κ measured at high temperatures. The La-doped ceramics were n-type semiconductors exhibiting thermally activated electrical conduction behaviors in the temperature range of 473–1073 K. Eelectron carriers were introduced into the conduction band from doped La atoms up to x=0.03, which was the solubility limit of La at Sr site. The temperature dependence of the κ values for the ceramics was unaffected by both the La content and the microstructures. Estimations of the electronic thermal conductivities by the Wiedemann-Franz law revealed that the phonon thermal conductivities were dominant for all ceramics. The dimensionless figure of merit ZT increased with increasing temperature for all ceramics and reached 0.02–0.05 at 1073 K. In contrast to cubic Ba1−xLaxSnO3 ceramics, bending of the Sn–O–Sn bonds due to octahedral tilting distortion in Sr1−xLaxSnO3 lowered the electron mobility, decreasing the power factor S2σ and ZT values, although it effectively reduced the phonon mean free path, decreasing the κ values.

    DOI: 10.1016/j.ceramint.2017.04.136

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  • Photoluminescence excitation spectra of lanthanide doped YAlO<inf>3</inf> in vacuum ultraviolet region 査読有り 国際誌

    Shimizu Y., Ueda K., Inaguma Y.

    Optical Materials   66   327 - 331   2017年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2017 Elsevier B.V.To understand luminescent mechanisms of lanthanide (Ln) doped phosphors, it is important to know the energy positions of unoccupied Ln2+ 4f and Ln3+ 5d states, as well as occupied Ln3+ 4f states, relative to the energy bands of host materials. Photoluminescence excitation (PLE) spectra of Ln doped YAlO3 were measured in a vacuum ultraviolet (VUV) region and the energy positions of Ln2+ 4f and Ln3+ 5d states in the wide-gap YAlO3 were elucidated. Peaks assignable to host lattice excitation were observed in all samples at approximately 8 eV in the PLE spectra. PLE peaks derived from charge transfer (CT) and 4f-5d transitions were observed at lower energy than the bandgap energy. Ln2+ 4f energy levels were obtained from the PLE peak energies for the CT transitions along with the valence band maximum. In contrast, Ln3+ 5d energy levels were evaluated from those for the 4f-5d transitions along with the Ln3+ 4f energy levels, which were obtained previously from X-ray photoelectron spectroscopy measurements. The elucidated Ln2+ 4f and Ln3+ 5d energy levels were exhibited in an energy diagram together with Ln3+ 4f energy levels and host energy bands. The experimental Ln2+ 4f and Ln3+ 5d energy levels were in good agreement with the reported theoretical data.

    DOI: 10.1016/j.optmat.2017.02.029

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  • Phase formation and UV luminescence of Gd<sup>3+</sup> doped perovskite-type YScO<inf>3</inf> 査読有り 国際誌

    Shimizu Y., Ueda K.

    Journal of Solid State Chemistry   242   170 - 174   2016年10月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2016 Elsevier Inc.Synthesis of pure and Gd3+doped perovskite-type YScO3 was attempted by a polymerized complex (PC) method and solid state reaction (SSR) method. Crystalline phases and UV luminescence of samples were examined with varying heating temperatures. The perovskite-type single phase was not simply formed in the SSR method, as reported in some literatures, and two cubic C-type phases of starting oxide materials remained forming slightly mixed solid solutions. UV luminescence of Gd3+ doped samples increased with an increase in heating temperatures and volume of the perovskite-type phase. In contrast, a non-crystalline precursor was crystallized to a single C-type phase at 800 °C in the PC method forming a completely mixed solid solution. Then, the phase of perovskite-type YScO3 formed at 1200 °C and its single phase was obtained at 1400 °C. It was revealed that high homogeneousness of cations was essential to generate the single perovskite-phase of YScO3. Because Gd3+ ions were also dissolved into the single C-type phase in Gd3+ doped samples, intense UV luminescence was observed above 800 °C in both C-type phase and perovskite-type phase.

    DOI: 10.1016/j.jssc.2016.07.023

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  • Determination of 4f energy levels for trivalent lanthanide ions in YAlO<inf>3</inf> by X-ray photoelectron spectroscopy 査読有り

    Shimizu Y., Ueda K.

    Thin Solid Films   614   69 - 72   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2016 Elsevier B.V.A simple method to analyze 4f energy levels of trivalent lanthanide (Ln) ions was demonstrated by conventional X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements using Ln ions doped YAlO3 sintered polycrystalline samples. Although XPS peaks derived from Ln 4f states overlapped with the host's valence band consisting of O 2p states, the difference XPS spectra between Ln doped and non-doped samples showed only the Ln 4f peaks due to the large difference of photoionization cross sections between Ln 4f and O 2p orbitals. The difference spectra showing Ln 4f states were aligned at the valence band maximum (VBM) making use of the peaks of Al 2p inner shells, and the Ln3 + 4f energy levels referred to the VBM were determined from the Ln3 + 4f peak energies. The Ln3 + 4f energy levels obtained by this simple method were in good agreement with those previously obtained by resonant ultraviolet photoelectron spectroscopy measurements using single crystal samples.

    DOI: 10.1016/j.tsf.2016.03.020

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  • Lanthanide 4f energy levels in perovskite-type YAlO3 査読有り

    Yuhei Shimizu, Kazushige Ueda

    Journal of Luminescence   168   14 - 19   2015年07月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.jlumin.2015.07.018

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  • UV cathodoluminescence of Gd3+ doped and Gd3+-Pr3+ co-doped YAlO3 epitaxial thin films 査読有り

    Yuhei Shimizu, Kazushige Ueda, Hiroshi Takashima, Yoshiyuki Inaguma

    Physica Status Solidi A   212   703 - 706   2015年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1002/pssa.201431778

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  • Thermoelectric properties and figure of merit of perovskite-type Ba1-xLaxSnO3 with x=0.002-0.008 査読有り

    MasahiroYasukawa, Toshio Kono, Kazushige Ueda, HiroshiYanagi, Sung Wng Kim, Hideo Hosono

    Solid State Communications   172   49 - 53   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.ssc.2013.08.018

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  • UV emission from Gd3+ ions in Gd3+–Pr3+ codoped YAlO3 perovskite 査読有り

    Yuhei Shimizu, Yasukazu Takano, Kazushige Ueda

    Journal of Luminescence   141   44 - 47   2013年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.jlumin.2013.03.030

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  • Optical and electrical properties of heat-resistant Sb-doped Sn1-xHfxO2 transparent conducting films 査読有り

    K. Ueda, Yusuke Kishigawa, Yasukazu Takano

    Thin Solid Films   520   3755 - 3759   2012年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.08.026

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  • Synthesis of Pr3+ doped or Tb3+–Mg codoped CaSnO3 perovskite phosphor by the polymerized complex method 査読有り

    T. Nakamura, M. Shima, M. Yasukawa, K. Ueda

    Journal of Sol-Gel Science and Technology 61 (2012) 362-366   61   362 - 366   2012年02月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1007/s10971-011-2635-0

    Scopus

  • Thermoelectric Properties of P-Type BaSnO3 Ceramics Doped with Cobalt 査読有り

    M. Yasukawa, Y. Hamada, T. Kono, K. Ueda, H. Yanagi, Sung Wng Kim and H. Hosono

    J. Jpn. Soc. Powder Powder Metallurgy   58   149 - 154   2011年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.2497/jjspm.58.149

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    CiNii Article

  • Preparation of perovskite-type alkaline-earth stannates thin films using a unilamellar nanosheets seed layer 査読有り

    Takashima H., Ueda K., Ikegami K.

    IDW'10 - Proceedings of the 17th International Display Workshops   2   1081 - 1083   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We have obtained green photoluminescence in rare-earth-doped perovskite-type alkaline-earth stannate thin films. On a glass substrate with a seed layer prepared by the Langmuir-Blodgett method, uniaxially oriented thin films of [(Ca0.97Mg0.03)0.98Tb 0.02]SnO3 with sharp and intense emission and transmittance > 75% have been successfully obtained. The precoated seed layer has been found to be essential to deposit the strongly photoluminescent and transparent films on to glass. © 2010 ITE and SID.

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=79956319030&origin=inward

  • Fabrication of Tb-Mg codoped CaSnO3 perovskite thin films and electroluminescence devices 査読有り

    K. Ueda,Y. Shimizu

    Thin Solid Films   518   3063 - 3066   2010年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

    DOI: 10.1016/j.tsf.2009.09.169

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  • High-temperature thermoelectric properties of La-doped BaSnO3 ceramics 査読有り

    M. Yasukawa,T. Kono,K. Ueda,H. Yanagi,H. Hosono

    Materials Science and Engineering B   177   29 - 32   2010年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

    DOI: 10.1016/j.mseb.2009.10.002

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  • Origin of high-density hole doping and anisotropic hole transport in a wide gap layered semiconductor LaCuOSe studied by first-principles calculations3 perovskite thin films and electroluminescence devices 査読有り

    H. Hiramatsu,T. Kamiya,K. Ueda,M. Hirano,H. Hosono

    Phys. Status Solidi A   207   1636 - 1641   2010年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

    DOI: 10.1002/pssa.200983728

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  • High-Temperature Thermoelectric Properties of La-Doped Ba1-xSrxSnO3 Ceramics 査読有り

    M. Yasukawa,T. Kono,K. Ueda,H. Yanagi,H. Hosono

    J. Jpn. Soc. Powder Powder Metallurgy   56   555 - 560   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Layered mixed-anion compounds: Epitaxial growth, active function exploration, and device application 査読有り

    H. Hiramatsu,Y. Kamihara,H. Yanagi,K. Ueda,T. Kamiya,M. Hirano,and H. Hosono

    J. Eur. Ceramic Soc.   29   245 - 253   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Tricolor luminescence in rare earth doped CaZrO3 perovskite oxides 査読有り

    Y. Shimizu,S. Sakagami,K. Goto,Y. Nakachi,K. Ueda

    Mater. Sci. Eng. B   161   100 - 103   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Low-Driving-Voltage Electroluminescence in Perovskite Films 査読有り

    H. Takashima,K. Shimada,N. Miura,T. Katsumata,Y. Inaguma,K. Ueda,and M. Itoh

    Adv. Mater.   21   3699 - 3702   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Crystal Structures, Optoelectronic Properties, and Electronic Structures of Layered Oxychalcogenides MCuOCh (M = Bi, La; Ch = S, Se, Te): Effects of Electronic Configurations of M3+ Ions 査読有り

    H. Hiramatsu,H. Yanagi,T. Kamiya,K. Ueda,M. Hirano,and H. Hosono

    Chem. Mater.   20   326 - 334   2008年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Single crystal growth of LaCuOS by the flux method 査読有り

    Y. Nakachi,K. Ueda

    Journal of Crystal Growth   311   114 - 117   2008年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Photoluminescence properties of Pr doped and Tb-Mg codoped CaSnO3 with Perovskite structure 査読有り

    K. Goto,Y. Nakachi,K. Ueda

    Thin Solid Films   516   5885 - 5889   2008年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Photoluminescence from Epitaxial Films of Perovskite-type Alkaline-earth Stannates 査読有り

    K. Ueda,T. Maeda,K. Nakayashiki,K. Goto,Y. Nakachi,H. Takashima,K. Nomura,K. Kajihara,and H. Hosono

    Appl. Phys. Express 1 (2008) 015003.1-3   1 ( 1 )   015003.1 - 3   2008年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Optoelectronic properties and electronic structure of YCuOSe 査読有り

    K. Ueda,K. Takafuji,H. Yanagi,T. Kamiya,H. Hosono,H. Hiramatsu,M. Hirano and N. Hamada

    J. Appl. Phys.   102   113714.1 - 6   2007年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Heavy hole doping of epitaxial thin films of a wide gap p-type semiconductor, LaCuOSe, and analysis of the effective mass 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,H. Ohta,M. Hirano,M. Kikuchi,H. Yanagi,T. Kamiya and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   91   012104.1 - 3   2007年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Blue photoluminescence in Ti-doped alkaline-earth stannates 査読有り

    T. Yamashita,K. Ueda

    J. Solid State Chem.   180   1410 - 1413   2007年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Red photoluminescence in praseodymium-doped titanate perovskite films epitaxially grown by pulsed laser deposition 査読有り

    H. Takashima,K. Ueda,M. Itoh

    Appl. Phys. Lett.   89   261915 - 261915   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Green, Orange, and Magenta Luminescence in Strontium Stannates with Perovskite-Related Structures 査読有り

    K. Ueda,T. Yamashita,K. Nakayashiki,K. Goto,T. Maeda,K. Furui,K. Ozaki,Y. Nakachi,S. Nakamura,M. Fujisawa and T. Miyazaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45   6981 - 6981   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Opto-electronic properties and light-emitting device application of widegap layered oxychalcogenides: LaCuOCh (Ch = chalcogen) and La2CdO2Se2 査読有り

    H. Hiramatsu,H. Kamioka,K. Ueda,H. Ohta,T. Kamiya,M. Hirano and H. Hosono

    Phys. Stat. Sol. (a)   203   2800 - 2800   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Wide-gap layered oxychalcogenide semiconductors: Materials, electronic structures and optoelectronic properties 査読有り

    K. Ueda,H. Hiramatsu,M. Hirano,T. Kamiya and H. Hosono

    Thin Solid Films   496   8 - 8   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrical and photonic functions originating from low-dimensional structures in wide-gap semiconductors LnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen): a review 査読有り

    H. Hiramatsu,H. Kamioka,K. Ueda,M. Hirano and H. Hosono

    J. Ceram. Soc. Japan   113   10 - 10   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Two-dimensional electronic structure and multiple excitonic states in layered oxychalcogenide semiconductors, LaCuOCh(Ch=S, Se, Te): Optical properties and relativistic ab initio study 査読有り

    T. Kamiya,K. Ueda,H. Hiramatsu,H. Kamioka,H. Ohta,M. Hirano and H. Hosono

    Thin Solid Films   486   98 - 103   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Excitonic blue luminescence from p-LaCuOSe/n-InGaZn5O8 light-emitting diode at room temperature 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,H. Ohta,T. Kamiya,M. Hirano and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   87   211107.1 - 3   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Electrical properties and structure of p-type amorphous oxide semiconductor xZnO-Rh2O3 査読有り

    T. Kamiya,S. Narushima,H. Mizoguchi,K. Shimizu,K. Ueda,H. Ohta,M. Hirano and H. Hosono

    Adv. Funct. Mater.   15   968 - 968   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Valence-band structures of layered oxychalcogenides, LaCuOCh (Ch=S, Se, and Te), studied by ultraviolet photoemission spectroscopy and energy band calculations 査読有り

    K. Ueda,H. Hosono and N. Hamada

    J. Appl. Phys.   98   043506.1 - 7   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Excitonic properties related to valence band levels split by spin-orbit interaction in layered oxychalcogenide LaCuOCh(Ch=S,Se) 査読有り

    H. Kamioka,H. Hiramatsu,M. Hirano,K. Ueda,T. Kamiya and H. Hosono

    J. Lumin.   112   66 - 66   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Thermoelectric properties of delafossite-type layered oxides AgIn1-xSnxO2 査読有り

    M. Yasukawa,K. Ikeuchi,T. Kono,K. Ueda,and H. Hosono

    J. Appl. Phys. 98 (2005) 013706.1-4   98   013706.1 - 4   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Mechanism for Heteroepitaxial Growth of Transparent P-type Semiconductor: LaCuOS by Reactive Solid-State Epitaxy 査読有り

    H. Hiramatsu,H. Ohta,T. Suzuki,C. Honjo,Y. Ikuhara,K. Ueda,T. Kamiya,M. Hirano,and H. Hosono

    Cryst. Growth Des.   4   301 - 307   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Third-order optical nonlinearity originating from room-temperature exciton in layered compounds LaCuOS and LaCuOSe 査読有り

    H. Kamioka,H. Hiramatsu,H. Ohta,M. Hirano,K. Ueda,T. Kamiya,and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   84   879 - 881   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Quantum beat between two excitonic levels split by spin-orbit interactions in the oxychalcogenides LaCuOS 査読有り

    H. Kamioka,H. Hiramatsu,M. Hirano,K. Ueda,T. Kamiya and H. Hosono

    Opt. Lett.   29   1659 - 1661   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Degenerate electrical conductive and excitonic photoluminescence properties of epitaxial films of wide gap p-type layered oxychalcogenides, LnCuOCh (Ln=La, Pr and Nd; Ch=S or Se) 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,T. Takafuji,H. Ohta,T. Kamiya,M. Hirano and H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1521 - 1523   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Synthesis of single-phase layered oxychalcogenide La2CdO2Se2: crystal structure, optical and electrical properties 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,T. Kamiya,H. Ohta,M. Hirano and H. Hosono

    J. Mater. Chem.   14   2946 - 2950   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Heteroepitaxial growth of wide gap p-type semiconductors: LnCuOCh (Ln=La, Pr and Nd; Ch=S or Se) by reactive solid-phase epitaxy 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,T. Takafuji,H. Ohta,T. Kamiya,M. Hirano and H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1517 - 1520   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of heteroepitaxial thin films of layered oxychalcogenides LnCuOCh (Ln=La-Nd; Ch=S-Te) by reactive solid-phase epitaxy 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,K. Takafuji,H. Ohta,M. Hirano,T. Kamiya and H. Hosono

    J. Mater. Res.   19   2137 - 2137   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Energy band structure of LaCuOCh (Ch=S, Se and Te) calculated by the full-potential linearized augmented plane-wave method 査読有り

    K. Ueda,H. Hosono and Noriaki Hamada

    J. Phys.: Condens. Matter   16   5179 - 5179   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Thermoelectric properties of layered oxyselenides La1-xSrxCuOSe 査読有り

    M. Yasukawa,K. Ueda,and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   95   3594 - 3594   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Optical properties of two-dimensional electronic structure in wide-gap layered oxychalcogenide: La2CdO2Se2 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,T. Kamiya,H. Ohta,M. Hirano and H. Hosono

    J. Phys. Chem. B   108   17344 - 17351   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Single-atomic-layered quantum wells built in wide-gap semiconductors LnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen) 査読有り

    K. Ueda,H. Hiramatsu,H. Ohta,M. Hirano,T. Kamiya,and H. Hosono

    Phys. Rev. B   69   155305 - 155305   2004年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Degenerate p-type conductivity in wide-gap LaCuOS1-xSex (x=0-1) epitaxial films 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,H. Ohta,M. Hirano,T. Kamiya and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   82   1048 - 1050   2003年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Wide-gap p-type conductive properties in layered oxychalcogenides 査読有り

    K. Ueda,S. Inoue,S. Hirose,H. Kawazoe,and H. Hosono

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   747   V2.1.1 - 11   2003年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Intrinsic excitonic photoluminescence and band-gap engineering of wide-gap p-type oxychalcogenide epitaxial films of LnCuOCh (Ln=La, Pr, and Nd; Ch=S or Se)semiconductor alloys 査読有り

    H. Hiramatsu,K. Ueda,K. Takafuji,H. Ohta,M. Hirano,T. Kamiya,and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   94   5805 - 5808   2003年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Preparation and crystal structure analysis of CeCuOS 査読有り

    K. Ueda,K. Takafuji,and H. Hosono

    J. Solid State Chem.   170   182 - 187   2003年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrical and Optical Properties and Electronic Structures of LnCuOS (Ln=La~Nd) 査読有り

    K. Ueda,K. Takafuji,H. Hiramatsu,H. Ohta,T. Kamiya,M. Hirano,and H. Hosono

    Chem. Mater.   15   3692 - 3695   2003年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Crystal structure of LaCuOS<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub> oxychalcogenides 査読有り

    K. Ueda,and H. Hosono

    Thin Solid Films   411   115 - 118   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Bandgap engineering, band edge emission and p-type conductivity in wide-gap LaCuOS<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub> oxychalcogenides 査読有り

    K. Ueda,and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   91   4768 - 4770   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Room-temperature excitons in wide-gap layered-oxysulfide semiconductor: LaCuOS 査読有り

    K. Ueda,S. Inoue,N. Sarukura,M. Hirano and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   78   2333 - 2333   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Bipolarigy in electrical conduction of transparent oxide semiconductor CuInO2 with delafossite structure 査読有り

    H. Yanagi,K. Ueda,H. Ohta,M. Hirano and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   78   1583 - 1583   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrical and optical properties of layered oxysulfides with CuS layers: Sr-Cu-M-O-S system (M=Zn, Ga, In) 査読有り

    K. Ueda,S. Hirose,H. Kawazoe and H. Hosono

    Chem. Mater.   13   1880 - 1880   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Epitaxial growth of transparent p-type conducting CuGaO2 thin films on sapphire (001) substrates by pulsed laser deposition 査読有り

    K. Ueda,T. Hase,H. Yanagi,H. Kawazoe,H. Ohta,M. Orita,M. Hirano and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   89   1790 - 1790   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Preparation of n-type conductive transparent thin films of AgInO<sub>2</sub>:Sn with delafossite-type structure by pulsed laser deposition 査読有り

    S. Ibuki,H. Yanagi,K. Ueda,H. Kawazoe and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   88   3067 - 3067   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Transparent p-type semiconductor: LaCuOS layered oxysulfide 査読有り

    K. Ueda,S. Inoue,S. Hirose,H. Kawazoe,and H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   77   2701 - 2701   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electronic structure and optoelectronic properties of transparent p-type conducting CuAlO<sub>2</sub> 査読有り

    H. Yanagi,S. Inoue,K. Ueda,N. Hamada,H. Kawazoe and H. Hosono

    J. Appl. Phys.   88   4159 - 4159   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electron paramagnetic centers in donor-doped CaTiO<sub>3</sub> single crystals 査読有り

    K. Ueda,H. Kawazoe and H. Hosono

    Phys. Rev. B   61   7440 - 7440   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Study on electronic structure of CaTiO<sub>3</sub> by spectroscopic measurements and energy band calculations 査読有り

    K. Ueda,H. Yanagi,H. Hosono and H. Kawazoe

    J. Phys.: Condens. Matter   11   3535 - 3545   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of transparent p-n heterojunction thin film diodes based entirely on oxide semiconductors 査読有り

    A. Kudo,H. Yanagi,K. Ueda,Y. Yano,H. Hosono and H. Kawazoe

    Appl. Phys. Lett.   75   2851 - 2851   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electron Spin Resonance Centers in Donor-Doped CaTiO<sub>3</sub> Single Crystals 査読有り

    K. Ueda,H. Hosono and H. Kawazoe

    Solid State Phenomena   67-68   283 - 283   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Transparent Conducting Oxides Based on the Spinel Structure 査読有り

    H. Kawazoe and K. Ueda

    J. Am. Ceram. Soc.   82   3330 - 3330   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • n-type electrical conduction in transparent thin films of delafossite-type AgInO<sub>2</sub> 査読有り

    T. Otabe,K. Ueda,A. Kudoh,H. Hosono and H. Kawazoe

    Appl. Phys. Lett.   72   103 - 103   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Observation of Electronic Structure in Conduction Band of CaTiO<sub>3</sub> 査読有り

    K. Ueda,H. Yanagi,R. Noshiro,H. Mizoguchi,T. Omata,N. Ueda,H. Hosono and H. Kawazoe

    J. Ceramic Soc. Japan   106   964 - 967   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Vacuum ultraviolet reflectance and electron energy loss spectra of CaTiO<sub>3</sub> 査読有り

    K. Ueda,H. Yanagi,R. Noshiro,H. Hosono and H. Kawazoe

    J. Phys. : Condens. Matter   10   3669 - 3677   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Carrier generation and compensation in Y-doped and Nb-doped CaTiO<sub>3</sub> single crystals 査読有り

    K. Ueda,H. Yanagi,H. Hosono and H. Kawazoe

    Phys. Rev. B   56   12998 - 13005   1997年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • New oxide phase with wide band gap and high electoroconductivity, MgIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 査読有り

    Naoyuki Ueda, Takahisa Omata, Naoko Hikuma, Kazushige Ueda, Hiroshi Mizoguchi, Takuya Hashimoto, and Hiroshi Kawazoe

    Appl. Phys. Lett.   61   1954 - 1955   1992年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.108374

  • Synthesis of Pb(Mg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub> powder by the spray pyrolysis with ultrasonic atomizer 査読有り

    Bok-Hee KIM, Kazushige VEDA, Osamu SAKURAI and Nobuyasu MIZUTAN

    J. Ceramic Soc. Japan   100   246 - 249   1992年03月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.2109/jcersj.100.246

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著書

  • Transparent conductive oxides (Handbook of Electronic and Photonic Materials (Springer Handbooks) 2nd ed. 2017 Edition)

    Hosono H., Ueda K.(共著 ,  範囲: Chapter 58)

    Springer Handbooks  2017年01月 

     詳細を見る

    記述言語:英語

    Transparent conducting oxides (TCOtransparentconducting oxide (TCO)s) such as doped ZnO, In2O3 and SnO2 play important roles as transparent electrodes in commercial applications such as display and lighting devices. Although transparency and electrical conductivity are inherently conflicting, TCOs possess both properties simultaneously. To understand the fundamentals of TCOs, the essetials of the transparency and electrical conductivity are reviewed simply. Comprehension of the essentials enables us to develop novel TCOs following the principles of the materials design that carrier conduction paths should be constructed in wide-gap oxides. Because the electronic structure of oxides is considerably different between the conduction band and the valence band, procedures to form the conduction paths for electrons are in contrast to those for holes. In n-type TCOs, only isotropically spread ns0 orbitals of heavy cations such as Zn2+In3+ and Sn4+ are necessary to form conduction paths for electrons at the bottom of the conduction band. In p-type TCOs, however, hybridization of orbitals between oxygen 2p6 orbitals and other orbitals such as Cu 3d10Sn 5s2 and S 3p6 orbitals is essential to shape conduction paths for holes at the top of the valence band.

    DOI: 10.1007/978-3-319-48933-9_58

    Scopus

  • 透明導電膜の技術

    日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会(共著)

    オーム社  2014年04月  ( ISBN:978-4-274-21522-3

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  • ディスプレイ材料

    木島弌倫他(編集 ,  範囲: 総論2.3節)

    日本セラミックス協会  2013年01月  ( ISBN:978-4-526-07010-5

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  • 最新無期EL開発動向 ~材料特性と製造技術・応用展開~

    植田和茂 (共著 ,  範囲: 第2章第3節分担執筆)

    情報機構  2007年04月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  • 最新透明導電膜大全集 ~材料別特性と代替展望/リサイクル・工程別ノウハウ・応用別要求特性等~

    植田和茂 (共著 ,  範囲: 第15章第1節分担執筆)

    情報機構  2007年04月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  • 酸化物エレクトロニクス

    鯉沼秀臣編著

    培風館  2001年10月  ( ISBN:978-4-563-03622-5

     詳細を見る

    記述言語:日本語

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口頭発表・ポスター発表等

  • Ce3+-Tb3+共添加ペロブスカイト型 LaLuO3中の Ce3+から Tb3+へのエネルギー移動

    永島彰一郎、植田和茂、小俣孝久

    日本セラミックス協会 2021年年会  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2021年03月23日 - 2021年03月25日   記述言語:日本語   開催地:オンライン  

  • Ce3+-Tb3+共添加ペロブスカイト型LaLuO3のサイト別蛍光評価

    永島彰一郎,植田和茂

    日本セラミックス協会九州支部 2020年度秋季研究発表会  日本セラミックス協会

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    開催期間: 2020年11月14日   記述言語:日本語   開催地:オンライン  

  • Eu3+添加ペロブスカイト型LaLuO3のサイト敏感蛍光とサイト間エネルギー移動

    吉野卓馬,植田和茂

    日本セラミックス協会 2020年年会  日本セラミックス協会

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    開催期間: 2020年03月20日   記述言語:日本語   開催地:明治大学(駿河台キャンパス)(中止)  

  • "Luminescence from Eu3+ ions site-selectively doped in perovskite-type LaLuO3"

    Takuma Yoshino, Kazushige Ueda

    12th JKBT The 2nd Asian Symposium on Cutting-edge Biotechnology and Chemistry 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年12月05日 - 2019年12月06日   記述言語:英語  

  • ペロブスカイト型LaLuO3:Eu3+中におけるEu3+発光のサイト依存性

    吉野卓馬, 植田和茂

    2019年度九州支部秋季研究発表会・九州環境セラミックス討論会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年11月12日   記述言語:英語   開催地:九州大学筑紫キャンパス  

  • "Luminescence from Eu3+ ions occupying A or B sites in perovskite-type LaLuO3"

    Takuma Yoshino, Kazushige Ueda

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年10月07日 - 2019年10月09日   記述言語:英語  

  • XPS測定によるCaMO3(M=Ti, Zr, Sn)中のPr3+およびTb3+ 4fエネルギーの解析

    山本稜, 植田和茂

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年03月10日   記述言語:日本語   開催地:東京工業大学大岡山キャンパス  

  • ペロブスカイト型LaLuO3中にサイト選択添加された Eu3+イオンからの発光

    吉野卓馬, 植田和茂

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年03月10日   記述言語:日本語   開催地:東京工業大学大岡山キャンパス  

  • ペロブスカイト型CaMO3(M=Ti,Sn)中のランタニド(Ⅲ)イオン4fエネルギーの決定と発光機構の理解

    山本稜, 植田和茂

    第28回日本MRS年次大会  日本MRS

     詳細を見る

    開催期間: 2018年12月19日 - 2018年12月20日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • Determination of Ln3+ 4f energy and understanding of luminescence mechanisms in perovskite-type CaMO3(M=Ti, Sn)

    Ryo Yamamoto, Kazushige Ueda

    EL2018  The 125th Research Committee, JSPS

     詳細を見る

    開催期間: 2018年09月12日   記述言語:英語   開催地:Meiji University, Tokyo, Japan  

  • Pr3+およびTb3+添加CaMO3(M=Ti, Zr, Sn)固溶体の蛍光評価

    山本稜, 植田和茂

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2018年09月05日   記述言語:日本語   開催地:名古屋工業大学  

  • Eu3+イオンをサイト選択添加したペロブスカイト型LaLuO3の蛍光評価

    山本稜, 吉野卓馬, 植田和茂

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2018年09月05日   記述言語:日本語   開催地:名古屋工業大学  

  • ペロブスカイト型LaLuO3中への Tb3+イオンのサイト選択添加

    植田和茂, 田中就斗, 本間徹生

    日本セラミックス協会2018年年会  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2018年03月15日   記述言語:日本語   開催地:東北大学川内北キャンパス  

  • XPS測定によるCaMO3(M=Ti, Zr, Sn)中の 希土類イオン4f軌道のエネルギー準位の解析

    山本稜, 植田和茂

    日本セラミックス協会2018年年会  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2018年03月15日   記述言語:日本語   開催地:東北大学川内北キャンパス  

  • Tb3+イオンをサイト選択添加したペロブスカイト型LaLuO3の蛍光

    田中就斗, 植田和茂

    日本セラミックス協会2018年年会  日本セラミックス協会

     詳細を見る

    開催期間: 2018年03月15日   記述言語:日本語   開催地:東北大学川内北キャンパス  

  • ペロブスカイト型LaScO3中のTb3+からの発光

    田中就斗,清水雄平,植田和茂

    平成29年度 秋季合同研究発表会(日本セラミックス協会九州支部) 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年11月02日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • Ln3+ 4f energy levels in CaTiO3 analyzed by XPS measurements

    R. Yamamoto, K. Ueda

    10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年07月03日   記述言語:英語   開催地:Waseda University, Tokyo, Japan  

  • ダブルペロブスカイト型酸化物におけるB サイト占有Tb3+の発光

    植田和茂,清水雄平,谷延男哉,田中就斗,山本稜,本間徹生

    日本セラミックス協会 2017年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年03月18日   記述言語:日本語   開催地:日本大学(駿河台キャンパス)1号館  

  • A2LaTaO6 (A=Ca, Ba):Tb3+中のBサイト占有Tb3+の発光

    植田和茂,清水雄平,谷延男哉,田中就斗,山本稜,本間徹生

    第64回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年03月15日   記述言語:日本語   開催地:パシフィコ横浜  

  • 異なる基板を用いたGd3+添加ペロブスカイト型酸化物薄膜ELデバイスの作製と紫外発光

    清水雄平, 植田和茂

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年09月13日   記述言語:日本語   開催地:朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター  

  • ペロブスカイト型LaScO3におけるAまたはBサイト占有希土類イオンからの発光

    植田和茂, 清水雄平, 青木拓磨, 田中就斗, 稲熊宜之

    日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年09月07日   記述言語:日本語   開催地:広島大学 東広島キャンパス  

  • 真空紫外線によって励起された希土類添加YAlO3の発光と希土類イオンのエネルギーレベル

    清水雄平, 植田和茂, 稲熊宜之

    日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年09月07日   記述言語:日本語   開催地:広島大学 東広島キャンパス  

  • Preparation and photo-/cathodo-luminescence of Ln doped CaZrO3 films

    K. Ueda, Y. Shimizu, H. Takashima, F. Massuyeau, S. Jobic

    International Symposium on Structure-Property relationships in Solid State Materials (SPSSM2016) 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年07月01日 - 2016年07月06日   記述言語:英語   開催地:Institut des Materiaux Jean Rouxel, Nantes, France  

  • Gd添加Y3(Al,Ga)5O12ガーネット固溶体の作製と蛍光評価

    田中就斗, 植田和茂

    ナノ学会第14回大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年06月14日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • RFスパッタリング法によるGd3+添加YAlO3薄膜紫外ELデバイスの作製

    清水雄平, 植田和茂

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月21日   記述言語:日本語   開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス  

  • YAlO3:Gd3+薄膜を用いた紫外ELデバイスの作製

    清水雄平, 植田和茂

    日本セラミックス協会 2016年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月15日   記述言語:日本語   開催地:早稲田大学 西早稲田キャンパス  

  • UV photoluminescence and cathodoluminescence from Gd3+ in YAlO3 thin films

    Y. Shimizu, K. Ueda, H. Takashima, Y. Inaguma

    Electronic Materials and Applications 2016 (EMA 2016) 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年01月22日   記述言語:英語   開催地:DoubleTree by Hilton Hotel Orlando, Orlando, Florida, USA  

  • XPSによるYAlO3ペロブスカイト中の希土類イオンのエネルギー解析

    清水雄平、植田和茂

    第54回セラミックス基礎科学討論会(日本セラミックス協会基礎科学部会)  日本セラミックス協会基礎科学部会

     詳細を見る

    開催期間: 2016年01月07日 - 2016年01月08日   記述言語:日本語   開催地:アバンセ(佐賀市)  

  • 希土類イオン添加YAlO3の4fエネルギー準位の解析

    清水雄平、植田和茂

    平成26年度 秋季合同研究発表会 (日本セラミックス協会九州支部)  平成27年度 秋季合同研究発表会 (日本セラミックス協会九州支部)

     詳細を見る

    開催期間: 2015年11月06日   記述言語:日本語   開催地:アバンセ(佐賀市)  

  • Ln3+ 4f energy levels in YAlO3 determined by XPS measurements

    Yuhei Shimizu and Kazushige Ueda

    The 9th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9) 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年10月19日 - 2015年10月21日   記述言語:英語   開催地:Epocal Tsukuba, Ibaraki, Japan  

  • Preparation of transparent p-type conducting CuI thin films by spin coating method

    Yuhei Shimizu, Yudai Norikiyo, and Kazushige Ueda

    The 9th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-9) 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年10月19日 - 2015年10月21日   記述言語:英語   開催地:Epocal Tsukuba, Ibaraki, Japan  

  • Preparation of Perovskite-Type YAlO3:Gd3+-Pr3+ UV Phosphor Thin Films

    Yuhei Shimizu, Kazushige Ueda

    2014 MRS Spring Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年04月22日 - 2014年04月25日   記述言語:英語   開催地:San Francisco, California, USA  

  • Luminescence of Ln3+ Ions in CaMO3 (M=Sn, Zr, Hf) Perovskites

    Kazushige Ueda, Yuhei Shimizu

    2014 MRS Spring Meeting & Exhibit 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年04月22日 - 2014年04月25日   記述言語:英語   開催地:San Francisco, California, USA  

  • CaMO3(M=Sn,Zr,Hf)中の希土類イオンの発光とエネルギー準位

    植田和茂, 清水雄平

    日本セラミックス協会 2014年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語:日本語   開催地:慶應義塾大学 日吉キャンパス  

  • ペロブスカイト型Sr1-xLaxSnO3セラミックスの熱電特性

    安川雅啓, 植田和茂, 藤津悟, 細野秀雄

    日本セラミックス協会 2014年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語:日本語   開催地:慶應義塾大学 日吉キャンパス  

  • Gd3+添加およびGd3+-Pr3+共添加Y2O3の作製と紫外発光評価

    青木琢磨, 清水雄平, 植田和茂

    日本セラミックス協会 2014年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語:日本語   開催地:慶應義塾大学 日吉キャンパス  

  • PLD法によるGd3+-Pr3+共添加YAlO3紫外蛍光体薄膜の作製

    清水雄平, 植田和茂, 高島浩

    日本セラミックス協会 2014年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語:日本語   開催地:慶應義塾大学 日吉キャンパス  

  • Gd3+ UV Photoluminescence in YAlO3, LaAlO3, and LaGaO3 Perovskite-type Oxides

    Yuhei Shimizu, Yasukazu Takano, Kazushige Ueda

    The 30th Japan-Korea International Seminar on Ceramics Conjugated with 2013 Fall Joint Meeting of Kyushu Branches of the Ceramic Society of Japan (CerSJ) and Technical Association of Refractories, Japan (TARJ) 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年11月21日   記述言語:英語   開催地:Kitakyushu International Conference Center, Kitakyushu, Japan  

  • Synthesis and Photoluminescence Properties of Gd3+ and Pr3+ Doped Y2O3

    Takuma Aoki, Yuhei Shimizu, Kazushige Ueda

    The 30th Japan-Korea International Seminar on Ceramics Conjugated with 2013 Fall Joint Meeting of Kyushu Branches of the Ceramic Society of Japan (CerSJ) and Technical Association of Refractories, Japan (TARJ) 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年11月21日   記述言語:英語   開催地:Kitakyushu International Conference Center, Kitakyushu, Japan  

  • RFスパッタリング法によるペロブスカイト型紫外蛍光体YAlO3:Gd3+-Pr3+薄膜の作製

    清水雄平, 植田和茂

    第74回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月17日   記述言語:日本語   開催地:同志社大学 京田辺キャンパス  

  • 希土類イオン添加ペロブスカイト型スズ酸化物蛍光体の蛍光特性

    植田和茂

    日本セラミックス協会 第26回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月04日   記述言語:日本語   開催地:信州大学 長野キャンパス  

  • UV Emitting Phosphors Composed of Gd3+ Doped III-III Perovskite-type RMO3 (R = Y, La, M = Al, Ga)

    Yuhei Shimizu, Yasukazu Takano, Kazushige Ueda

    International Workshop on Green Energy Conversion  

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月02日 - 2013年09月04日   記述言語:英語   開催地:Koumi, Nagano, Japan  

  • UV Emission in Gd3+ Doped or Gd3+-Pr3+ Codoped III-III Perovskite-type RMO3 (R=Y, La, M=Al, Ga)

    Yuhei Shimizu, Yasukazu Takano, Kazushige Ueda

    8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-8) 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年05月13日 - 2013年05月15日   記述言語:英語   開催地:International Conference Center, Waseda University, Tokyo, Japan  

  • Gd3+-Pr3+共添加YAlO3ペロブスカイト薄膜の作製と紫外発光

    清水雄平, 高野泰数, 植田和茂

    日本セラミックス協会 2013年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年03月19日   記述言語:日本語   開催地:東京工業大学 大岡山キャンパス  

  • ペロブスカイト型酸化物YAlO3中のGd3+からのUV発光

    清水雄平, 高野泰数, 植田和茂

    平成24年度 日本セラミックス協会九州支部 秋季合同研究発表会 

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    開催期間: 2012年12月07日   記述言語:日本語   開催地:ウェルとばた(北九州市)  

  • ペロブスカイト構造をもつGd-Pr共添加イットリウムアルミ酸化物の紫外発光

    清水雄平, 高野泰数, 植田和茂

    日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2012年09月19日   記述言語:日本語   開催地:名古屋大学 東山キャンパス  

  • III-III系ペロブスカイト酸化物YAlO3:Gd-Prの紫外発光

    清水雄平, 高野泰数, 植田和茂

    2012年(平成24年)秋季 第73回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2012年09月13日   記述言語:日本語   開催地:愛媛大学・松山大学  

  • Mn添加ダブルペロブスカイト型酸化物A2LaSbO6(A=Ca,Sr,Ba)の蛍光特性

    植田和茂, 島將隆, 松尾将史

    日本セラミックス協会2012年 年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2012年03月20日   記述言語:日本語  

  • Tb-Mg共添加CaSnO3ペロブスカイト型蛍光体中の電荷補償

    植田 和茂, 永水 廣太

    第59 回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2012年03月16日   記述言語:日本語  

  • 水熱法によるペロブスカイト型蛍光体の合成と蛍光評価

    松尾将史,植田和茂

    日本セラミックス協会九州支部2011年 秋季合同研究発表会  

     詳細を見る

    開催期間: 2011年12月05日   記述言語:日本語  

  • 水熱法によるCaSnO3ペロブスカイト型蛍光体の合成と蛍光評価

    松尾将史,植田和茂

    日本セラミックス協会2011年 第24回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2011年09月07日   記述言語:日本語  

  • アパタイト構造La9.33(Si6O24-xNx)O2:Gd3+酸窒化物薄膜の作製と蛍光

    高野泰数,中村福綱,植田和茂

    日本セラミックス協会2011年 第24回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2011年09月07日   記述言語:日本語  

  • (Sn0.97Sb0.03) 1-xHfxO2薄膜の光学的及び電気的性質

    髙野泰数,岸川雄祐,植田和茂

    日本セラミックス協会2011年 年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2011年03月18日   記述言語:日本語  

  • Mn添加ダブルペロブスカイト型酸化物CaLaMgMO6(M=Sb,Nb,Ta)の蛍光特性

    島將隆,植田和茂

    日本セラミックス協会2011年 年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2011年03月18日   記述言語:日本語  

  • Tb-Mg共添加CaSnO3ペロブスカイト型蛍光体のMg添加効果

    永水廣太, 植田和茂

    日本セラミックス協会2011年 年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2011年03月18日   記述言語:日本語  

  • Sb-doped SnO2 Thin Films as Transparent Electrodes for Inorganic Electroluminescence Devices

    K. Ueda, Y. Kishigawa, Y. Takano

    3rd International Congress on Ceramics 

     詳細を見る

    開催期間: 2010年11月16日   記述言語:英語  

  • Mn添加ダブルペロブスカイト型酸化物蛍光体の蛍光特性

    島將隆, 日高光一, 杉野瑞樹, 植田和茂

    2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2010年09月14日   記述言語:日本語  

  • Heat-resistant Sb-doped SnO2 Transparent Conducting Films

    K. Ueda, Y. Kishigawa

    International Conferences on Modern Materials & Technologies  

     詳細を見る

    開催期間: 2010年06月14日   記述言語:英語  

  • 希土類添加ペロブスカイト構造スズ酸塩蛍光体のXAFS解析

    永水廣太, 岸川雄祐, 日高光一, 植田和茂, 本間徹生

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2010年03月18日   記述言語:日本語  

  • 耐熱性を持つSbを添加したSnO2透明導電膜の作製

    岸川雄祐, 植田和茂

    2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2010年03月18日   記述言語:日本語  

  • アパタイト型La9.33(Si6O24-xNx)O2 :Tb粉末および薄膜の作製と蛍光評価

    平塚亮輔, 中村福綱,植田和茂

    第48回セラミック基礎科学討論会 

     詳細を見る

    開催期間: 2010年01月13日   記述言語:日本語  

  • RFスパッタリング法による耐熱性SnO2透明導電膜の作製   

    物質工学専攻 岸川雄祐

    日本セラミックス協会第22回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年09月   記述言語:日本語   開催地: 愛媛大学  

  • Fabrication of Tb-Mg codoped CaSnO3 perovskite thin film and its EL device

    本人

    6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-6)  

     詳細を見る

    開催期間: 2009年04月   記述言語:英語   開催地:日本 America Tokyo  

  • Low-Electric-Field-Driving Electroluminescence in ((Ca0.6Sr0.4)0.997Pr0.002)TiO3 and SrTiO3 Perovskite Films

    The 16th International Display Workshops (IDW) 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年04月   記述言語:英語   開催地:日本 America Miyazaki  

  • Preparation of Perovskite-type Stannate Phosphors by Polymerized Complex Method

    本人

    The 16th International Display Workshops (IDW) 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年04月   記述言語:英語   開催地:日本 America Miyazaki  

  • Preparation of Pr doped or Tb-Mg codoped CaSnO3 perovskite phosphor by polymerized complex method

    物質工学専攻

    The 3rd International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3) 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年04月   記述言語:英語   開催地:日本 America Yokohama  

  • Tb-Mg共添加CaSnO3薄膜の無機ELデバイスへの応用

    本人

    2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年03月   記述言語:日本語   開催地: 筑波大学  

  • Tb-Mg共添加CaSnO3薄膜を用いた無機ELデバイスの作製  

    物質工学専攻 清水雄平

    日本セラミックス協会2009年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年03月   記述言語:日本語   開催地: 東京理科大学  

  • 錯体重合法によるペロブスカイト関連構造スズ酸塩蛍光体の合成     

    物質工学専攻 中村泰輔

    2008年秋季 第69回応用物理学学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 中部大学  

  • アパタイト型酸窒化物La9.33(Si6O24-xNx)O2:Gd3+の紫外蛍光特性評価   

    2008年秋季 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 北九州国際会議場  

  • 希土類添加ペロブスカイト構造CaZrO3のRGB発光   

    物質工学専攻 清水雄平

    2008年秋季 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 北九州国際会議場  

  • 錯体重合法を用いたペロブスカイト関連構造スズ酸塩蛍光体微粉末の合成   

    物質工学専攻 中村泰輔

    2008年秋季 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 北九州国際会議場  

  • Sn系およびTi系層状ペロブスカイト構造酸化物蛍光体の結晶構造と蛍光特性   

    物質工学専攻 日高光一

    2008年秋季 第69回応用物理学学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 中部大学  

  • アパタイト構造La9.33(Si6O24-xNx)O2:Tb3+酸窒化物蛍光体薄膜の作製    

    物質工学専攻 平塚亮輔

    2008年秋季 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 北九州国際会議場  

  • Pr添加Srn+1TinO3n+1(n=1,2,3,∞)層状ペロブスカイト酸化物の蛍光特性    

    物質工学専攻 日高光一

    2008年秋季 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語   開催地: 北九州国際会議場  

  • Tricolor Luminescence in Rare Earth Doped CaZrO3

    物質工学専攻 清水雄平

    The 2nd International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-2)  

     詳細を見る

    開催期間: 2008年04月   記述言語:日本語   開催地:日本 USA Chiba  

  • RGB Luminescence in Rare Earth Doped CaZrO3 with Perovskite Structure

    本人

    The 2008 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年04月   記述言語:日本語   開催地: America Boston  

  • Multi-Color Luminescence of Perovskite-Related Alkaline-Earth Stannates

    本人

    32nd International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites (ICACC 08) 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年04月   記述言語:日本語   開催地: USA Daytona  

  • Synthesis of LaCuOCh (Ch=S, Se) Single Crystals by Flux Method

    本人

    The 2008 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年04月   記述言語:日本語   開催地: America Boston  

  • 錯体重合法を用いたPr添加CaSnO3の合成と蛍光特性     

    物質工学専攻 中村泰輔

    2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

  • アパタイト型Tb添加La9.33(Si6O24-xNx)O2の合成と蛍光特性評価    

    物質工学専攻 平塚亮輔

    日本セラミックス協会2008年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 長岡技術科学大学  

  • ダブルペロブスカイトLa2ZnSnO6の合成と結晶構造解析   

    物質工学専攻 日高光一

    日本セラミックス協会2008年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 長岡技術科学大学  

  • flux法による層状構造LaCuOCh (Ch=S, Se)の単結晶合成

    物質工学専攻 仲地優

    日本セラミックス協会2008年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 長岡技術科学大学  

  • 希土類添加CaZrO3のRGB発光   

    物質工学専攻 清水雄平

    2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

  • RFスパッタリング法による希土類添加CaSnO3蛍光体薄膜の作製   

    物質工学専攻 後藤克彦

    日本セラミックス協会2008年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 長岡技術科学大学  

  • ペロブスカイト構造酸化物Sr(Ti1-xMnx)O3の合成とキャリア輸送特性評価  

    物質工学専攻 藤澤大

    日本セラミックス協会2008年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 長岡技術科学大学  

  • アパタイト型紫外発光蛍光体La9.33(Si6O24-xNx)O2:Gd3+の蛍光特性評価    

    物質工学専攻 中村福綱

    2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年03月   記述言語:日本語   開催地: 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

  • RFスパッタリング法によるPrまたはTb-Mg共添加CaSnO3薄膜の作製

    後藤克彦 物質工学専攻

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造Srn+1(Ti1-xMnx)nO3n+1(n=∞,1)(x=0-1)の合成とキャリア輸送特性評価

    藤澤大 物質工学専攻

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語  

  • flux法による層状オキシカルコゲナイドLaCuOCh(Ch=S,Se)の単結晶合成

    仲地優 物質工学専攻

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語  

  • Tb-Mg共添加CaZrO3の青色発光 

    本人

    2007年(平成19年)秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語  

  • Photoluminescence properties of rare-earth doped CaSnO3 with perovskite structure

    後藤克彦 物質工学専攻

    5th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-5) 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年04月   記述言語:日本語   開催地: Japan Hayama  

  • LaZnOSb(Ln=La,Ce)の合成と光・電気的性質の評価

    尾崎弘一朗 物質工学専攻

    第45回セラミックス基礎科学討論会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • 層状オキシアンチモナイドLnZnOSb(Ln=La,Ce)の合成と電気的性質の評価

    藤澤大 物質工学専攻

    2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • Ce, Tb共添加アパタイト型酸窒化物La10(Si6O22N2)O2の合成と蛍光特性評価 

    前田剛志 物質工学専攻

    2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • スズ含有ペロブスカイト系酸化物蛍光体の蛍光特性 

    本人

    2007年電気化学会第74回大会  

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • 層状ペロブスカイト構造スズ酸化物蛍光体のエピタキシャル薄膜成長

    本人

    日本セラミックス協会2007年年会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • Tb添加アパタイト型酸窒化物La10(Si6O22N2)O2の合成と蛍光評価

    前田剛志 物質工学専攻

    第45回セラミックス基礎科学討論会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト構造を有するPr添加CaSnO3の擬似白色蛍光

    仲地優 物質工学専攻

    日本セラミックス協会2007年年会 

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    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • Pr添加層状ペロブスカイト構造酸化物における層数の蛍光強度に及ぼす影響

    本人

    日本セラミックス協会2007年年会 

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    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造スズ酸化物のRGBフォトルミネッセンス

    本人

    第67回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2006年08月31日   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造スズ酸化物蛍光体のエピタキシャル薄膜作製

    本人

    第67回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2006年08月31日   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造を持つ新規赤紫色蛍光体

    日本セラミックス協会 2006年年会 

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    開催期間: 2006年03月14日   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造を持つ新規緑色蛍光体

    日本セラミックス協会 2006年年会 

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    開催期間: 2006年03月14日   記述言語:日本語  

  • ペロブスカイト関連構造を持つ新規赤色蛍光体

    日本セラミックス協会 2006年年会 

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    開催期間: 2006年03月14日   記述言語:日本語  

  • Srn+1(Ti1-xMnx)nO3n+1(n=1,∞)の電気的性質評価

    第44回セラミックス基礎科学討論会 

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    開催期間: 2006年01月20日   記述言語:日本語  

  • 銅(Ⅰ)含有酸化物及び硫化物の室温アンモニアガス検知特性

    物質工学科

    平成17年度秋季合同研究発表会 

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    開催期間: 2005年12月09日   記述言語:日本語  

  • Srn+1(Ti1-xMnx)nO3n+1(n=1,∞)の光 ・ 電気的性質評価

    2005年 日本化学会西日本大会 

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    開催期間: 2005年10月23日   記述言語:日本語  

  • 不純物添加Sr2TiO4の合成と電気伝導性

    物質工学科

    2005年 日本化学会西日本大会 

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    開催期間: 2005年10月23日   記述言語:日本語  

  • 還元ガスに対する層状オキシ硫化物LaCuOSの電気抵抗変化

    2005年 日本化学会西日本大会 

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    開催期間: 2005年10月22日   記述言語:日本語  

  • Mn添加Srn+1TinO3n+1(n=1,∞)の光 ・ 磁気的性質の評価

    第42回化学関連支部合同九州大会 

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    開催期間: 2005年07月02日   記述言語:日本語  

  • La及びNb添加Sr2TiO4の合成と電気伝導性

    第42回化学関連支部合同九州大会 

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    開催期間: 2005年07月02日   記述言語:日本語  

  • 還元性ガスに対する銅含有層状化合物の電気抵抗変化

    第42回化学関連支部合同九州大会 

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    開催期間: 2005年07月02日   記述言語:日本語  

  • 不純物添加TiO2透明導電薄膜の作製

    第42回化学関連支部合同九州大会 

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    開催期間: 2005年07月02日   記述言語:日本語  

  • Wide-gap layered oxychalcogenide semiconductors: materials, electronic structures and optoelectronic properties

    本人

    4th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-4) 

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    開催期間: 2005年04月   記述言語:英語   開催地: Japan  

  • Transparent conducting properties in layered oxychalcogenides

    本人

    6th Pacific Rim Conference on Ceramic & Glass Technology (PACRIM6) 

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    開催期間: 2005年04月   記述言語:英語   開催地: America  

  • 層状オキシセレン化物CdCuOSeの光電子スペクトル

    本人

    日本セラミックス協会 2005年年会 

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    開催期間: 2005年03月24日   記述言語:日本語  

  • 還元性ガスに対する層状オキシ硫化物LaCuOSの電気抵抗変化

    日本セラミックス協会 2005年年会 

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    開催期間: 2005年03月23日   記述言語:日本語  

  • La添加Sr2TiO4の合成と電気伝導性

    日本セラミックス協会 2005年年会 

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    開催期間: 2005年03月23日   記述言語:日本語  

  • 尾崎弘一朗、植田和茂、下岡弘和、古曵重美

    日本セラミックス協会 2005年年会 

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    開催期間: 2005年03月23日   記述言語:日本語  

  • 青色蛍光体Sr2CeO4への希土類および遷移金属添加と蛍光評価

    物質工学科

    平成16年 日本セラミックス協会九州支部秋季研究発表会 

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    開催期間: 2004年12月17日   記述言語:日本語  

  • 青色蛍光体Sr2CeO4への希土類添加と蛍光評価

    物質工学科

    第41回 化学関連支部合同九州大会 

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    開催期間: 2004年07月17日   記述言語:日本語  

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講演

  • ペロブスカイト型酸化物中におけるLnイオンの発光、位置およびエネルギー準位

    第28回日本MRS年次大会  2018年12月  日本MRS

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    開催期間: 2018年12月19日   発表言語:日本語   講演種別:特別講演   開催地:北九州国際会議場  

  • Luminescence and energy levels of Tb3+ in CaZrO3:Tb3+ films prepared by pulsed laser deposition

    The 4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium  2018年10月  E-MRS & MRS-J

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    開催期間: 2018年10月16日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Minoa Palace Hotel, Creta, Greece  

  • Energy levels of doped trivalent lanthanide ions in perovskite-type oxides determined by x-ray photoelectron spectroscopy

    The 15th International conference of advanced materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年08月 

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    開催期間: 2017年08月27日 - 2017年09月01日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan  

  • Photo-, cathodo-, electro-luminescence of lanthanide doped perovskite-type oxide thin films

    The 15th International conference of advanced materials (IUMRS-ICAM 2017)  2017年08月 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年08月27日 - 2017年09月01日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Yoshida Campus, Kyoto University, Kyoto, Japan  

  • UV luminescence from Gd doped oxide thin films

    The 2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015  2015年12月 

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    開催期間: 2015年12月12日 - 2015年12月13日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Kyoto University, Kyoto, JAPAN  

  • Photo- and cathodo-luminescence of perovskite-type oxide phosphor thin films

    The 3rd International Workshop on Persistent and Photostimulable Phosphors (3PPP) DFW 2015  2015年11月 

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    開催期間: 2015年11月10日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:The University of Texas at Arlington, Arlington/Dallas, Texas  

  • Ln3+ 4f energy levels and luminescence in yttrium aluminate perovskite

    The 4th International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices (ICOM 2015)  2015年09月 

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    開催期間: 2015年09月02日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Sentido Tara Hotel, Budva, Montenegro  

  • Concepts and Materials in Transparent P-type Conducting Oxides

    Joint International Workshop of WFF & WFSM (The 3rd Workshop on New Frontiers in Ferroelectrics 2014 & The 1st Workshop on Functional and Smart Materials 2014)  2014年02月 

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    開催期間: 2014年02月22日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Sapporo Campus, Hokkaido University, Sapporo, Japan  

  • Ca系ペロブスカイト酸化物中の希土類イオンのエネルギーレベルと発光

    光・電子機能材料研究会  2013年12月 

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    開催期間: 2013年12月13日   発表言語:日本語   講演種別:特別講演   開催地:九州工業大学 戸畑キャンパス  

  • Tb3+ and Gd3+ luminescence in CaMO3 (M=Sn, Zr, Hf) perovskites

    International Workshop on Luminescent Materials 2013 (LumiMat'13)  2013年11月 

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    開催期間: 2013年11月14日 - 2013年11月15日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Shiran-Kaikan(Annex), Kyoto University, Kyoto, Japan  

  • p型透明導電膜の物質設計とその実例

    酸化物アライアンス研究会「透明導電膜のサイエンス」  2013年05月 

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    開催期間: 2013年05月24日   発表言語:日本語   講演種別:特別講演   開催地:産業技術総合研究所つくばセンター  

  • 新規ペロブスカイト型酸化物蛍光体の開発

    酸化物アライアンス研究会「酸化物ナノエレクトロニクス」  2012年11月 

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    開催期間: 2012年11月14日   発表言語:日本語   講演種別:特別講演   開催地:産業技術総合研究所つくばセンター  

  • Photoluminescence and electroluminescence in some perovskite-type oxides

    SPSSM4  2012年06月 

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    開催期間: 2012年06月24日 - 2012年06月29日   発表言語:英語   講演種別:特別講演   開催地:Bordeaux, France  

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報道関係

  • 酸化物蛍光体を開発

    植田和茂

    化学工業日報  2006年09月11日

科研費獲得実績

  • 置換サイトを区別した希土類イオン添加ペロブスカイト酸化物蛍光体の開発と蛍光評価

    研究課題番号:16K06724  2016年04月 - 2019年03月   基盤研究(C)

  • ペロブスカイト酸化物蛍光体中における発光中心のエネルギーレベルの解析

    研究課題番号:22560668  2010年10月 - 2013年03月   基盤研究(C)

  • ワイドギャップ導電性オキシテルライドの合成および物性評価

    研究課題番号:15760497  2003年04月 - 2005年03月   若手研究(B)

海外研究歴

  • 透明導電体および蛍光体に関する研究 (Invited Professor)

    IMN (Institut des Matériaux, Jean Rouxel), Université de Nantes  フランス共和国  研究期間:  2017年09月05日 - 2017年09月27日

  • 透明導電体および蛍光体に関する研究 (Invited Professor)

    IMN (Institut des Matériaux, Jean Rouxel), Université de Nantes  フランス共和国  研究期間:  2013年06月01日 - 2013年06月30日

担当授業科目(学内)

  • 2023年度   精密無機材料合成特論

  • 2023年度   無機化学Ⅱ

  • 2023年度   応用化学実験C

  • 2023年度   無機化学Ⅲ

  • 2022年度   精密無機材料合成特論

  • 2022年度   応用化学入門

  • 2022年度   応用化学実験C

  • 2022年度   無機化学Ⅲ

  • 2022年度   無機化学Ⅱ

  • 2021年度   精密無機材料合成特論

  • 2021年度   応用化学自由研究

  • 2021年度   応用化学実験C

  • 2021年度   無機化学Ⅲ

  • 2021年度   無機化学Ⅱ

  • 2021年度   応用化学入門

  • 2021年度   科学英語Ⅰ

  • 2021年度   科学英語Ⅱ

  • 2020年度   精密無機材料合成特論

  • 2020年度   無機化学Ⅲ

  • 2020年度   無機化学Ⅱ

  • 2020年度   科学英語Ⅱ

  • 2020年度   科学英語Ⅰ

  • 2020年度   応用化学入門

  • 2020年度   応用化学自由研究

  • 2020年度   応用化学実験C

  • 2019年度   精密無機材料合成特論

  • 2019年度   無機化学Ⅲ

  • 2019年度   無機化学Ⅱ

  • 2019年度   科学英語Ⅱ

  • 2019年度   科学英語Ⅰ

  • 2019年度   応用化学入門

  • 2019年度   応用化学自由研究

  • 2019年度   応用化学実験C

  • 2018年度   無機化学Ⅲ

  • 2018年度   無機化学Ⅱ

  • 2018年度   精密無機材料合成特論

  • 2018年度   応用化学実験C

  • 2018年度   科学英語Ⅱ

  • 2018年度   科学英語Ⅰ

  • 2018年度   応用化学入門

  • 2018年度   応用化学自由研究

  • 2017年度   精密無機材料合成特論

  • 2017年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2017年度   無機化学Ⅱ

  • 2017年度   応用化学実験C

  • 2017年度   応用化学自由研究

  • 2017年度   科学英語Ⅰ

  • 2016年度   応用化学自由研究

  • 2016年度   精密無機材料合成特論

  • 2016年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2016年度   無機化学Ⅱ

  • 2016年度   応用化学実験C

  • 2016年度   科学英語Ⅰ

  • 2015年度   科学英語Ⅰ

  • 2015年度   無機化学Ⅱ

  • 2015年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2015年度   精密無機材料合成特論Ⅰ

  • 2015年度   精密無機材料合成特論Ⅱ

  • 2015年度   応用化学実験C

  • 2014年度   無機化学Ⅱ

  • 2014年度   応用化学実験C

  • 2014年度   応用化学自由研究

  • 2014年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2014年度   精密無機材料合成特論

  • 2014年度   科学英語Ⅰ

  • 2014年度   無機化学Ⅱ

  • 2014年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2014年度   無機化学Ⅱ(教職科目)

  • 2013年度   無機化学Ⅱ

  • 2013年度   精密無機材料合成特論

  • 2013年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2013年度   応用化学実験C

  • 2013年度   科学英語Ⅰ

  • 2013年度   応用化学自由研究

  • 2012年度   精密無機材料合成特論

  • 2012年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2012年度   無機化学Ⅱ

  • 2012年度   無機化学概論

  • 2012年度   応用化学実験C

  • 2012年度   科学英語Ⅰ

  • 2012年度   応用化学自由研究

  • 2011年度   コンピュータ解析Ⅱ

  • 2011年度   応用化学実験C

  • 2011年度   精密無機材料合成特論

  • 2011年度   無機化学Ⅱ

  • 2011年度   科学英語Ⅰ

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担当経験のある授業科目(学外)

  • 無機化学特論Ⅲ(分担)

    機関名:学習院大学

国際会議開催(学会主催除く)

  • 11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics

    The 166th Committee on Photonic and Electronic Oxide,Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)  2019年10月07日 - 2019年10月09日