担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The energy levels of 4f ground states for trivalent lanthanide ions (Ln3+) in CaMO3 (M=Ti, Sn, Zr, Hf) are examined using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Some Ln3+ 4f energy levels referred to the valence band maximum (VBM), especially for Tb3+, are evaluated from the Ln3+ 4f states extracted by the difference XPS spectra between nondoped and Ln3+-doped materials. The energy position of the zigzag curves for the Ln3+ 4f energy levels are referred to the Tb3+ 4f energy levels obtained from the XPS measurements. Energy gaps and Ln2+ 4f energy levels are also estimated from the absorption and photoluminescence excitation spectra of nondoped and Eu3+-doped materials. On the basis of the experimental values, the energy diagrams aligned at the VBM are illustrated and compared to understand the Ln 4f energy levels in the electronic structures of the perovskite-type calcium-based double oxides.

DOI： 10.1002/pssb.202100450

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Oxide-phosphor epitaxial films having a large lattice mismatch with the substrate may significantly alter the photoluminescence (PL) properties of the bulk or powder. We investigated the PL characteristics of phosphor Eu0.10La0.90InO3 (ELIO; lattice mismatch of approximately 5-7% with SrTiO3 (STO)) epitaxially grown on an STO single crystal (001). X-ray diffraction patterns indicated that the ELIO epitaxial film on STO (001) formed a 90° domain with a size of tens of nanometers and underwent 4.62% lattice expansion. Intense orange-red luminescence was observed from the ELIO epitaxial film under ultraviolet excitation, similar to the case of the ELIO powder. The PL excitation spectra indicated that host lattice (HL) excitation, rather than charge-transfer excitation, led to the red luminescence in the ELIO epitaxial film, in contrast to that in the ELIO powder. The efficient HL excitation in the ELIO epitaxial film will be advantageous for the fabrication of thin-film-type EL devices with an ELIO emitting layer.

DOI： 10.1021/acs.cgd.0c01531

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担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Site-dependent Eu3+ photoluminescence (PL) was examined utilizing the structural difference of two Eu3+ doped alkaline earth lanthanum tantalates with the B-site-ordered double perovskite-type structure (AA’)[BB’]O6, viz. (CaLa1−xEux)[CaTa]O6 (CLTO:Eu3+) and (Ba2)[La1−xEuxTa]O6 (BLTO:Eu3+) (x = 0.01, 0.10). The locations of the Eu3+ ions were experimentally determined by X-ray absorption near edge structure of the Eu LIII edge and confirmed to be A sites in CLTO:Eu3+ and B sites in BLTO:Eu3+ as expected from the nominal compositions. Intense charge transfer (CT) excitation bands were observed in the UV region in the PL excitation spectra of both materials. Because of the shorter bond lengths and larger electronic repulsion at B sites than A sites, the CT excitation band of Eu3+ at B sites in BLTO:Eu3+ was blue-shifted compared to that of Eu3+ at A sites in CLTO:Eu3+. By UV excitation in the CT bands, both materials showed red luminescence. However, due to the difference in the site symmetry of A and B sites, the Eu3+ emission was mainly derived from the 5D0 – 7F2 transitions in CLTO:Eu3+ and from the 5D0 – 7F1 transitions in BLTO:Eu3+ in relation with Eu3+ at A and B sites, respectively. The lifetimes of the emission were also dependent on the Eu3+ sites resulting in the longer lifetimes of Eu3+ ions at B sites than those at A sites.

DOI： 10.1016/j.jlumin.2020.117683

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担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

その他リンク： https://member.ceramic.or.jp/journal/vol_no/55/11/55_11.html

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Tb3+ doped alkaline earth lanthanum tantalates with the B-site-ordered double perovskite-type structure (AA′)[BB′]O6 (namely, (CaLa1−xTbx)[CaTa]O6 (CLTO:Tb3+) and Ba2[La1−xTbxTa]O6 (BLTO:Tb3+) with x = 0.01, 0.10) were prepared, and their Tb3+ photoluminescence (PL) properties were examined and explained based on the occupied crystal sites (A or B sites). The locations of the Tb3+ activators were elucidated by analyzing powder X-ray diffraction patterns and X-ray absorption near edge structure at the Tb LIII edge. Tb3+ ions are located at A sites in CLTO:Tb3+ and at B sites in BLTO:Tb3+ as indicated in the nominal compositions. Both CLTO:Tb3+ and BLTO:Tb3+ exhibited intense PL excitation (PLE) peaks in the UV region due to the 4f−5d excitation for Tb3+. The PLE peak of Tb3+ in BLTO:Tb3+ showed a marked red-shift compared to that in CLTO:Tb3+ primarily because of the larger crystal fields at the B sites than at the A sites. The main PL peaks associated with the 4f−4f transitions from 5D4 to 7F5 states are also influenced by the crystal field, and the splitting of the PL peaks for Tb3+ at the B sites in BLTO:Tb3+ is more pronounced than that at the A sites in CLTO:Tb3+. In addition, owing to a downshift of the Tb 5d orbitals, the PL in the blue region derived from 5D3−7FJ transitions is quenched for Tb3+ in BLTO:Tb3+

DOI： 10.1021/acs.jpcc.9b09260

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記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

<p>九州工業大学工学部応用化学科では，2年次前期より3年次後期にかけて，分析化学，物理化学，有機化学，化学工学・無機化学の順序で，学生実験を実施している。実験技術の習得に加え，エンジニアリングデザイン，コミュニケーション，チームワークなどの能力の涵養も目的としている。有機化学実験ではPBL（課題解決型学習）方式を取り入れており，学生アンケートや教員の実感では有効に機能していると考えられる。</p>

DOI： 10.20665/kakyoshi.68.3_114

CiNii Article

CiNii Research

その他リンク： https://ci.nii.ac.jp/naid/130007993107

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 American Chemical Society. Eu3+ and Tb3+ ions were site-selectively doped into LaLuO3 with the orthorhombic perovskite-type structure (ABO3), and their luminescence properties were examined considering the doping sites (A or B sites). The X-ray diffraction analysis revealed the expansion or contraction of the unit cell volumes of the materials depending on the doping sites. The spectra of X-ray absorption near edge structure for the Eu and Tb LIII edge exhibited different shapes for the ions at A and B sites, confirming the site-selective doping of Eu3+ and Tb3+ in LaLuO3. The photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) spectra of the materials also showed some differences caused by the doping sites. The intensities of the Eu3+ PL peaks derived from the 5D0-7F1 transitions and those from the 5D0-7F2 transitions were markedly different between Eu3+ at A sites and those at B sites because of the different site symmetries. The splitting of the intense Tb3+ PL peaks originating from the 5D4-7F5 transitions and the absence of PL peaks from 5D3-7FJ transitions were found only for Tb3+ at B sites because of the strong crystal field at B sites. In addition to the PL spectra, the positions of PLE peaks originating from charge transfer transitions in Eu3+ and the 4f-5d transitions in Tb3+ depended on the doping sites. The successful site-selective doping enabled us to clarify the site-sensitive luminescence properties of Eu3+ and Tb3+ doped in the perovskite-type LaLuO3.

DOI： 10.1021/acs.inorgchem.9b01273

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 Elsevier B.V. Inorganic ultraviolet-electroluminescent (UV-EL) devices with a Gd3+-doped YAlO3 thin film emitting layer were fabricated by radio frequency sputtering. Three kinds of perovskite-type oxide substrates, namely a SrTiO3 single crystal (STO-SC), BaTiO3 single crystal (BTO-SC), and BaTiO3 polycrystalline disk (BTO-PC), were used for the devices. The influence of the substrates on the UV-EL properties of YAlO3:Gd3+ was investigated. It was found that EL threshold voltage, emitting locations, and EL intensity have changed depending on the substrates. The UV-EL attributed to the 6PJ-8S7/2 transitions in Gd3+ was observed in the BTO-PC substrate device with applied voltage of approximately over 200 V and in the STO-SC and BTO-SC substrate devices with that of approximately over 500 V. The STO-SC and BTO-SC devices showed EL only near the edges of a back electrode, whereas the BTO-PC device showed surface EL over the whole electrode. It was considered the local EL at the electrode edges in the SC substrate devices was caused by a concentrated electric field in the vicinity of the electrodes. The BTO-PC device showed not only the lowest EL threshold voltage but also the most intense EL in the three devices. Because the BTO-PC substrate has a high dielectric constant and appropriate surface roughness, which results in a high and uniform electric field over the back electrode, the YAlO3:Gd3+ emitting layer showed intense surface UV-EL with lower applied voltage.

DOI： 10.1016/j.optmat.2019.03.047

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim The energy levels of Ln 3+ 4f ground states in CaTiO 3 are analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The Ln 4f states in the XPS spectra are extracted utilizing large photoionization cross section differences between Ln 4f and O 2p states. The Ln 3+ 4f energy levels referred to the valence band maximum are evaluated to be 0.8 eV for Pr 3+ , −5.0 eV for Gd 3+ , 0.9 eV for Tb 3+ , and −4.6 eV for Lu 3+ from the extracted XPS spectra. Although the obtained values of Gd 3+ and Lu 3+ 4f levels are deeper in the valence band, the values of Pr 3+ and Tb 3+ 4f levels are in good agreement with those reported previously. The difference in the photoluminescence colors between Pr 3+ -doped CaTiO 3 and CaZrO 3 is simply explained from the Pr 3+ 4f energy levels located in the bandgaps.

DOI： 10.1002/pssa.201700776

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担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2018 American Chemical Society. The luminescence properties of Gd3+or Tb3+ions at La and Sc sites were investigated in LaScO3with a distorted perovskite-type structure (ABO3). Although the luminescence of lanthanide ions located at B sites is not common and has not been examined in detail, Gd3+or Tb3+luminescence from B sites and A sites is clearly observed in Gd3+- or Tb3+-doped LaScO3. The differences in the luminescence characteristics concern peak positions, peak shapes, and decay time, which are all influenced by the crystal field and the site symmetry. The UV luminescence of Gd3+at B sites shows a red shift compared to Gd3+at A sites, and the green luminescence of Tb3+at B sites contrasts with the blue-violet and green luminescence of Tb3+at A sites. The decay time of the luminescence from B sites is systematically longer than that from A sites in both the Gd3+and Tb3+cases.

DOI： 10.1021/acs.inorgchem.8b01288

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担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

<p>炎色反応といえばいくつかの元素とその色の対応をすぐに思い出されるかもしれないが，天井の蛍光灯を見ても同じように元素とその発光色の対応をすぐに想像できないと思われる。蛍光灯ではいくつかの色を混ぜて白色にしているため，想像できないのも当然であるが，原子からの固有の発光を見ているという点では炎色反応の発色も蛍光灯も同じことである。放電ランプでは放電管中の気体の原子やイオンからの発光を利用し，蛍光灯やLED照明では蛍光体中に添加された微量の陽イオンからの発光を利用している。ここでは，照明として身近に使われる放電ランプ，蛍光灯，LED照明の仕組みと進歩について簡単に解説する。</p>

DOI： 10.20665/kakyoshi.65.11_578

CiNii Article

CiNii Research

担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2017 Elsevier B.V. Luminescent films of Eu 3+ or Tb 3+ doped CaZrO 3 were epitaxially grown on SrTiO 3 or LaAlO 3 (001) single crystal substrates by pulsed laser deposition (PLD). They showed a high transmittance in the visible region and a smooth surface. Uniform red photoluminescence (PL) was observed from Eu 3+ 5% doped films, and blue and green PL was observed from Tb 3+ 0.5% and 5% doped films, respectively. These PL spectra of the films turned out to be very similar to those of the powder samples. Practically, it has to be noticed the use of a LaAlO 3 substrate is necessary for intense blue luminescence for Tb 3+ 0.5% doped films to avoid optical absorption of emitted light by the SrTiO 3 substrate. The cathodoluminescence (CL) spectra of the red and green luminescent films were almost the same as those PL spectra. In contrast, blue CL was significantly enhanced in CL compared to PL. This was attributed to the shorter lifetime of the 5 D 3 - 7 F J transitions and many excited electron-hole pairs, which were generated rapidly on high energy electron irradiation.

DOI： 10.1016/j.optmat.2017.09.007

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担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2017 American Chemical Society. The difference in Tb 3+ green luminescence intensities in doped perovskite(ABO 3 )-type alkaline earth stannates, AeSnO 3 (Ae = Ca, Sr, Ba), and the Mg codoping effect on the luminescence intensities in doped CaMO 3 (M = Sn, Zr) were investigated utilizing the X-ray absorption fine structures (XAFS) of the Tb L III absorption edge. It is considered that the local symmetry at A sites is responsible for the different Tb 3+ luminescence intensities in AeSnO 3 (Ae = Ca, Sr, Ba) doped with Tb ions at A sites. However, it was found from the XAFS spectra that some Tb ions are unintentionally stabilized at B sites as Tb 4+ , especially in BaSnO 3 . Not only the central symmetry for Tb 3+ at A sites but also the presence of Tb 4+ at B sites were considered to bring about the absence of Tb 3+ luminescence in doped cubic BaSnO 3 . No obvious changes in the Tb 3+ local structure at A sites were detected between Tb single doped and Tb-Mg codoped CaMO 3 (M = Sn, Zr) from the extended XAFS oscillation, but the trace of Tb 4+ at B sites in the Tb single doped sample was observed in the X-ray absorption near edge structures. It is, therefore, considered that the Tb 3+ luminescence enhancement by Mg codoping is primarily attributed to the charge compensation rather than the changes in the local structure around Tb 3+ at A sites.

DOI： 10.1021/acs.inorgchem.7b02165

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The thermoelectric properties of perovskite-type Sr1−xLaxSnO3 ceramics with x=0.01–0.05 were evaluated from the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, and thermal conductivity κ measured at high temperatures. The La-doped ceramics were n-type semiconductors exhibiting thermally activated electrical conduction behaviors in the temperature range of 473–1073 K. Eelectron carriers were introduced into the conduction band from doped La atoms up to x=0.03, which was the solubility limit of La at Sr site. The temperature dependence of the κ values for the ceramics was unaffected by both the La content and the microstructures. Estimations of the electronic thermal conductivities by the Wiedemann-Franz law revealed that the phonon thermal conductivities were dominant for all ceramics. The dimensionless figure of merit ZT increased with increasing temperature for all ceramics and reached 0.02–0.05 at 1073 K. In contrast to cubic Ba1−xLaxSnO3 ceramics, bending of the Sn–O–Sn bonds due to octahedral tilting distortion in Sr1−xLaxSnO3 lowered the electron mobility, decreasing the power factor S2σ and ZT values, although it effectively reduced the phonon mean free path, decreasing the κ values.

DOI： 10.1016/j.ceramint.2017.04.136

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2017 Elsevier B.V.To understand luminescent mechanisms of lanthanide (Ln) doped phosphors, it is important to know the energy positions of unoccupied Ln2+ 4f and Ln3+ 5d states, as well as occupied Ln3+ 4f states, relative to the energy bands of host materials. Photoluminescence excitation (PLE) spectra of Ln doped YAlO3 were measured in a vacuum ultraviolet (VUV) region and the energy positions of Ln2+ 4f and Ln3+ 5d states in the wide-gap YAlO3 were elucidated. Peaks assignable to host lattice excitation were observed in all samples at approximately 8 eV in the PLE spectra. PLE peaks derived from charge transfer (CT) and 4f-5d transitions were observed at lower energy than the bandgap energy. Ln2+ 4f energy levels were obtained from the PLE peak energies for the CT transitions along with the valence band maximum. In contrast, Ln3+ 5d energy levels were evaluated from those for the 4f-5d transitions along with the Ln3+ 4f energy levels, which were obtained previously from X-ray photoelectron spectroscopy measurements. The elucidated Ln2+ 4f and Ln3+ 5d energy levels were exhibited in an energy diagram together with Ln3+ 4f energy levels and host energy bands. The experimental Ln2+ 4f and Ln3+ 5d energy levels were in good agreement with the reported theoretical data.

DOI： 10.1016/j.optmat.2017.02.029

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担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2016 Elsevier Inc.Synthesis of pure and Gd3+doped perovskite-type YScO3 was attempted by a polymerized complex (PC) method and solid state reaction (SSR) method. Crystalline phases and UV luminescence of samples were examined with varying heating temperatures. The perovskite-type single phase was not simply formed in the SSR method, as reported in some literatures, and two cubic C-type phases of starting oxide materials remained forming slightly mixed solid solutions. UV luminescence of Gd3+ doped samples increased with an increase in heating temperatures and volume of the perovskite-type phase. In contrast, a non-crystalline precursor was crystallized to a single C-type phase at 800 °C in the PC method forming a completely mixed solid solution. Then, the phase of perovskite-type YScO3 formed at 1200 °C and its single phase was obtained at 1400 °C. It was revealed that high homogeneousness of cations was essential to generate the single perovskite-phase of YScO3. Because Gd3+ ions were also dissolved into the single C-type phase in Gd3+ doped samples, intense UV luminescence was observed above 800 °C in both C-type phase and perovskite-type phase.

DOI： 10.1016/j.jssc.2016.07.023

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2016 Elsevier B.V.A simple method to analyze 4f energy levels of trivalent lanthanide (Ln) ions was demonstrated by conventional X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements using Ln ions doped YAlO3 sintered polycrystalline samples. Although XPS peaks derived from Ln 4f states overlapped with the host's valence band consisting of O 2p states, the difference XPS spectra between Ln doped and non-doped samples showed only the Ln 4f peaks due to the large difference of photoionization cross sections between Ln 4f and O 2p orbitals. The difference spectra showing Ln 4f states were aligned at the valence band maximum (VBM) making use of the peaks of Al 2p inner shells, and the Ln3 + 4f energy levels referred to the VBM were determined from the Ln3 + 4f peak energies. The Ln3 + 4f energy levels obtained by this simple method were in good agreement with those previously obtained by resonant ultraviolet photoelectron spectroscopy measurements using single crystal samples.

DOI： 10.1016/j.tsf.2016.03.020

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jlumin.2015.07.018

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.201431778

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ssc.2013.08.018

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jlumin.2013.03.030

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.08.026

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10971-011-2635-0

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2497/jjspm.58.149

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CiNii Article

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

We have obtained green photoluminescence in rare-earth-doped perovskite-type alkaline-earth stannate thin films. On a glass substrate with a seed layer prepared by the Langmuir-Blodgett method, uniaxially oriented thin films of [(Ca0.97Mg0.03)0.98Tb 0.02]SnO3 with sharp and intense emission and transmittance > 75% have been successfully obtained. The precoated seed layer has been found to be essential to deposit the strongly photoluminescent and transparent films on to glass. © 2010 ITE and SID.

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

DOI： 10.1016/j.mseb.2009.10.002

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

DOI： 10.1002/pssa.200983728

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

DOI： 10.1016/j.tsf.2009.09.169

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

代表的研究業績

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.108374

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj.100.246

記述言語：日本語

開催期間： 2019年10月07日 - 2019年10月09日   記述言語：英語  

開催期間： 2019年03月10日   記述言語：日本語   開催地：東京工業大学大岡山キャンパス  

開催期間： 2019年03月10日   記述言語：日本語   開催地：東京工業大学大岡山キャンパス  

開催期間： 2018年12月19日 - 2018年12月20日   記述言語：日本語   開催地：北九州国際会議場  

開催期間： 2018年09月12日   記述言語：英語   開催地：Meiji University, Tokyo, Japan  

開催期間： 2018年09月05日   記述言語：日本語   開催地：名古屋工業大学  

開催期間： 2018年09月05日   記述言語：日本語   開催地：名古屋工業大学  

開催期間： 2018年03月15日   記述言語：日本語   開催地：東北大学川内北キャンパス  

開催期間： 2018年03月15日   記述言語：日本語   開催地：東北大学川内北キャンパス  

開催期間： 2018年03月15日   記述言語：日本語   開催地：東北大学川内北キャンパス  

開催期間： 2017年11月02日   記述言語：日本語   開催地：北九州国際会議場  

開催期間： 2017年07月03日   記述言語：英語   開催地：Waseda University, Tokyo, Japan  

開催期間： 2017年03月18日   記述言語：日本語   開催地：日本大学（駿河台キャンパス）1号館  

開催期間： 2017年03月15日   記述言語：日本語   開催地：パシフィコ横浜  

開催期間： 2016年09月13日   記述言語：日本語   開催地：朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター  

開催期間： 2016年09月07日   記述言語：日本語   開催地：広島大学　東広島キャンパス  

開催期間： 2016年09月07日   記述言語：日本語   開催地：広島大学　東広島キャンパス  

開催期間： 2016年07月01日 - 2016年07月06日   記述言語：英語   開催地：Institut des Materiaux Jean Rouxel, Nantes, France  

開催期間： 2016年06月14日   記述言語：日本語   開催地：北九州国際会議場  

開催期間： 2016年03月21日   記述言語：日本語   開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス  

開催期間： 2016年03月15日   記述言語：日本語   開催地：早稲田大学 西早稲田キャンパス  

開催期間： 2016年01月22日   記述言語：英語   開催地：DoubleTree by Hilton Hotel Orlando, Orlando, Florida, USA  

開催期間： 2016年01月07日 - 2016年01月08日   記述言語：日本語   開催地：アバンセ（佐賀市）  

開催期間： 2015年11月06日   記述言語：日本語   開催地：アバンセ（佐賀市）  

開催期間： 2015年10月19日 - 2015年10月21日   記述言語：英語   開催地：Epocal Tsukuba, Ibaraki, Japan  

開催期間： 2015年10月19日 - 2015年10月21日   記述言語：英語   開催地：Epocal Tsukuba, Ibaraki, Japan  

開催期間： 2014年04月22日 - 2014年04月25日   記述言語：英語   開催地：San Francisco, California, USA  

開催期間： 2014年04月22日 - 2014年04月25日   記述言語：英語   開催地：San Francisco, California, USA  

開催期間： 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語：日本語   開催地：慶應義塾大学 日吉キャンパス  

開催期間： 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語：日本語   開催地：慶應義塾大学 日吉キャンパス  

開催期間： 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語：日本語   開催地：慶應義塾大学 日吉キャンパス  

開催期間： 2014年03月17日 - 2014年03月19日   記述言語：日本語   開催地：慶應義塾大学 日吉キャンパス  

開催期間： 2013年11月21日   記述言語：英語   開催地：Kitakyushu International Conference Center, Kitakyushu, Japan  

開催期間： 2013年11月21日   記述言語：英語   開催地：Kitakyushu International Conference Center, Kitakyushu, Japan  

開催期間： 2013年09月17日   記述言語：日本語   開催地：同志社大学 京田辺キャンパス  

開催期間： 2013年09月04日   記述言語：日本語   開催地：信州大学 長野キャンパス  

開催期間： 2013年09月02日 - 2013年09月04日   記述言語：英語   開催地：Koumi, Nagano, Japan  

開催期間： 2013年05月13日 - 2013年05月15日   記述言語：英語   開催地：International Conference Center, Waseda University, Tokyo, Japan  

開催期間： 2013年03月19日   記述言語：日本語   開催地：東京工業大学 大岡山キャンパス  

開催期間： 2012年12月07日   記述言語：日本語   開催地：ウェルとばた(北九州市)  

開催期間： 2012年09月19日   記述言語：日本語   開催地：名古屋大学 東山キャンパス  

開催期間： 2012年09月13日   記述言語：日本語   開催地：愛媛大学・松山大学  

開催期間： 2012年03月20日   記述言語：日本語  

開催期間： 2012年03月16日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年12月05日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年09月07日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年09月07日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年03月18日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年03月18日   記述言語：日本語  

開催期間： 2011年03月18日   記述言語：日本語  

開催期間： 2010年11月16日   記述言語：英語  

開催期間： 2010年09月14日   記述言語：日本語  

開催期間： 2010年06月14日   記述言語：英語  

開催期間： 2010年03月18日   記述言語：日本語  

開催期間： 2010年03月18日   記述言語：日本語  

開催期間： 2010年01月13日   記述言語：日本語  

開催期間： 2009年09月   記述言語：日本語   開催地： 愛媛大学  

開催期間： 2009年04月   記述言語：英語   開催地：日本 America Tokyo  

開催期間： 2009年04月   記述言語：英語   開催地：日本 America Miyazaki  

開催期間： 2009年04月   記述言語：英語   開催地：日本 America Miyazaki  

開催期間： 2009年04月   記述言語：英語   開催地：日本 America Yokohama  

開催期間： 2009年03月   記述言語：日本語   開催地： 筑波大学  

開催期間： 2009年03月   記述言語：日本語   開催地： 東京理科大学  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 中部大学  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 北九州国際会議場  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 北九州国際会議場  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 北九州国際会議場  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 中部大学  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 北九州国際会議場  

開催期間： 2008年09月   記述言語：日本語   開催地： 北九州国際会議場  

開催期間： 2008年04月   記述言語：日本語   開催地：日本 USA Chiba  

開催期間： 2008年04月   記述言語：日本語   開催地： America Boston  

開催期間： 2008年04月   記述言語：日本語   開催地： USA Daytona  

開催期間： 2008年04月   記述言語：日本語   開催地： America Boston  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 長岡技術科学大学  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 長岡技術科学大学  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 長岡技術科学大学  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 長岡技術科学大学  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 長岡技術科学大学  

開催期間： 2008年03月   記述言語：日本語   開催地： 日本大学理工学部 船橋キャンパス  

開催期間： 2007年09月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年09月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年09月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年09月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年04月   記述言語：日本語   開催地： Japan Hayama  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2007年03月   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年08月31日   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年08月31日   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年03月14日   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年03月14日   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年03月14日   記述言語：日本語  

開催期間： 2006年01月20日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年12月09日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年10月23日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年10月23日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年10月22日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年07月02日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年07月02日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年07月02日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年07月02日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年04月   記述言語：英語   開催地： Japan  

開催期間： 2005年04月   記述言語：英語   開催地： America  

開催期間： 2005年03月24日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年03月23日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年03月23日   記述言語：日本語  

開催期間： 2005年03月23日   記述言語：日本語  

開催期間： 2004年12月17日   記述言語：日本語  

開催期間： 2004年07月17日   記述言語：日本語  

開催期間： 2015年11月10日   発表言語：英語   講演種別：特別講演   開催地：The University of Texas at Arlington, Arlington/Dallas, Texas  

開催期間： 2015年09月02日   発表言語：英語   講演種別：特別講演   開催地：Sentido Tara Hotel, Budva, Montenegro  

開催期間： 2014年02月22日   発表言語：英語   講演種別：特別講演   開催地：Sapporo Campus, Hokkaido University, Sapporo, Japan  

開催期間： 2013年12月13日   発表言語：日本語   講演種別：特別講演   開催地：九州工業大学 戸畑キャンパス  

開催期間： 2013年11月14日 - 2013年11月15日   発表言語：英語   講演種別：特別講演   開催地：Shiran-Kaikan(Annex), Kyoto University, Kyoto, Japan  

開催期間： 2013年05月24日   発表言語：日本語   講演種別：特別講演   開催地：産業技術総合研究所つくばセンター  

開催期間： 2012年11月14日   発表言語：日本語   講演種別：特別講演   開催地：産業技術総合研究所つくばセンター  

開催期間： 2012年06月24日 - 2012年06月29日   発表言語：英語   講演種別：特別講演   開催地：Bordeaux, France