2024/05/14 更新

オオカド ヒデアキ
大門 秀朗
OKADO Hideaki
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院工学研究院 電気電子工学研究系
職名
准教授
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研究キーワード

  • 透過電子顕微鏡

  • ナノ材料

  • 走査トンネル顕微鏡

出身学校

  • 1990年03月   大阪大学   工学部   電子工学科   卒業   日本国

出身大学院

  • 1995年03月   大阪大学   工学研究科   電子工学専攻   博士課程・博士後期課程   修了   日本国

取得学位

  • 大阪大学  -  博士(工学)   1995年03月

学内職務経歴

  • 2019年04月 - 現在   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     准教授

  • 2008年04月 - 2019年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   先端機能システム工学研究系     准教授

学外略歴

  • 2000年04月 - 2005年03月   大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター   助手   日本国

  • 1999年10月 - 2000年03月   理化学研究所表面界面工学研究室   基礎科学特別研究員   日本国

  • 1995年04月 - 1999年09月   新技術事業団創造科学技術推進事業高柳粒子表面プロジェクト基礎構造グループ   研究員   日本国

論文

  • Molybdenum disulfide homogeneous junction diode fabrication and rectification characteristics Reviewed International journal 査読有り

    Wei Li, Jeng-Yu Ke, Yun-Xuan Ou-Yang, Ying-Xuan Lin, Ching-Hwa Ho, Kuei-Yi Lee, Shunjiro Fujii, Shin-ichi Honda, Hideaki Okado, and Masamichi Naitoh

    Japanese Journal of Applied Physics ( The Japan Society of Applied Physics )   61 ( 8 )   086504   2022年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The chemical vapor transport method was used in this research to synthesize MoS2 bulk. Through mechanical exfoliation, we limited the thickness
    of MoS2 flakes from 1 to 3 μm. In order to fabricate a p–n homogeneous junction, we used oxygen plasma treatment to transform the MoS2
    characteristics from n-type to p-type to fabricate a p–n homogenous junction and demonstrate the charge neutrality point shift from −80 to +102 V
    successfully using FET measurement. The MoS2 p–n homogeneous junction diode showed an excellent p-n characteristic curve during the
    measurements and performed great rectifying behavior with 1–10 Vpp in the half-wave rectification experiment. This work demonstrated that MoS2
    flake had great potential for p-n diodes that feature significant p–n characteristics and rectifying behavior.

  • Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma 査読有り

    Onoue M., Okado H., Ikari T., Naitoh M., Nagai T., Shoji F.

    Diamond and Related Materials   27-28   10 - 13   2012年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    We have investigated the growth mechanism as well as the structure of spherical carbon particles grown to micron sizes in a low pressure columnar CH4/H2plasma by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). From SEM observations, we found a fact that the spherical carbon particles were formed not on the substrate surface but in the sheath. From TEM observations, it was clarified that the spherical carbon particles were composed of graphite onions ranging from 2 to 10 nm and diamonds of ca. 5 nm were growing at the same time. © 2012 Elsevier B.V.

    DOI: 10.1016/j.diamond.2012.05.006

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861802712&origin=inward

  • SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 査読有り

    米久保喜彦,上田大志,山内貴志,碇 智徳,内藤正路,西垣 敏,大門秀朗,生地文也

    表面科学   29 ( 7 )   418 - 420   2008年07月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface 査読有り

    J. Yoshida,Y. Yonekubo,T. Nakanishi,H. Okado,M. Naitoh,T. Sakata,H. Mori

    Appl. Surf. Sci.   255 ( 23 )   7723 - 7727   2008年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Scanning tunneling spectroscopy study of the ZnO(0001)-Zn surface 査読有り

    M. Kishida,Y. Murata,D. Maeda,H. Okado,S. Honda,K. Oura,M. Katayama

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 50-52 )   L1563 - L1566   2006年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth process and structure of Er/Si(100) thin film 査読有り

    S. Fujii,Y. Michishita,N. Miyamae,H. Suto,S. Honda,H. Okado,K. Oura,M. Katayama

    Thin Solid Films   508 ( 1-2 )   82 - 85   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Drastic decrease in dislocations during liqid phase epitaxy growth of GaN single crystals using Na flux method without any artificial process 査読有り

    F. Kawamura,H. Umeda,M. Kawahara,M. Yoshimura,Y. Mori,T. Sasaki,H. Okado,K. Arakawa,H. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics   45 ( 4A )   2528 - 2530   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Room Temperature Formation of Single Domain Fe(111) Ultrathin Film on Si(111) and Its Transformation to β-FeSi2 upon Annealing 査読有り

    R. Tsushima,H. Okado,M. Katayama,Y. Michishita,M. Shindo,K. Umezawa,Y. Maeda,Y. Terai,K. Oura

    Surf. Sci.   579   73 - 79   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Modified Si(100)4x3-In nanocluster arrays 査読有り

    A. A. Saranin,A. V. Zotov,V. G. Kotlyar,H. Okado,M. Katayama,K. Oura

    Surface Science   598 ( 1-3 )   136 - 143   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Self-assembly formation of the ordered nanostructure arrays induced by Be interaction with Si(111) surface 査読有り

    A. A. Saranin,A. V. Zotov,V. G. Kotlyar,T. V. Kasyanova,O. A. Utas,H. Okado,M. Katayama,K. Oura

    Surface Science   574 ( 1 )   99 - 109   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Long-Period modulations in the linear chains of Tl atoms on Si(100) 査読有り

    A. A. Saranin,A. V. Zotov,I. A. Kuyanov,V. G. Kotlyar,M. Kishida,Y. Murata,H. Okado,I. Matsuda,H. Morikawa,N. Miyata,S. Hasegawa,M. Katayama,K. Oura

    Phys. Rev. B   71   165307.1 - 165307.4   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Exploiting Metal Coating of Carbon Nanotubes for Scanning Tunneling Microscopy Probes 査読有り

    Y. Murata,S. Yoshimoto,M. Kishida,D. Maeda,T. Yasuda,T. Ikuno,S. Honda,H. Okado,R. Hobara,I. Matsuda,S. Hasegawa,K. Oura,M. Katayama

    Jpn. J. Appl. Phys.   44   5336 - 5338   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrical Characterization of Metal-Coated Carbon Nanotube Tips 査読有り

    S. Yoshimoto,Y. Murata,R. Hobara,I. Matsuda,M. Kishida,H. Konishi,T. Ikuno,D. Maeda,T. Yasuda,S. Honda,H. Okado,K. Oura,M. Katayama,S. Hasegawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   44   L1563 - L1566   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth of Thallium Overlayers on Si(100) Surface 査読有り

    A. A. Saranin,A. V. Zotov,V. G. Kotlyar,I. A. Kuyanov,T. V. Kasyanova,A. Nishida,M. Kishida,Y. Murata,H. Okado,M. Katayama,K. Oura

    Phys. Rev. B   71   035312 - 035312   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Formation of palladium silicide films on silicon (111)7×7 surface at ~150K 査読有り

    H. Okado,S. Hirono,H. Mori

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 3 )   1393 - 1996   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Ordered Arrays of Be-Encapsulated Si nanotubes on Si(111) surface 査読有り

    A. A. Saranin,A. V. Zotov,V. G. Kotlyar,T. V. Kasyanova,O. A. Utas,H. Okado,M. Katayama,K. Oura

    Nano Lett.   4   1469 - 1473   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Quantitative Characterization of the Al Nanoclustering Induced by H Interaction with Si(100) c(4x12)-Al Surface Phase 査読有り

    S. Itou,A. Nishida,Y. Murata,O. Kubo,H. Okado,M. Katayama,A. A. Saranin,A. V. Zotov,K. Oura

    Surf. Sci.   565   121 - 128   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Tl Overlayers on Si(100) and their Self-Assembly Induced by STM Tip 査読有り

    M. Kishida,A. A. Saranin,A. V. Zotov,V. G. Kotlyar,A. Nishida,Y. Murata,H. Okado,M. Katayama,K. Oura

    Appl. Surf. Sci.   237   110 - 114   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • In Situ Observation of Oxygen-induced Anisotropic Surface Etching Processes at 6H-SiC(0001)√3×√3 by Variable Temperature Scanning Tunneling Microscope 査読有り

    H. Okado,O. Kubo,N. Yamaoka,S. Itou,M. Katayama,K. Oura

    Appl. Surf. Sci   212-213   575 - 578   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Real-Time Scanning Tunneling Microscope Observations of High-Temperature Oxygen Reaction with the 6H-SiC(0001)√3×√3 Surface 査読有り

    H. Okado,O. Kubo,N. Yamaoka,S. Itou,A. Nishida,M. Katayama,K. Oura

    Jpn. J. Appl. Phys.   42   L451 - L454   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Doping of magic nanoclusters in the submonolayer In/Si(100) system 査読有り

    V. G. Kotlyar,A. V. Zotov,A. A. Saranin,E. N. Chukurov,T. V. Kasyanova,M. A. Cherevik,I. V. Pisarenko,H. Okado,M. Katayama,K. Oura,V. G. Lifshits

    Phys. Rev. Lett.   91   026104.1 - 026104.4   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Room Temperature Formation of Crystallized Palladium Silicide on Si(111) Observed by Ultrahigh Voltage Electron Microscopy 査読有り

    H. Okado,T. Sakata,Y. Ukezono,S. Hirono,H. Mori

    Jpn. J. Appl. Phys.   41   L344 - L346   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • High-temperature Interaction of Al with Si(100) Surface at Low Al coverages 査読有り

    V. G. Kotlyar,A. A. Saranin,A. Zotov,V. G. Lifshits,O. Kubo,H. Ohnishi,M. Katayama,K. Oura

    Surf. Sci   506   80 - 86   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Anisotropic Surface Etching of 6H-SiC(0001) Induced by Reaction with Oxygen Molecules 査読有り

    O. Kubo,T. Kobayashi,N. Yamaoka,S. Itou,M. Katayama,K. Oura,H. Ohkado

    Appl. Phys. Lett.   80   4330 - 4330   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Formation of a Si(100)c(8X2) Surface Phase using H-induced Self-organization and H Extraction 査読有り

    O. Kubo,T. Kobayashi,N. Yamaoka,A. A. Saranin,A. V. Zotov,H. Ohnishi,M. Katayama,K. Oura

    Phys. Rev. B   64 ( 4 )   153406 - 153406   2001年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 量子コンタクト 査読有り

    高柳邦夫,近藤行人,大西秀朗

    応用物理   69   1215 - 1215   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Self-organization of Suspended Gold Nanowires studied by in situ UHV Electron Microscopy 査読有り

    Y. Kondo,H. Kimata,H. Ohnishi,K. Takayanagi

    J. Electron Microsc.   48   1081 - 1085   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • UHV Electron Microscope and Simultaneous STM Observation of Gold Stepped Surface 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Kondo,K. Takayanagi

    Surf. Sci   415   L1061 - L1064   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Quantized Conductance through Individual Rows of Suspended Gold Atoms 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Kondo,K. Takayanagi

    Nature   395   780 - 780   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • In-situ Operation of Scanning Tunneling Microscope in UHV transmission electron microscope 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Kondo and K. Takayanagi

    The Electron   501 - 506   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    England   Cambridge   1998年04月  -  1998年04月

  • Newly Developed UHV-FE-HR-TEM for Particle Surface Studies 査読有り

    Y. Kondo,H. Ohnishi,Q. Ru,H. Kimata,K. Takayanagi

    Inst. Phys. Conf. Ser.   153   241 - 244   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • STM Observation of Ag Clustering on Hydrogen-Terminated Si(100) Surfaces 査読有り

    Y. Ohba,I. Katayama,T. Numata,H. Ohnishi,M. Watamori,K. Oura

    Appl. Surf. Sci.   121   191 - 194   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Atomic-hydrogen-induced Ag Cluster Formation on Si(111)-√3x√3-Ag Surface Observed by Scanning Tunneling Microscopy 査読有り

    K. Oura,H. Ohnishi,Y. Yamamoto,I. Katayama,Y. Ohba

    J. Vac. Sci. Tech. B   14   988 - 991   1996年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Si上金属ナノクラスターの水素誘起自己組織化 査読有り

    尾浦憲治郎,大西秀朗,片山逸雄

    表面科学   17   127 - 127   1996年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • STM Observation of Hydrogen-Induced Ag Cluster Formation on Si(111) Surface 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Yamamoto,K. Oura,I. Katayama,Y. Ohba

    J. Vac. Sci. Tech. A   13   1438 - 1442   1995年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    代表的研究業績

  • Hydrogen-Induced Ag Cluster Formation on the Si(111)√3×√3(R30°)-Ag Surface Observed by Scanning Tunneling Microscopy 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Yamamoto,I. Katayama,Y. Ohba,K. Oura

    Jpn. J. Appl. Phys.   33   L1106 - L1109   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Scanning Tunneling Microscope Observation of Si(111)3×1-Ag Structure 査読有り

    H. Ohnishi,I. Katayama,Y. Ohba,K. Oura

    Jpn. J. Appl. Phys.   33   3683 - 3687   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Scanning Tunneling Microscope Observations of Si(111)3×1-Ag and 6×1-Ag Structures 査読有り

    H. Ohnishi,Y. Yamamoto,I. Katayama,Y. Ohba,K. Oura

    Appl. Surf. Sci.   82/83   444 - 448   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth Process of Si(111)√3×√3-Ag Studied by Scanning Tunneling Microscope 査読有り

    H. Ohnishi,I. Katayama,Y. Ohba,F. Shoji and K. Oura

    Jpn. J. Appl. Phys.   32   2920 - 2922   1993年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Effects of High-Energy Ion Irradiation on YBa2Cu3Ox Thin Film 査読有り

    H. Ohnishi,F. Shoji,K. Oura

    Technology Reports of the Osaka University   42   313 - 319   1992年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)

  • Hydrogen-Induced Reordering of the Si(111)-√3×√3-Al Surface Studied by ERDA/LEED 査読有り

    M. Naitoh,H. Ohnishi,Y. Ozaki,F. Shoji and K. Oura

    Appl. Surf. Sci.   60/61   190 - 194   1992年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)

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口頭発表・ポスター発表等

  • ガラスのセルを用いた CNT/PDMS 電極の電気二重層キャパシタの試作

    山本拓磨, 大門秀朗

    令和3年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  日本真空学会 九州支部

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    開催期間: 2021年06月05日   記述言語:日本語   開催地:オンライン  

  • 厚みの異なるカーボンナノチューブ薄膜をビッカース硬度計で測定した際の表面形状変化の観察

    中根 寛史, 甲斐隆太郎, 大門秀朗

    電気・情報関係学会九州支部連合大会(第72回連合大会)  電気・情報関係学会九州支部連合会

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    開催期間: 2019年09月27日 - 2019年09月28日   記述言語:日本語   開催地:九州工業大学 戸畑キャンパス  

    カーボンナノチューブ(CNT)とは炭素の六員環ネットが
    円筒状に縦に渦巻いて出来たものである。性質として、軽
    量かつ高強度なうえ、一方で高い柔軟性も有している。さら
    に熱伝導性や耐熱性にも優れている、また、機械的な特性
    として、
    円筒形状の軸方向に高い強度と剛性を有しており、構
    造材料としての応用にも期待が高まっている。
    本研究では、厚みの異なる CNT 薄膜を用いてビッカー
    ス硬さ試験を行い、試験後の表面形状の変化や圧痕から
    硬度の推定を行った

  • カーボンナノチューブ・グラファイト/PDMS複合材料を用いた電極の試作

    飯野研哉, 大門秀朗

    電気・情報関係学会九州支部連合大会(第72回連合大会)  電気・情報関係学会九州支部連合会

     詳細を見る

    開催期間: 2019年09月27日 - 2019年09月28日   記述言語:日本語   開催地:九州工業大学 戸畑キャンパス  

    カーボンナノチューブ(CNT)は今後の電子機器分野の発展に欠かせない物質と言われており、現在、CNTを使ったさまざまな電極の開発が行われている。そこで、柔軟性を持ったCNT/PDMS複合材料は触覚センサだけでなく電極としても応用できるのではないかと考え、本研究ではCNT・グラファイト/PDMS複合材料を用いた電極を試作した。

  • Sn-Si基板の表面構造観察とゼーベック係数・抵抗率の測定

    池田周平, 岩崎豪真, 内山淳, 大門秀朗

    令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(兼九州表面・真空研究会2019)  日本表面真空学会 九州支部学

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    開催期間: 2019年06月01日   記述言語:日本語   開催地:福岡大学  

    本研究では、スズをケイ素基板(1 0 0)面に蒸着させることでSn-Si基板を作製し、表面構造観察および熱電変換素子としてのゼーベック係数・導電率の測定を行った。

  • SiC表面分解法を用いて生成したCNTを用いたフラーレンピポッドの作製

    平成20年度 応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間: 2008年11月29日 - 2008年11月30日   記述言語:日本語   開催地: 宮崎  

  • Si表面におけるCoronene蒸着時のSTM観察

    平成20年度 応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年11月29日 - 2008年11月30日   記述言語:日本語   開催地: 宮崎  

  • Observing various nanostructure fabricated on Sn-Si substrates

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

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    開催期間: 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語:英語   開催地:日本 松江  

  • 球状カーボン微粒子からなる薄膜の電子顕微鏡観察

    平成20 年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜表面研究会 

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    開催期間: 2008年06月21日   記述言語:日本語   開催地: 福岡市  

  • SiC 表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における酸素の与える影響に関する研究

    平成20 年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜表面研究会 

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    開催期間: 2008年06月21日   記述言語:日本語   開催地: 福岡市  

  • STM observation of the adsorption structure of double-stranded DNA

    The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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    開催期間: 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語:英語   開催地:日本 東京  

  • Influence by the difference of the vacuum degree to the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

    The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語:英語   開催地:日本 東京  

  • Formation of Palladium Silicide Films on Si(111) 7x7 surfaces at 150K

    本人

    2006 International Conference on Computers, Comminucations and Systems 

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    開催期間: 2006年11月24日   記述言語:日本語   開催地: Korea Daegu  

  • Coaxial Impact-Collision Ion Scattering Spectroscopy and Transmission Electron Microscopy Study of Formation of Iron Silicide Films on Si(111)

    本人

    Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

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    開催期間: 2005年05月25日   記述言語:英語   開催地:日本 兵庫  

  • Growth Process and Structure of Er/Si(001) Thin Film

    大阪大学大学院 S. Fujii

    Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 

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    開催期間: 2005年05月23日   記述言語:英語   開催地:日本 兵庫  

  • 金属被膜カーボンナノチューブSTM探針の作製と評価

    大阪大学 村田祐也

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2005年03月30日   記述言語:日本語   開催地: 埼玉  

  • 基板温度150KでのSi(111)7×7表面上でのパラジウムシリサイド形成

    本人

    金属学会関西第1回研究会 

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    開催期間: 2004年12月17日   記述言語:日本語   開催地: 京都  

  • Formation of cubic silicon carbide islands on Si(100) surface by carbon deposition

    本人

    8th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy 

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    開催期間: 2004年06月10日   記述言語:英語   開催地:日本 金沢  

  • ZiO(0001)-Zn表面の構造と電子状態

    大阪大学 岸田優

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月30日   記述言語:日本語   開催地: 東京  

  • Formation of palladium silicide island on silicon (111)7×7 surface at ~150K

    本人

    7th International Conference on Atomically controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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    開催期間: 2003年11月20日   記述言語:英語   開催地:日本 奈良  

  • Si(100)表面へのTl原子吸着過程のSTM観察

    大阪大学 村田祐也

    第64回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2003年09月01日   記述言語:日本語   開催地: 福岡  

  • Surface Reaction of 6H-SiC(0001)√3x√3 with Oxygen Molecules

    本人

    Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference 

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    開催期間: 2002年10月03日   記述言語:英語   開催地:日本 東京  

  • In Situ Observation of Oxygen-induced Anisotropic Surface Etching Processes at 6H-SiC(0001) by Variable Temperature Scanning Tunneling Microscope

    本人

    International Conference on Solid Films and Surface 

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    開催期間: 2002年07月09日   記述言語:英語   開催地: France Marseille  

  • 基板温度150Kで形成されたPdシリサイドの観察

    本人

    日本電子顕微鏡学会 第58回学術講演会 

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    開催期間: 2002年05月15日   記述言語:日本語   開催地: 大阪  

  • 6H-SiC(0001)における酸素分子誘起表面エッチングプロセス - STMリアルタイム観察

    本人

    日本電子顕微鏡学会 第58回学術講演会 

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    開催期間: 2002年05月15日   記述言語:日本語   開催地: 大阪  

  • 6H-SiC(0001)√3×√3表面における酸素分子反応初期過程のリアルタイム観察

    大阪大学 山岡延充

    第49回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2002年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 埼玉  

  • Oxygen-Induced Anisotropic Surface Etching of 6H-SiC(0001) as Revealed by Variable Temperature STM

    本人

    Dr. Rohrer’s JSPS Award Workshop 

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    開催期間: 2002年03月05日   記述言語:英語   開催地:日本 仙台  

  • TEM-STMによるナノコンタクト形成の観察とコンダクタンス測定

    本人

    表面物理シンポジウム'2000 

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    開催期間: 2000年01月09日   記述言語:日本語   開催地: 富良野  

  • 量子化コンダクタンスの非整数値:TEM-STM観測

    本人

    日本物理学会第54回年会 

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    開催期間: 1999年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 広島  

  • Quantized conductance of gold atom contact studied by TEM-STM technique

    本人

    1999 Centennial meeting of American Physical Society 

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    開催期間: 1999年03月20日   記述言語:英語   開催地: America Atlanta  

  • UHV electron microscope and simultaneous STM study of gold islands

    本人

    掃描探針技術之応用 

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    開催期間: 1999年02月10日   記述言語:英語   開催地:日本 つくば  

  • TEM-STMによる原子ワイヤのコンダクタンスの研究

    本人

    日本物理学会1998年秋の分科会 

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    開催期間: 1998年09月25日   記述言語:日本語   開催地: 沖縄  

  • TEM-STMによる局所仕事関数の計測

    本人

    日本物理学会1998年秋の分科会 

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    開催期間: 1998年09月25日   記述言語:日本語  

  • STM探針と金属表面間に形成された量子ワイヤのTEM観察

    本人

    第59回応用物理学会 

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    開催期間: 1998年09月15日   記述言語:日本語   開催地: 広島  

  • Quantized conductance of the nanowire measured by TEM-STM technique

    14th International Vacuum Congress 

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    開催期間: 1998年09月04日   記述言語:英語   開催地: England Birmingham  

  • In-situ observation of operating STM tip by UHV TEM

    本人

    US-Japan Symposium on Surface Science 

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    開催期間: 1998年03月29日   記述言語:英語   開催地: America Park City  

  • 超高真空TEMによるSTM動作中の探針の観察

    本人

    日本物理学会97年秋の分科会 

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    開催期間: 1997年10月06日   記述言語:日本語   開催地: 神戸  

  • 超高真空TEMに組み込めるSTMの開発

    本人

    第58回応用物理学会 

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    開催期間: 1997年10月02日   記述言語:日本語   開催地: 秋田  

  • Direct observation of tunneling gap between STM tip and substrate by UHV transmission electron microscope during operation of STM

    本人

    17th European Conference on Surface Science 

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    開催期間: 1997年09月17日   記述言語:英語   開催地: Netherland Enschede  

  • In-situ operation of scanning tunneling microscope in UHV transmission electron microscope

    本人

    International Centennial Symposium on the Electron 

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    開催期間: 1997年09月16日   記述言語:英語   開催地: England Cambridge  

  • Newly developed UHV-FE-HR-TEM for particle surface studies

    日本電子 近藤行人

    Electron Microscopy and Analysis conference 

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    開催期間: 1997年09月04日   記述言語:英語   開催地: England Cambridge  

  • Atom-bridge to nano-wire

    東京工業大学 高柳邦夫

    Microscopy & Microanalysis '97 

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    開催期間: 1997年08月10日 - 1997年08月14日   記述言語:英語   開催地: Mexico Cleveland  

  • Hydrogen-Induced Ag Cluster Formation on the Si(111) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscopy

    本人

    2nd International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy 

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    開催期間: 1994年12月08日   記述言語:英語   開催地:日本 金沢  

  • 水素誘起クラスタ形成過程のSTM観察

    本人

    第14回表面科学講演大会 

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    開催期間: 1994年12月02日   記述言語:日本語  

  • シリコン上銀の水素誘起クラスタ形成STM観察

    本人

    関西表面物理セミナー 

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    開催期間: 1994年11月25日   記述言語:日本語  

  • STM Observations of Hydrogen-Induced Ag Cluster Formation on the Si(111)√3×√3(R30°)-Ag Surface

    大阪工業大学 I. Katayama

    41st National Symposium of the American Vacuum Society 

     詳細を見る

    開催期間: 1994年10月25日   記述言語:英語   開催地: America Denver  

  • UHV-STMによるSi(111)√3×√3-Ag表面の水素誘起クラスタ形成の観察

    本人

    第55回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1994年09月19日   記述言語:日本語  

  • UHV-STMによる2種のSi(111)3×1-Ag構造

    大阪工業大学 片山逸雄

    第41回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1994年03月28日   記述言語:日本語  

  • STM Observations of Si(111)3×1-Ag and 6×1-Ag Structures

    本人

    1st Inter-national Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy 

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    開催期間: 1993年12月09日   記述言語:英語   開催地:日本 広島  

  • Ag/Si(111)表面超構造のSTM観察

    本人

    応用物理学関西支部セミナー「STM・AFM研究会」 

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    開催期間: 1993年10月23日   記述言語:日本語  

  • Ag/Si(111)3×1表面のUHV-STMによる観察

    本人

    第54回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1993年09月27日   記述言語:日本語  

  • Initial Growth Stage of Ag Films on Si(111) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscope

    Proceedings of the First Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間: 1993年04月   記述言語:英語   開催地: Russia Vladivostok  

  • UHV-STMによるAg蒸着Si(111)3×1及び6×1構造の観察

    本人

    第40回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1993年03月29日   記述言語:日本語  

  • STMによるAg/Si(111)-3×1構造の観察

    本人

    第12回表面科学講演大会 

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    開催期間: 1992年12月17日   記述言語:日本語  

  • STMによるAg/Si(111)の観察

    本人

    応用物理学会薄膜・表面分科会特別研究会「走査トンネル顕微鏡(6)」 

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    開催期間: 1992年12月03日   記述言語:日本語  

  • Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察

    大阪大学 森岡肇

    日本物理学会1992年秋の分科会 

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    開催期間: 1992年09月27日   記述言語:日本語  

  • Growth Process of Ag Monolayer Films on Si(111) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscope

    本人

    Proceedings of the International Symposium on Intelligent Design and Synthesis of Electronic Material Systems 

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    開催期間: 1992年04月   記述言語:英語   開催地:日本 Osaka  

  • ERDA/LEEDによるAl/Si(111)-√7×√7表面への水素吸着の研究

    内藤正路 九州工業大学

    第39回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1992年03月31日   記述言語:日本語  

  • UHV-STMによるSi表面観察(1);Ag蒸着初期過程

    大阪工業大学 片山逸雄

    第39回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1992年03月30日   記述言語:日本語  

  • ERDA/LEEDによるAl単原子層蒸着Si表面への水素吸着の研究

    九州工業大学 内藤正路

    第52回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1991年10月10日   記述言語:日本語  

  • Al単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察

    本人

    第46回日本物理学会年会 

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    開催期間: 1991年09月29日   記述言語:日本語  

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工業所有権

  • Si-Sn系熱電変換素子

    大門秀朗, 内山 淳, 岩崎 豪真

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    出願番号:特願2018-153939  出願日:2018年08月20日

    公開番号:特開2020-03107  公開日:2020年02月27日

科研費獲得実績

  • シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製

    研究課題番号:19510118  2007年04月 - 2009年03月   基盤研究(C)

担当授業科目(学内)

  • 2023年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2023年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2023年度   半導体デバイス

  • 2023年度   電子回路Ⅱ

  • 2023年度   専門英語Ⅱ

  • 2023年度   電気電子工学PBL実験

  • 2023年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2023年度   電子回路 Ⅱ

  • 2023年度   半導体デバイス

  • 2022年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2022年度   先端電気工学特論

  • 2022年度   半導体デバイス

  • 2022年度   電子回路Ⅱ

  • 2022年度   電気電子工学実験

  • 2022年度   専門英語Ⅱ

  • 2022年度   電気電子工学PBL実験

  • 2022年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2022年度   電子回路 Ⅱ

  • 2022年度   半導体デバイス

  • 2021年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2021年度   半導体デバイス

  • 2021年度   電気電子工学実験

  • 2021年度   専門英語Ⅱ

  • 2021年度   電気電子工学PBL実験

  • 2021年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2021年度   半導体デバイス

  • 2020年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2020年度   半導体デバイス

  • 2019年度   電子回路Ⅱ

  • 2019年度   基礎半導体工学

  • 2019年度   電子回路Ⅱ

  • 2019年度   電子回路 Ⅱ

  • 2018年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2018年度   基礎半導体工学

  • 2018年度   電子回路Ⅱ

  • 2017年度   基礎半導体工学

  • 2017年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2017年度   電子回路Ⅱ

  • 2016年度   メゾスコピック系物理学特論Ⅱ

  • 2016年度   メゾスコピック系物理学特論Ⅰ

  • 2016年度   基礎半導体工学

  • 2016年度   電子回路Ⅱ

  • 2015年度   電子回路Ⅱ

  • 2015年度   基礎半導体工学

  • 2015年度   メゾスコピック系物理学特論Ⅰ

  • 2015年度   メゾスコピック系物理学特論Ⅱ

  • 2014年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2012年度   電子回路Ⅱ

  • 2012年度   基礎半導体工学

  • 2012年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2011年度   メゾスコピック系物理学特論

  • 2011年度   基礎半導体工学

  • 2011年度   電子回路Ⅱ

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