大門 秀朗 (オオカド ヒデアキ)

OKADO Hideaki

写真a

職名

准教授

研究室住所

福岡県北九州市戸畑区仙水町1-1

研究分野・キーワード

走査トンネル顕微鏡、透過電子顕微鏡、ナノ材料

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1990年03月   大阪大学   工学部   電子工学科   卒業   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1995年03月  大阪大学  工学研究科  電子工学専攻  博士課程・博士後期課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学 -  博士(工学)  1995年03月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2019年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系   准教授  

  • 2008年04月
    -
    2019年03月

    九州工業大学   大学院工学研究院   先端機能システム工学研究系   准教授  

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 2000年04月
    -
    2005年03月

    大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター   助手   日本国

  • 1999年10月
    -
    2000年03月

    理化学研究所表面界面工学研究室   基礎科学特別研究員   日本国

  • 1995年04月
    -
    1999年09月

    新技術事業団創造科学技術推進事業高柳粒子表面プロジェクト基礎構造グループ   研究員   日本国

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma

    Onoue M., Okado H., Ikari T., Naitoh M., Nagai T., Shoji F.

    Diamond and Related Materials    27-28   10 - 13   2012年07月  [査読有り]

     概要を見る

    We have investigated the growth mechanism as well as the structure of spherical carbon particles grown to micron sizes in a low pressure columnar CH4/H2plasma by scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). From SEM observations, we found a fact that the spherical carbon particles were formed not on the substrate surface but in the sheath. From TEM observations, it was clarified that the spherical carbon particles were composed of graphite onions ranging from 2 to 10 nm and diamonds of ca. 5 nm were growing at the same time. © 2012 Elsevier B.V.

    DOI Scopus

  • SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究

    米久保喜彦,上田大志,山内貴志,碇 智徳,内藤正路,西垣 敏,大門秀朗,生地文也

    表面科学    29 ( 7 ) 418 - 420   2008年07月  [査読有り]

  • Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

    J. Yoshida,Y. Yonekubo,T. Nakanishi,H. Okado,M. Naitoh,T. Sakata,H. Mori

    Appl. Surf. Sci.    255 ( 23 ) 7723 - 7727   2008年02月  [査読有り]

  • Drastic decrease in dislocations during liqid phase epitaxy growth of GaN single crystals using Na flux method without any artificial process

    F. Kawamura,H. Umeda,M. Kawahara,M. Yoshimura,Y. Mori,T. Sasaki,H. Okado,K. Arakawa,H. Mori

    Japanese Journal of Applied Physics    45 ( 4A ) 2528 - 2530   2006年04月  [査読有り]

  • Growth process and structure of Er/Si(100) thin film

    S. Fujii,Y. Michishita,N. Miyamae,H. Suto,S. Honda,H. Okado,K. Oura,M. Katayama

    Thin Solid Films    508 ( 1-2 ) 82 - 85   2006年04月  [査読有り]

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口頭発表・ポスター発表等 【 表示 / 非表示

  • SiC表面分解法を用いて生成したCNTを用いたフラーレンピポッドの作製

    平成20年度 応用物理学会九州支部学術講演会  ( 宮崎)  2008年11月  -  2008年11月   

  • Si表面におけるCoronene蒸着時のSTM観察

    平成20年度 応用物理学会九州支部学術講演会  ( 宮崎)  2008年11月  -  2008年11月   

  • Observing various nanostructure fabricated on Sn-Si substrates

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia  (日本 松江)  2008年10月  -  2008年10月   

  • 球状カーボン微粒子からなる薄膜の電子顕微鏡観察

    平成20 年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜表面研究会  ( 福岡市)  2008年06月  -  2008年06月   

  • SiC 表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における酸素の与える影響に関する研究

    平成20 年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜表面研究会  ( 福岡市)  2008年06月  -  2008年06月   

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科研費獲得実績 【 表示 / 非表示

  • シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製

    基盤研究(C)

    研究期間:  2007年04月  -  2009年03月

    研究課題番号:  19510118

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2018年度  電子回路Ⅱ

  • 2018年度  メゾスコピック系物理学特論

  • 2018年度  基礎半導体工学

  • 2017年度  電子回路Ⅱ

  • 2017年度  メゾスコピック系物理学特論

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