孫 勇 (ソン ユー)

SUN Yong

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職名

教授

研究室住所

福岡県北九州市戸畑区仙水町1-1

研究分野・キーワード

電界銃,電界ビーム,不純物伝導,ラムザワー効果,シリコン,ゲルマニウム,半導体,表面波

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研究室電話

093-884-3564,3571

研究室FAX

093-884-3564

Scopus 論文情報  
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1982年07月   沈陽機電学院   電子工学部   半導体デバイス   卒業   中華人民共和国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1985年03月  西安交通大学大学院  電子工学  半導体物理  修士課程・博士前期課程  修了  中華人民共和国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 九州工業大学 -  博士(工学)  1995年03月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2019年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   大学院工学研究院   物質工学研究系   教授  

  • 2016年05月
    -
    2019年03月

    九州工業大学   大学院工学研究院   先端機能システム工学研究系   教授  

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 2014年12月
    -
    2017年12月
     

    シンクロトロン光大学間連携会議委員  日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • ナノ材料化学

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 不純物伝導

    未設定  

    研究期間: 2008年04月  -  継続中

  • 表面超伝導

    未設定  

    研究期間: 2008年04月  -  継続中

  • ナノ材料物性

    未設定  

    研究期間: 2008年04月  -  継続中

  • リチウムイオン電池

    劣化メカニズム 寿命設計 音波物性   

    研究期間: 2011年10月  -  継続中

  • ナノ材料音波物性

    音波、グラフェン、フラーレン、ナノチューブ  

    研究期間: 2001年04月  -  継続中

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論文 【 表示 / 非表示

  • 表面移動電界を用いた非接触電気特性評価

    孫 勇

    セラミックス    47 ( 12 ) 100 - 100   2012年12月  [査読有り]

    機関リポジトリ

  • Acoustic wave propagation at a 3-layered graphene/LiNbO3 interface

    Shohei Yoshimura, Daichi Eto, B. Onwona-Agyeman, and Yong Sun

    The 40th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2019)  ( The 40th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2019) )    2019年11月  [査読有り]

    Japan  Tokyo  2019年11月  -  2019年11月

    機関リポジトリ

  • Improving contrast and spatial resolution in crystal analyzer‐based X‐ray dark‐field imaging

    Masami Ando, Yuki Nakao, Ge Jin, Hiroshi Sugiyama, Naoki Sunaguchi, Yongjin Sung, Yoshifumi Suzuki, Yong Sun, Michio Tanimoto, Katsuhiro Kawashima, Tetsuya Yuasa, Kensaku Mori, Shu Ichihara, Rajiv Gupta

    Medical Physics    47 ( 11 ) 5505 - 5513   2020年11月  [査読有り]

    DOI

  • Charge transport measurements in compressed bulk graphene oxide

    Boateng Onwona-Agyeman, Yong Sun and Hayami Hattori

    Int. J. Mater. Res.    111   552 - 558   2020年07月  [査読有り]

    DOI

  • Electric field and oxygen concentration-dependent transport properties of nano-graphene oxide

    Yong Sun, Kenta Kirimoto, Hayami Hattori, Yuto Kitamura, Enda Fan, and Koichi Onishi

    AIP Advances    9 ( 095010 ) 1 - 7   2019年09月  [査読有り]

    機関リポジトリ DOI

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著書 【 表示 / 非表示

  • Special Functions and Analysis of Differential Equations

    Yusuke Kamata, Tingli Ma, Yong Sun, Shigeru Kanemitsu ( 単著 )

    Chapman and Hall/CRC  2020年08月 ISBN: 978-0-367-33472-7

  • SiC半導体不純物の非接触評価法

    孫 勇 ( 共著 )

    天野工業技術研究所  2013年12月

  • Encapsulation Nanotechnologies

    Yong Sun and Boateng Onwona-Agyeman ( 共著 )

    Scrivener Publishing WILEY  2013年05月 ISBN: 978-1-118-34455-2

  • Advanced Materials and Processing, Proceedings of Russia-Japan Seminar

    T. Miyasato and Y. Sun ( 共著 , 担当範囲: Transparent Thin Films for High Power Transistor Formed by Hydrogen Plasma Sputtering Method )

    ISBN 978-5-901688-12-0  2007年09月

  • 技術の最先端を切り拓く『新材料2000』

    孫 勇, 宮里達郎 ( 共著 )

    東レリサーチセンター  2000年06月

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口頭発表・ポスター発表等 【 表示 / 非表示

  • 電極板にみるリチウムイオン電池の劣化要因

    畠 祥吾、保田周二、梅本 淳、孫 勇

    平成26年度九州表面・真空研究会2014(兼 第19回九州薄膜表面研究会)  (福岡教育大学、宗像市)  2014年06月  -  2014年06月   

  • 酸化グラフェンの伝導メカニズム

    中島史寛、依里忠樹、服部速水、孫 勇

    第123回日本物理学会九州支部例会  (鹿児島大学・郡元キャンパス)  2017年12月  -  2017年12月    第123回日本物理学会九州支部

  • 酸化グラフェンの電気特性

    依里忠樹、中島史寛、服部速水、孫 勇

    平成29年度応用物理学九州支部学術講演会  (宮崎市・宮崎観光ホテル)  2017年12月  -  2017年12月    平成29年度応用物理学九州支部

  • 車載リチウムイオン電池電極劣化に関する機械的特性評価

    孫 勇

    中小企業テクノフェアin九州2017~アカデミックセミナー及び特別講演  (西日本総合展示場新館(北九州市小倉北区浅野3-8-1))  2017年10月  -  2017年10月    福岡県、北九州市、公益財団法人北九州観光コンベンション協会、公益財団法人北九州産業学術推進機構

  • BiSb薄膜・トポロジカル絶縁体の電子的性質およびShockley状態の両立

    福田克也、倉留天翔、三谷尚、孫 勇、高橋和敏、大後忠志

    平成29年度九州表面・真空研究会2017(兼)第22回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  (佐賀大学・本庄キャンパス)  2017年06月  -  2017年06月    九州薄膜表面研究会

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工業所有権 【 表示 / 非表示

  • 励振装置及び励振方法

    特願 特願2017-109184  日本国

    孫 勇、鎌田裕之、大繹綾之、桐本賢太

  • センシング装置

    特願 特願2015-137817  日本国

    孫 勇

  • 電極の評価方法

    特願 特願2014-174392  日本国

    境野 真道、孫 勇

  • 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法

    特願 特願2009-134286  特許 特許第5500621  日本国

    孫 勇

     概要を見る

    非接触的な方法で半導体などの電気伝導率や不純物の種類及び不純物のエネルギー準位などを測定する。

  • 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置

    特願 特願2009-134286  特開 2010-281640  日本国

    孫 勇

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報道関係 【 表示 / 非表示

  • 試料の電気特性評価ー九州工大CNTなど測定に期待ー

    日刊工業新聞  2012年08月17日

    孫勇

  • 外国人研究者2人助成事業の対象に

    西日本新聞  2002年09月06日

    孫勇

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 第9回(2005年)応用物理学会九州支部発表奨励賞

    2005年11月   応用物理学会九州支部   日本国

    受賞者:  山下真史、大杉佳照、孫 勇、鈴木芳文、近浦吉則

科研費獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 表面放射電波を利用した弱磁場・低RF方式NMRの測定原理とコア技術の開発

    基盤研究(B)

    研究期間:  2016年04月  -  2019年03月

    研究課題番号:  16H04377

  • 極表面超電導測定

    挑戦的萌芽研究

    研究期間:  2011年04月  -  2013年03月

    研究課題番号:  23651115

  • 水素―表面反応基礎過程:スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

    特別推進研究

    研究期間:  2005年04月  -  2010年03月

    研究課題番号:  17002011

  • 水素プラズマを用いたSiC結晶の低温成長におけるSi基板のピラミッド処理効果

    萌芽研究・萌芽的研究

    研究期間:  2004年04月  -  2006年03月

    研究課題番号:  16656097

  • シリコン基板上3C-SiC薄膜の低温成長

    基盤研究(B)

    研究期間:  1999年04月  -  2002年03月

    研究課題番号:  11450127

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受託研究・共同研究実施実績 【 表示 / 非表示

  • 車載リチウムイオン電池の活物質の評価に関する研究

    共同研究

    研究期間:  2011年10月  -  継続中

  • CNT被覆銅ナノワイヤー(CuNW@CNT)の電気的特性評価

    共同研究

    研究期間:  2008年11月  -  2009年10月

  • 弾性表面波の外部電磁場による金属内包フラーレンLa@C82の誘電損失評価

    共同研究

    研究期間:  2004年07月  -  2005年06月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    共同研究

    研究期間:  2004年03月  -  2005年02月

  • フラーレンC60ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    受託研究

    研究期間:  2002年10月  -  2003年03月

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寄附金・講座 【 表示 / 非表示

  • SiC半導体薄膜層の非接触電気特性の評価

    財団法人天野工業技術研究所  2012年04月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    イーエヌジー株式会社  2004年03月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    イーエヌジー株式会社  2003年08月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    イーエヌジー株式会社  2002年10月

その他競争的資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 静電誘導法を用いた超伝導体のナノ深さ表面抵抗測定装置

    提供機関:  独立行政法人 科学技術振興機構 

    研究期間:  2009年08月  -  2010年07月

     概要を見る

    重点地域研究開発推進プログラム

  • ナノ材料電気的特性の非接触測定装置の商品化開発

    提供機関:  独立行政法人 日本学術振興会 

    研究期間:  2006年09月  -  2007年03月

     概要を見る

    平成18年度「シーズ発掘試験」

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2019年度  電子デバイス

  • 2019年度  電磁気学Ⅰ

  • 2019年度  ナノ材料およびデバイス特論

  • 2018年度  電磁気学Ⅰ

  • 2018年度  電子デバイス

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社会貢献活動(講演会・出前講義等) 【 表示 / 非表示

  • LabVIEWでものを動かす体験学習

    2008年05月
     
     

     概要を見る

    講師:日本NI
    主催者:総合システム工学科
    役割:世話人
    会場:図書館AVホール

 

PR 【 表示 / 非表示

  • (学生向けPR)

    半導体物理、半導体デバイス、新規材料の評価及び開発

    社会人博士学生を募集しています。

  • (企業向けPR)

    新規材料の開発及び評価

    下記の研究を行っている
    ・新規材料の共同開発
    ・各種試料の電気的特性評価特にナノ材料の評価
    ・新しい測定方法ー電界銃測定法の共同開発