2022/10/27 更新

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ソン ユー
孫 勇
SUN Yong
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院工学研究院 物質工学研究系
職名
教授
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メールアドレス
研究室電話
093-884-3564,3571
研究室FAX
093-884-3564
外部リンク

研究キーワード

  • ラムザワー効果

  • シリコン

  • ゲルマニウム

  • 半導体

  • 表面波

  • 電界ビーム

  • 不純物伝導

  • 電界銃

研究分野

  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学

出身学校

  • 1982年07月   沈陽機電学院   電子工学部   半導体デバイス   卒業   中華人民共和国

出身大学院

  • 1985年03月   西安交通大学大学院   電子工学   半導体物理   修士課程・博士前期課程   修了   中華人民共和国

取得学位

  • 九州工業大学  -  博士(工学)   1995年03月

学内職務経歴

  • 2019年04月 - 現在   九州工業大学   大学院工学研究院   物質工学研究系     教授

  • 2016年05月 - 2019年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   先端機能システム工学研究系     教授

所属学会・委員会

  • 2014年12月 - 2017年12月   シンクロトロン光大学間連携会議委員   日本国

研究経歴

  • 不純物伝導

    未設定

    研究期間: 2008年04月  -  現在

  • 表面超伝導

    未設定

    研究期間: 2008年04月  -  現在

  • ナノ材料音波物性

    音波、グラフェン、フラーレン、ナノチューブ

    研究期間: 2001年04月  -  現在

  • 次世代核磁気共鳴技術お開発

    核磁気共鳴、電波送受信、アンテナ、音波送信、電磁ノイズ、感度

    研究期間: 2000年04月  -  現在

  • ナノ材料物性

    未設定

    研究期間: 2008年04月  -  現在

  • リチウムイオン電池

    劣化メカニズム 寿命設計 音波物性 

    研究期間: 2011年10月  -  現在

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論文

  • 表面移動電界を用いた非接触電気特性評価 査読有り

    孫 勇

    セラミックス   47 ( 12 )   100 - 100   2012年12月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Kyutacar

  • Acoustic wave propagation at a 3-layered graphene/LiNbO3 interface 査読有り 国際誌

    Shohei Yoshimura, Daichi Eto, B. Onwona-Agyeman, and Yong Sun

    The 40th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2019) ( The 40th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2019) )   2019年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Tokyo   2019年11月25日  -  2019年11月27日

    Kyutacar

  • Dielectric properties of multi-layer graphene on LiNbO3 crystal 査読有り 国際誌

    Shota Tsuru, Yusuke Yamato, Yosuke Nisimura, Takemoto Yuki, and Yong Sun

    The 43rd Symposium on UltraSonic Electronics (USE 2022)   2022年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)

    Japan   kyoto   2022年11月07日  -  2022年11月09日

  • Possible pair‑graphene structures govern the thermodynamic properties of arbitrarily stacked few‑layer graphene 査読有り 国際誌

    Yong Sun, Kenta Kirimoto, Tsuyoshi Takase, Daichi Eto, Shohei Yoshimura & Shota Tsuru

    Scientific Reports ( nature portfolio )   2021年12月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: org/10.1038/s41598-021-02995-5

  • Improving contrast and spatial resolution in crystal analyzer‐based X‐ray dark‐field imaging 査読有り 国際誌

    Masami Ando, Yuki Nakao, Ge Jin, Hiroshi Sugiyama, Naoki Sunaguchi, Yongjin Sung, Yoshifumi Suzuki, Yong Sun, Michio Tanimoto, Katsuhiro Kawashima, Tetsuya Yuasa, Kensaku Mori, Shu Ichihara, Rajiv Gupta

    Medical Physics   47 ( 11 )   5505 - 5513   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Purpose: This paper describes and experimentally validates a methodology for improving contrast and spatial resolution of the x-ray dark-field imaging (XDFI) by cutting the monochromator-collimator asymmetrically and thinning the Laue angle analyzer. Methods: We measure the spatial resolution of our XDFI setup using a test object consisting of wolfram tungsten meshes and compare it with the theoretical prediction. Using x-ray dark-field computed tomography of breast cancer specimens (lobular carcinoma in situ), we demonstrate that the resolution of XDFI is sufficient for histopathologic analysis. Results: Our experimental results show that the overall spatial resolution of XDFI can be improved by approximately a factor of 2 when these modifications are implemented. The reconstructed images of breast cancer specimens provide sufficient details for radiologic histopathology. Conclusions: By cutting the monochromator-collimator and thinning the Laue angle analyzer, XDFI can achieve the resolution sufficient for radiologic histopathology.

    DOI: 10.1002/mp.14442

    Scopus

    その他リンク: https://doi.org/10.1002/mp.14442

  • Charge transport measurements in compressed bulk graphene oxide 査読有り 国際誌

    Boateng Onwona-Agyeman, Yong Sun and Hayami Hattori

    Int. J. Mater. Res.   111   552 - 558   2020年07月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.3139/146.111915.

  • Electric field and oxygen concentration-dependent transport properties of nano-graphene oxide 査読有り

    Yong Sun, Kenta Kirimoto, Hayami Hattori, Yuto Kitamura, Enda Fan, and Koichi Onishi

    AIP Advances   9 ( 095010 )   1 - 7   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.5116774

    Kyutacar

  • Sliding-friction-dependent stress at the graphene/LiNbO <inf>3</inf> interface around the critical temperature of the stress-free state 査読有り

    Sun Y., Kirimoto K., Kamada H., Onishi K., Etoh D., Yoshimura S., Kanemitsu S.

    AIP Advances   9 ( 2 )   2019年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2019 Author(s). The graphene/LiNbO 3 structure exists in an interfacial stress-free state at the temperature at which the graphene was transferred onto the LiNbO 3 substrate surface. Coupling of a surface acoustic wave with this structure revealed drastic changes in the properties of the propagating elastic wave around the critical temperature of the stress-free state. Three states, namely, tensile stress, stress-free, and compressive stress, were successively observed at the surface of the LiNbO 3 substrate as the temperature was increased through the critical point. The interfacial stress increased prior to the occurrence of sliding friction and approached a constant value when the frictional force exceeded the van der Waals interaction between the graphene and LiNbO 3 . Consequently, the interfacial stress exhibited a step-like temperature dependence around the critical temperature of the stress-free state. The results obtained in this study indicate that the temperature used to prepare graphene layers on a substrate is a crucial parameter owing to the instability of the electrical and mechanical properties of the graphene/substrate in the vicinity of this temperature. Therefore, in the fabrication of graphene-based electronic devices, room temperature should be avoided during the preparation of the graphene layers on the substrate.

    DOI: 10.1063/1.5050861

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85062279574&origin=inward

  • Propagation properties of surface acoustic wave passing through graphene/LiNbO3 interface 査読有り

    Daichi Eto, Syohei Yosimura, Yong Sun

    The 39th Symposium on Ultrasonic Electronics (USE 2018)   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Kyoto   2018年10月29日  -  2018年10月31日

    Kyutacar

  • Small Angle X-Ray Scattering Imaging of Soft Tissue by Using Laue Diffraction Optical System 査読有り

    Ge Jin, Kenichi Okamura, Yoshifumi Suzuki, Yong Sun, Yoshinori Chikaura, and Masami Ando

    Open Journal of Medical Imaging   8   54 - 63   2018年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.4236/ojmi.2018.83007

    Kyutacar

  • Improving the spatial resolution by thinning Laue Angular Analyzer in X-ray Dark-Field Imaging Optics 査読有り

    G. Jin, S. J. Seo, N. Sunaguchi, Y. Suzuki, Y. Sun, J. K. Kim, R. Gupta, M. Ando

    The 13th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation (SRI 2018)   2018年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Taiwan   Taipei   2018年06月10日  -  2018年06月15日

  • Mechanical properties of lithium-ion battery electrode 査読有り

    Ryo Inagaki, Tsuyoshi Noge, Keita Sonoda, Kenta Kirimoto, Yong Sun

    The 38th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2017)   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Tagajo, Miyagi   2017年10月25日  -  2017年10月27日

  • Technical Aspect of X-ray Dark-Field Imaging 招待有り 査読有り

    M. Ando, A. Badrutdinov, K. Deasy, R. Gupta, Y. Higashi, K. Hyodo, S. Ichihara, Ge Jin, J. K. Kim, G. Li, K. Mori, S.J. Seo, D. Shimao, Y. Sun, N. Sunaguchi, Y. Suzuki, T. Yuasa

    The 12 th Asian Meeting on Synchrotron Radiation Biomedical Imaging (AMSI2017)   2017年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    China   Urumqi   2017年07月20日  -  2017年07月23日

  • Installation of X-ray Dark Field Imaging Optics at the Pohang Light Source Beamline BL6C-PLS 査読有り

    G. Jin, S. J Seo, N. Sunaguchi, Y. Suzuki, Y. Sun, J. K. Kim, T. Yuasa, M. Ando, S. Ichihara, R. Gupta

    The 12 th Asian Meeting on Synchrotron Radiation Biomedical Imaging (AMSI2017)   2017年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    China   Urumqi   2017年07月20日  -  2017年07月23日

  • External electric field effects on Schottky barrier at Gd3N@C80/Au interface 査読有り

    Koichi Onishi, Fumihiro Nakashima, Ge Jin, Daichi Eto, Hayami Hattori, Noriko Miyoshi, Kenta Kirimoto, and Yong Sun

    Journal of Applied Physics   122 ( 065102 )   1 - 6   2017年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4986878

    その他リンク: http://dx.doi.org/10.1063/1.4986878

  • Current-voltage characteristics of C70 solid near Meyer-Neldel temperature 査読有り

    Koichi Onishi, Kouki Sezaimaru, Fumihiro Nakashima, Yong Sun, Kenta Kirimoto, Masamichi Sakaino, and Shigeru Kanemitsu

    Journal of Applied Physics   121 ( 225108 )   1 - 7   2017年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4985173

    その他リンク: http://dx.doi.org/10.1063/1.4985173

  • Coupling behaviors of graphene/SiO2/Si structure with external electric field 査読有り

    Koichi Onishi, Kenta Kirimoto and Yong Sun

    AIP Advances   7 ( 025113 )   1 - 17   2017年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4975150

    その他リンク: http://dx.doi.org/10.1063/1.4975150

  • Mechanical Properties of Lithium-ion Battery Electrode 査読有り

    Ryo Inagaki, Tsuyoshi Noge, Keita Sonoda, Koichi Onishi, Kenta Kirimoto, and Yong Sun

    The 37th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2016)   2016年12月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Korea   Busan   2016年11月16日  -  2016年11月18日

  • ナノ材料の非接触的評価

    孫 勇

    Kyutech Journal ( 明専会 )   885 ( 6 )   4 - 5   2016年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)

  • Meyer-Neldel temperature on carrier transport of C70 molecular solid 査読有り

    Kouki Sezaimaru, Fumihiro Nakashima, Yong Sun, and Koichi Onishi

    Applied Nanotechnology and Nanoscience International Conference 2016   2016年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    spain   Barcelona   2016年11月09日  -  2016年11月11日

  • Electric field induced effects in Y3N@[C80]6- anionic solid 査読有り

    Yong Sun, Hiroki Sezaimaru, Masamichi Sakaino, Naoto Ogawa, and Kenta Kirimoto

    Journal of Applied Physics   117 ( 15 )   154308-1 - 154308-9   2015年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4918665

    Kyutacar

    Scopus

  • On some point groups 査読有り

    Yong Sun, Shigeru Kanemitsu and H. Kitamura

    Pure and Applied Mathematic Journal   4 ( 2-1 )   42 - 46   2015年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.11648/j.pamj.s.2015040201.18

    Kyutacar

    その他リンク: http//www.sciencepublishinggroup.com/j/pamj

  • Dielectric properties of Au/C60(OH)24-26/Au structure 査読有り

    Yong Sun, Shigeru Kanemitsu and Kenta Kirimoto

    Pure and Applied Mathematic Journal   4 ( 2-1 )   18 - 24   2015年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.11648/j.pamj.s.2015040201.14

    Kyutacar

  • Condons and Codes 査読有り

    Kalyan Chakraborty, Shigeru Kanemitsu and Yong Sun

    Pure and Applied Mathematic Journal   4 ( 2-1 )   25 - 29   2015年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.11648/j.pamj.s.2015040201.15

    Kyutacar

  • LiB electrode ageing observed from PVdF binder 査読有り

    Masamichi Sakaino, Syogo Hatake, Yong Sun, Fumio Morimoto and Kenta Kirimoto

    Materials Sciences and Applications   5   767 - 782   2014年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.4236/msa.2014.511077

    Kyutacar

  • Carrier transport properties of nanocrystalline Er3N@C80  査読有り

    Yong Sun, Yuki Maeda, Hiroki Sezaimaru, Masamichi Sakaino and Kenta Kirimoto

    Journal of Applied Physics   116 ( 034301 )   1 - 7   2014年07月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4887796

    Kyutacar

    Scopus

  • Electrical properties of fullerenol C60(OH)10/Au interface 査読有り

    Masamichi Sakaino, Yong Sun, and Fumio Morimoto

    Journal of Applied Physics   115 ( 023710 )   1 - 6   2014年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4861184

    Kyutacar

    Scopus

  • Transport properties of carriers through nanocrystalline Lu3N@C80/Au interface 査読有り

    Yong Sun, Kenta Kirimoto, Masamichi Sakaino, and Fumio Morimoto

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 035102 )   1 - 5   2014年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.7567/JJAP.53.035102

    Scopus

    CiNii Article

  • Internal Friction Characterization of Positive Electrode of Lithium Ion Battery by Using Vibrating Reed Technique 査読有り

    Masamichi Sakaino, Jun Umemoto, Yusuke Hattori, Ryu Tateishi, Shuji Yasuda, Tsuyoshi Takase, Kenta Kirimoto, and Yong Sun

    The 34rd Symposium on UltraSonic Electronics (USE2013)   34   2013年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Doshisha University, Muromachi Campus Kambaikan, Kamigyo-Ku, Kyuoto, Japan   2013年11月20日  -  2013年11月22日

    Kyutacar

  • Measurement of Internal Friction of Ag-Sheathed Bi2Sr2Ca2Cu3Ox tapes by Vibrating Reed Method 査読有り

    Kenta Kirimoto, Masamichi Sakaino, Fumio Morimoto, Tsuyoshi Takase, and Yong Sun

    Proceedings of Symposium on Ultrasonic Electronics   33   309 - 310   2013年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Chiba University, Nishi-chiba Champus (Keyaki Hall), Chiba, Japan.   2013年11月13日  -  2013年11月15日

    Kyutacar

  • Schottkey barrier measurement of nanocrystalline Lu3N@ C80/Au contac 査読有り

    Yong Sun, Yusuke Hattori, Masamichi Sakaino, Fumio Morimoto, Kenta Kirimoto

    Materials Sciences and Applications   4   805 - 815   2013年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.4236/msa.2013.412103

    Kyutacar

  • Electrical properties of microcrystalline fullerenol C60(OH)10 査読有り

    Kenta Kirimoto, Ryousuke Sada, Yuki Maeda, Masamichi Sakaino, Tsuyoshi Takase, and Yong Sun

    The 7th International Conference on Molecular Bioelectronics and Electronics   B-P32   2013年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan   2013年03月17日  -  2013年03月19日

  • Measurement of Ionization Energies of Nitrogen in 4H-SiC by Traveling-Wave Method 査読有り

    Tsuyoshi Takase, Masamichi Sakaino, Yong Sun and Tatsurou Miyasato

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 091301 )   1 - 7   2013年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.7567/JJAP.52.091301

    Scopus

  • SiC半導体不純物の非接触評価法

    孫 勇

    天野工業技術研究所平成24年度年次報告 ( 天野工業技術研究所 )   69 - 77   2012年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)

  • Measurement of Excited States of Sb Impurity in Si by Traveling-Wave Method 査読有り

    Y. Sun, Tsuyoshi Takase, Masamichi Sakaino, and Tatsuro Miyasato

    Journal of Applied Physics   112 ( 013709 )   1 - 8   2012年07月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1063/1.4731736

    Kyutacar

    Scopus

  • Preparation and Characterization of Zn1-xBixO Films(共著) 査読有り

    山本真義,阿部正義,孫 勇

    Jasco Report   54 ( 1 )   1 - 6   2012年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Kyutacar

  • Electrical Properties of Microcrystalline Sc3N@C80 Fullerene 査読有り

    Tsuyoshi Takase, Masamichi Sakaino, Kenta Kirimoto and Yong Sun

    Applied Physics A   112 ( 4 )   927 - 931   2012年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1007/s00339-012-7449-6

    Scopus

  • Controlling the Resistivity of Multi-walled Carbon Nanotube Networks by Copper Encapsulation 査読有り

    Y. Sun, Boateng Onwona-Agyeman, and Tatsuro Miyasato

    Materials Letters   65   3187 - 3190   2011年06月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.matlet.2011.06.113

    Kyutacar

    Scopus

    その他リンク: https://www.journals.elsevier.com/materials-letters

  • Properties of Charge Carrier Transport in Au/phenyl C61 butyric acid methyl ester /Au Structure 査読有り

    Y. Sun,Boateng Onwona-Agyeman,and Tatsuro Miyasato

    Japanese Journal of Applied Physics   50   031601 - 1   2011年03月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

    DOI: 10.1143/JJAP.50.031601

    Scopus

    CiNii Article

  • 低次元材料電子物性測定装置

    孫 勇

    九州工業大学新技術説明会   11:20   2010年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • An Abnormal Temperature Dependence of Conductivity in Fullerene Solids 査読有り

    Y. Sun,Boateng Onwona-Agyeman,and Tatsuro Miyasato

    Japanese Journal of Applied Physics   49   085103 - 1   2010年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

    DOI: 10.1143/JJAP.49.085103

    Scopus

    CiNii Article

  • 低次元材料の電界銃測定法の商品化開発

    孫 勇

    JST関連新技術説明会   13:20   2009年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • ナノ材料電気特性非接触評価装置の商品化開発

    孫 勇

    JSTイノベーションプラザ福岡研究成果発表会   15:50   2009年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Characterization of Optical Properties of Zn1-xAlxO Films 査読有り

    K. Sakaguchi,S. Katata,Y. Sun,and K. Kirimoto

    Jasco Report   51   1 - 6   2009年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 表面超電導の非接触的評価方法及び装置

    孫 勇

    九州工業大学新技術説明会   2008年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 電気電導率の非接触評価装置

    孫 勇

    水素エネルギー先端技術展2008   2008年10月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 表面超電導の非接触的評価方法及び装置の事業化

    孫 勇

    イノベーションジャパン2008   2008年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • C60結晶の内部摩擦測定

    宮本武瑠、脇田慎也、松本修一、知北幸裕、孫 勇

    平成20年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」   2008年06月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • フラーレン誘導体PCBMの電気伝導率温度依存性

    河野 剛、孫 勇

    平成20年度応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会(兼)第13回九州薄膜研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」   2008年06月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 超音波を利用したフラーレン水素吸蔵評価装置の開発

    孫 勇

    福岡水素エネルギー社会近未来展2007-燃料電池・水素技術展&セミナー-   2007年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Transparent Thin Films for High Power Transistor by Hydrogen Plasma Sputtering Method 査読有り

    Tatsuro Miyasato and Yong Sun

    Russia-Japan Seminar on Advanced Materials and Processing   2007年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Russia   Novosibirsk   2007年09月16日  -  2007年09月20日

    主要論文集(会議)

  • Temperature Dependence of Conductivity of Crystalline C60 and C70 Pellets 査読有り

    Gou Kawano,Tsuyoshi Takakura,Tsuyoshi Takase,Hidetsugu Nakamura and Yong Sun

    The 33th Fullerene-Nanotube General Symposium   2007年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    fukuoka   2007年07月11日  -  2007年07月13日

    主要論文集(会議)

  • Internal Friction Measurement of Fullerene Films by Vibrating Reed Method 査読有り

    Shinya Wakita1,Shuichi Matsumoto1,Takanori Yoshii1,Kenta Kirimoto2 and Yong Sun

    The 33th Fullerene-Nanotube General Symposium   2007年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    fukuoka   2007年07月11日  -  2007年07月13日

    主要論文集(会議)

  • ナノ材料電気的特性の非接触測定装置の商品化開発

    孫 勇

    産学共同シーズイノベーション化事業「九州・沖縄地区10大学・1高専連携シーズ発表会」   1 ( 1 )   2007年07月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 弾性表面波を用いたSi結晶中Sbの束縛エネルギー準位測定

    石飛敬史、堀 護善、孫 勇

    「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」(兼)第12回九州薄膜表面研究会   2007年06月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • ASWデバイスを用いたC70薄膜電気特性の非接触的評価

    孫 勇、牧山博美、宮里達郎

    シンポジウム「SAGAシンクロトロンとアカデミアー九州における学術・産学共同利用を目指してー」   2006年09月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Si微細加工基板上SiC薄膜の表面構造の成長条件依存性―AFM及びIn-Plane回折―

    山下真史、大杉佳照、山下直也、孫 勇、鈴木芳文、近浦吉則

    シンポジウム「SAGAシンクロトロンとアカデミアー九州における学術・産学共同利用を目指してー」   2006年09月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Fermi Level Effects on Electrical Conductivity of C70 Films 査読有り

    S. Matsumoto,Y. Tajima,T. Matsushima,T. Takasa,K.Kirimoto,Y.Sun

    The 31th Fullerene-Nanotube General Symposium   2006年07月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    tsu, mie   2006年07月12日  -  2006年07月14日

  • Epitaxial Growth of Cubic SiC Film on Si Crystal with a Curved Surface 査読有り

    Y.Sun,T. Miyasato

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 10 )   7351 - 7355   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • AFMおよびIn-Plane回折によるシリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察

    山下真史、大杉佳照、孫 勇、鈴木芳文、近浦吉則

    シンポジウム「動き出したSAGAシンクロトンーX線利用の実際―」   2005年08月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 振動リード法によるC70結晶の内部摩擦測定

    桐本賢太、高瀬 剛、孫 勇

    シンポジウム「動き出したSAGAシンクロトンーX線利用の実際―」   2005年08月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Metallic--nonmetallic transition on the conductivity temperature dependence of multiwall carbon nanotubes

    Y.Sun,T.Miyasato,K. Kirimoto,M.kusunoki

    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology   11 ( 22 )   ? - ?   2005年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Net Journal

  • 曲面を持つシリコン基板上における3C-SiC結晶の低温成長

    孫 勇

    第一回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会要旨集   2005年05月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 曲面を持つシリコン基板上における3C-SiC結晶の低温成長

    孫 勇

    第一回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会要旨集   ? ( ? )   6 - 6   2005年05月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    プロジェクト研究発表会

  • Metallic--nonmetallic transition on the conductivity temperature dependence of multiwall carbon nanotubes 査読有り

    Y.Sun,T.Miyasato,K. Kirimoto,M.kusunoki

    Applied Physics Letters   86 ( 22 )   223108 - 1   2005年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Void Free at Interface of the SiC Film and Si Substrate 査読有り

    Y.Sun,T.Miyasato,K. Masuda,T. Enokida,H. Hagino

    Japanese Journal of Applied Physics, 43 (2004) L1517-L1519.   43 ( 12A )   L1517 - L1519   2004年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Study on dynamic properties of C60 films by surface acoustic wave device 査読有り

    T. Kawano,T. Takase,Y. Sun

    The 27th Fullerene-Nanotube General Symposium   69 - 69   2004年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2004年07月  -  2004年07月

    国際会議

  • Ultrasonic Attenuation Mechanism of C70 Thin Films 査読有り

    T.Takase,Y.Sun,K.Kirimoto,T.Miyasato

    Thin Solid Films   438/439 ( ? )   212 - 214   2003年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • フラーレンC60ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    孫 勇,桐本賢太,廣津総吉

    KITEC INFORMATION   198 ( ? )   13 - 13   2003年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • C<sub>60</sub>薄膜の電波吸収測定 -弾性表面波デバイスを利用して- 査読有り

    孫 勇

    超音波TECHNO   1 ( 2 )   33 - 36   2003年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Dielectric Loss in a C60 Film Observed by Coupling with the External Electromagnetic Field of a Surface Acoustic Wave

    Y.Sun,Y. Yamasaki,K.Kirimoto,T. Miyasato,J. Keith Wigmore,H. Moriyama,T. Takase

    Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, January   7 ( 2 )   ? - ?   2003年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Net Journal

  • Dielectric Loss in a C60 Film Observed by Coupling with the External Electromagnetic Field of a Surface Acoustic Wave 査読有り

    Yong Sun,Yuichi Yamasaki,Kenta Kirimoto,Tatsuro Miyasata

    Applied Physics Letters   82 ( 1 )   34 - 36   2003年01月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • Ultrasonic Investigation of C70 Thin Films 査読有り

    T. Takase,Y. Sun,K. Kirimoto,T. Miyasata

    The 5th International Conference Nano-Molecular Electronics (ICNME 2002)   ? ( ? )   2002年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2002年12月10日  -  2002年12月12日

  • Debye-type SAW Attenuation in C<sub>60</sub> Thin Films below the Glass-transition Temperature 査読有り

    孫 勇

    Physica β   316   283 - 285   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Debye-type SAW Attenuation in C<sub>60</sub> Thin Films below the Glass-transition Temperature 査読有り

    孫 勇

    Physica β   316   283 - 285   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Conversion of Si(100) to Si<sub>1-x-y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> Alloy by Hydrogen Plasma Containing Ge and C Species 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applid Physics   41   1271 - 1278   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • GeとCを含んだ水素プラズマによる(100)Si表面のSi<sub>1-x-y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub>合金化 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文刊行会   41   1271 - 1278   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Conversion of Si(100) to Si<sub>1-x-y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> Alloy by Hydrogen Plasma Containing Ge and C Species 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applid Physics   41   1271 - 1278   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • ガラス相転移温度領域におけるC<sub>60</sub>薄膜のデバイ型SAW減衰 査読有り

    孫 勇

    Physica β   316   283 - 285   2002年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Conversion of Si(100) to Si1-x-xGexCy Alloy by Hydrogen Plasma Containing Ge and C Species 査読有り

    Yong SUN,Toyotsugu ENOKIDA,Hiroyasu HAGINO,Tatsuro MIYASATO

    Japanese Journal of Applied Physics   41 ( 3A )   1271 - 1278   2002年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • C60薄膜のガラス相転移温度以下でのSAW減衰 査読有り

    Tsuyosi TAKASE,Humitoku MORIYAMA,Yong SUN,Tatsurou MIYASATO

    The 22th Symposium on Ultrasonic Electronics   81 - 82   2001年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Ebina   2001年11月07日  -  2001年11月09日

  • Airgap法によるC60薄膜の弾性表面波吸収 査読有り

    Yuiti Yamasaki,Tkamitsu ABE,Humitoku MORIYAMA,Yong SUN,Kenta Kirimoto,Tsuyosi Takase,Tatsurou Miyasato

    The 22th Symposium on Ultrasonic Electronics   7 - 8   2001年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Ebina   2001年11月07日  -  2001年11月09日

  • Stress Release Behaviors of Amorphous SiC/Si Structure during Annealing 査読有り

    孫勇,中次恭一郎,宮里達郎

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 11 )   6290 - 6295   2001年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Growth of 3C-SiC on Si Substrate with Ge1-0.63C0.63 Buffer Layer 査読有り

    孫勇,宮里達郎

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 10 )   5885 - 5888   2001年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Influence of Oxygen on Formation of Hollow Voids at SiC/Si Interface 査読有り

    孫勇,榎田豊次,萩野靖浩,宮里達郎

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 9A/B )   L928 - L931   2001年09月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Debye Type SAW Attenuation in C60 Thin Films below Glass Transition Temperature 査読有り

    Tsuyosi TAKASE,Fumitoku MOROYAMA,Yong SUN,Tatsurou MIYASATO

    Tenth International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter   139 - 139   2001年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Dartmouth College, USA   2001年08月12日  -  2001年08月17日

  • Stress Release Behaviors of Amorphous SiC/Si Structure During Annealing 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 11 )   6290 - 6290   2001年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Ge<sub>1-0.63</sub>C<sub>0.63</sub>バッファー層付Si基板上での3C-SiC成長 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   40 ( 10 )   5885 - 5885   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SiC/Si界面空洞化における酸素の影響 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   40 ( 9AB )   L928 - L928   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth of 3C-SiC on Si Substrate with Ge<sub>1-0.63</sub>C<sub>0.63</sub> Buffer Layer 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 10 )   5885 - 5885   2001年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Influnce of Oxygen on Formation of Hollow Void at SiC/Si Interface 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 9AB )   L928 - L928   2001年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • アモルファスSiC/Si結晶構造におけるストレス緩和機構 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   40 ( 11 )   6290 - 6290   2001年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 3C-SiC薄膜の低温エピ成長

    孫 勇

    技術の最先端を拓く新材料2000   2000 ( 6 )   327 - 328   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Enhanced Evaporation from a Highly Strained Si Crystal Surface 査読有り

    孫 勇

    Journal of Applied Physics   87 ( 12 )   8483 - 8486   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Compositional Changes of SiC/Si Structure durig Vacuum Annealing 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 6 )   3319 - 3319   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Compositional Changes of SiC/Si Structure during Vacuum Annealing 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 6A )   3319 - 3325   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Fabrication of Nanoscale Cubic SiC Particle Film 査読有り

    孫勇,桐本賢太,宮里達郎

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 11 )   pp.6202 - pp.6207   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Improvement of Annealing Properties of SiC/Si Structure 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 5A )   L396 - L399   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • ナノスケール立方晶Sic微粒子薄膜の作製 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   39 ( 11 )   6202 - 6202   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SiC/Si構造アニール特性の改善 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   39 ( 5 )   L396 - L396   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Enhanced Evaporation from a Highly Strained Si Crystal Surface 査読有り

    孫 勇

    Journal of Applied Physic   87 ( 12 )   8483 - 8483   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 応力場におけるSi結晶表面の異常蒸発 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   87 ( 12 )   8483 - 8483   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 真空アニールにおけるSiC/Si構造の組成的変化 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   39 ( 6 )   3319 - 3319   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Improvement of Annealing Properties of SiC/Si structure 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 5 )   L396 - L396   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of Nanoscale Cubic Sic Particle Film 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 11 )   6202 - 6202   2000年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 赤外吸収法による立方晶SiC薄膜中過剰カーボン評価 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   85 ( 6 )   3377 - 3377   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SAW Attenuation in C60 Thin Films at Transition Temperature 査読有り

    孫 勇

    Physica B   263-264 ( ? )   766 - 768   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Self-organized Growth of Zero-, One-, and Two-dimensional Nanoscale SiC Structure by Oxygen-enhanced Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    J.Appl. Phys.   86 ( 6 )   3076 - 3082   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Characterization of Excess Carbon in Cubic SiC Films by Infrared Absorption 査読有り

    孫 勇

    J.Appl. Phys.   85 ( 6 )   3377 - 3379   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Activation Energy of Nanoscale 3C-SiC Island Growth on Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 10B )   L1166 - L1168   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Growth and Characterization of Nanoscale 3C-SiC Islands on Si Substrates 査読有り

    孫 勇

    J.Appl. Phys.   85 ( 7 )   3565 - 3568   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Influence of SiC Cover Layer of Si Substrate on Properties of Cubic SiC Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 7 )   L714 - L716   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • SAW Attenuation in C<sub>60</sub> Thin Films at Transition Temperature 査読有り

    孫 勇

    ELSEVIER   263-264   766 - 766   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Characterization of Excess Carbon in cubic SiC Films by Infrared Absorption 査読有り

    孫 勇

    American Institute of Physics   85 ( 6 )   3377 - 3377   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Activation energy of Nanoscale 3C-SiC Island Growth on Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 10 )   L1166 - L1166   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth and Characterization of Nanoscale 3C-SiC Islands on Si Substrates 査読有り

    孫 勇

    American Institute of Physics   85 ( 7 )   3565 - 3565   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • シリコン基板上ナノ3C-SiCアイスランドの成長と評価 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   85 ( 7 )   3565 - 3565   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法による立方晶SiC薄膜性質に対するSi基板のSiC保護層の影響 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   38 ( 7 )   L714 - L714   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 転移温度におけるC<sub>60</sub>薄膜の弾性表面波吸収 査読有り

    孫 勇

    Physica B   263-264   766 - 766   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Si基板上3C-SiCアイスランド成長の活性化エネルギー 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   38 ( 10 )   L1166 - L1166   1999年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Influence of SiC Cover Layer of Si Substrate on Properties of Cubic SiC Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 7 )   L714 - L714   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Self-organized Growth of 2ero-, one-, and two-Dimensional Nanoscale SiC Structures by Oxygen-enhanced Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    Journal of Applied Physics   86 ( 6 )   3076 - 3076   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 酸素活性水素プラズマスパッタリングによる一次元,二次元および三次元f/SiC構造の自己組織成長 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   86 ( 6 )   3076 - 3076   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SAW Attenuation in C60 Thin Films at Transition Temperature 査読有り

    T.Takase,Y.Sun,T.Miyasato

    Ninth International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter   ? ( ? )   80 - 80   1998年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    1998年07月  -  1998年07月

  • ナノSiC結晶薄膜のIR吸収特性 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   37 ( 10 )   5485 - 5485   1998年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Plasma Etch Void Formed at the SiC Film/Si Substrate Interface 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 6 )   3238 - 3244   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Infrared Absorption Properties of Nanocrystalline Cubic SiC Films 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 10 )   5485 - 5489   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Characterization of Cubic SiC Films Grown on Thermally Oxidized Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    J.Appl. Phys.   84 ( 5 )   2602 - 2611   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Outdiffusion of the Excess Carbon in SiC Films into Si Substrate during Film Growth 査読有り

    孫 勇

    J.Appl. Phys.   84 ( 11 )   6451 - 6453   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 酸化シリコン基板上立方晶Sic薄膜の評価 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   84 ( 5 )   2602 - 2602   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SiC薄膜/Si基板界面に形成したプラスマエッチボイド 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   37 ( 6A )   3238 - 3238   1998年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 薄膜成長過程におけるSiC薄膜中過剰カーボンのシリコン基板への外拡散 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   84 ( 11 )   6451 - 6451   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Plasma Etch Void Formed at the SiC Film/Si Substrate Interface 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 6A )   3238 - 3238   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Characterzation of Cubic SiC Films Grown on Thermally Oxidized Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    American Institute of Physics   84 ( 5 )   2602 - 2602   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Outdiffusion of the Excess Carbon in SiC Films into Si Substrate during Film Growth 査読有り

    孫 勇

    American Institute of Physic   84 ( 11 )   6451 - 6451   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Infrared Absorption properties of Nanocrystaline Cubic SiC Films 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 10 )   5485 - 5485   1998年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Evidence for the Appearance of carbon-rich Layer at the Interface of SiCFilm/Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    Journal of Vacuum Science & Technology A   15 ( 1 )   18 - 18   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SiC薄膜とSi基板界面におけるカーボンリッチ層の発生 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   15 ( 1 )   18 - 18   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • (110)配向した水素化シリコン微結晶薄膜の成長メカニズム 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   70 ( 4 )   508 - 508   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Possible Origin for (110)-oriented Growth of Grains in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films 査読有り

    孫 勇

    Applied Physics Letters   70 ( 4 )   508 - 508   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜のSi基板のロス特性 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   36 ( 8B )   L1071 - L1071   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Behaviors of Carbon at Initial Stages of SiC Films Grown on Thermally Oxidized Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 12B )   L1641 - L1641   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Characterization of 3C-SiC Films Grown on Monocrystalline Si by Reactive Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    American Institute of Physics   82 ( 5 )   2334 - 2334   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Loss Behaviors of Si Substrate during Growth of the SiC Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 8B )   L1071 - L1071   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 酸化Si基板上SiC薄膜成長初期段階におけるカーボンの挙動 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   36 ( 12B )   L1641 - L1641   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるSi基板上3C-SiC薄膜の特性評価 査読有り

    孫 勇

    アメリカ物理学会   82 ( 5 )   2334 - 2334   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Observation of the Formation Processes of Hollow Voids at the Interface between SiC Films and Si Substrate 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied physics   35 ( 12B )   L1655 - L1655   1996年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • SiC薄膜とSi基板界面における空洞の形成過程 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   35 ( 12B )   L1655 - L1655   1996年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるSi:H薄膜成長の水素イオンのボンバードメント效果 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   35 ( 7B )   L869 - L869   1996年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Study of Hydrogen Ion Bombardment Effect on the Growth of Si : H Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering of Silicon 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   35 ( 7B )   L869 - L869   1996年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Characterization of Stress in Porous Silicon Films prepared by Reactive Hydrogen plasma Sputtering Technique 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   34 ( 10A )   L1428 - L1428   1995年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるポーラスシリコン薄膜のストレス評価 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   34 ( 10A )   L1428 - L1428   1995年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるナノサイズシリコン微結晶膜成長メカニズムに関する研究

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   33 ( 124 )   L1645 - L1645   1994年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Study of Growth Mechanism of Nanocrystalline Si : H Films Prepared by Reactive Hydrogen Plasma Sputtering of Silicon 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 124 )   L1645 - L1645   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    1994年04月  -  1994年04月

  • 磁界制御によるシリコンの水素プラズマスパッタメカニズムに関する研究 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   33 ( 3A )   L263 - L263   1994年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Study of Sputtering Mechanism of Silicon with Hydrogen Plasma Controlled by Magnetic Field 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 3A )   L263 - L263   1994年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • シリコンとrf水素プラズマとの反応の温度特性 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   33 ( 8A )   L1117 - L1117   1994年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Temperature-Dependent Reaction of rf Hydrogen Plasma with Silicon 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 8A )   L1117 - L1117   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 水素プラズマスパッタリング法によるMC-Si : H薄膜物性の作製温度依存性 査読有り

    孫 勇

    応用物理学欧文誌刊行会   29 ( 7 )   L1029 - L1029   1990年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth Temperature Dependence of MC-Si : H Films Sputtering with Hydrogen Gas 査読有り

    孫 勇

    Japanese Journal of Applied physics   29 ( 7 )   L1029 - L1029   1990年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

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著書

  • Special Functions and Analysis of Differential Equations

    Yusuke Kamata, Tingli Ma, Yong Sun, Shigeru Kanemitsu(単著)

    Chapman and Hall/CRC  2020年08月  ( ISBN:978-0-367-33472-7

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    総ページ数:354   担当ページ:Chapter 10, pp.213-226   記述言語:英語

  • SiC半導体不純物の非接触評価法

    孫 勇(共著)

    天野工業技術研究所  2013年12月 

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    記述言語:日本語

  • Encapsulation Nanotechnologies

    Yong Sun and Boateng Onwona-Agyeman(共著)

    Scrivener Publishing WILEY  2013年05月  ( ISBN:978-1-118-34455-2

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    記述言語:英語

  • Advanced Materials and Processing, Proceedings of Russia-Japan Seminar

    T. Miyasato and Y. Sun(共著 ,  範囲: Transparent Thin Films for High Power Transistor Formed by Hydrogen Plasma Sputtering Method)

    ISBN 978-5-901688-12-0  2007年09月 

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    記述言語:英語

  • 技術の最先端を切り拓く『新材料2000』

    孫 勇, 宮里達郎(共著)

    東レリサーチセンター  2000年06月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語

  • 超微粒子

    崔志武、孫 勇(共著)

    東北工学院出版社, 中国・沈陽  1989年09月  ( ISBN:7-81006-105-4

     詳細を見る

    記述言語:中国語

  • 超微粒子製造与応用技術

    李云鵬、孫 勇、 韋春才、孫承松(共著)

    学宛出版社, 中国・北京  1989年06月  ( ISBN:7-80060-465-9/O3

     詳細を見る

    記述言語:中国語

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口頭発表・ポスター発表等

  • 電極板にみるリチウムイオン電池の劣化要因

    畠 祥吾、保田周二、梅本 淳、孫 勇

    平成26年度九州表面・真空研究会2014(兼 第19回九州薄膜表面研究会) 

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    開催期間: 2014年06月07日   記述言語:日本語   開催地:福岡教育大学、宗像市  

  • SAWデバイスによる表面伝導測定

    小谷 真弘、前川 創、竹下 尚希、孫 勇

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    開催期間: 2022年09月20日 - 2022年09月23日   記述言語:日本語   開催地:仙台市  

  • ナノ酸化グラフェンのAC特性評価

    酒井 啓行、野田 将吾、小谷 真弘、南瀬 颯、清藤 亮、藤本 颯太、安永 光、李 想、孫 勇

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催期間: 2022年09月20日 - 2022年09月23日   記述言語:日本語   開催地:仙台市  

  • ナノ酸化グラフェンの誘電特性

    野田 将吾、酒井 啓行、小谷 真弘、南瀬 颯、清藤 亮、藤本 颯太、安永 光、李 想、孫 勇

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催期間: 2022年09月20日 - 2022年09月23日   記述言語:日本語   開催地:仙台市  

  • 酸化グラフェンの伝導メカニズム

    中島史寛、依里忠樹、服部速水、孫 勇

    第123回日本物理学会九州支部例会  第123回日本物理学会九州支部

     詳細を見る

    開催期間: 2017年12月09日   記述言語:日本語   開催地:鹿児島大学・郡元キャンパス  

  • 酸化グラフェンの電気特性

    依里忠樹、中島史寛、服部速水、孫 勇

    平成29年度応用物理学九州支部学術講演会  平成29年度応用物理学九州支部

     詳細を見る

    開催期間: 2017年12月01日 - 2017年12月03日   記述言語:日本語   開催地:宮崎市・宮崎観光ホテル  

  • 車載リチウムイオン電池電極劣化に関する機械的特性評価

    孫 勇

    中小企業テクノフェアin九州2017~アカデミックセミナー及び特別講演  福岡県、北九州市、公益財団法人北九州観光コンベンション協会、公益財団法人北九州産業学術推進機構

     詳細を見る

    開催期間: 2017年10月11日 - 2017年10月13日   記述言語:日本語   開催地:西日本総合展示場新館(北九州市小倉北区浅野3-8-1)  

  • BiSb薄膜・トポロジカル絶縁体の電子的性質およびShockley状態の両立

    福田克也、倉留天翔、三谷尚、孫 勇、高橋和敏、大後忠志

    平成29年度九州表面・真空研究会2017(兼)第22回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2017年06月24日   記述言語:日本語   開催地:佐賀大学・本庄キャンパス  

  • トポロジカル絶縁体Bi1Sb1-xの格子像観察及び組成分析

    池田健太、二宮仁志、孫 勇、鳥山誉亮、工藤昌輝、塩井成留実、福永裕美、松村 晶

    NIMS先端計測シンポジウム2017  国立研究開発法人 物質・材料研究機構

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    開催期間: 2017年03月09日   記述言語:日本語   開催地:つくば市千現地区  

  • フラーレンC70結晶の電気輸送特性

    中島史寛、瀬在丸弘喜、孫 勇

    平成28年度九州表面・真空研究会2016(兼)第21回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2016年06月11日   記述言語:日本語   開催地:九州大学・筑紫キャンパス  

  • 車載LiB正極の機械的特性評価

    稲垣 遼、野下 剛、畠 祥吾、孫 勇

    平成28年度九州表面・真空研究会2016(兼)第21回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2016年06月11日   記述言語:日本語   開催地:九州大学・筑紫キャンパス  

  • 振動リード法を用いたLIB電極バインダーPVdFの劣化特性評価

    畠 祥吾、野下 剛、稲垣 遼、孫 勇

    第121回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年12月05日   記述言語:日本語  

  • Gd₃N@C₈₀の電気的特性評価

    瀬在丸弘喜、孫 勇

    第121回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年12月05日   記述言語:日本語  

  • Electrical Properties of Trimetallic Nitride Endohedral Fullerene Y3N@C80 Solid

    瀬在丸弘喜,孫 勇

    The 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015) 

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    開催期間: 2015年11月13日 - 2015年11月15日   記述言語:英語   開催地:Toyama International Conference Center, Toyama, Japan  

  • Mechanical Properties of LIB Electrodes Measured by Vibrating Reed Method

    Syogo Hatake, Tsuyoshi Noge, Ryo Inagaki, Kenta Kirimoto, and Yong Sun

    The 36th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2015) 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年11月03日 - 2015年11月05日   記述言語:英語   開催地:Epochal Tsukuba, International congress center, Tsukuba, Japan  

  • 結晶性Gd₃N@C₈₀フラーレンの電気的特性評価

    瀬在丸弘喜、孫 勇

    九州表面・真空研究会2015(兼)第20回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年06月13日   記述言語:日本語  

  • プラズマスパッタリング法によるトポロジカル絶縁体BiSb薄膜の作製と特性評価

    池田 健太、白水裕一、孫 勇

    九州表面・真空研究会2015(兼)第20回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年06月13日   記述言語:日本語  

  • 機械的特性によるリチウムイオン電池正極劣化機構の評価

    野下剛、畠祥悟、保田周二、孫 勇

    九州表面・真空研究会2015(兼)第20回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年06月13日   記述言語:日本語  

  • Ageing behaviors of LiB positive electride by characterizing mechanical properties

    Syogo Hatake, Masamichi Sakaino, Yong Sun, Fumio Morimoto, and Kenta Kirimoto

    The 35th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2014) 

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    開催期間: 2014年12月03日 - 2014年12月05日   記述言語:英語   開催地:Meiji University, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan  

  • Carrier Transport Properties of the Lu3N@C80/Au Interface

    Naoto Ogawa, Kenta Kirimoto, Syogo Hatake, Masamichi Sakaino, Tsuyoshi Takase and Yong Sun

    IEEE International Nanoelectronics Conference 

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    開催期間: 2014年07月28日 - 2014年07月31日   記述言語:英語   開催地:Hokkaido University Conference Hall, Sapporo, Japan  

  • SAWデバイスを用いた非接触測定によるグラフェンの電気特性評価

    仲野旭彦、森元史朗、孫 勇

    平成26年度九州表面・真空研究会2014(兼 第19回九州薄膜表面研究会) 

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    開催期間: 2014年06月07日   記述言語:日本語   開催地:福岡教育大学、宗像市  

  • LiB正極活物質による電気特性の温度依存性評価

    服部勇介、孫 勇

    第119回日本物理学会九州支部例会  日本物理学会九州支部

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    開催期間: 2013年11月30日   記述言語:日本語   開催地:久留米工業大学・久留米市上津町  

  • Mg添加ZnO薄膜の作製と物性評価

    白水裕一、山本真義、孫 勇

    九州表面・真空研究会2013(兼 第18回九州薄膜表面研究会)  九州表面・真空研究会

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    開催期間: 2013年06月15日   記述言語:日本語   開催地:福岡大学工学部、福岡市城南区  

  • C60(OH)10ナノ結晶の電気的特性評価

    定 亮佑、前田祐輝、孫 勇

    九州表面・真空研究会2013  九州表面・真空研究会

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    開催期間: 2013年06月15日   記述言語:日本語   開催地:福岡大学工学部、福岡市城南区  

  • 振動リード法による車載リチウムイオン電池電極の内部摩擦測定

    保田周二、梅本 淳、立石 龍、孫 勇

    九州表面・真空研究会2013(兼 第18回九州薄膜表面研究会)  九州表面・真空研究会

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    開催期間: 2013年06月15日   記述言語:日本語   開催地:福岡大学工学部、福岡市城南区  

  • Bi添加ZnO薄膜の作製と物性評価

    山本 真義、阿部 正義、孫 勇

    2012年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

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    開催期間: 2012年12月02日   記述言語:日本語   開催地:佐賀大学・佐賀市本庄町  

  • Bi2Sr2Ca2Cu3Ox超電導テープにおける内部摩擦の温度依存性

    桐本賢太、境野真道、森元史朗、高瀬 剛、孫 勇

    2012年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

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    開催期間: 2012年12月01日   記述言語:日本語   開催地:佐賀大学・佐賀市本庄町  

  • Measurement of Internal Friction of Ag-Sheathed Bi2Sr2Ca2Cu3Ox tapes by Vibrating Reed Method

    Kenta Kirimoto, Masamichi Sakaino, Fumio Morimoto, Tsuyoshi Takase, and Yong Sun

    The 33rd Symposium on UltraSonic Electronics (USE2012) 

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    開催期間: 2012年11月13日 - 2012年11月15日   記述言語:英語   開催地:Chiba University, Nishi-chiba Champus (Keyaki Hall), Chiba, Japan.  

  • 振動リード法による超伝導試料の内部摩擦測定

    梅本 淳、竹下寛紀、孫 勇

    平成24年度九州表面・真空研究会2012  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2012年06月09日   記述言語:日本語   開催地:佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • リチウムイオン電池電極活物質の評価

    服部勇介、境野真道、孫 勇

    平成24年度九州表面・真空研究会2012  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2012年06月09日   記述言語:日本語   開催地:佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • Sc3N@C80フラーレン結晶の電気特性評価

    前田祐輝、孫 勇

    平成24年度九州表面・真空研究会2012  九州薄膜表面研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2012年06月09日   記述言語:日本語   開催地:佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • Sc3N内包C80フラーレンの電気特性評価

    桐本賢太、高瀬 剛、境野真道、孫 勇

    日本物理学会第67回年次大会  日本物理学会

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    開催期間: 2012年03月24日   記述言語:日本語   開催地:関西学院大学・西宮上ケ原キャンパス  

  • 銅内包カーボンナノチューブの電気電導率制御

    桐本賢太、高瀬 剛、境野真道、孫 勇

    応用物理学会九州支部会学術講演会  応用物理学会九州支部

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    開催期間: 2011年11月26日 - 2011年11月27日   記述言語:日本語   開催地:鹿児島大学工学部・鹿児島市郡元  

  • Si基板の内部摩擦測定

    立石 龍, 竹下寛紀, 孫 勇

    九州表面・真空研究会2011プログラム(兼)第16回九州薄膜表面研究会  九州表面・真空研究会、九州薄膜表面研究会

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    開催期間: 2011年06月11日   記述言語:日本語   開催地:長崎大学・文教キャンパス  

  • SAWデバイスによる不純物半導体の電気特性評価

    竹下友輝, 菅野明浩, 孫 勇

    九州表面・真空研究会2011プログラム(兼)第16回九州薄膜表面研究会  九州表面・真空研究会、九州薄膜表面研究会

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    開催期間: 2011年06月11日   記述言語:日本語   開催地:長崎大学・文教キャンパス  

  • Cu@CNT材料の電気伝導率温度依存性測定

    九州表面・真空研究会2010(兼) 第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2010年06月12日   記述言語:日本語  

  • SAWデバイスを用いた半導体結晶の電気的特性評価

    九州表面・真空研究会2010(兼) 第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2010年06月12日   記述言語:日本語  

  • 添加物含有量によるZnO薄膜バンドギャップの制御

    九州表面・真空研究会2010(兼) 第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2010年06月12日   記述言語:日本語  

  • 振動リード法によるSi結晶内部摩擦温度依存性の測定

    九州表面・真空研究会2010(兼) 第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2010年06月12日   記述言語:日本語  

  • SbドープGe単結晶電気伝導率のキャリアエネルギー依存性

    九州表面・真空研究会2010(兼) 第15回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2010年06月12日   記述言語:日本語  

  • Characterization of C60 Films by Measuring Temperature-Dependent Internal Friction

    The 30th Symposium on UltraSonic Electronics (USE2009) 

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    開催期間: 2009年11月18日 - 2009年11月20日   記述言語:英語   開催地:日本  

  • Ge単結晶におけるSbドナー準位の非接触的測定

    九州表面・真空研究会2009(兼) 第14回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2009年06月13日   記述言語:日本語  

  • Zn1-xAlxO薄膜の光学的特性評価

    九州表面・真空研究会2009(兼) 第14回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2009年06月13日   記述言語:日本語  

  • Si、Ge、Ti、BeCu試料の内部摩擦測定

    九州表面・真空研究会2009(兼) 第14回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2009年06月13日   記述言語:日本語  

  • Si結晶における不純物電気伝導の温度依存性

    九州表面・真空研究会2009(兼) 第14回九州薄膜表面研究会「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線 

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    開催期間: 2009年06月13日   記述言語:日本語  

  • 金属Be表面抵抗の温度依存性測定

    第114回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間: 2008年12月06日   記述言語:日本語   開催地: 福岡市  

  • ZnO薄膜/基板界面の超音波顕微鏡観察

    第114回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年12月06日   記述言語:日本語   開催地: 福岡市  

  • Si単結晶Sbドナー準位の温度依存性

    第114回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間: 2008年12月06日   記述言語:日本語   開催地: 福岡市  

  • フラーレン固-気相転移における結晶相

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間: 2007年12月02日   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • 高温超伝導体YBa2Cu3O7_δ表面におけるガス吸着効果

    波多江政明

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間: 2007年12月01日 - 2007年12月02日   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • 高温超伝導体YBa2Cu3O7_δ表面におけるガス吸着効果

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間: 2007年12月01日 - 2007年12月02日   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • 超音波を利用したフラーレン水素吸蔵評価装置の開発

    本人

    福岡水素エネルギー社会近未来展2007-燃料電池・水素技術展&セミナー- 

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    開催期間: 2007年10月17日 - 2007年10月19日   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • Temperature Dependence of Conductivity of Crystalline C60 and C70 Pellets

    Gou Kawano

    The 33th Fullerene-Nanotube General Symposium 

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    開催期間: 2007年07月11日 - 2007年07月13日   記述言語:英語   開催地:日本 Fukuoka  

  • Internal Friction Measurement of Fullerene Films by Vibrating Reed Method

    Shinya Wakita

    The 33th Fullerene-Nanotube General Symposium 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年07月11日 - 2007年07月13日   記述言語:英語   開催地:日本 Fukuoka  

  • 弾性表面波を用いたSi結晶中Sbの束縛エネルギー準位測定

    「新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線」(兼)第12回九州薄膜表面研究会 

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    開催期間: 2007年06月16日   記述言語:日本語   開催地: 福岡県宗像市  

  • Si微細加工基板上のSiC薄膜における表面構造の成長条件依存性―AFMおよびIn-Plane回折―

    平成18 年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会 

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    開催期間: 2006年04月   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • AFM及びIn-Plane回折を用いたシリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察

    第53回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年03月22日 - 2006年03月24日   記述言語:日本語  

  • AFMおよびIn-Plane回折を用いたシリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察

    第53回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年03月22日   記述言語:日本語  

  • シリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察ーAFMおよびIn-Plane回折ー

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年11月26日   記述言語:日本語  

  • シリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察―AFMおよびIn-Plane回折―

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年11月26日   記述言語:日本語  

  • AFMおよびIn-plane回折によるシリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察

    九州シンクロトロン光研究センター・応用物理学会(九州支部)合同シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年08月09日   記述言語:日本語  

  • 振動リード法によるC70結晶の内部摩擦測定

    シンポジウム「動き出したSAGAシンクロトンーX線利用の実際―」 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年08月09日   記述言語:日本語   開催地:日本 鳥栖市  

  • AFMおよびIn-Plane回折によるシリコン微細加工基板上のシリコンカーバイド(SiC)の表面構造観察

    シンポジウム「動き出したSAGAシンクロトンーX線利用の実際―」 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年07月09日   記述言語:日本語   開催地:日本 鳥栖市  

  • シリコン微細加工基板上シリコンカーバイド(SiC)のAFMおよびIn-Plane回折による表面構造観察

    平成17年度日本鉄鋼協会・日本金属学会九州支部合同学術講演会 

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    開催期間: 2005年06月10日   記述言語:日本語  

  • フラーレン薄膜内部摩擦の評価

    吉井尊範

    第110回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年12月04日   記述言語:日本語  

  • C60/Al 薄膜の弾性表面波特性

    高瀬 剛

    第110回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年12月04日   記述言語:日本語  

  • フラーレン固-気相転移における結晶相

    河野 剛

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年12月01日 - 2004年12月02日   記述言語:日本語   開催地: 北九州市  

  • 弾性表面波デバイスを用いたフラーレンC60の動力学的特性に関する研究

    第27回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年07月28日   記述言語:日本語   開催地:日本 東京都  

  • SAWを用いたSi表面電気抵抗の測定

    桐本賢太

    機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ((兼)第九回九州薄膜・表面研究会) 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年06月19日   記述言語:日本語  

  • 多層カーボンナノチューブ電気伝導率における金属―非金属転移

    本人

    機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ((兼)第九回九州薄膜・表面研究会) 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年06月19日   記述言語:日本語  

  • リード振動法によるC60薄膜の内部摩擦の測定

    吉井尊範

    第51回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年03月31日   記述言語:日本語  

  • C60薄膜の誘電欠損測定

    2002年春季第49回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2002年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 神奈川・東海大学  

  • 水素プラズマスパッタリングSi1-x-yGexCy薄膜における柱状成長現象

    2002年春季第49回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2002年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 神奈川・東海大学  

  • C60結晶の秩序―無秩序相転移における高速過程の観測

    2002年春季第49回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2002年03月27日   記述言語:日本語   開催地: 神奈川・東海大学  

  • airgap法によるC60薄膜の弾性表面波吸収

    第22回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年11月07日   記述言語:日本語   開催地:日本 神奈川  

  • C60薄膜のガラス相転移温度以下でのSAW減衰

    第22回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年11月06日   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • SiC/Si界面の空洞化における酸素の影響

    2001年秋第62回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月13日   記述言語:日本語   開催地: 愛知工業大学  

  • SiC/Si界面におけるアニールストレスの発生と解散メカニズム

    2001年秋第62回応用物理学学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月11日   記述言語:日本語   開催地: 愛知工業大学  

  • 水素プラズマスパッタリングによるSiC薄膜成長におけるDCバイアス効果

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月31日   記述言語:日本語   開催地: 東京・明治大学  

  • 水素プラズマスパッタリングによるSiC薄膜成長におけるDCバイアス効果

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月31日   記述言語:日本語   開催地: 明治大学  

  • Ge1-yCy薄膜成長におけるGe偏析の表面張力効果

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 東京・明治大学  

  • Ge1-yCy薄膜成長におけるGe偏析の表面張力効果

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月29日   記述言語:日本語   開催地: 明治大学  

  • ガラス転移温度領域におけるC60薄膜の超音波吸収

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 明治大学  

  • ガラス転移温度領域におけるC60薄膜の超音波吸収

    第48回応用物理学関連連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 東京・明治大学  

  • Si(001)基板上Ge1-yCy層におけるGeの層分離

    平成12年度応用物理学会九州支部会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年12月03日   記述言語:日本語   開催地: 熊本・熊本大学  

  • SiC/Si構造のアニール特性

    日本物理学会第55回年次大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年09月23日   記述言語:日本語   開催地: 新潟大学  

  • ナノSiC微粒子薄膜の作製と評価

    2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年09月07日   記述言語:日本語   開催地: 北海道工業大学  

  • アモルファスSiC薄膜/Si構造におけるアニール欠陥の形成

    2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年09月04日   記述言語:日本語   開催地: 北海道工業大学  

  • 真空アニール過程におけるSiC/Si構造の組成的変化

    第47回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年03月31日   記述言語:日本語   開催地: 青山学院大学  

  • シリコン単結晶熱エッチングにおける応力効果

    日本物理学会2000春の分科会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年03月23日   記述言語:日本語   開催地: 関西大学  

  • 非化学量論的3C-SiC微結晶薄膜の作製と評価

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会 

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    開催期間: 1999年12月04日   記述言語:日本語   開催地: 飯塚  

  • SiC/Si構造のアニール欠陥

    平成11年度応用物理学会九州支部講演会 

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    開催期間: 1999年12月04日   記述言語:日本語   開催地: 飯塚  

  • Si-rich 3C-SiC微結晶薄膜の作製と評価

    第105回日本物理学会九州支部例会 

     詳細を見る

    開催期間: 1999年11月27日   記述言語:日本語   開催地: 長崎大学  

  • Si基板上SiC薄膜モルフォロジーのアニールによる変化

    第105回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間: 1999年11月27日   記述言語:日本語   開催地: 長崎大学  

  • SiC薄膜結晶化過程における薄膜密度増加に伴うSiC/Si基板界面欠陥の形成

    日本物理学会秋の分科会 

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    開催期間: 1999年09月25日   記述言語:日本語   開催地: 岩手大学  

  • 水素プラズマスパッタリングによるSi基板上3C-SiC薄膜成長の初期段階

    第60回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1999年09月02日   記述言語:日本語   開催地: 甲南大学  

  • 水素プラズマスパッタリング法によるSi基板上3C-SiC薄膜性質に対するSiC保護膜の影響

    第60回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1999年09月02日   記述言語:日本語   開催地: 甲南大学  

  • アモルファスSiマトリックス中3C-SiC超微粒子結晶の作製と評価

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1999年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 東京理科大学  

  • SiC/Si構造のアニール特性(I)

    日本物理学会第54回年会 

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    開催期間: 1999年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 広島大学  

  • Si基板中吸蔵酸素の析出によるSiC薄膜欠陥の形成

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1999年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 東京理科大学  

  • SiC/Si構造のアニール特性(II)

    日本物理学会第54回年会 

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    開催期間: 1999年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 広島大学  

  • SiC薄膜/Si基板間buffer層の作製と評価

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1999年03月28日   記述言語:日本語   開催地: 東京理科大学  

  • SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散

    日本物理学会秋の分科会 

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    開催期間: 1998年09月28日   記述言語:日本語   開催地: 沖縄国際大学  

  • ナノ結晶SiC薄膜のIR吸収特性

    日本物理学会秋の分科会 

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    開催期間: 1998年09月25日   記述言語:日本語   開催地: 沖縄国際大学  

  • ナノスケール立方晶SiCアイスランドのい作製と形成メカニズム

    第59回応用物理学学術講演会 

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    開催期間: 1998年09月16日   記述言語:日本語   開催地: 広島大学  

  • SAW Attenuation in C60 Thin Films at Transition Temperature

    Ninth International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter 

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    開催期間: 1998年07月26日 - 1998年07月31日   記述言語:英語   開催地: Lancaster, Untied Kingdom  

  • 酸化シリコン基板上SiC薄膜成長の初期過程(I)

    日本物理学会第53回年会 

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    開催期間: 1998年04月22日   記述言語:日本語   開催地: 東邦大学  

  • 酸化シリコン基板上SiC薄膜成長の初期過程(I)

    日本物理学会第53回年会 

     詳細を見る

    開催期間: 1998年04月02日   記述言語:日本語   開催地: 東邦大学  

  • SiC薄膜/Si基板界面におけるプラズマエッチボイド

    第45回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1998年03月30日   記述言語:日本語   開催地: 東京工科大学  

  • 弾性表面波によるC60の物性研究

    第41回音波の物性と化学討論会 

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    開催期間: 1996年11月06日   記述言語:日本語   開催地:日本  

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工業所有権

  • 励振装置及び励振方法

    孫 勇、鎌田裕之、大繹綾之、桐本賢太

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    出願番号:特願2017-109184  出願日:2017年06月01日

  • センシング装置

    孫 勇

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    出願番号:特願2015-137817  出願日:2015年07月09日

  • 電極の評価方法

    境野 真道、孫 勇

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    出願番号:特願2014-174392  出願日:2014年08月28日

  • 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法

    孫 勇

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    出願番号:特願2009-134286  出願日:2009年06月03日

    登録番号:特許第5500621  登録日:2014年03月20日

    非接触的な方法で半導体などの電気伝導率や不純物の種類及び不純物のエネルギー準位などを測定する。

  • 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置

    孫 勇

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    出願番号:特願2009-134286  出願日:2009年06月03日

    公開番号:2010-281640  公開日:2010年12月16日

  • 超伝導体並びに超伝導体表面抵抗率の非接触測定方法及びその測定装置

    孫勇

     詳細を見る

    出願番号:特願2008-232617  出願日:2008年09月10日

    公開番号:2009-152175  公開日:2009年07月09日

  • 超伝導体

    孫 勇

     詳細を見る

    出願番号:特願2008-232617  出願日:2008年09月10日

    公開番号:5574520  公開日:2014年07月11日

    登録番号:特許第5574520号  登録日:2014年07月11日

  • 超伝導体表面抵抗率の非接触測定方法及びその測定装置

    孫 勇

     詳細を見る

    出願番号:特願2007-308901  出願日:2007年11月29日

    登録番号:P19KY7069  登録日:2111年11月11日

  • フラーレン類の分子回転速度測定方法 (PCT アメリカ、カナダ、英仏)

    孫 勇,宮里達郎

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    出願番号:特願2002-203595  出願日:2002年07月12日

    公開番号:2004-45238  公開日:2004年02月12日

  • 結晶性SiC薄膜の構造およびその製造方法

    宮里達郎,孫勇

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    出願番号:特願2001-215882  出願日:2001年07月16日

    公開番号:2003-26500  公開日:2003年01月29日

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報道関係

  • 試料の電気特性評価ー九州工大CNTなど測定に期待ー

    孫勇

    日刊工業新聞  2012年08月17日

  • 外国人研究者2人助成事業の対象に

    孫勇

    西日本新聞  2002年09月06日

学術関係受賞

  • 第9回(2005年)応用物理学会九州支部発表奨励賞

    応用物理学会九州支部   2005年11月

    山下真史、大杉佳照、孫 勇、鈴木芳文、近浦吉則

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    受賞国:日本国

科研費獲得実績

  • 表面放射電波を利用した弱磁場・低RF方式NMRの測定原理とコア技術の開発

    研究課題番号:16H04377  2016年04月 - 2019年03月   基盤研究(B)

  • 極表面超電導測定

    研究課題番号:23651115  2011年04月 - 2013年03月   挑戦的萌芽研究

  • 水素―表面反応基礎過程:スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

    研究課題番号:17002011  2005年04月 - 2010年03月   特別推進研究

  • 水素プラズマを用いたSiC結晶の低温成長におけるSi基板のピラミッド処理効果

    研究課題番号:16656097  2004年04月 - 2006年03月   萌芽研究・萌芽的研究

  • シリコン基板上3C-SiC薄膜の低温成長

    研究課題番号:11450127  1999年04月 - 2002年03月   基盤研究(B)

  • 3C-SiC薄膜エピ成長における不純物酸素の影響に関する研究

    研究課題番号:11650029  1999年04月 - 2001年03月   基盤研究(C)

  • トンネル素子における散乱機構のフォノンパルスによる研究

    研究課題番号:09044175  1997年04月 - 1999年03月   国際学術研究

  • 超高周波フォノンによるシリコン中の酸化誘起積層欠陥に関する研究

    研究課題番号:08455149  1996年04月 - 1999年03月   基盤研究(B)

  • シリコン超微粒子発光メカニズムに関する研究

    研究課題番号:08750375  1996年04月 - 1997年03月   奨励研究(A)

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受託研究・共同研究実施実績

  • 車載リチウムイオン電池の活物質の評価に関する研究

    2011年10月 - 現在

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    研究区分:共同研究

  • CNT被覆銅ナノワイヤー(CuNW@CNT)の電気的特性評価

    2008年11月 - 2009年10月

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    研究区分:共同研究

  • 弾性表面波の外部電磁場による金属内包フラーレンLa@C82の誘電損失評価

    2004年07月 - 2005年06月

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    研究区分:共同研究

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    2004年03月 - 2005年02月

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    研究区分:共同研究

  • フラーレンC60ナノ分子の回転速度測定法の研究開発

    2002年10月 - 2003年03月

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    研究区分:受託研究

  • SiGeC薄膜の水素プラズマ低温作製に関する研究

    2000年03月 - 2002年03月

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    研究区分:共同研究

  • シリコン基板上SiC薄膜の低温成長に関する研究

    1995年11月 - 2005年03月

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    研究区分:共同研究

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寄附金・講座

  • SiC半導体薄膜層の非接触電気特性の評価  財団法人天野工業技術研究所  2012年04月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発  イーエヌジー株式会社  2004年03月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発  イーエヌジー株式会社  2003年08月

  • フラーレンC60 ナノ分子の回転速度測定法の研究開発  イーエヌジー株式会社  2002年10月

その他競争的資金獲得実績

  • 静電誘導法を用いた超伝導体のナノ深さ表面抵抗測定装置

    2009年08月 - 2010年07月

    地域イノベーション創出総合支援事業  

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    重点地域研究開発推進プログラム

  • ナノ材料電気的特性の非接触測定装置の商品化開発

    2006年09月 - 2007年03月

    産学共同シーズイノベーション化事業  

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    平成18年度「シーズ発掘試験」

担当授業科目(学内)

  • 2021年度   材料物理数学

  • 2021年度   マテリアル工学入門

  • 2021年度   専門英語Ⅱ

  • 2021年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2021年度   フロンティア工学実習

  • 2020年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2019年度   電子デバイス

  • 2019年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2019年度   電磁気学Ⅰ

  • 2018年度   電磁気学Ⅰ

  • 2018年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2018年度   電子デバイス

  • 2018年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2017年度   電磁気学Ⅰ

  • 2017年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2017年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2017年度   電子デバイス

  • 2016年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2016年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2016年度   電子デバイス

  • 2016年度   電磁気学Ⅰ

  • 2015年度   電子デバイス

  • 2015年度   基礎工学Ⅰ(LSI技術入門Ⅰ)

  • 2015年度   基礎工学Ⅱ(LSI技術入門Ⅱ)

  • 2015年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2015年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2015年度   電磁気学Ⅰ

  • 2014年度   電子デバイス

  • 2014年度   総合システム工学実験Ⅰ

  • 2014年度   総合システム工学実験Ⅱ

  • 2014年度   電磁気学Ⅰ

  • 2014年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2014年度   基礎工学(LSI技術入門)

  • 2014年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2014年度   工学倫理・安全工学B

  • 2013年度   電磁気学Ⅰ

  • 2013年度   総合システム工学実験Ⅰ

  • 2013年度   総合システム工学実験Ⅱ

  • 2013年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2013年度   電子デバイス

  • 2012年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2012年度   総合システム工学実験Ⅱ

  • 2012年度   総合システム工学実験Ⅰ

  • 2012年度   基礎工学(LSI技術入門)

  • 2012年度   専門英語

  • 2012年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2012年度   電磁気学Ⅰ

  • 2012年度   電子デバイス

  • 2011年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2011年度   専門英語

  • 2011年度   電子デバイス

  • 2011年度   基礎工学(LSI技術入門)

  • 2011年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2011年度   電磁気学Ⅰ

  • 2010年度   コラボレーションワーク

  • 2010年度   専門英語

  • 2010年度   総合システム工学実験Ⅰ

  • 2010年度   電子デバイス

  • 2010年度   基礎工学(LSI技術入門)

  • 2010年度   ナノ材料およびデバイス特論

  • 2010年度   マテリアル・ナノテクノロジーフロンティア

  • 2010年度   電磁気学Ⅰ

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社会貢献活動(講演会・出前講義等)

  • LabVIEWでものを動かす体験学習

    2008年05月20日

     詳細を見る

    種別:セミナー・ワークショップ

    講師:日本NI
    主催者:総合システム工学科
    役割:世話人
    会場:図書館AVホール

PR

  • (学生向けPR)

    半導体物理、半導体デバイス、新規材料の評価及び開発

    社会人博士学生を募集しています。

  • (企業向けPR)

    新規材料の開発及び評価

    下記の研究を行っている
    ・新規材料の共同開発
    ・各種試料の電気的特性評価特にナノ材料の評価
    ・新しい測定方法ー電界銃測定法の共同開発