長谷川 一徳 (ハセガワ カズノリ)

HASEGAWA, Kazunori

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職名

准教授

研究室住所

福岡県北九州市戸畑区仙水町1-1

研究分野・キーワード

パワーエレクトロニクス

Scopus 論文情報  
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 2007年03月   東京都立大学   工学部   電気工学科   卒業   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 2012年03月  東京工業大学  理工学研究科  電気電子工学専攻  博士課程・博士後期課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 東京工業大学 -  博士(工学)  2012年03月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2020年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系   准教授  

  • 2018年04月
    -
    2020年03月

    九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻   准教授  

  • 2014年04月
    -
    2018年03月

    九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻   助教  

  • 2013年04月
    -
    2014年03月

    九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能専攻   助教  

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 2012年06月
    -
    2013年03月

    東京工業大学   特任助教   日本国

  • 2012年04月
    -
    2012年05月

    東京工業大学   大学院理工学研究科電気電子工学専攻   最先端研究開発支援プログラム研究員   日本国

  • 2010年04月
    -
    2012年03月

    東京工業大学   日本学術振興会特別研究員   日本国

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 2009年05月
    -
    継続中
     

    IEEE  アメリカ合衆国

  • 2006年10月
    -
    継続中
     

    電気学会  日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 電力工学・電力変換・電気機器

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Shoot-through protection for an inverter consisting of the next-generation IGBTs with gate impedance reduction

    Hasegawa K., Abe S., Tsukuda M., Omura I., Ninomiya T.

    Microelectronics Reliability    114   2020年11月  [査読有り]

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    Attention has been paid to the next-generation IGBT toward CMOS compatible wafer processes, which can be driven by a 5-V logic level due to its low threshold gate voltage. This low threshold voltage makes the so-called shoot-through fault severer. Even though the switching speed of the IGBT is intentionally reduced, the shoot-through fault can happen. This paper presents shoot-through protection for an inverter consisting of the next-generation IGBTs with gate impedance reduction. Theoretical analysis reveals the criterion of the gate impedance with taking parasitic parameters of the inverter into account.

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  • Output-Current Measurement of a PWM Inverter with a Tiny PCB Rogowski Sensor Integrated into an IGBT Module

    Hasegawa K., Sho S., Tsukuda M., Omura I., Ichiki M., Kato T.

    2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2019      5707 - 5711   2019年09月  [査読有り]

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    © 2019 IEEE. Inverters used in motor-drive and grid-connected applications usually employ current sensors at the output terminal because they have to control the output current. Existing current sensors like the Hall sensor and the current transformer are a constraint to reduce the volume and cost of the inverter. This paper proposes an output-current measurement method of a PWM inverter using a tiny PCB sensor that is based on the so-called Rogowski coil and can be integrated into an IGBT module. The method utilizes the switching current of the low-side switch for reproducing the output current, which allows using the PCB sensor because the switching current consists of high-frequency components. The method uses a single PCB sensor per leg and takes the polarity of the output current into account. Experimental results using a half-bridge sinusoidal PWM inverter verify that the proposed method measures the output current including its fundamental frequency component, switching ripple one, and polarity.

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  • Self-Turn-on-Free 5V Gate Driving for 1200V Scaled IGBT

    Tsukuda M., Sudo M., Hasegawa K., Abe S., Saraya T., Takakura T., Fukui M., Itou K., Suzuki S., Takeuchi K., Ninomiya T., Hiramoto T., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs    2019-May   339 - 342   2019年05月  [査読有り]

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    © 2019 IEEE. Negative biasing of the gate voltage in a scaled insulated gate bipolar transistor (IGBT) during the off-state was modeled and found to be effective against self-turn-on failures. The required self-turn-on-free criteria were verified experimentally.

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  • Mutual inductance influence to switching speed and TDR measurements for separating self- and mutual inductances in the package

    Iida H., Hasegawa K., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs    2019-May   503 - 506   2019年05月  [査読有り]

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    © 2019 IEEE. Parasitic inductances in power semiconductor packages affect the device switching speeds. The self-inductance of the source terminal has been considered to be the main factor that limits the switching speed, but mutual inductances among the three terminals also influence the speed. This paper proposes a method to measure the source self-inductance and the mutual inductances in the package using time-domain reflectometry (TDR) and time-domain transmissometry (TDT) that reveals the limitation of the switching speed. The measurement results agreed well with those of Q3D simulation.

    DOI Scopus

  • Analog Basis, Low-Cost Inverter Output Current Sensing with Tiny PCB Coil Implemented inside IPM

    Bayarkhuu B., Bat-Ochir B., Hasegawa K., Tsukuda M., Dugarjav B., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs    2019-May   251 - 254   2019年05月  [査読有り]

     概要を見る

    © 2019 IEEE. This paper proposes a practical current sensor integration in the intelligent power modules (IPMs) using simple PCB Rogowski coil sensors. The PCB sensors produce signals that proportional to the high frequency switching current from high and low side IGBTs. Then with only general-purpose Op-Amps and photo-couplers based integrator and sample and hold (S/H) circuits reproduce output current of the inverter. Specifically, the "envelop tracking" method has successfully proved on an experimental inverter setup. A significant accomplishment of an improved new analog circuit is the measurement during narrow pulse width around unity modulation index that leads to higher inverter output power.

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著書 【 表示 / 非表示

  • パワーコンバータに用いられるアルミニウム電解コンデンサの 最新評価技術動向

    長谷川一徳 ( 分担執筆 )

    オーム社  2019年10月 ISBN: 4910021211094

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • Prize Letter Award for 2017 in the IEEE Transactions on Power Electronics

    2018年09月   IEEE Power Electronics Society   アメリカ合衆国

    受賞者:  Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

その他競争的資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 産業用モータ駆動インバータの高信頼化に資するセンサレス寿命診断システムの開発

    提供機関:  経済産業省 

    研究期間:  2021年06月  -  2123年06月

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2020年度  計測制御システム演習

  • 2020年度  電気エネルギー変換工学

  • 2020年度  電磁気学Ⅳ

  • 2020年度  電気機器

  • 2019年度  グリーンテクノロジー概論

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国際交流窓口担当 【 表示 / 非表示

  • テナガナショナル大学  2019年08月  -  継続中