2023/12/26 更新

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ナカムラ カズユキ
中村 和之
NAKAMURA Kazuyuki
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
先端研究・社会連携本部 マイクロ化総合技術センター
職名
教授
外部リンク

研究キーワード

  • アナログ回路

  • アナログ/デジタル混載回路

  • ロジックLSI

  • メモリLSI

  • 通信用LSI

  • 高速インターフェース

  • LSI設計CAD

  • シグナル・インテグリティ

  • VLSI

  • EDA

  • デジタル回路

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

出身学校

  • 1986年03月   九州大学   工学部   電気工学科   卒業   日本国

出身大学院

  • 1988年03月   九州大学   工学研究科   電気工学専攻   修士課程・博士前期課程   修了   日本国

取得学位

  • 九州大学  -  博士(工学)   1998年02月

学内職務経歴

  • 2022年04月 - 現在   九州工業大学   先端研究・社会連携本部   マイクロ化総合技術センター     教授

  • 2006年07月 - 2022年03月   九州工業大学   オープンイノベーション推進機構   マイクロ化総合技術センター     教授

  • 2022年04月 - 現在   九州工業大学   先端研究・社会連携本部   マイクロ化総合技術センター     センター長(マイクロ化総合技術センター)

  • 2022年04月 - 2023年05月   九州工業大学   先端研究・社会連携本部     設備共用推進部長

  • 2022年04月 - 2023年05月   九州工業大学   先端研究・社会連携本部   機器分析センター     センター長(機器分析センター)

  • 2020年04月 - 2022年03月   九州工業大学     副理事(設備共用推進担当)

  • 2020年04月 - 2022年03月   九州工業大学   オープンイノベーション推進機構   機器分析センター     センター長(機器分析センター)

  • 2018年04月 - 2022年03月   九州工業大学   オープンイノベーション推進機構   マイクロ化総合技術センター     センター長(マイクロ化総合技術センター)

  • 2014年04月 - 2018年03月   九州工業大学   マイクロ化総合技術センター     副センター長

  • 2008年04月 - 現在   九州工業大学   大学院情報工学府   情報創成工学専攻     教授

  • 2013年04月 - 2017年03月   九州工業大学   ディペンダブル集積システム研究センター     教授

  • 2001年08月 - 2006年07月   九州工業大学   マイクロ化総合技術センター     助教授

  • 2022年04月 - 2024年03月   九州工業大学   先端研究・社会連携本部     機器分析センター長

  • 2022年04月 - 2024年03月   九州工業大学   先端研究・社会連携本部     マイクロ化総合技術センター長

  • 2022年04月 - 2024年03月   九州工業大学   先端研究・社会連携本部     設備共用推進部長

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学外略歴

  • 1995年04月 - 2001年07月   日本電気(株)シリコンシステム研究所   研究員   日本国

  • 1994年04月 - 1995年03月   米国スタンフォード大学 コンピュータシステム研究所   客員研究員   アメリカ合衆国

  • 1988年04月 - 1994年03月   日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所   研究員   日本国

所属学会・委員会

  • 2002年04月 - 現在   米国電気電子学会(IEEE)   アメリカ合衆国

  • 2001年04月 - 現在   電子情報通信学会   日本国

  • 2001年04月 - 現在   福岡県システムLSI設計開発拠点推進会議   日本国

研究経歴

  • VLSI回路の高性能化(高速・低電力)に関する研究、VLSI回路の設計法に関する研究

    未設定

    研究期間: 2001年08月  -  現在

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    21世紀を迎えた今日、我々の日常生活において、コンピュータやインターネット、携帯電話等に代表されるIT技術は、もはや必要不可欠なものとなっている。これらの技術の
    進展を根底から支えてきたものの一つが大規模集積回路(VLSI)技術である。これまでは主として、CMOS素子の微細化による製造技術の改善によりLSIの性能向上が図
    られてきたが、もはや物理限界といわれる10ナノメータ時代を迎え、現在では、回路設計技術やチップアーキテクチャにおける新しいアイデア創出によるブレークスルーへの期
    待が高まっている。
     本研究は、高速化・低電力化・高集積化といったLSIの高性能化の基本課題に対して、新規な回路・アーキテクチャを提案し、回路シミュレーションによる検討や、実際に
    LSIを試作・評価することで、その効果を検証するものである。一方で、高性能な大規模LSI回路を効率的に設計するための設計手法についても、特に性能差別化に大きく貢
    献する回路・レイアウトレベルの見地から検討を行う。これらの検討により、次世代の超大規模LSIのあるべき姿について探求していく。

論文

  • Differential signal balancer embedded in silicon LSI as smallest common-mode filter combined bifilar coupling inductors and stacked delay lines 査読有り 国際誌

    Masaaki Kameya, Eishi Gofuku and Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SC1079 )   SC1079-1 - SC1079-7   2022年03月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The new differential signal balancer embedded in the metal wiring layer of silicon LSI having increased wiring density and improved characteristics is developed. An internal delay line circuit is stacked vertically to obtain a larger delay time than the extended horizontally structure, and the two inductors for common-mode noise rejection are configured with a stacked bifilar winding structure to obtain higher effective coupling and lower parasitic resistance. Compared to the previous design, the common-mode rejection ratios at 2.4 GHz and 5.4 GHz have been improved by 4.0 dB and 4.6 dB in a smaller area of 120 × 230 μm2, respectively.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5290

    Kyutacar

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  • Impact of Differential-mode Noise Converted from External RF Noise on Differential Transmission and its Reduction by Differential Signal Balancer 査読有り 国際誌

    Kameya M., Gofuku E., Nakamura K.

    Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, APMC   2022-November   202 - 204   2022年01月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    The impact of differential-mode noise converted from RF noise applied to the differential transmission line channel (DTLC) due to the common-mode filter (CMF) and glass cloth in the DTLC substrate is analyzed. The differential mode noise generated in DTLC with CMF is measured with a 4-port network analyzer. Based on this measurement result, the influence of glass cloth is incorporated into the electromagnetic simulation model of DTLC. By applying this DTLC model to circuit analysis, the suitability of various CMFs as solutions for RF interference is evaluated.

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  • Noise Reduction Termination for RFI Induced Channel Resonance using Common-mode Choke and Differential Signal Balancer 査読有り 国際誌

    Masaaki Kameya, Eishi Gofuku, Kazuyuki Nakamura

    2021 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2021   180 - 183   2021年10月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Kyoto   2021年11月10日  -  2021年11月12日

    The impact of the channel resonance due to the external RF noise is analyzed for the differential transmission line sandwiched between the common-mode filters (CMFs). The channel resonance causes a differential noise by the mode conversion. We confirm that the problem of the channel resonance can be removed by the differential signal balancer embedded in the metal layer of silicon LSI (DSB-EIM). The combination of DSB-EIM and a common-mode choke coil (CMC) can effectively remove external RF noise.

    DOI: 10.1109/ICSJ52620.2021.9648895

    DOI: 10.1109/ICSJ52620.2021.9648895

    Kyutacar

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  • Differential Signal Balancer Embedded in Silicon LSI with Bifilar Coupling Inductors and Stacked Delay Lines 査読有り

    Masaaki Kameya, Eishi Gofuku, Kazuyuki Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   C-5-03   2021年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Sapporo   2021年09月07日  -  2021年09月09日

    Kyutacar

  • Compact differential signal balancer embedded in metal wiring layers of silicon LSI for common mode noise filtering 査読有り

    Masaaki Kameya, Yang-Min Chang, Eishi Gofuku and Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SG )   SGGC01-11 - SGGC01-7   2020年02月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    The differential signal balancer (DSB) is a discrete common mode filter component using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) process in which non-magnetic materials are employed. In this paper, we have developed the new DSB embedded in metal wiring layers of silicon LSI for achieving the multiple ultra-high-speed differential transmission exceeding 10 Gb s-1 between LSIs. While the spiral inductors in the silicon CMOS process are affected by the substrate loss and conductor resistance with the thinner thicknesses for both metal and dielectric layers, its lumped circuit parameters are optimized well, and the obtained characteristics are almost comparable with that of the conventional DSB using LTCC. It has approximately -10 dB attenuation of common mode noise at 2.4 GHz with very small size of 120 μm 250 μm and volume size of about 1/6000 compared to the conventional DSB.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6b81

    Kyutacar

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  • Differential Signal Balancer Embedded in Metal Wiring Layers of Silicon LSI 査読有り

    M. Kameya, C. Yang-Min, <B>K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   M-3-05   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Nagoya   2019年09月03日  -  2019年09月05日

    Kyutacar

  • Monte Carlo analysis by direct measurement using V<inf>th</inf>-shiftable SRAM cell TEG 査読有り 国際誌

    Yamaguchi S., Nishikata D., Imi H., Nakamura K.

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures   2018-March   93 - 96   2018年06月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    The measurement system in which the Monte Carlo analysis of SRAM operation can be performed in actual measurement using Vth-shiftable SRAM cell TEG (VTST) was developed. The dynamic Vth-shift circuit (DVSC) using electrolytic capacitors and mechanical relays for setting individual Vth-shift voltages for six MOSFETs in a memory cell enables to share a programmable external voltage source. The measured results of the Monte Carlo analysis for SRAM function test and the static noise margin evaluation were agreed well with the simulated results. The proposed method can compactly cope with the recently proposed SRAM with a larger number of transistors.

    DOI: 10.1109/ICMTS.2018.8383772

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85049259010&origin=inward

  • Monte Carlo Analysis by Direct Measurement using Vth-shiftable SRAM Cell TEG 査読有り

    S. Yamaguchi, D. Nishikata, H. Imi, K. Nakamura

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2018   M_5_2   2018年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Austin   2018年03月19日  -  2018年03月21日

    Kyutacar

  • Design and measurement of fully digital ternary content addressable memory using ratioless static random access memory cells and hierarchical-AND matching comparator 査読有り

    Daisuke Nishikata, Mohammad Alimudin Bin Mohd Ali, Kento Hosoda, Hiroshi Matsumoto, Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4S )   04FF11-1 - 04FF11-5   2018年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    A 36-bit × 32-entry fully digital ternary content addressable memory (TCAM) using the ratioless static random access memory (RL-SRAM) technology and fully complementary hierarchical-AND matching comparators (HAMCs) was developed. Since its fully complementary and digital operation enables the effect of device variabilities to be avoided, it can operate with a quite low supply voltage. A test chip incorporating a conventional TCAM and a proposed 24-transistor ratioless TCAM (RL-TCAM) cells and HAMCs was developed using a 0.18μm CMOS process. The minimum operating voltage of 0.25V of the developed RL-TCAM, which is less than half of that of the conventional TCAM, was measured via the conventional CMOS push-pull output buffers with the level-shifting and flipping technique using optimized pull-up voltage and resistors.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FF11

    Kyutacar

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  • Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation 査読有り

    D. Nishikata, M. A. Bin Mohd Ali, K. Hosoda, H.Matsumoto, K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   339 - 340   2017年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Sendai   2017年09月19日  -  2017年09月22日

    Kyutacar

  • V<inf>th</inf>-shiftable SRAM cell TEGs for direct measurement for the immunity of the threshold voltage variability 査読有り 国際誌

    Yamaguchi S., Imi H., Tokumaru S., Kondo T., Yamamoto H., Nakamura K.

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures   2017年06月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We developed VTSTs for 6T-SRAM and RL-SRAM and evaluated them to investigate the influences of SRAM operation by Vth fluctuation using measured FCMs and CΔVths. As a result, we successfully confirmed the superior immunity of Vth fluctuation of the RL-SRAM than the 6T-SRAM.

    DOI: 10.1109/ICMTS.2017.7954265

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  • A Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability 査読有り

    S. Yamaguchi, H. Imi, S. Tokumaru, T Kondo, H. Yamamoto, K. Nakamura

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2017   59 - 61   2017年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    FRANCE   Grenoble   2017年03月28日  -  2017年03月30日

    Kyutacar

  • A Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability 査読有り

    S. Yamaguchi, H. Imi, S. Tokumaru, K. Nakamura

    IEEE/ACM Workshop on Variability Modeling and Characterization   2016年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Austin, TX   2016年11月10日  -  2016年11月10日

    Kyutacar

  • Self-stabilization techniques for intermediate power level in stacked-Vdd integrated circuits using DC-balanced coding methods 査読有り

    Yusuke Kohara, Naoya Kubo, Tomofumi Nishiyama, Taiki Koizuka, Mohammad Alimudin, Amirul Rahmat, Hitoshi Okamura, Tomoyuki Yamanokuchi, Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 4S )   04EF06-1 - 04EF06-7   2016年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.7567/JJAP.55.04EF06

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  • A DC-balanced Bus-invert Coding for Stabilizing the Intermediate Power Level in Stacked-Vdd LSIs 査読有り

    Y. Kohara, N. Kubo, M. Alimudin, A. Rahmat and K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   2015年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Sapporo   2015年09月26日  -  2015年09月29日

  • Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation 査読有り

    Takahiro Kondo, Hiromasa Yamamoto, Satoko Hoketsu, Hitoshi Imi, Hitoshi Okamura, Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 4S )   04DD11-1 - 04DD11-6   2015年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.7567/JJAP.54.04DD11

    Kyutacar

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    CiNii Article

  • A Measurement of Ratio-less 12-transistor SRAM cell Operation at Ultra-low Supply-voltage 査読有り

    T. Kondo, H. Yamamoto, H. Imi, H. Okamura, K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   82 - 83   2014年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Tsukuba   2014年09月08日  -  2014年09月11日

    Kyutacar

  • A Stabilization Technique for Intermediate Power Level in Stacked-Vdd ICsusing Parallel I/O Signal Coding 査読有り

    T. Nishiyama, T. Koizuka, H. Okamura, T.Yamanokuchi, K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   120 - 121   2013年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Fukuoka   2013年09月24日  -  2013年09月27日

    Kyutacar

  • Mosaic SRAM Cell TEGs with Intentionally-added Device Variability for Confirming the Ratio-less SRAM Operation 査読有り

    H. Okamura, T. Saito, H. Goto, M. Yamamoto, K. Nakamura

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2013   212 - 215   2013年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   JAPAN   2013年03月28日  -  2013年03月28日

    DOI: 10.1109/ICMTS.2013.6528174

    Kyutacar

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  • A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM 査読有り

    T. Saito, H. Okamura, M. Yamamoto, K. Nakamura

    2012 4th IEEE International Memory Workshop (IMW)   2012年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Italy   Milano   2012年05月29日  -  2012年05月29日

    DOI: 10.1109/IMW.2012.6213677

    Kyutacar

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  • A Universal Test Structure for the Direct Measurement of the Design Margin of Even-Stage Ring Oscillators with CMOS Latch 査読有り

    Y.Hirakawa, A. Motomura,K. Ota,N. Mimura, K. Nakamura

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2012   2012年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Diego  

    DOI: 10.1109/ICMTS.2012.6190605

    Kyutacar

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  • Complementary Metal Oxide Semiconductor Operational Amplifier Offset Calibration Technique Using Closed Loop Offset Amplifier and Folded-Alternated Resistor String Digital-to-Analog Converter 査読有り

    Hiroyuki Morimoto, Hiroaki Goto, Hajime Fujiwara, Kazuyuki Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 2 )   02BE10 - 02BE10-6   2012年02月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BE10

    Kyutacar

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    CiNii Article

  • CMOS Op-amp Offset Calibration Technique Using a Closed Loop Offset Amplifier and Compact Resistor String DAC 査読有り

    H. Morimoto, H. Goto, H. Fujiwara, K. Nakamura

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   2011年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Kyutacar

  • An Experimental Verification of the Design Margin Analysis Method for Even-Stage Ring Oscillators with CMOS Latch 査読有り

    Y. Hirakawa, N. Mimura, A. Motomura, K. Nakamura

    International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   2011年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Kyutacar

  • An Electrically Adjustable 3-Terminal Regulator for Post-Fabrication Level-Trimming with a Reliable 1-wire Serial I/O 査読有り

    H. Morimoto, H. Koike, K. Nakamura

    IEICE TRANSACTIONS on Electronics   E94-C ( 6 )   945 - 952   2011年06月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1587/transele.E94.C.945

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    CiNii Article

  • An Optimal Design Method for Complementary Metal Oxide Semiconductor Even-Stage Ring Oscillators Containing Latches 査読有り

    Y. Kohara, M. Asano, Y. Kawakami, Y. Uchida, H. Koike, K. Nakamura

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 4 )   04DE15 - 04DE15-6   2010年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1143/JJAP.49.04DE15

    Kyutacar

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    CiNii Article

  • An Electrically Adjustable 3-Terminal Regulator with Post-Fabrication Level-Trimming Function 査読有り

    H. Morimoto, H. Koike, K. Nakamura

    15th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC)   365 - 366   2010年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ASPDAC.2010.5419859

    Kyutacar

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  • An Optimal Design Method for CMOS Even-Stage Ring Oscillators Containing Plural Latches 査読有り

    Y. Kohara, Y. Kawakami, Y. Uchida, H. Koike, K. Nakamura

    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)   2009年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Kyutacar

  • Static Noise Margin Evaluation Method Based on Direct Polynomial-Curve-Fitting with Universal SRAM Cell Inverter TEG Measurement 査読有り

    K. Nakamura,K.Noda,H.Koike

    IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)   2009年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Oxnard,CA,USA   2009年03月31日  -  2009年03月31日

    主要論文集(会議) 代表的研究業績

    Kyutacar

  • An Optimal Design Method for Even-Stage Ring Oscillators with a CMOS Latch 査読有り

    K. Nakamura,M.Asano,Y.Kohara,H.Koike

    2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)   2008年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tsukuba   2008年09月25日  -  2008年09月25日

    主要論文集(会議) 代表的研究業績

    Kyutacar

  • A memory-based programmable logic device using look-up table cascade with synchronous static random access memories 査読有り

    K. Nakamura,T. Sasao,M. Matsuura,K. Tanaka,K. Yoshizumi,H. Nakahara,Y. Iguch

    Japanese Journal of Applied Physics   45 ( 4B )   3295 - 3300   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌 代表的研究業績

    Kyutacar

  • A memory-based programmable logic device using a look-up table cascade with synchronous SRAMs 査読有り

    K. Nakamura,T. Sasao,M. Matsuura,K. Tanaka,K. Yoshizumi,H. Nakahara,Y. Iguchi

    2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005)   2005年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Kobe   2005年09月  -  2005年09月

    主要論文集(会議) 代表的研究業績

    Kyutacar

  • Programmable logic device with an 8-stage cascade of 64K-bit asynchronous SRAMs 査読有り

    K. Nakamura,T. Sasao,M. Matsuura,K. Tanaka,K. Yoshizumi,H. Qin,Y. Iguchi

    Cool Chips VIII, IEEE Symposium on Low-Power and High-Speed Chips   2005年04月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Yokohama   2005年04月20日  -  2005年04月22日

    主要論文集(会議) 代表的研究業績

    Kyutacar

  • A realization of multiple-output functions by a look-up table ring 査読有り

    H. Qin,T. Sasao,M. Matsuura,K. Nakamura,S. Nagayama,Y. Iguchi

    IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics   E87-A   3141 - 3150   2004年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法 査読有り

    小池,田辺,山田,豊島,中村

    電子情報通信学会論文誌   J86-C ( 8 )   902 - 912   2003年08月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌 代表的研究業績

  • An On-Chip 100GHz Sampling 8-channel Sampling-Oscilloscope Macro with Embedded Sampling-Clock Generator 査読有り

    M.Takamiya,M.Mizuno,K.Nakamura

    2002 International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)   182 - 183   2002年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    San Francisco, California, USA   2002年02月04日  -  2002年02月06日

  • A 2.5GHz 4-phase Clock Generator with Scalable No-Feedback-Loop Architecture 査読有り

    K.Yamaguchi,M.Fukaishi,T.Sakamoto,A.Akiyama,K.Nakamura

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   36 ( 11 )   1666 - 1672   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Optimizing Bias Circuit Design of Cascode Operational Amplifiers for Wide Dynamic Range Operations 査読有り

    T.Fukumoto,H.Okada,K.Nakamura

    2001 International Symposium on Low Power Electronics and Design,   2001年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Huntington Beach, California,USA   2001年08月07日  -  2001年08月07日

  • interconnection as an IP macro of a CMOS library 査読有り

    T.Yoshikawa,I.Hatakeyama,K.Miyoshi,K.Kurata,J.Sasaki,N.Kami,T.Sugimoto,M.Fukaishi,K.Nakamura,K.Tanaka,H.Nishi,T.Kudoh

    Proceedings of the Ninth Symposium on High Performance Interconnects (HOTI '01),   31 - 35   2001年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2001年08月  -  2001年08月

  • Quasi-worst-condition built-in-self-test scheme for 4-Mb loadless CMOS four-transistor SRAM macro 査読有り

    K. Takeda,Y.Aimoto,K.Nakamura,S.Masuoka,K.Ishikawa,K.Noda,T.Takeshima,T.Murotani

    2001 IEEE Symposium on VLSI Circuits   229 - 230   2001年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Kyoto, Japan   2001年06月11日  -  2001年06月14日

  • A 0.10um CMOS, 1.2V, 2GHz Phase-Locked Loop with Gain Compensation VCO 査読有り

    K. Minami,M. Fukaishi,M. Mizuno,H. Onishi,K. Noda,K. Imai,T. Horiuchi,H. Yamaguchi,T. Sato,K. Nakamura,M.Yamashina

    IEEE Custom Integrated Circuits Conf. (CICC)   213 - 216   2001年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   2001年05月  -  2001年05月

  • A 2.5GHz 4-phase Clock Generator with Scalable and No Feedback Loop Architecture 査読有り

    K.Yamaguchi,M.Fukaishi,T.Sakamoto,A.Akiyama,K.Nakamura

    2001 ISSCC Digest of technical Papers,   398 - 399   2001年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   2001年02月  -  2001年02月

    主要論文集(会議)

  • A 2Gb/s 21CH Low Latency Transceiver Circuit for Inter-Processor Communication 査読有り

    T.Tanahashi,K.Kurisu,H.Yamaguchi,S.Tomari,T.Matsuzaka,K.Nakamura,M.Fukaishi,S.Naramoto,T.Sato

    2001 ISSCC Digest of technical Papers   60 - 61   2001年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   2001年02月  -  2001年02月

    主要論文集(会議)

  • A 20-Gb/s CMOS Multichannel Transmitter and Receiver Chip Set for Ultra-High Resolution Digital Displays 査読有り

    M.Fukaishi,K.Nakamura,H.Heiuchi,Y.Hirota,Y.Nakazawa,H.Ikeno,H.Hayama,M.Yotsuyanagi

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   35   1611 - 1618   2000年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • A CMOS 50% duty cycle repeater using complementary phase blending 査読有り

    K.Nakamura,M.Fukaishi,M.Yotsuyanagi et al

    2000 Symposium on VLSI Cricuits   48 - 49   2000年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Hawaii   2000年06月  -  2000年06月

    主要論文集(会議)

  • A 20-Gb/s CMOS Multi-Channel Transmitter and Receiver Chip Set for Ultra-High Resolution Digital Display 査読有り

    M.Fukaishi,K.Nakamura,M.Yotsuyanagi,et.al.

    2000 ISSCC Digest of technical Papers   260 - 261   2000年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   2000年02月  -  2000年02月

    主要論文集(会議)

  • Design Innovations for Multi-Gigahertz-Rate Communication Circuits with Deep-Submicron CMOS Technology 査読有り

    M,Kurisu,M.Fukaishi,H.Asazawa,M.Nishikawa,K.Nakamura,M.Yotsuyanagi

    IEICE Transactions on Electronics   E82-C ( 3 )   428 - 437   1999年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • A 4.25-Gb/s CMOS fiber channel transceiver with asynchronoustree-type demultiplexer and frequency conversion architecture 査読有り

    M.Fukaishi,K.Nakamura,M.Sato,Y.Tsutsui,S.Kishi,M.Yotsuyanagi

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   33   2139 - 2147   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • A 6Gbps 0.18um CMOS Phase Detecting DEMUX Module Using Half-Frequency Clock 査読有り

    K.Nakamura,M.Fukaishi,M.Yotsuyanagi et. al.

    1998 Symposium on VLSI Cricuits   196 - 197   1998年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Hawaii   1998年06月  -  1998年06月

    主要論文集(会議)

  • A 4.25Gbps CMOS Fiber Channel Transceiver with Asynchronous Binary Tree-type Demultiplexer and Frequency Conversion Architecture 査読有り

    M.Fukaishi,K.Nakamura,M.Yotsuyanagi et.,al.

    1998 ISSCC Digest of technical Papers   306 - 307   1998年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   1998年02月  -  1998年02月

    主要論文集(会議)

  • A 500MHz 4Mb CMOS Pipe-line Burst Cache SRAM with Point-to-Point Noise Reduction Coding I/O 査読有り

    K.Nakamura,K.Takeda,H.Toyoshima,K.node,H.Ohkubo,T.Uchida,T.Shimizu,T.Itani,K.Tokashiki,K.Kishimoto

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   32   1758 - 1765   1997年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌 代表的研究業績

  • A 500MHz 4Mb CMOS Pipe-line Burst Cache SRAM with Point-to-Point Noise Reduction Coding I/O 査読有り

    K.Nakamura,K.Takeda,H.Toyoshima,K.node,H.Ohkubo,T.Uchida,T.Shimizu,T.Itani,K.Tokashiki ,K.Kishimoto

    1997 ISSCC Digest of Technical Papers   406 - 407   1997年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   1997年02月  -  1997年02月

    主要論文集(会議)

  • A 6-ns, 1.5-V, 4-Mb BiCMOS SRAM 査読有り

    H.Toyoshima,S.Kuhara,K.Takeda,K.Nakamura,H.Okamura,M.Takada,H.Suzuki,H.Yoshida,T.Yamazaki

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   31   1610 - 1617   1996年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • A 50% Noise Reduction Interface Using Low-weight Coding 査読有り

    K.Nakamura,Mark. A. Horowitz

    1996 Symposium on VLSI Cricuits   144 - 145   1996年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Hawaii   1996年06月  -  1996年06月

    主要論文集(会議)

  • A 6-ns, 1.5-V, 4-Mb BiCMOS SRAM 査読有り

    S.Kuhara,H.Toyoshima,K.Takeda,K.Nakamura,H.Okamura,M.Takada,H.Suzuki,H.Yoshida,T.Yamazaki

    1996 ISSCC Digest of technical Papers   1996年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    USA   San Francisco   1996年02月  -  1996年02月

    主要論文集(会議)

  • PLL Timing Design Techniques for Large-scale, High-speed, Low-cost SRAMs 査読有り

    K.Nakamura,S.Kuhara,T.Kimura,M.Takada,H.Suzuki,H.Yoshida,T.Yamazaki

    Transactions on Electronics   E78-C ( 7 )   805 - 811   1995年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Design of 1.28-GB/s Bandwidth 2-Mb SRAM for Integrated Memory Array Processor Application 査読有り

    T.Kimura,K.Nakamura,Y.Aimoto,T.Manabe,N.Yamashita,Y.Fujita,S.Okazaki,M.Yamashina

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   30   637 - 643   1995年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • High Speed Sub-micron Bi-CMOS Memory 査読有り

    M.Takada,K.Nakamura,T.Yamazaki

    IEEE Transactions on Electron Devices   42 ( 3 )   497 - 505   1995年03月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • A 3.84GIPS Integrated Memory Array Processor 査読有り

    Y.Fujita,N.Yamashita,T.Kimura,K.Nakamura,S.Okazaki

    IEICE transactions on Systems and Computers   J78-D-I ( 2 )   82 - 90   1995年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • An SIMD Type Integrated Memory Array Processor (IMAP) 査読有り

    Y.Fujita,N.Yamashita,T.Kimura,K.Nakamura,S.Okazaki

    International Symposium on Parallel Architectures, Algorithms and Networks (ISPAN)   1994年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    1994年12月  -  1994年12月

  • A 3.84GIPS Integrated Memory Array Processor LSI with 64 Processing Elements and a 2Mb SRAM 査読有り

    N.Yamashita,T.Kimura,Y.Fujita,Y.Aimoto,T.Manabe,S.Okazaki,K.Nakamura,M.Yamashina

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   29   1366 - 1343   1994年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • 220MHz Pipelined 16Mb BiCMOS SRAM with PLL Proportional Self-Timing Generator 査読有り

    K.Nakamura,T.Oguri,T.Atsumo,M.Takada,A.Ikemoto,H.Suzuki,T.Nishigori,T.Yamazaki

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   29   1317 - 1322   1994年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌 代表的研究業績

  • A High Performance 0.4um BiCMOS Technology for 16Mb BiCMOS SRAM's 査読有り

    T.Yamazaki,H.Suzuki,T.Nishigori,K.Nakamura,T.Oguri,T.Atsumo,M.Takada,A.Ikemoto

    European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)   1994年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    1994年09月  -  1994年09月

    主要論文集(会議)

  • PLL Timing Design Techniques for Large-scale, High-speed, Low-power and Low-cost SRAMs 査読有り

    K.Nakamura,S.Kuhara,T.Kimura,M.Takada,H.Suzuki,H.Yoshida,T.Yamazaki

    Proceeding of 1994 Custom Integrated Circuit Conference   1994年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Diego   1994年05月  -  1994年05月

    主要論文集(会議)

  • A 3.84GIPS Integrated Memory Array Processor LSI with 64 Processing Elements and 2Mb SRAM 査読有り

    N.Yamashita,T.Kimura,Y.Fujita,Y.Aimoto,T.Manabe,S.Okazaki,K.Nakamura,M.Yamashina

    1994 ISSCC Digest of Technical Papers   1994年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   1994年02月  -  1994年02月

    主要論文集(会議)

  • A 220MHz Pipelined 16Mb BiCMOS SRAM with PLL Proportional Self-Timing Generator 査読有り

    K.Nakamura,S.Kuhara,T.Kimura,M.Takada,H.Suzuki,H.Yoshida,T.Yamazaki

    1994 ISSCC Digest of Technical Papers   1994年02月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   San Francisco   1994年02月  -  1994年02月

    主要論文集(会議)

  • A 6ns ECL 100K I/O and 8ns 3.3V TTL I/O 4Mb BiCMOS SRAM 査読有り

    K.Nakamura,T.Oguri,T.Atsumo,M.Takada,A.Ikemoto,H.Suzuki,T.Nishigori and T.Yamazaki

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   29   1504 - 1510   1992年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    代表的研究業績

  • A Stacked Emitter Polysilicon (STEP) Bipolar Technology for 16Mb BiCMOS SRAMs 査読有り

    H.Suzuki,T.Nishigori,T.Yamazaki,K.Nakamura,T.Oguri,T.Atsumo,M.Takada,A.Ikemoto

    IEEE 1992 Bipolar Circuits and Technology Meeting Proceedings   100 - 103   1992年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   1992年10月  -  1992年10月

  • A 6ns 4Mb ECL I/O BiCMOS SRAM with LV-TTL Mask Option 査読有り

    K.Nakamura,T.Oguri,T.Atsumo,M.Takada,A.Ikemoto,H.Suzuki,T.Nishigori,T.Yamazaki

    1992 ISSCC Digest of Technical Papers   212 - 213   1992年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    USA   San Francisco   1992年02月  -  1992年02月

    主要論文集(会議)

  • Logic Functional Level Converter for High Speed Address Decoder of ECL I/O BiCMOS SRAMs 査読有り

    K.Nakamura,M.Takada,T.Takeshima,K.Furuta,T.Yamazaki,K.Imai,S.Ohi,Y.Sekine,Y.Minato and H.Kimoto

    IEICE Transactions on Electronics   E74 ( 4 )   1991年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A 5ns 1Mb ECL BiCMOS SRAM 査読有り

    M.Takada,K.Nakamura,T.Takeshima,K.Furuta,T.Yamazaki,K.Imai,S.Ohi,Y.Sekine,Y.Minato and H.Kimoto

    IEEE Journal of Solid-State Circuits   25   1057 - 1062   1990年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A 5ns 1Mb BiCMOS SRAM with ECL Interface 査読有り

    M.Takada,K.Nakamura,T.Takeshima,K.Furuta,T.Yamazaki,K.Imai,S.Ohi,Y.Fukuda,Y.Minato and H.Kimoto

    1990 ISCAS   1990年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   1990年04月  -  1990年04月

    主要論文集(会議)

  • A 5ns 1Mb ECL BiCMOS SRAM 査読有り

    M.Takada,K.Nakamura,T.Takeshima,K.Furuta,T.Yamazaki,K.Imai,S.Ohi,Y.Fukuda,Y.Minato and H.Kimoto

    1990 ISSCC Digest of Technical Papers   138 - 139   1990年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   1990年02月  -  1990年02月

    主要論文集(会議)

  • Controlling Bloch lines and domain chopping for multiple stripes aligned in parallel 査読有り

    K. Matsuyama,K. Nakamura,H. Asada,T. Suzuki,K. Fujimoto,and S. Konishi

    Journal of Applied Physics   63 ( 8 )   3171 - 3173   1988年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

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著書

  • はかる×わかる半導体 入門編 改討版

    浅田邦博 監修(共著 ,  範囲: 第1章)

    日経BPコンサルティング  2020年12月  ( ISBN:978-4-8644-3039-5

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    記述言語:日本語

  • はかる×わかる半導体 半導体テスト技術者検定3級問題集

    浅田邦博 監修(共著 ,  範囲: 第1章)

    日経BPコンサルティング  2014年12月  ( ISBN:978-4-8644-3071-5

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    記述言語:日本語

  • はかる×わかる半導体 入門編

    浅田邦博 監修(共著 ,  範囲: 第1章)

    日経BPコンサルティング  2013年05月  ( ISBN:978-4-8644-3039-5

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    記述言語:日本語

口頭発表・ポスター発表等

  • シリコン再プロセス技術によるウエハへのチップ再固定と配線形成

    鳩野 友理,大西 浩輝,細田 健斗,馬場 昭好,中村 和之

    LSIとシステムのワークショップ 2019  電子情報通信学会 集積回路研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2019年05月13日 - 2019年05月14日   記述言語:日本語   開催地:東京大学生産技術研究所  

  • 小規模SRAM回路のフリーツールによるレイアウト設計及び検証

    中野 裕次,松本 浩,中村 和之

    LSIとシステムのワークショップ 2018  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2018年05月14日 - 2018年05月15日   記述言語:日本語   開催地:東京大学生産技術研究所  

  • Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation

    D. Nishikata

    2018 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

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    開催期間: 2018年01月22日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • レイアウト設計・レイアウト検証におけるフリーツール代用化に関する研究

    松本 浩,細田 健斗,西方 大輔,山口 翔吾,中村 和之

    LSIとシステムのワークショップ 2017  電子情報通信学会 集積回路研究会

     詳細を見る

    開催期間: 2017年05月15日 - 2017年05月16日   記述言語:日本語   開催地:東京大学生産技術研究所  

  • A DC-balanced Bus-invert Coding for Stabilizing the Intermediate Power Level in Stacked-Vdd LSIs

    A. Rahmat

    2016 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

     詳細を見る

    開催期間: 2016年02月29日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • 12トランジスタ完全相補型レシオレスSRAMの低電圧動作特性

    近藤 敬宏,山本 裕允,法華津 智子,伊見 仁,岡村 均,中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2015  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2015年05月11日 - 2015年05月13日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • An Optimal Design Method for CMOS Even-Stage Ring Oscillators Containing Latches

    Yusuke Kohara

    2015 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

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    開催期間: 2015年03月16日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • A Ratio-less Full-complementary 12-transistor SRAM for Ultra-low Supply-voltage Operation

    Takahiro Kondo

    2015 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

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    開催期間: 2015年03月16日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • コーディング法による電源スタック型回路の中間電位安定化に関する評価チップの開発と測定による性能実証

    久保直也,肥塚大輝,西山智史,山之口誠将,中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2014  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2014年05月26日 - 2014年05月28日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • CMOS SRAMセルのしきい値電圧ばらつき耐性評価用TEGの設計及び評価

    伊見仁,徳丸翔吾,岡村均、中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2014  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2014年05月26日 - 2014年05月28日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • Mosaic SRAM Cell TEGs with Intentionally-Added Device Variability for Confirming the Ratio-less SRAM Operation

    Hitoshi Okamura

    2014 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

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    開催期間: 2014年03月10日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • A Stabilization Technique for Intermediate Power Level in Stacked-Vdd ICs using Parallel I/O Signal Coding

    Naoya Kubo

    2014 international Symposium on Dependable integrated Systems  Dependable Integrated Systems Research Center, Kyushu Institute of Technology

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    開催期間: 2014年03月10日   記述言語:英語   開催地:Iizuka, Japan  

  • 耐素子ばらつき・超低消費電力のレシオレスSRAM 回路

    中村和之

    イノベーション・ジャパン2013~大学見本市&ビジネスマッチング~  NEDO&JST

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    開催期間: 2013年08月29日 - 2013年08月30日   記述言語:日本語   開催地:東京ビッグサイト  

  • Ratio-less 10Tr-SRAMセルとColumn Retention Loop構造による完全デジタルSRAMの設計及び評価

    山本裕允、齋藤貴彦、岡村均、中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2013  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2013年05月13日 - 2013年05月15日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • CMOS偶数段リング発振回路における設計マージン 測定用ユニバーサルTEGの開発

    太田恒平,平川豊,本村綾美,三村法寛,中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2012  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2012年05月28日 - 2012年05月30日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • コーディング法を用いた電源スタック型回路の中間電位安定化

    西山智史,山之口誠将,中村和之

    LSIとシステムのワークショップ 2012  電子情報通信学会 集積回路研究会

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    開催期間: 2012年05月28日 - 2012年05月30日   記述言語:日本語   開催地:北九州国際会議場  

  • 省面積抵抗ストリングDAC と閉ループ・オフセット検出を用いたCMOS オペアンプのオフセット校正

    森本浩之、後藤弘明、藤原宗、中村

    デザインガイア2011 

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    開催期間: 2011年11月28日   記述言語:日本語   開催地:宮崎  

  • 高速高信頼性の一線シリアルI/Fを用いた製造後補正可能な三端子レギュレーター

    森本浩之、小池洋紀、中村

    LSIとシステムのワークショップ 2011 

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    開催期間: 2011年05月16日 - 2011年05月18日   記述言語:日本語   開催地:北九州市  

  • CMOS偶数段リング発振回路の設計マージンの測定

    平川、本村、三村、中村

    電子情報通信学会 2011総合大会  電子情報通信学会

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    開催期間: 2011年03月14日 - 2011年03月17日   記述言語:日本語   開催地:東京都市大学  

  • 電源遷移時間を考慮した偶数段リング発振回路発振領域の検討

    三村、平川、中村

    電子情報通信学会 2011総合大会  電子情報通信学会

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    開催期間: 2011年03月14日 - 2011年03月17日   記述言語:日本語   開催地:東京都市大学  

  • 複数個のラッチを有するCMOS偶数段リング発振回路の最適設計

    平川、小原、川上、中村

    LSIとシステムのワークショップ 2010  

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    開催期間: 2010年05月18日   記述言語:日本語   開催地:北九州市  

  • 片チャネルラッチ構成の偶数段リング発振回路の検討

    小原、平川、中村

    電子情報通信学会 2010 総合大会  電子情報通信学会

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    開催期間: 2010年03月16日 - 2010年03月19日   記述言語:日本語   開催地:東北大学  

  • 複数個のラッチを有する偶数段リング発振回路の検討

    小原、川上、小池、中村

    電子情報通信学会 2009 ソサイエティ大会  電子情報通信学会

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    開催期間: 2009年09月15日 - 2009年09月18日   記述言語:日本語   開催地:新潟大学  

  • ユニバーサルSRAMセルインバータTEG測定および直接多項式フィッティングに基づくスタティックノイズマージン評価手法

    情報創成工学専攻

    電子情報通信学会、第2種研究会・LSIとシステムのワークショップ2009, ポスターセッション 

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    開催期間: 2009年05月19日   記述言語:日本語   開催地:日本 北九州  

  • CMOS偶数段リング発振回路の最適設計条件の検討

    情報創成工学専攻

    2008年電子情報通信学会全国大会 

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    開催期間: 2009年03月17日   記述言語:日本語   開催地:日本 松山  

  • ユニバーサルSRAM TEGによるSRAM動作マージンの評価

    情報創成工学専攻

    2008年電子情報通信学会全国大会 

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    開催期間: 2009年03月17日   記述言語:日本語   開催地:日本 松山  

  • 直接多項式フィッティングに基づく SRAM スタティックノイズマージンの評価

    情報創成工学専攻

    2008年電子情報通信学会全国大会 

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    開催期間: 2009年03月17日   記述言語:日本語   開催地:日本 松山  

  • CMOS 偶数段リング発振回路の発振条件の検討

    情報創成工学専攻

    2008年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2008年09月19日   記述言語:日本語   開催地:日本 東京  

  • SRAM SNM 評価用ユニバーサルインバータTEG の設計と評価

    情報創成工学専攻

    2008年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2008年09月16日   記述言語:日本語   開催地:日本 東京  

  • 回路シミュレータSPICEのマルチコア化の検討

    情報創成工学専攻

    電子情報通信学会、第2種研究会・第11回システムLSIワークショップ, ポスターセッション 

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    開催期間: 2007年11月   記述言語:日本語   開催地:日本 北九州  

  • 標準CMOSプロセスで実現可能な新規不揮発メモリの研究開発

    本人

    九州工業大学第2回東京シンポジウム 

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    開催期間: 2006年04月27日   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • LUTカスケードアーキテクチャによるプログラム可能LSIの開発

    電子情報通信学会、第2種研究会・第8回システムLSIワークショップ, ポスターセッション 

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    開催期間: 2004年11月   記述言語:日本語   開催地:日本 北九州  

  • 回路-レイアウト融合設計法によるSRAM自動設計に関する研究

    第57回電気関係学会九州支部連合大会 

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    開催期間: 2004年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • LSI間高速通信用4値I/O回路の設計

    本人

    2004年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2004年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Realization of Multiple-output functions by sequential Look-up Table Cascades

    電子情報通信学会、VLSI設計技術研究会 

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    開催期間: 2004年01月   記述言語:英語   開催地:Yokohama  

  • 設計ルールの変更に短時間で対応可能な基本ゲートライブラリ及びSRAMマクロの自動合成ツールの開発

    2003年システムLSIワークショップ ポスターセッション  

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    開催期間: 2003年11月   記述言語:日本語  

  • 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析システム

    本人

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析システム

    2002年システムLSIワークショップ ポスターセッション  

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    開催期間: 2002年11月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析と画像処理の適用

    本人

    2002年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2002年09月   記述言語:日本語  

  • シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価(II)

    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 

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    開催期間: 2002年09月   記述言語:日本語   開催地:日本 宮崎  

  • シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価

    電子情報通信学会、信学技報 

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    開催期間: 2002年05月   記述言語:日本語   開催地:日本 金沢  

  • メモリセル読み出し電圧に着目したFeRAM評価方法

    2002年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2002年03月28日   記述言語:日本語   開催地:早稲田大学  

  • OIP (Optical-interconnection as IP of a CMOS Library)による3.125Gbit/s/port 16×16光I/Oクロスポイントスイッチ

    2002年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2002年03月27日 - 2002年03月30日   記述言語:日本語   開催地:早稲田大学  

  • シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価

    2002年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2002年03月27日   記述言語:日本語   開催地:早稲田大学  

  • 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式

    電子情報通信学会 集積回路研究会 

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    開催期間: 2001年12月20日 - 2001年12月21日   記述言語:日本語   開催地:九州大学  

  • OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ

    電子情報通信学会光スイッチング研究会 

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    開催期間: 2001年12月17日 - 2001年12月18日   記述言語:日本語   開催地:沖縄県青年会館  

  • カスコードオペアンプのダイナミックレンジを最大化するバイアス回路の設計

    2001年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2001年09月18日 - 2001年09月21日   記述言語:日本語   開催地:電気通信大学  

  • オンチップデカップリング用MOSゲート容量のゲート長の検討

    2001年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2001年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • LSI上の配線におけるインダクタンス効果を組み込んだRC等価遅延モデリング

    本人

    2001年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2001年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発

    2001年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2001年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償リピータ

    本人

    2000年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2000年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • CMOS高速クロック&データ リカバリ回路の開発

    2000年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 2000年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償リピータ

    本人

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 2000年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • LSI上の配線におけるインダクタンス効果を組み込んだRC等価遅延モデリング

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 2000年05月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 20Gb/s CMOSマルチチャンネル送信、受信LSI(2)

    本人

    2000年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 2000年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 20Gb/s CMOSマルチチャンネル送信、受信LSI(1)

    2000年電子情報通信学会総合大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2000年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 高速PLLにおける回路遅延による位相余裕の劣下とその影響

    本人

    1999年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 1999年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 非同期ツリー型構造を用いた5Gbps動作のCMOS 1:8 DEMUX回路

    1998年電子情報通信学会ソサエティ大会 

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    開催期間: 1998年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール

    本人

    1998年電子情報通信学会ソサエティ大会 

     詳細を見る

    開催期間: 1998年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール

    本人

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

     詳細を見る

    開催期間: 1998年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 4.25Gbps CMOSファイバチャネルトランシーバLSI

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 1998年06月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 4.25Gbps CMOSファイバチャネルトランシーバLSI

    1998年電子情報通信学会全国大会 

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    開催期間: 1998年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 1997年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM -チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計―

    1997年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 1997年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM -I/O部の設計と評価―

    本人

    1997年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 1997年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 低重心コーディングによるLSIインターフェースのノイズ半減化

    本人

    1996年電子情報通信学会ソサエティ大会 予稿集C-464 

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    開催期間: 1996年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 6ns 1.5V 4Mb BiCMOSSRAMの低電圧回路技術

    1996年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 1996年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 6ns 1.5V 4Mb BiCMOSSRAMの低電圧回路技術

    1996年電子情報通信学会総合大会 

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    開催期間: 1996年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • ワード線リセットイコライズによる、大容量SRAMの高速化技術

    本人

    1994年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-514 

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    開催期間: 1994年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • メモリ集積型プロセッサIMAP-LSI

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 1994年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • メモリ集積型プロセッサIMAP-2

    情報処理学会 計算機アーキテクチャ研究会 

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    開催期間: 1994年07月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • PLLによるクロック比例タイミング発生回路を搭載した220MHzパイプライン動作の16Mb BiCMOS SRAM

    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス/集積回路合同研究会 信学技報  

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    開催期間: 1994年05月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • メモリ集積型プロセッサIMAP LSIの回路方式

    1994年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-692 

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    開催期間: 1994年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 大容量・高速SRAM用PLL内部タイミング発生回路

    本人

    1994年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-688 

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    開催期間: 1994年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • ウエーブパイプラインを用いた16Mb BiCMOS SRAM

    1994年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-690 

     詳細を見る

    開催期間: 1994年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • メモリ集積型プロセッサIMAP LSIのメモリ部回路方式

    1994年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-693 

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    開催期間: 1994年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • ビット線負荷素子の配置位置の検討

    本人

    1993年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-464 

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    開催期間: 1993年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 内部降圧回路と電源電圧の共振に関する検討

    本人

    1993年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-618 

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    開催期間: 1993年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 16Mb BiCMOS SRAM対応の積層エミッタ構造バイポーラトランジスタ技術

    1993年電子情報通信学会春季全国大会 

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    開催期間: 1993年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • アクセス時間6ns ECL I/O、8ns 3.3V TTL I/O 4Mb BiCMOS SRAM

    本人

    電子情報通信学会 集積回路研究会 信学技報 

     詳細を見る

    開催期間: 1992年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • BiCMOS直結型入力バッファ

    1992年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-636 

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    開催期間: 1992年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • アクセス時間6nsECL I/O 4Mb BiCMOS SRAM

    本人

    1992年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-637 

     詳細を見る

    開催期間: 1992年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • アクセス時間8ns 3.3V TTL I/O 4Mb BiCMOS SRAM

    1992年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-638 

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    開催期間: 1992年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • BiCMOS直結型ECL-CMOSレベル変換回路

    1991年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-429 

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    開催期間: 1991年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • VEE昇圧回路内臓ECL I/O BiCMOS SRAMのレベル変換速度

    1991年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-430 

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    開催期間: 1991年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • BinMOS論理ゲートの低電圧・高速化手法

    本人

    1991年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-380 

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    開催期間: 1991年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • BiCMOS直結型ECL-CMOSレベル変換回路

    電子情報通信学会集積回路/電子デバイス合同研究会 信学技報 

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    開催期間: 1991年05月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • ECLインターフェースBiCMOS SRAM用高速レベル変換回路

    本人

    1990年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 SC-10-10 

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    開催期間: 1990年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • アクセス時間5ns ECLインターフェース1Mb BiCMOS SRAM

    本人

    電子情報通信学会集積回路研究会 信学技報 

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    開催期間: 1990年05月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • アクセス時間5ns ECLインターフェース1Mb BiCMOS SRAM

    本人

    1990年電子情報通信学会春季全国大会 予稿集 C-699 

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    開催期間: 1990年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 論理型レベル変換回路の検討

    本人

    1989年電子情報通信学会秋季全国大会 予稿集 C-149 

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    開催期間: 1989年09月   記述言語:日本語  

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工業所有権

  • 符号変換回路及び並列信号変換送受信システム

    小原祐輔、久保直也、中村和之

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    出願番号:特願2016-53531  出願日:2016年03月17日

  • 半導体記憶装置

    中村和之、齋藤貴彦、岡村均

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    出願番号:PCT/JP2013/58217  出願日:2013年03月22日

  • 半導体記憶装置

    岡村均、中村和之、齋藤貴彦

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    出願番号:特願2012-78557  出願日:2012年03月30日

  • 半導体記憶装置

    中村和之、齋藤貴彦、岡村均

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    出願番号:特願2012-76414  出願日:2012年03月29日

  • 半導体記憶装置

    中村 和之、齊藤 貴彦

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    出願番号:特願2011-035109  出願日:2011年02月02日

    公開番号:特開2012-174306  公開日:2012年09月01日

    登録番号:特許第5617679号  登録日:2014年09月26日

    回路を構成する各トランジスタの設計サイズ(ゲート幅/ゲート長)によらず、またマージン設計を行うことなしに、安定な動作が可能な半導体記憶装置を提供する。

  • SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体

    KAZUYUKI NAKAMURA, HIROKI KOIKE

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    出願番号:12/594,048  出願日:2008年03月10日

    登録番号:US8,169,813 B2  登録日:2012年05月01日

  • SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体

    KAZUYUKI NAKAMURA, HIROKI KOIKE

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    出願番号:10-2009-7022739  出願日:2008年03月10日

    登録番号:10-1452013  登録日:2014年10月10日

  • SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラムをコンピュータが読み取り可能に記録した記録媒体

    KAZUYUKI NAKAMURA, HIROKI KOIKE

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    出願番号:08721724.6  出願日:2008年03月10日

    登録番号:2136372B1  登録日:2014年12月03日

  • 電子回路デバイス

    森本浩之,中村和之

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    出願番号:'PCT/JP2008/051318  出願日:2008年01月29日

  • ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE

    HIROYUKI MORIMOTO, KAZUYUKI NAKAMURA

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    出願番号:12/526,576  出願日:2008年01月29日

    登録番号:US 7,924,636 B2  登録日:2011年04月12日

  • ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE

    HIROYUKI MORIMOTO, KAZUYUKI NAKAMURA

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    出願番号:10-2009-7015740  出願日:2008年01月29日

    登録番号:10-1402419  登録日:2014年05月26日

  • ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE

    HIROYUKI MORIMOTO, KAZUYUKI NAKAMURA

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    出願番号:08704100.0  出願日:2008年01月29日

    登録番号:EP 2128736  登録日:2016年07月13日

  • スタティックランダムアクセスメモリ設計法

    中村和之、小池洋紀

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    出願番号:'特願2007- 95928  出願日:2007年03月31日

  • 電子回路デバイス

    森本浩之,中村和之

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    出願番号:'特願2007-089951  出願日:2007年03月29日

  • CMIS SEMICONDUCTOR NONVOLATILE STORAGE CIRCUIT

    Kazuyuki Nakamura

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    出願番号:'US-11/637481  出願日:2006年12月12日

    登録番号:'US-7248507  登録日:2007年07月24日

  • CMIS型半導体不揮発記憶回路

    中村和之

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    出願番号:'特願2006-101114  出願日:2006年03月31日

  • SEMICONDUCTOR NONVOLATILE STORAGE CIRCUIT(US,EU,CN,KR,JP)

    Kazuyuki Nakamura

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    出願番号:'PCT/JP2005/006121  出願日:2005年10月13日

  • CMIS SEMICONDUCTOR NONVOLATILE STORAGE CIRCUIT

    Kazuyuki Nakamura

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    出願番号:'US-11/153113  出願日:2005年06月15日

    登録番号:'US-7151706  登録日:2006年12月19日

  • 半導体不揮発記憶回路

    中村和之

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    出願番号:'2004-108484  出願日:2004年03月31日

  • CMIS型半導体不揮発記憶回路

    中村和之

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    出願番号:'特願2002-367648  出願日:2002年12月19日

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講演

  • グランドフィナーレパネル 日本半導体の躍進を支えるサプライチェーン/人材戦略

    セミコンジャパン2022  2022年12月  SEMI

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    開催期間: 2022年12月14日 - 2022年12月16日   発表言語:日本語   講演種別:パネル討論   開催地:東京ビッグサイト   国名:日本国  

    日本の半導体産業はいわゆる「失われた30年」からの成長再開に向けて力強い一歩を踏み出しました。1990年代から大きく様変わりした市場環境の中で、国内の枠組みから抜け出した国際協力のもとに、日本の半導体産業はサプライチェーンや人材などの課題に取り組み、新たな高みを目指しています。SEMICON Japanの最終日をかざるグランドフィナーレパネルでは、ソニー、東京エレクトロン、九州工業大学、そして台湾ファウンドリメーカーからパネリストを招き、サプライチェーンが協調して取り組むべき戦略を議論します。
    パネリスト
    ・清水 照士 ソニーグループ 上席事業役員 ソニーセミコンダクタソリューションズ 代表取締役社長 兼 CEO
    ・小野寺 誠 TSMCジャパン 代表取締役社長
    ・三田野 好伸 東京エレクトロン SPE事業本部 コーポレート オフィサー・ 専務執行役員・ SPE事業本部長
    ・中村 和之 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター センター長・教授

  • Dependable Circuit Design Based on Inverters and SRAMs

    Taiwan Tech and Kyutech Workshop on Advanced VLSI Design Technologies  2015年03月  国立台湾科技大学

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    講演種別:基調講演   開催地:National Taiwan University of Science and Technology  

  • CMOS不揮発メモリとその設計法に関する研究開発及び事業化

    電子情報通信学会 全国大会  2008年03月  電子情報通信学会

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    講演種別:招待講演   開催地:北九州学術研究都市  

  • LSI間のTbps通信を目指すスーパーパラレルリンク技術の概要

    2002年回路とシステム(軽井沢)ワークショップ  2002年04月  2002年回路とシステム(軽井沢)ワークショップ

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    講演種別:招待講演   開催地:軽井沢  

  • CMOS超高帯域LSI間通信回路技術

    2001年システムLSIワークショップ(電子情報通信学会主催)  2001年11月 

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    講演種別:招待講演   開催地:北九州国際会議場  

報道関係

  • 半導体 年間1000人 人手不足も 学生・社会人「半導体」人材育成がカギ   テレビ・ラジオ番組

    中村和之

    TVQ  You刊ふくおか  2023年04月18日

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    半導体、人材育成

  • ザ・ライフ「TSMCがやってくる!〜活況 半導体最前線〜」   テレビ・ラジオ番組

    中村和之

    日本放送協会  ザ・ライフ  九州工業大学における半導体人材育成の取り組み  2022年07月01日

学術関係受賞

  • 第8回ものづくり日本大賞 経済産業大臣賞

    経済産業省   第8回ものづくり日本大賞 経済産業大臣賞   2020年01月27日

    システム開発技術カレッジ

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    受賞国:日本国

    半導体関連分野で国内最大となるリカレント教育機関
    「システム開発技術カレッジ」
    校長:福田 晃 九州大学 大学院システム情報科学研究院 教授
    副校長:中村 和之 九州工業大学 大学院情報工学府情報創成工学専攻 教授
    メンバー:梶原 勝幸、山下 英博、平野 俊典、有瀬 房美、三井 朋美

  • LSIとシステムのワークショップ 2013 ICD優秀ポスター賞(学生部門)

    電子情報通信学会 集積回路研究会   2013年05月15日

    山本裕允、齋藤貴彦、岡村均、中村和之

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    受賞国:日本国

科研費獲得実績

  • ビッグデータの高速検索処理を可能にする超低消費電力レシオレスCAMの研究

    研究課題番号:15K06021  2015年10月 - 2018年03月   基盤研究(C)

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    超低電圧下での動作を可能としたレシオレスSRAM技術を、高速パケット処理に広く利用されているCAM(Content Addressable Memory)回路へ適用する。さらに低電圧動作時の信頼性を高める技術を開発することで、素子ばらつきや経年劣化の影響を受けず、高速かつ超低消費電力な検索ハードウエアエンジンを実現する。

  • 素子ばらつき・経年劣化に影響を受けず動作可能な完全デジタルSRAM回路の研究

    研究課題番号:24560408  2012年04月 - 2015年03月   基盤研究(C)

  • 素子ばらつき・経年劣化に耐性を持つアナログ回路動作マージン自動極大化設計法の研究

    研究課題番号:21560356  2009年04月 - 2012年03月   基盤研究(C)

  • CMOS互換不揮発メモリによる製造後補正を前提とした新アナログ回路設計法の研究

    研究課題番号:19560347  2007年04月 - 2009年03月   基盤研究(C)

  • システムインパッケージにおける超高バンド幅LSI間通信回路技術の研究

    研究課題番号:16560302  2004年04月 - 2006年03月   基盤研究(C)

  • 次世代SoC-LSIにおける超高バンド幅マクロ間インターコネクト技術の研究

    研究課題番号:14550325  2002年04月 - 2004年03月   基盤研究(C)

  • 耐ばらつき超高バンド幅SoCマクロ間インターコネクト回路技術の研究

    研究課題番号:14040215  2002年04月 - 2004年03月   特定領域研究

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受託研究・共同研究実施実績

  • AS242Z03484J素子ばらつきの影響を受けず超低電圧・超低消費電力動作が可能な完全デジタルSRAM回路の研究開発

    2012年11月 - 2013年10月

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    研究区分:受託研究

  • (テーマ21)ミクストシグナルLSI IPとその先端的設計技術の研究開発

    2007年06月 - 2012年03月

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    研究区分:受託研究

    地域産学官連携科学技術振興事業費補助金〈イノベーションシステム整備事業〉地域イノベーションクラスタープログラム(グローバル型)

  • SoC用低電力・構成可変・不揮発メモリマクロ技術に関する研究

    2002年09月 - 2007年03月

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    研究区分:受託研究

    (知的創造による地域産学官連携強化プログラム「知的クラスター創成事業」)

担当授業科目(学内)

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   システムLSI設計論MP

  • 2022年度   システムLSI設計論CE

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   集積化システム設計

  • 2021年度   システムLSI設計論

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2021年度   集積化システム設計

  • 2020年度   システムLSI設計論

  • 2020年度   半導体トピックセミナー

  • 2020年度   集積化システム設計

  • 2019年度   システムLSI設計論

  • 2019年度   半導体トピックセミナー

  • 2019年度   LSI設計

  • 2018年度   半導体トピックセミナー

  • 2018年度   システムLSI設計論

  • 2018年度   LSI設計

  • 2017年度   システムLSI設計論

  • 2017年度   LSI設計

  • 2016年度   システムLSI設計論

  • 2016年度   LSI設計

  • 2015年度   システムLSI設計論

  • 2015年度   LSI設計

  • 2015年度   情報創成特論 I

  • 2014年度   LSI設計

  • 2014年度   情報創成特論 I

  • 2014年度   システムLSI設計論

  • 2013年度   システムLSI設計論

  • 2013年度   情報創成特論 I

  • 2013年度   LSI設計

  • 2012年度   LSI設計

  • 2012年度   システムLSI設計論

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学会・委員会等活動

  • 福岡県半導体・デジタル産業振興会議   企画運営委員  

    2022年06月 - 現在

  • 九州半導体人材育成等コンソーシアム   委員  

    2022年05月 - 現在

  • 福岡県産業・科学技術振興財団(ふくおかIST)   システム開発技術カレッジ 校長  

    2020年04月 - 現在

  • 九州半導体イノベーション協議会   理事  

    2018年06月 - 現在

  • 福岡県システムLSI設計開発拠点推進会議   福岡システムLSIカレッジ 副校長  

    2013年04月 - 2020年03月

  • 電子情報通信学会   集積回路研究会 12月研究会プログラム委員  

    2006年12月

  • 電子情報通信学会   集積回路研究会(ICD) システムLSIワークショップ実行委員  

    2006年11月 - 2008年03月

  • 九州半導体イノベーション協議会   理事  

    2006年04月 - 2008年03月

  • 電子情報通信学会   集積回路研究会 12月研究会プログラム委員  

    2005年12月

  • 電子情報通信学会   VLSI設計技術特集号 論文誌C 特集号編集委員  

    2005年04月 - 2006年03月

  • 電子情報通信学会   低電力LSI特集 英文誌C 特集号論文編集委員  

    2004年04月 - 2005年03月

  • 九州経済産業局 大学発ベンチャーに関する若手研究会   委員  

    2003年10月 - 2004年03月

  • 九州経済産業局 半導体関連産業の起業化・事業化創出に関する調査委員会   委員  

    2003年08月 - 2004年03月

  • 電子情報通信学会   会誌編集委員  

    2003年04月 - 2005年03月

  • 電子情報通信学会   エレクトロニクスソサエティ 会誌編集委員  

    2003年04月 - 2005年03月

  • 電子情報通信学会   総合大会 座長  

    2002年03月

  • デザインガイア2001   座長  

    2001年11月

  • 電子情報通信学会   集積回路研究会 専門委員  

    2001年11月 - 2002年03月

  • 電子情報通信学会   集積回路研究会(ICD) 研究専門委員  

    2001年10月 - 2007年03月

  • 米国電気電子学会(IEEE)   国際固体素子回路学会(ISSCC)プログラム委員   

    2001年04月 - 2001年07月

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社会貢献活動(講演会・出前講義等)

  • 佐世保高専 半導体工学概論 講師

    役割:講師

    佐世保工業高等専門学校  2022年06月28日

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    対象: 高校生, 大学生

    種別:出前授業

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー「半導体デバイス製造プロセス(前工程)」

    役割:講師, 企画, 運営参加・支援

    2018年04月 - 現在

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

    運営全般、座学・測定担当

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー「独自デバイス設計開発実習」

    2017年04月01日 - 2019年03月31日

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    種別:セミナー・ワークショップ

    設計技術指導

ベンチャー企業設立

  • 株式会社NSCore

    取締役

    2005年03月

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    半導体設計開発

  • 株式会社ナノデザイン

    取締役最高技術責任者

    2002年03月14日

     詳細を見る

    半導体設計開発