2023/12/26 更新

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ババ アキヨシ
馬場 昭好
BABA Akiyoshi
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
先端研究・社会連携本部 マイクロ化総合技術センター
職名
教授
外部リンク

研究キーワード

  • MEMS

  • インクジェット

  • センサーエレメント

  • 太陽電池

  • パワーデバイス

  • 半導体微細加工

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム

取得学位

  • 九州大学  -  博士(工学)   1997年09月

学内職務経歴

  • 2022年04月 - 現在   九州工業大学   先端研究・社会連携本部   マイクロ化総合技術センター     教授

  • 2019年04月 - 2022年03月   九州工業大学   オープンイノベーション推進機構   マイクロ化総合技術センター     教授

  • 2007年04月 - 2019年03月   九州工業大学   マイクロ化総合技術センター     准教授

所属学会・委員会

  • 2015年08月 - 2016年11月   第33回センサーシンポジウム   日本国

論文

  • Piezoelectric MEMS wideband acoustic sensor coated by organic film 査読有り 国際誌

    Kuchiji H., Masumoto N., Baba A.

    Japanese Journal of Applied Physics   62   2023年06月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    In this study, we developed an acoustic sensor with a structure in which a piezoelectric cantilever array is covered with an organic film. For this, we used AlN and polyurethane as the piezoelectric material and organic film, respectively. The results suggested that the sensitivity in the low-frequency region improved, and the resonance frequency increased. We investigated the resonance frequency based on a simulation and verified that it matched the measured value. Further, we created a broadband acoustic sensor by covering the space between the cantilevers with an organic film.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acbb82

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85149811002&origin=inward

  • Piezoelectric MEMS Wideband Acoustic Sensor Coated by Organic Film 査読有り 国際誌

    Hiroyuki Kuchiji,Naoki Masumoto,Akiyoshi Baba

    Digest of 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2022)   11P-4-32   2022年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    日本   徳島   2022年11月08日  -  2022年11月11日

  • Absolute longitudinal distance measurement verification of a standard polystyrene nanoparticle near a surface in water by means of multi-wavelength evanescent field 査読有り

    Blattler A., Khajornrungruang P., Suzuki K., Baba A., Goto D.

    European Society for Precision Engineering and Nanotechnology, Conference Proceedings - 22nd International Conference and Exhibition, EUSPEN 2022   385 - 388   2022年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    In the wet semiconductor process, abrasive nanoparticles are widely used in the chemical mechanical polishing (CMP) process to polish wafer surfaces for high planarization. During polishing, nanoparticles move with a high-speed three-dimensional (3D) position in the solution. In the 3D particles's moving positions, Z is a perpendicular longitudinal distance between the surface to the nanoparticle that plays a significant role in polishing, which could not be measured by general microscopy without longitudinal scanning. To understand nanoparticle phenomena near-surface, we have proposed and developed the apparatus with real-time fastmotion tracking on optical multi-wavelength evanescent fields microscopy to measure the 3D motion of the nanoparticle in water without scanning. In euspen's 2020, we could verify the relative distance ?Z of nanoparticles in water, but the absolute distance Z is unknown yet. In this manuscript, we have therefore developed an invisible nano-step height in water to verify the absolute height Z of an individual nanoparticle. The invisible nano-step height in water is made from an optical resin with a refractive index of 1.35 that is close to a refractive index of water to avoid unnecessary light during experimental verification. The nano-step height was less than 100 nm on a glass surface, fabricated using nanoimprint lithography. Polystyrene f100 nm standard particles in water were used to verify the height Z. The results of height Z of nanoparticles could be measured less than 100 nm with the measurement uncertainty ±10 nm (2s), which is related to the interferometer result of the nano-step height.

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  • ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究

    ブラットラー アラン, カチョーンルンルアン パナート, 鈴木 恵友, 馬場 昭好

    精密工学会学術講演会講演論文集 ( 公益社団法人 精密工学会 )   2021A ( 0 )   588 - 589   2021年09月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)

    <p>An abrasive nanoparticle behavior in chemical mechanical polishing (CMP) process is a three-dimensional (3D) motion near a substrate or reference surface. The height position is a longitudinal distance between the reference surface and nanoparticle, which is a challenge for measuring the height position in a wet condition. Our previous report could estimate the relative height of polystyrene 100 nm particles by applying multi-wavelength evanescent fields, but the absolute height was not confirmed yet. Therefore, in this report, we proposed a design concept for absolute height verification by using the developed nano-step height patterns. The nano-step height was approximately less than hundred nanometers from the reference surface. The nano-step height made from an optical resin that has a refractive index close to water to decrease the scattering light during observing nanoparticles in water. Polystyrene 100 nm particles on the nano-step height were used to estimate the absolute height of nanoparticle. The proposed concept could be used to verify the nanoparticle's absolute height in water, which can be applied to clarify the nanoparticle phenomena during the CMP process in the near future.</p>

    DOI: 10.11522/pscjspe.2021a.0_588

    CiNii Research

  • 局在光によるナノ研磨現象観測に関する研究

    パームパッデーチャークン ティティパット, カチョーンルンルアン パナート, 鈴木 恵友, 馬場 昭好

    精密工学会学術講演会講演論文集 ( 公益社団法人 精密工学会 )   2021A ( 0 )   102 - 103   2021年09月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)

    <p>The nanoscale polishing phenomena between substrate surface, 105 nm-sized SiO<sub>2</sub> particles slurry, and polishing pad during CMP process were experimentally observed and evaluated to identify the main factors which effectively polish a 4H-SiC substrate. The nanoscale polishing phenomena were observed in-situ by our developed compact apparatus applied an optical evanescent field. The observation is able to detect the scattering light from either the nano-abrasive particles or the pad asperities when they react to the surface to being polishing. The nanoparticle motion phenomena, which two conditions (i)only nanoparticles (without pad) and (ii)nanoparticles with pad sliding, on 4H-SiC substrate were observed. According to the observed results, the observed scattering light of nanoparticle on 4H-SiC was the ellipse shape compared with the observing on SiO<sub>2</sub> substrate. Furthermore, we could observe the particles moved nearer and then adhered on the surface. Less particle’s Brownian motion when the particle moved nearer to the surface. In case of nanoparticle with pad sliding, we could observe only the scattering light of pad sliding because the scattering light intensity of particle is quite lower than pad. Therefore, approached nanoparticle to 4H-SiC surface phenomena might be one possible role to explain higher polishing rate CMP parameter.</p>

    DOI: 10.11522/pscjspe.2021a.0_102

    CiNii Research

  • The Benefits of Using SiN as a Buried Oxide in Germanium-On-Insulator Substrate 査読有り 国際誌

    Duangchan S., Yamamoto K., Wang D., Nakashima H., Baba A.

    4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings   2020年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    This research aims to show the benefits of using SiN as a buried-oxide (BOX) in germanium-on-insulator (GOI) substrate. The substrate is fabricated by using a direct bonding method with a smart-cut technology. Using SiN as a BOX layer instead of conventinal SiO2 yields the tensile strain of the substrate is 1.3%-2% approximately, which affects to enhance the mobility of the Ge-based device.

    DOI: 10.1109/EDTM47692.2020.9117986

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  • The Benefits of Using SiN as a Buried Oxide in Germanium-On-Insulator Substrate 査読有り 国際誌

    Sethavut Duangchan, Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

    4th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2020)   2020年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Malaysia   Penang   2020年03月16日  -  2020年03月18日

  • SiN used as a stressor in Germanium-On-Insulator substrate 査読有り 国際誌

    Sethavut Duangchan, Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

    2019 International 3D Systems Integration Conference (3DIC)   2019年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Sendai   2019年10月08日  -  2019年10月10日

  • SiN used as a Stressor in Germanium-On-Insulator Substrate 査読有り 国際誌

    Duangchan S., Yamamoto K., Wang D., Nakashima H., Baba A.

    IEEE 2019 International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2019   2019年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    This research aims to show the advantage of using silicon nitride as a stressor in a strained germanium-on-insulator substrate (strained Ge). A Si substrate is patterned on the surface before bonding for controlling the shape and the position of strained Ge. The SiN film is deposited on Ge substrate by PE-CVD with 150 nm thick approximately. Two substrates are bonded together by surface-Activation bonding with 200°C post-Anneal. It was found that the tensile strain of 1.16% for the flat part and 2.03% for the bucking part, which is higher than other reported GOI using SiO2 layer.

    DOI: 10.1109/3DIC48104.2019.9058896

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  • Modulation transfer function analysis of silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes 査読有り

    Ariyoshi Tetsuya, Iwasa Jumpei, Takane Yuta, Sakamoto Kenji, Baba Akiyoshi, Arima Yutaka

    IEICE Electron. Express   15 ( 11 )   20180177 - 20180177   2018年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    <p>A silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes was studied and the influence of Compton scattering was estimated. By irradiating the target pixel with X-rays and measuring the signal from adjacent pixels, X-ray scattering and pixel blur of the proposed sensor was determined. An X-ray sensor with a length of 22.6 mm was designed and fabricated, and its modulation transfer function (MTF) was obtained. A sensor structure to improve the MTF level to that of CdTe was proposed.</p>

    DOI: 10.1587/elex.15.20180177

    CiNii Article

    その他リンク: https://ci.nii.ac.jp/naid/130007395665

  • Fabrication of silicon-on-diamond substrate with an ultrathin SiO<inf>2</inf>bonding layer 査読有り

    Nagata M., Shirahama R., Duangchan S., Baba A.

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 6 )   2018年06月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. We proposed and demonstrated a sputter etching method to prepare both a flat surface (root-mean-square surface roughness of approximately 0.2-0.3 nm) and an ultrathin SiO2bonding layer at an accuracy of approximately 5 nm in thickness to fabricate a silicon-on-diamond substrate (SOD). We also investigated a plasma activation method on a SiO2surface using various gases. We found that O2plasma activation is more suitable for the bonding between SiO2and Si than N2or Ar plasma activation. We speculate that the concentration of hydroxyl groups on the SiO2surface was increased by O2plasma activation. We fabricated the SOD substrate with an ultrathin (15nm in thickness) SiO2bonding layer using the sputter etching and O2 plasma activation methods.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.06HJ08

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    CiNii Article

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047913328&origin=inward

  • Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode 査読有り

    Ariyoshi T., Takane Y., Iwasa J., Sakamoto K., Baba A., Arima Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2018 The Japan Society of Applied Physics. In this paper, we report a direct-conversion-type X-ray sensor composed of trench-structured silicon photodiodes, which achieves a high X-ray-to-current conversion efficiency under side X-ray irradiation. The silicon X-ray sensor with a length of 22.6mm and a trench depth of 300 μm was fabricated using a single-poly single-metal 0.35μm process. X-rays with a tube voltage of 80kV were irradiated along the trench photodiode from the side of the test chip. The theoretical limit of X-ray-to-current conversion efficiency of 83.8% was achieved at a low reverse bias voltage of 25 V. The X-ray-to-electrical signal conversion efficiency of conventional indirect-conversion-type X-ray sensors is about 10%. Therefore, the developed sensor has a conversion efficiency that is about eight times higher than that of conventional sensors. It is expected that the developed X-ray sensor will be able to markedly lower the radiation dose required for X-ray diagnoses.

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FH04

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  • Fabrication of Silicon on Diamond Structure with an Ultra-Thin SiO2 Bonding Layer by Sputter Etching Method 査読有り

    Masahiro Nagata, Ryouya Shirahama, Sethavut Duangchan, Akiyoshi Baba

    Digest of 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017)   8D-6-1   2017年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Korea   Jeju   2017年11月06日  -  2017年11月09日

  • Estimation of the Conversion Properties of Trench-Structured Silicon X-ray Photodiodes by the Side X-ray Irradiation Method 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Yuta Takane, Jumpei Iwasa, Kenji Sakamoto, Akiyoshi Baba, Yutaka Arima

    Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials   321 - 322   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Sendai   2017年09月19日  -  2017年09月22日

  • X-ray-to-current signal conversion characteristics of trench-structured photodiodes for direct-conversion-type silicon X-ray sensor 査読有り

    Ariyoshi T., Funaki S., Sakamoto K., Baba A., Arima Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 4 )   2017年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    © 2017 The Japan Society of Applied Physics.To reduce the radiation dose required in medical X-ray diagnoses, we propose a high-sensitivity direct-conversion-type silicon X-ray sensor that uses trench-structured photodiodes. This sensor is advantageous in terms of its long device lifetime, noise immunity, and low power consumption because of its low bias voltage. With this sensor, it is possible to detect X-rays with almost 100% efficiency; sensitivity can therefore be improved by approximately 10 times when compared with conventional indirect-conversion-type sensors. In this study, a test chip was fabricated using a single-poly single-metal 0.35μm process. The formed trench photodiodes for the X-ray sensor were approximately 170 and 300μm deep. At a bias voltage of 25V, the absorbed X-ray-to-current signal conversion efficiencies were 89.3% (theoretical limit; 96.7%) at a trench depth of 170μm and 91.1% (theoretical limit; 94.3%) at a trench depth of 300 μm.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.04CH06

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  • High-performance vertical Si PiN diode by hole remaining mechanism 査読有り

    Tsukuda M., Tsukuda M., Baba A., Shiba Y., Omura I.

    Solid-State Electronics   129   22 - 28   2017年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2016 Elsevier LtdA novel diode with a unique trench shape is predicted by TCAD simulation to have high performance. The novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process shows a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced by half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. Thanks to the hole pockets with an electric field in the diagonal direction, the remaining hole suppresses the surge voltage with noise for high performance. In this paper, we specially focus on the analysis of phenomenon and the noise suppression mechanism during reverse recovery. The novel diode structure is a strong candidate when developing the fabrication process after silicon trench etching is established.

    DOI: 10.1016/j.sse.2016.12.006

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  • Reduced operating temperature of active layer Si covered by nanocrystalline diamond film 査読有り

    Duangchan S., Koishikawa Y., Shirahama R., Oishi K., Baba A., Matsumoto S., Hasegawa M.

    Journal of Materials Science: Materials in Electronics   28 ( 1 )   617 - 624   2017年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2016, Springer Science+Business Media New York.This paper reports the heat dissipation ability of nanocrystalline diamond (NCD) film used as an insulator in interconnection layers. The thermal resistance is used as an evidence for evaluating particular ability. There are two points to measure, that is to say, the temperature in the active Si region and that of the nearest point at the top of the insulating film. We used a thin film Si resistor covered with NCD or silicon dioxide (SiO2) on a silicon on insulator substrate. The NCD film was deposited by microwave-plasma chemical vapor deposition at 400 °C, while the SiO2 film was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 350 °C. The thickness of the NCD film was 600 nm, while that of the SiO2 film was 300 and 500 nm. The aluminium (Al) was deposited by sputtering and patterned on the top of the insulating-film. Heat was applied to the resistor by directly applying electricity to the resistor. The temperature of the Si resistor and Al was determined from the resistance change. It was found that the thermal resistance of NCD film was approximately 14 % less than that of SiO2 film, leading to the reduction of the thin-film Si temperature by 20 °C, even though it was thicker than 100 nm.

    DOI: 10.1007/s10854-016-5566-2

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  • Sensitivity Properties of a Direct Conversion Silicon X-ray Sensor with Trench-Structured Photodiodes 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Shota Funaki, Kenji Sakamoto, Akiyoshi Baba, Yutaka Arima

    Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials   141 - 142   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Tsukuba   2016年09月26日  -  2016年09月29日

  • Novel 600 v low reverse recovery loss vertical PiN diode with hole pockets by Bosch deep trench 査読有り

    Tsukuda M., Baba A., Shiba Y., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2016-July   295 - 298   2016年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    © 2016 IEEE.The performance of a novel diode with characteristic trench shape is predicted by TCAD simulation. A novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process is proposed for a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced to a half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. The novel diode structure is a strong candidate when the simple fabrication process under development is established.

    DOI: 10.1109/ISPSD.2016.7520836

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  • The Influence of Plasma Conditions on Surface-Activation that Affect the Bonded Area 査読有り

    Sethavut Duangchan, Ryouya Shirahama, Tomoki Murayama, Souchi Hamada, Akiyoshi Baba

    Asia-Pacific Conference of Transducers and Micro-Nano Technology 2016   283 - 284   2016年06月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Japan   Kanazawa   2016年06月26日  -  2016年06月29日

  • Novel 600 V Low Reverse Recovery Loss Vertical PiN Diode with Hole Pockets by Bosch Deep Trench 査読有り

    Masanori Tsukuda, Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omura

    Proceedings of the 2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   295 - 298   2016年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Czech Republic   Prague   2016年06月12日  -  2016年06月16日

  • The heat performance study of nanocrystal diamond film used in a thin film device 査読有り

    Sethavut Duangchan,Yusuke Koishikawa,Ryouya Shirahama,Koichiro Oishi,Akiyoshi Baba,Satoshi Matsumoto,Masataka Hasegawa

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   2015年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Design of a MEMS device for scanning profile measurement with three cantilever displacement sensors 査読有り

    Hiroki Shimizu, Takahiro Akiyoshi, Shinya Yanagihara, Yuuma Tamaru, Akiyoshi Baba

    Proceedings of 12th International Symposium on Measurement Technology and Intelligent Instruments   2015年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Influential factors in low-temperature direct bonding of silicon dioxide 査読有り

    Ryouya Shirahama,Sethavut Duangchan,Yusuke Koishikawa,Akiyoshi Baba

    IEEE International 3D System Integration Conference (3DIC 2015)   2015年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/3DIC.2015.7334585

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  • The silicon on diamond structure by low-temperature bonding technique 査読有り

    Sethavut Duangchan,Yusuke Uchikawa,Yusuke Koishikawa,Baba Akiyoshi,Kentaro Nakagawa,Satoshi Matsumoto,Masataka Hasegawa,Shinichi Nishizawa

    The 65th Electronic Components and Technology Conference (ECTC 2015)   2015年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ECTC.2015.7159590

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  • Finite element analysis using a hierarchal decomposition for the interaction of structure, fluid and electrostatic field in mems 査読有り

    Ishihara D., Horie T., Niho T., Baba A.

    COUPLED PROBLEMS 2015 - Proceedings of the 6th International Conference on Coupled Problems in Science and Engineering   1023 - 1028   2015年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    In this study, a hierarchal decomposition for the interaction of the structure, fluid and electrostatic field or the structure-fluid-electrostatic interaction, which is one of typical phenomena in micro-electro-mechanical system (MEMS), is proposed in order to solve it efficiently. The proposed decomposition partitions the structure-fluid-electrostatic interaction into the fluid-structure interaction (FSI) and the electrostatic field, and, moreover, splits the FSI into the velocity and fluid pressure fields. In this way, the whole interaction system is decomposed into the three fields in a hierarchal way. The proposed decomposition is implemented using a finite element method and is applied to a micro cantilever beam actuated by the electrostatic force in air. It follows from the comparison among the results for the structure-fluid-electrostatic interaction, the FSI and the experiment that the proposed method taking into account the full-interaction can predict the vibration characteristic of the MEMS accurately.

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938693972&origin=inward

  • Hierarchal decomposition for the structure-fluid-electrostatic interaction in a microelectromechanical system 査読有り

    Ishihara D., Horie T., Niho T., Baba A.

    CMES - Computer Modeling in Engineering and Sciences   108 ( 6 )   429 - 452   2015年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Copyright © 2015 Tech Science Press.In this study, a hierarchal decomposition is proposed to solve the structure- fluid-electrostatic interaction in a microelectromechanical system (MEMS). In the proposed decomposition, the structure-fluid-electrostatic interaction is partitioned into the structure-fluid interaction and the electrostatic field using the iteratively staggered method, and the structure-fluid interaction is split into the structurefluid velocity field and the fluid pressure field using the projection method. The proposed decomposition is applied to a micro cantilever beam actuated by the electrostatic force in air. It follows from the comparisons among the numerical and experimental results that the proposed method can predict the MEMS vibration characteristics accurately.

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84990191139&origin=inward

  • The effect of surface roughness in SiO2/SiO2 low-temperature bonding 査読有り

    Sethavut Duangchan, Shota Osaki, Yusuke Uchikawa, Shuhei Kawai, Yusuke Koishikawa, Akiyoshi Baba

    The 2nd Universiti Putra Malaysia - Kyushu Institute of Tecnology International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES 2014)   B-1-3   2014年12月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   北九州市   2014年12月20日  -  2014年12月21日

  • MEMS 構造要素における構造‐流体‐静電界連成の階層的分解による有限要素解析 査読有り

    石原大輔, 堀江知義, 二保知也, 馬場昭好

    日本機械学会論文集(A編)   79 ( 804 )   1291 - 1302   2013年08月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1299/kikaia.79.1291

    Scopus

    CiNii Article

  • Side-Illuminated Color photo Sensor 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Akiyoshi Baba, Yutaka

    Japanese Journal of Applied Phyasics   ( 52 )   04CE10   2013年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 2513 MEMS構造要素における構造 : 流体-静電界連成現象の有限要素解析

    宿輪 雄介, 石原 大輔, 堀江 知義, 二保 知也, 馬場 昭好

    計算力学講演会講演論文集 ( 一般社団法人 日本機械学会 )   2013 ( 0 )   _2513 - 1_-_2513-2_   2013年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    DOI: 10.1299/jsmecmd.2013.26._2513-1_

    CiNii Article

    その他リンク: https://ci.nii.ac.jp/naid/110009936408

  • Fabrication of a polylactide micro-needle array using transfer mold technique for transdermal drug delivery 招待有り 査読有り

    Akiyoshi Baba

    25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   1-P-7-94   2012年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   神戸   2012年10月30日  -  2012年11月02日

  • High Efficiency Near-Infrared Detection using Deep-Trench Photo-Diode 招待有り 査読有り

    Tetsuya Matsuda, Akiyoshi Baba

    25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   1-p-7-101   2012年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   神戸   2012年10月30日  -  2012年11月02日

  • Side-Illuminated Color photo Sensor 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Akiyoshi Baba, Yutaka Arima

    International Conference on Solid State Devices and Materials   144 - 145   2012年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   京都   2012年09月25日  -  2012年09月27日

    DOI: 10.7567/JJAP.52.04CE10

    Scopus

    CiNii Article

  • Finite element analysis for interaction problems of structure, fluid and electrostatic field in micro cantilever beams 招待有り 査読有り

    Daisuke Ishihara, Tomoyoshi Horie, Tomoya Niho, Akiyoshi Baba

    Proceedings of KSME-JSME Joint Symposium on Computational Mechanics & CAE 2012   255 - 260   2012年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   金沢   2012年09月12日  -  2012年09月12日

  • Improved Near-Infrared Sensitivity with a Side-Illuminated Photosensor 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Noriyuki Uryu, Akiyoshi Baba and Yutaka Arima

    Jpnese Journal of Applied Physics   51   02BE01   2012年02月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1143/JJAP.51.02BE01

    Scopus

    CiNii Article

  • Fabrication of pn junction at the wall of deep trench for near-infrared sensor 査読有り

    Akiyoshi Baba, Noriyuki Uryu, Senichi Sumi

    24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   2011年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Improved Near-Infrared Sensitivity for a Side-Illuminated Photo Sensor 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi, Noriyuki Uryu, Akiyoshi Baba, Yutaka Arima

    2011 Int'l Conference on Solid State Devices and Materials   1031 - 1032   2011年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Development of Orderly Micro Asperity on Polishing Pad Surface for Chemical Mechanical Polishing (CMP) Process using Anisotropic Etching 査読有り

    Khajornrungruang P., Kimura K., Baba A., Yasuda K.,Tanaka A.

    Proceedings of GCMM2010   2010年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Fabrication of microneedle array for transdermal drug delivery 査読有り

    Yuu Shigetome, Yu Taniguchi, Takahiro Ito, Akiyoshi Baba, Tomohiro Hikima, Kakuji Tojo

    3rd International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Development of Periodically Arrayed Micro Pyramid Asperity on Polishing Pad Surface for CMP Process Using Lithography 査読有り

    Keiichi Kimura, Akiyoshi Baba, Naoaki Takahashi, Yuichi Hashiyama, Keisuke Yasuda

    3rd International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Improved near-infrared sensitivity of a back-side illuminated image sensor with a metal reflector 査読有り

    Tetsuya Ariyoshi,Shozo Morita,Akiyoshi Baba,Yutaka Arima

    IEICE Electron. Express   6 ( 6 )   341 - 346   2009年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Simple fabrication of gated field electron emitter using vertical thin film induced by ion beam irradiation 査読有り

    T. Yoshida,M. Nagao,A. Baba,T. Asano,S. Kanemaru

    J. Vac. Sci. Technol. B   27 ( 2 )   729 - 734   2009年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Simple fabrication of gated field electron emitter using vertical thin film induced by ion beam irradiation 査読有り

    T. Yoshida,M. Nagao,A. Baba,T. Asano,S. Kanemaru

    21th International Vacuum Nanoelectronics Conference   32 - 33   2008年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Poland   Wroclaw   2008年07月13日  -  2008年07月17日

    主要論文集(会議)

  • Fabrication of Vertical Thin Film FEA Using Ion-Induced Bending Technique 査読有り

    Tomoya Yoshida,Chiaki Yasumuro,Masayoshi Nagao,Seigo Kanemaru,Akiyoshi Baba,and Tanemasa Asano

    Proceedings of The 14th International Display Workshops   3   2209 - 2212   2007年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    札幌   2007年12月05日  -  2007年12月07日

  • Statistical Investigation on the Design of Field Emitter Array 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    19th International Vacuum Nanoelectronics Conference & 50th International Field Emission Symposium   43 - 44   2006年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    China   Guilin   2006年07月17日  -  2006年07月20日

  • Fabrication of a Gated Cold Cathode by Using the Inkjet Embedding method 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys   45 ( 6B )   5631 - 5636   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of gated cold cathode using standing thin film induced by ion-beam bombardment 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    J. Vac. Sci. Technol. B   24 ( 2 )   932 - 935   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Properties of Ink-Droplet Formation in Double-Gate Electrospray 査読有り

    Yuji Ishida,Keigo Sogabe,Kazunori Hakiai,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 8A )   6475 - 6480   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Gate Controlled Electrostatic Droplet Ejection 査読有り

    Yuji Ishida,Keigo Sogabe,Kazunori Hakiai,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2005 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   280 - 281   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    東京   2005年10月25日  -  2005年10月28日

  • Fabrication of a Gated Cold Cathode by Using the Inkjet Embedding Method 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2005 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   278 - 279   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    東京   2005年10月25日  -  2005年10月28日

  • Fabrication of Gated Carbon Black Field Electron Emitter Using Inkjet Printing 査読有り

    Akiyoshi Baba,Yuji Ishida,Kazunori Hakiai,Tanemasa Asano

    18th International Vacuum Nanoelectronics Conference   42 - 43   2005年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    England   Oxford   2005年07月10日  -  2005年07月14日

  • Fabrication of Gated cold cathode Using Standing Thin Film Induced by Ion-Beam Bombardment 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    18th International Vacuum Nanoelectronics Conference   38 - 39   2005年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    England   Oxford   2005年07月10日  -  2005年07月14日

  • Fabrication of Micro Field Emitter Tip Using Ion-Beam Irradiation-Induced Self-Standing of Thin Films 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys   44 ( 7B )   5744 - 5748   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrostatic Inkjet Patterning Using Si Needle Prepared by Anodization 査読有り

    Yuji Ishida,Kazunori Hakiai,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 7B )   5786 - 5790   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Electrostatic Droplet Ejection Using Planar Needle Inkjet Head 査読有り

    Kazunori Hakiai,Yuji Ishida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 7B )   5781 - 5785   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of Micro Field Emitter Tip Using Ion-Beam Irradiation-Induced Self-Standing of Thin Film 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   328 - 329   2004年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

  • Electrostatic Inkjet Patterning Using Si Needle Prepared by Anodization 査読有り

    Yuji Ishida,Kazunori Hakiai,Kazunari Matsuzaki,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   28 - 29   2004年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

  • Electrostatic Droplet Ejection Using Planar Needle Inkjet Head 査読有り

    Kazunori Hakiai,Yuji Ishida,Kazunari Matsuzaki,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   30 - 31   2004年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

  • Measurement of Electron Energy Distribution Obtained from Wedge Type Silicon Emitter Array 査読有り

    Katsuya Higa,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   258 - 259   2004年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

  • Reduction of the Gate-Oxide/poly-Si Interface Roughness by Microwave-Plasma Oxidation and Its Impact on TFT Performance 査読有り

    Chihiro Shin,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2004 Int. Workshops on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays   317 - 320   2004年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tokyo   2004年08月25日  -  2004年08月27日

  • Feasibility of Inkjet Printing for Field Electron Emitter Fabrication 査読有り

    Akiyoshi Baba,Yuji Ishida,Tomoya Yoshida,Kazunori Hakiai,Kazunari Matsuzaki,Tanemasa Asano

    17th International Vacuum Nanoelectronics Conference   272 - 273   2004年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Cambridge   2004年07月11日  -  2004年07月16日

  • Increase in Emission Current after High-Frequency Low-Voltage Pulses Application Observed for Gated Nano-Pillar Cathode 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    17th International Vacuum Nanoelectronics Conference   258 - 259   2004年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    U.S.A.   Massachusetts   2004年07月11日  -  2004年07月16日

  • Ultra-High Electron Emission Efficiency from Defect Control Polyimide Tunnel Cathode 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Tanemasa Asano

    17th International Vacuum Nanoelectronics Conference   104 - 105   2004年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    U.S.A.   Massachusetts   2004年07月11日  -  2004年07月16日

  • Field Emission Characteristics of Defect-Controlled Polyimide Tunneling Cathode 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Tanemasa Asano

    J. Vac. Sci. & Technol. B   22 ( 3 )   1353 - 1357   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Increased Emission Efficiency of Gated Cold Cathode with Carbonic Nano-Pillars 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 ( 6B )   3901 - 3905   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Field Electron Emission Inkjet-Printed Carbon Black 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Kazunari Matsuzaki,Yuji Ishida,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   43 ( 6B )   3923 - 3927   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Gate Oxide Integrity of Microwave-Plasma-Grown Silicon Oxide 査読有り

    Akiyoshi Baba,Chihiro Shin,Tanemasa Asano

    10th Int. Display Workshops   439 - 442   2003年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Fukuoka   2003年12月03日  -  2003年12月05日

  • Gated Cold Cathode Array with Carbonic Nano-Pillars Formed by O2 RIE for FED Application 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    10th Int. Display Workshops   1231 - 1234   2003年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Fukuoka   2003年12月03日  -  2003年12月05日

  • Planer Electrostatic Inkjet Device with Gate Electrode 査読有り

    Kazunari Matsuzaki,Yuji Ishida,Atsunobu Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   190 - 191   2003年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

  • Field Electron Emission from Carbon Black Prepared by Inkjet Printing 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Kazunari Matsuzaki,Yuji Ishida,Tanemasa Asano

    2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   300 - 301   2003年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

  • Electrostatic Inkjet Head Fabricated by Anodization of Si 査読有り

    Yuji Ishida,Kazunari Matsuzaki,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   302 - 303   2003年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

  • Increased Emission Efficiency of Gated Cold Cathode with Carbonic Nano-Pillars 査読有り

    Tomoya Yoshida,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   188 - 189   2003年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

  • Field Emission Characteristics of Defect-Controlled Polyimide Tunneling Cathode 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Tanemasa Asano

    16th International Vacuum Microelectronics Conference   267 - 268   2003年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2003年07月07日  -  2003年07月11日

  • Self-Aligned Fabrication of Gated Organic Nano-Pillar Cold Cathode 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Tanemasa Asano

    16th International Vacuum Microelectronics Conference   17 - 18   2003年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Osaka   2003年07月07日  -  2003年07月11日

  • インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出

    馬場昭好,吉田知也,石田雄二,浅野種正

    信学技報 Technical Report of IEICE   37 - 42   2003年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Micro Field Emitter with Nano-Pillarets Formed by RIE of Photoresist 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tomoya Yoshida,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys   42 ( 6B )   552 - 556   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Field Emission from Metal Particles Bound with a Photoresist 査読有り

    Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    J. Vac. Sci. & Technol. B   21 ( 1 )   552 - 556   2003年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • MIM Cold Cathode Using Ion-Beam Irradiated Polyimide as Tunneling Insulator 査読有り

    Akiyoshi BABA,Tomoya YOSHIDA,Tanemasa ASANO

    9th Int. Display Workshops   1049 - 1052   2002年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Hiroshima   2002年12月04日  -  2002年12月06日

  • Micro Field Emitter with Nano-Pillarets Formed by RIE of Photoresist 査読有り

    Akiyoshi BABA,Tomoya YOSHIDA,Tanemasa ASANO

    2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   332 - 333   2002年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Tokyo   2002年11月06日  -  2002年11月08日

  • Field Electron Emission from Gated Organic Emitter Tips Prepared Using Stamping Technique 査読有り

    Akiyoshi BABA,Kouichi TSUBAKI,Tanemasa ASANO

    15th International Vacuum Microelectronics Conference & 48th International Field Emission Symposium   2002年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    Lyon, France   2002年07月07日  -  2002年07月11日

  • Easy Release of the Mold in an Imprinting Method Using Ion Beam Modification of Photoresist Surface 査読有り

    Akiyoshi Baba,Masakazu Iwamoto,Kouichi Tsubaki,Tanemasa Asano

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 6B )   4190 - 4193   2002年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • RIEにより作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製

    吉田知也,馬場昭好,浅野種正

    信学技報 Technical Report of IEICE   23 - 28   2002年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Field Emission from Nano-Protrusion Fabricated Using Nano-Stamp Technique 査読有り

    Akiyoshi BABA,Kouichi TSUBAKI,Tanemasa ASANO

    2001 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   196 - 197   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    松江   2001年10月31日  -  2001年11月02日

  • Easy Removal of Mold for Imprint Lithography by Ion Beam Modification of Photoresist Surface 査読有り

    Akiyoshi BABA,Masakazu IWAMOTO,Kouichi TSUBAKI,Tanemasa ASANO

    2001 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   96 - 97   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    松江   2001年10月31日  -  2001年11月02日

  • Field Emission from Nano-Pillarets Prepared by Reactive Ion Etching of Organic Materials 査読有り

    Akiyoshi BABA,Tanemasa ASANO

    21st Int. Display Research Conference in conjunction with the 8th Int. Display Workshops   1185 - 1188   2001年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    名古屋   2001年10月16日  -  2001年10月19日

  • Field Emission from Metal-Particle Bound with a Photoresist 査読有り

    Akiyoshi BABA,Tanemasa ASANO

    14th International Vacuum Microelectronics Conference   235 - 236   2001年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    UC Davis, California, USA   2001年08月12日  -  2001年08月16日

  • 有機材料のスタンプ形成による高密度電子源ティップアレイの作製

    椿弘一,馬場昭好,浅野種正

    信学技報 Technical Report of IEICE   21 - 26   2001年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Field Emission from Pd Fine-Particle Film 査読有り

    Akiyoshi BABA,Tanemasa ASANO

    The Seventh International Display Workshops IDW '00   979 - 982   2000年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    神戸   2000年11月29日  -  2000年12月01日

  • Imprint Lithography Using Triple-Layer-Resist and its Application to MOSFET Fabrication 査読有り

    Hiroyuki NAKAMURA,Akiyoshi BABA,Tanemasa ASANO

    2000 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   232 - 233   2000年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    東京   2000年07月11日  -  2000年07月13日

  • Fabrication of Gated Field Emitter from Wedge Array Prepared by Stamp Technology 査読有り

    Akiyoshi BABA,Kouichi TSUBAKI,Masakazu IWAMOTO,Tanemasa ASANO

    2000 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   128 - 129   2000年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    東京   2000年07月11日  -  2000年07月13日

  • 絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出

    馬場昭好,浅野種正

    信学技報 Technical Report of IEICE   25 - 30   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Imprint lithography Using Triple-Layer-Resist and Its Application to Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistor Fabrication 査読有り

    Hiroyuki Nakamura,Akiyoshi Baba,Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1   39 ( 12B )   7080 - 7080   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Stamp Technology for Fabrication of Field Emitter from Organic Material 査読有り

    Akiyoshi Baba,Masafumi Hizukuri,Masakazu Iwamoto,Tanemasa Asano

    Journal of Vacuum Science and Technology B   18 ( 2 )   877 - 879   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of Field Emitters from Organic Materials Using a Stamp Technology 査読有り

    Akiyoshi Baba,Masafumi Hizukuri,Masakazu Iwamoto,Tanemasa Asano

    The Sixth International Display Workshops   919 - 922   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Sendai   1999年12月  -  1999年12月

  • Fabrication of Carbon-Based Field Emitters Using a Stamp Technology 査読有り

    Akiyoshi Baba,Masafumi Hizukuri,Masakazu Iwamoto,Tanemasa Asano

    1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference   182 - 183   1999年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Yokohama   1999年07月06日  -  1999年07月08日

  • Field Emission from an Ion-Beam Modified Polyimide Film 査読有り

    Akiyoshi Baba,Katsuya Higa,Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 3A )   L261 - L263   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • スタンプ法による有機材料の構造形成と電界放出型微小電子源への応用

    馬場昭好,岩本正和,浅野種正

    信学技報 Technical Report of IEICE   25 - 30   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Field emission from an ion-beam modified polyimide film 査読有り

    Akiyoshi Baba,Katsuya Higa,Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 3A )   L261 - L263   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 塗布性有機膜のイオン照射改質による炭素系電子源材料 査読有り

    浅野種正,馬場昭好

    ディスプレイ アンド イメージング   1 ( 8 )   61 - 68   1999年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Fabrication of Carbon-Based Field Emitters Using stamp Technology 査読有り

    Akiyoshi Baba,Masafumi Hizukuri,Masakazu Iwamoto,Tanemasa Asano

    Japanese Journal of Applied Physics   38 ( 12B )   7203 - 7207   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A flexible field emitter made by ion-beam modification of polyimide film: 査読有り

    Akiyoshi Baba,Katsuya Higa,Tanemasa Asano

    The Fifth International Display Workshops   61 - 64   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Kobe   1998年12月  -  1998年12月

  • 有機物イオン照射改質によるマイクロコールドエミッタ材料の創製

    浅野種正,馬場昭好,比嘉勝也

    信学技報 Technical Report of IEICE   29 - 36   1998年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Simplified Evaluation of Displacement Effect Distribution in Silicon Irradiated with Low-Energy Ions

    Dong-Ju Bai,Tomohiro Kawase,Akiyoshi Baba,Atsushi Kenjo,Taizoh Sadoh,Hiroshi Nakashima,Hiroshi Mori,Toshio Tsurushima

    Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University   2   59 - 59   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)

  • Effect of Energy Transport with Recoil Atoms on Deposited Energy Distribution in Silicon Irradiated with Energetic Ions

    Dong-Ju Bai,Akiyoshi Baba,Atsushi Kenjo,Taizoh Sadoh,Hiroshi Nakashima,Hiroshi Mori,Toshio Tsurushima

    Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • イオンビーム照射によるコバルトシリサイド形成機構

    馬場昭好,荒牧宏隆,阿部孝幸,松下篤志,佐道泰造,権丈淳,森紘,中島寛,鶴島稔夫

    九州大学中央分析センター報告   ( 15 )   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 低エネルギーイオン照射によるシリコンの非晶質化

    白冬菊,河瀬智宏,馬場昭好,権丈淳,佐道泰造,中島寛,森紘,鶴島稔夫

    九州大学大学院システム情報科学研究科報告   2 ( 1 )   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)

  • Deep Level of Iron-Hydrogen Complex in Silicon 査読有り

    Taizoh Sadoh,K. Tsukamoto,A. Baba,D. Bai,A. Kenjo,T. Tsurushima

    J. Appl. Phys.   82   3828 - 3828   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Behavior of Radiation-Induced Defects and Amorphization in Silicon Crystal 査読有り

    馬場 昭好

    Nuclear Instrument & Methods in Physics Research B   ( 121 )   299 - 299   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Growth Kinetics of CoSi Formed by Ion Beam Irradiation at Room Temperature 査読有り

    馬場 昭好

    Jounal of Applied Physics   ( 82 )   5480 - 5480   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Deep States in Silicon on Sapphire by Transient-Current Spectroscopy 査読有り

    T. Sadoh,A. Matsushita,Y.-Q. Zhang,D.-J. Bai,A. Baba,A. Kenjo,T. Tsurushima

    J. Appl. Phys.   82   5262 - 5262   1997年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Evaluation of Damage Induced by Low-Energy Ion Irradiation in Silicon

    Akiyoshi Baba,Taizoh Sadoh,Atsushi Kenjo,Hiroshi Nakashima,Hiroshi Mori,Toshio Tsurushima

    Memoirs of the Faculty of Engineering Kyushu University   55   127 - 127   1995年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(大学,研究機関等紀要)

  • Behavior of Defects Induced by Low-Energy Ions in Silicon Films 査読有り

    Taizoh Sadoh,Hironori Takeshita,Akiyoshi Baba,Atsushi Kenjo,Hiroshi Nakashima,Toshio Tsurushima

    Jpn. J. Appl. Phys.   33   7151 - 7151   1994年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

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口頭発表・ポスター発表等

  • 海水中におけるIS-FETイオンセンサのヒステリシス特性の原因調査と抑制方法

    大西 浩輝、Sethavut Duangchan、野口 科端稀, 佐々木 翼

    第36回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 

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    開催期間: 2019年11月19日 - 2019年11月21日   記述言語:日本語  

  • 液中半導体センサーパッシベーション膜の厚膜化による配線腐食低減

    馬場 祐輔,種吉 郁文,山口 隆貴,二宮 尚輝,馬場 昭好

    第9回集積化MEMSシンポジウム 

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    開催期間: 2017年10月31日 - 2017年11月02日   記述言語:日本語   開催地:広島市  

  • スパッタエッチングによる表面平坦化の活性化接合への応用

    永田 将大,白浜 亮弥,ドゥアンチャン セタヴット,馬場 昭好

    第9回集積化MEMSシンポジウム 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年10月31日 - 2017年11月02日   記述言語:日本語   開催地:広島市  

  • スパッタエッチングにより極薄化したSiO2接合層を持つSOD基板の作製

    永田 将大,白浜 亮弥,Duangchan Sethavut,馬場 昭好

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

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    開催期間: 2017年09月05日 - 2017年09月08日   記述言語:日本語   開催地:福岡市  

  • 海水中における電気化学反応の抑制のためのパッシベーション膜の検討

    馬場 祐輔,種吉 郁文,馬場 昭好

    第78回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年09月05日 - 2017年09月08日   記述言語:日本語   開催地:福岡市  

  • 表面活性化接合における接合面積拡大のためのイオン条件の検討

    白浜 亮弥,Duangchan Sethavut,村山 智紀,濱田 爽志,馬場 昭好

    第8回集積化MEMSシンポジウム 

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    開催期間: 2016年10月24日 - 2016年10月26日   記述言語:日本語  

  • 深溝構造を持つ結晶シリコン太陽電池の作製

    情報システム専攻

    2009年応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語:日本語   開催地:日本 熊本市  

  • 生分解性マイクロニードルアレイの作製

    情報システム専攻

    2009年応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語:日本語   開催地:日本 熊本市  

  • 静電アクチュエーターを有する静電インクジェットノズルの作製

    情報システム専攻

    2009年応用物理学会九州支部学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語:日本語   開催地:日本 熊本市  

  • 高耐圧素子における終端構造の作製

    情報システム

    第62回電気関係学会九州支部連合大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年09月28日 - 2009年09月29日   記述言語:日本語   開催地:日本 飯塚市  

  • マイクロ片持ちはりの振動における構造-流体-静電界連成効果に関する研究

    情報システム

    機械学会九州支部第62期講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年03月18日   記述言語:日本語   開催地:日本 福岡市  

  • 深溝構造を持つシリコン太陽電池の提案

    情報システム専攻・電子情報工学分野

    平成21年電気学会全国大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年03月17日 - 2009年03月19日   記述言語:日本語   開催地:日本 札幌市  

  • 可動針を有する静電インクジェットノズルの提案

    情報システム

    平成21年電気学会全国大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年03月17日 - 2009年03月19日   記述言語:日本語   開催地:日本 札幌市  

  • MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究(第2報)

    情報システム専攻・機械情報工学分野

    2009年度精密工学会春季大会学術講演会 

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    開催期間: 2009年03月11日 - 2009年03月13日   記述言語:日本語   開催地:日本 東京  

  • 裏面深堀によるpn接合型シリコン近赤外線受光素子の高感度化

    情報システム専攻・電子情報工学分野

    第61回電気関係学会九州支部連合大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月24日 - 2008年09月25日   記述言語:日本語   開催地:日本 大分市  

  • フェムトリットル液滴吐出可能な静電針型インクジェットノズルの一体形成

    情報システム・電子情報工学分野

    第61回電気関係学会九州支部連合大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月24日 - 2008年09月25日   記述言語:日本語   開催地:日本 大分市  

  • MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究(第1報)-微小ピラミッド型パターンパッドの製作法-

    情報システム専攻・機械情報工学分野

    2008年度精密工学会秋季大会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年09月17日 - 2008年09月19日   記述言語:日本語   開催地:日本 仙台市  

  • イオン照射薄膜直立現象を利用して作製したVTF(Vertical Thin Film)電子源の先鋭化法の検討

    産総研吉田知也

    第68回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年09月04日 - 2007年09月08日   記述言語:日本語   開催地:日本 北海道  

  • インクジェット法を用いたカーボンナノチューブ電子源の作製

    第54回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年03月27日 - 2007年03月30日   記述言語:日本語   開催地:日本 神奈川  

  • イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源

    電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス研究会) 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年04月17日 - 2006年04月18日   記述言語:日本語   開催地:日本 福岡市  

  • Niインプリント法による非晶質SiGe薄膜の固相成長促進

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語:日本語   開催地:日本 武蔵工業大学(東京)  

  • ゲート電極付き静電型インクジェットノズルによる液滴吐出

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語:日本語   開催地:日本 武蔵工業大学(東京)  

  • 電子源設計に関する統計的考察

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語:日本語   開催地:日本 武蔵工業大学(東京)  

  • シリコン針形エミッタアレイからの放出電子エネルギー測定とその計測計の検討

    第66回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語:日本語   開催地:日本 徳島市  

  • イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製したゲート付き電子源の電子放出特性

    第66回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語:日本語   開催地:日本 徳島市  

  • インクジェット法により作製したゲート電極付きカーボンブラック電子源からの電子放出特性

    本人

    第66回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語:日本語   開催地:日本 徳島市  

  • Niインプリント法による非晶質SiGe薄膜/絶縁体の種付け固相成長

    第66回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語:日本語   開催地:日本 徳島市  

  • インクジェット法によるカーボンブラック含有インクのゲート穴への埋め込み

    本人

    第52回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語:日本語   開催地:日本 さいたま市  

  • 方形波電圧による静電インクジェット描画

    第52回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語:日本語   開催地:日本 さいたま市  

  • イオン照射による薄膜の変形現象を用いた微小電子源の作製

    第52回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語:日本語   開催地:日本 さいたま市  

  • 静電インクジェットにおける液滴吐出検出

    第52回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語:日本語   開催地:日本 さいたま市  

  • FED応用を目指した静電吐出型インクジェット・ノズルの研究

    マイクロ化総合技術センター 浅野種正

    カーボンナノチューブ-FED プロジェクト公開シンポジウム・第3回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム 

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    開催期間: 2005年03月06日 - 2005年03月07日   記述言語:日本語  

  • インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製

    本人

    電子情報通信学会技術研究報告会(電子デバイス研究会) 

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    開催期間: 2004年12月16日 - 2004年12月17日   記述言語:日本語   開催地:日本 吹田市  

  • 部分的表面自由エネルギー変化による吐出液滴の精細パターニングの可能性

    本人

    第65回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語:日本語   開催地:日本 仙台市  

  • 静電型針状Siインクジェットヘッドによる描画

    第65回応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語:日本語   開催地:日本 仙台市  

  • 有機物ナノピラーを電子源とする三極素子の破壊機構の調査

    第65回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語:日本語   開催地:日本 仙台市  

  • インクジェット法による電界電子放出源の作製

    本人

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 八王子市  

  • 低電圧パルス印加法による欠陥導入ポリイミドMIM型冷陰極のフォーミング

    本人

    第51回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 八王子市  

  • 高周波低電圧パルス印加によるナノピラー電子源からの放出電流の増加

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 八王子市  

  • マイクロ波励起プラズマ酸化によるpoly-Si/酸化膜界面ラフネスの低減

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 八王子市  

  • 陽極化成法で作製した針状Siインクジェットヘッドからの液滴静電吐出

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 八王子市  

  • ウェッジ形Siエミッタアレイからの電界放出電子のエネルギー測定の検討

    第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語:英語   開催地:日本 八王子市  

  • インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出

    本人

    電子情報通信学会技術研究会電子デバイス研究会 

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    開催期間: 2003年12月12日   記述言語:日本語   開催地:日本 東京  

  • マイクロ波プラズマで成長したSi酸化膜のゲート酸化膜への適合性

    第29回応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間: 2003年12月06日   記述言語:日本語   開催地:日本 佐世保市  

  • 一次元配置した針つきノズルからの静電誘引液体吐出

    第64回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語:日本語   開催地:日本 福岡市  

  • 有機材料より形成した炭素系針状突起群を持つ三極電子源のリーク電流の低減

    第64回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語:日本語   開催地:日本 福岡市  

  • 改質ポリイミドトンネル冷陰極からの放出電子エネルギー分布

    本人

    第64回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語:日本語   開催地:日本 福岡市  

  • 欠陥導入ポリイミドトンネル冷陰極の電子放射特性

    第50回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語:日本語   開催地:神奈川大学  

  • 自己整合プロセスで作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製

    第50回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語:日本語   開催地:神奈川大学  

  • Si表面に作製した一次元配置ノズルからの液体静電吐出

    第50回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語:日本語   開催地:神奈川大学  

  • RIEにより作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

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    開催期間: 2002年12月12日 - 2002年12月13日   記述言語:日本語   開催地:東北大学  

  • イオンビーム改質したポリイミドをトンネル絶縁層とするMIM型電子源の作製

    第63回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2002年09月24日 - 2002年09月27日   記述言語:日本語   開催地:新潟大学  

  • 有機物ナノティップ電子源アレイの三極構造化

    応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2002年03月27日 - 2002年03月30日   記述言語:日本語   開催地:東海大学  

  • 有機材料のスタンプ成形による高密度電子源ティップアレイの作製

    電子情報通信学会技術研究会(電子デバイス研究会) 

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    開催期間: 2001年12月13日 - 2001年12月14日   記述言語:日本語   開催地:東北大学  

  • 改質有機電子源チップの微細化による電子放出特性の改善

    応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語:日本語   開催地:愛知工業大学  

  • 金属微粒子混入フォトレジスト膜の電子放出特性の改善

    応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語:日本語   開催地:愛知工業大学  

  • 酸素プラズマ処理した有機材料からの電界電子放出

    応用物理学会学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語:日本語   開催地:愛知工業大学  

  • スタンプ法で作製した改質有機電子源の三極構造化

    第48回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 

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    開催期間: 2001年03月28日 - 2001年03月31日   記述言語:日本語   開催地:明治大学  

  • 絶縁体でバインドされた金属微粒子からの電界電子放出

    第48回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 

     詳細を見る

    開催期間: 2001年03月28日 - 2001年03月31日   記述言語:日本語   開催地:明治大学  

  • 絶縁体でバインドされたパラジウム微粒子膜からの電界電子放出

    電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス研究会) 

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    開催期間: 2000年12月13日 - 2000年12月14日   記述言語:日本語   開催地:東北大学  

  • スタンプ法で作製した改質有機微小電子源の三極構造化

    平成12年度応用物理学会九州支部講演会講演予稿集 

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    開催期間: 2000年12月02日 - 2000年12月03日   記述言語:日本語   開催地:熊本大学  

  • Pd微粒子膜からの電界電子放出

    第61回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2000年09月03日 - 2000年09月07日   記述言語:日本語   開催地:北海道工業大学  

  • ビーム改質有機エミッタの初期有機材料による電子放出特性の違い

    第61回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2000年09月03日 - 2000年09月07日   記述言語:日本語   開催地:北海道工業大学  

  • イオンビーム改質および熱改質ポリイミド膜の電気伝導特性

    第47回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2000年03月28日 - 2000年03月31日   記述言語:日本語   開催地:青山学院大学  

  • スタンプ法による有機材料の構造形成と電界放出型微小電子源への応用

    電子情報通信学会電子デバイス研究会 

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    開催期間: 1999年12月13日 - 1999年12月14日   記述言語:日本語   開催地:仙台  

  • スタンプ法による微小電子源の作製

    応用物理学会九州支部講演会 

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    開催期間: 1999年12月04日 - 1999年12月05日   記述言語:日本語   開催地:飯塚市  

  • イオンビーム改質したポリイミド膜の電気伝導特性

    第60回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1999年09月01日 - 1999年09月04日   記述言語:日本語   開催地:神戸  

  • スタンプ法によるポイント型フィールドエミッタアレイの作製

    第47回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1999年03月28日 - 1999年03月31日   記述言語:日本語   開催地:青山学院大学  

  • スタンプ法によるフィールドエミッターの作製

    本人

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 1999年03月28日 - 1999年03月31日   記述言語:日本語   開催地:日本 野田市  

  • イオンビーム改質したポリイミドフィルムからの電界放出

    本人

    第59回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1998年09月15日 - 1998年09月18日   記述言語:日本語   開催地:日本 広島  

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受託研究・共同研究実施実績

  • パワーデバイスおよびMEMSセンサーに関する製造プロセスの研究開発ならびに評価

    2014年04月 - 2017年03月

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    研究区分:共同研究

担当授業科目(学内)

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   集積回路作製実習

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   マイクロシステム特論MP

  • 2022年度   マイクロシステム特論CE

  • 2021年度   マイクロシステム特論

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2020年度   マイクロシステム特論

  • 2019年度   マイクロシステム特論

  • 2018年度   マイクロシステム特論

  • 2017年度   マイクロシステム特論

  • 2017年度   物理数学基礎

  • 2017年度   半導体トピックセミナー

  • 2016年度   マイクロシステム特論

  • 2016年度   物理数学基礎

  • 2016年度   半導体トピックセミナー

  • 2015年度   半導体トピックセミナー

  • 2015年度   マイクロシステム特論

  • 2015年度   物理数学基礎

  • 2014年度   物理数学基礎

  • 2014年度   マイクロシステム特論

  • 2014年度   半導体トピックセミナー

  • 2013年度   マイクロシステム特論

  • 2013年度   物理数学基礎

  • 2013年度   半導体トピックセミナー

  • 2012年度   物理数学基礎

  • 2012年度   集積回路製作演習

  • 2012年度   マイクロシステム特論

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社会貢献活動(講演会・出前講義等)

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(遠隔型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2022年03月08日 - 2022年03月11日

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(実参加型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2022年01月11日 - 2022年01月14日

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(実参加型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2021年11月09日 - 2021年11月12日

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(実参加型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2021年10月19日 - 2021年10月22日

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(遠隔型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2021年08月03日 - 2021年08月06日

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 産学連携製造中核人材育成セミナー(遠隔型)

    役割:司会, 編集長, 講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

    2021年07月27日 - 2021年07月30日

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    対象: 社会人・一般

    種別:セミナー・ワークショップ

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