記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

In the wet semiconductor process, abrasive nanoparticles are widely used in the chemical mechanical polishing (CMP) process to polish wafer surfaces for high planarization. During polishing, nanoparticles move with a high-speed three-dimensional (3D) position in the solution. In the 3D particles's moving positions, Z is a perpendicular longitudinal distance between the surface to the nanoparticle that plays a significant role in polishing, which could not be measured by general microscopy without longitudinal scanning. To understand nanoparticle phenomena near-surface, we have proposed and developed the apparatus with real-time fastmotion tracking on optical multi-wavelength evanescent fields microscopy to measure the 3D motion of the nanoparticle in water without scanning. In euspen's 2020, we could verify the relative distance ?Z of nanoparticles in water, but the absolute distance Z is unknown yet. In this manuscript, we have therefore developed an invisible nano-step height in water to verify the absolute height Z of an individual nanoparticle. The invisible nano-step height in water is made from an optical resin with a refractive index of 1.35 that is close to a refractive index of water to avoid unnecessary light during experimental verification. The nano-step height was less than 100 nm on a glass surface, fabricated using nanoimprint lithography. Polystyrene f100 nm standard particles in water were used to verify the height Z. The results of height Z of nanoparticles could be measured less than 100 nm with the measurement uncertainty ±10 nm (2s), which is related to the interferometer result of the nano-step height.

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85145608142&origin=inward

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

<p>An abrasive nanoparticle behavior in chemical mechanical polishing (CMP) process is a three-dimensional (3D) motion near a substrate or reference surface. The height position is a longitudinal distance between the reference surface and nanoparticle, which is a challenge for measuring the height position in a wet condition. Our previous report could estimate the relative height of polystyrene 100 nm particles by applying multi-wavelength evanescent fields, but the absolute height was not confirmed yet. Therefore, in this report, we proposed a design concept for absolute height verification by using the developed nano-step height patterns. The nano-step height was approximately less than hundred nanometers from the reference surface. The nano-step height made from an optical resin that has a refractive index close to water to decrease the scattering light during observing nanoparticles in water. Polystyrene 100 nm particles on the nano-step height were used to estimate the absolute height of nanoparticle. The proposed concept could be used to verify the nanoparticle's absolute height in water, which can be applied to clarify the nanoparticle phenomena during the CMP process in the near future.</p>

DOI： 10.11522/pscjspe.2021a.0_588

CiNii Research

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

<p>The nanoscale polishing phenomena between substrate surface, 105 nm-sized SiO₂ particles slurry, and polishing pad during CMP process were experimentally observed and evaluated to identify the main factors which effectively polish a 4H-SiC substrate. The nanoscale polishing phenomena were observed in-situ by our developed compact apparatus applied an optical evanescent field. The observation is able to detect the scattering light from either the nano-abrasive particles or the pad asperities when they react to the surface to being polishing. The nanoparticle motion phenomena, which two conditions (i)only nanoparticles (without pad) and (ii)nanoparticles with pad sliding, on 4H-SiC substrate were observed. According to the observed results, the observed scattering light of nanoparticle on 4H-SiC was the ellipse shape compared with the observing on SiO₂ substrate. Furthermore, we could observe the particles moved nearer and then adhered on the surface. Less particle’s Brownian motion when the particle moved nearer to the surface. In case of nanoparticle with pad sliding, we could observe only the scattering light of pad sliding because the scattering light intensity of particle is quite lower than pad. Therefore, approached nanoparticle to 4H-SiC surface phenomena might be one possible role to explain higher polishing rate CMP parameter.</p>

DOI： 10.11522/pscjspe.2021a.0_102

CiNii Research

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Malaysia   Penang   2020年03月16日  -  2020年03月18日

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Japan   Sendai   2019年10月08日  -  2019年10月10日

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

This research aims to show the advantage of using silicon nitride as a stressor in a strained germanium-on-insulator substrate (strained Ge). A Si substrate is patterned on the surface before bonding for controlling the shape and the position of strained Ge. The SiN film is deposited on Ge substrate by PE-CVD with 150 nm thick approximately. Two substrates are bonded together by surface-Activation bonding with 200°C post-Anneal. It was found that the tensile strain of 1.16% for the flat part and 2.03% for the bucking part, which is higher than other reported GOI using SiO2 layer.

DOI： 10.1109/3DIC48104.2019.9058896

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85084108727&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

<p>A silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes was studied and the influence of Compton scattering was estimated. By irradiating the target pixel with X-rays and measuring the signal from adjacent pixels, X-ray scattering and pixel blur of the proposed sensor was determined. An X-ray sensor with a length of 22.6 mm was designed and fabricated, and its modulation transfer function (MTF) was obtained. A sensor structure to improve the MTF level to that of CdTe was proposed.</p>

DOI： 10.1587/elex.15.20180177

CiNii Article

その他リンク： https://ci.nii.ac.jp/naid/130007395665

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. We proposed and demonstrated a sputter etching method to prepare both a flat surface (root-mean-square surface roughness of approximately 0.2-0.3 nm) and an ultrathin SiO2bonding layer at an accuracy of approximately 5 nm in thickness to fabricate a silicon-on-diamond substrate (SOD). We also investigated a plasma activation method on a SiO2surface using various gases. We found that O2plasma activation is more suitable for the bonding between SiO2and Si than N2or Ar plasma activation. We speculate that the concentration of hydroxyl groups on the SiO2surface was increased by O2plasma activation. We fabricated the SOD substrate with an ultrathin (15nm in thickness) SiO2bonding layer using the sputter etching and O2 plasma activation methods.

DOI： 10.7567/JJAP.57.06HJ08

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CiNii Article

その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047913328&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. In this paper, we report a direct-conversion-type X-ray sensor composed of trench-structured silicon photodiodes, which achieves a high X-ray-to-current conversion efficiency under side X-ray irradiation. The silicon X-ray sensor with a length of 22.6mm and a trench depth of 300 μm was fabricated using a single-poly single-metal 0.35μm process. X-rays with a tube voltage of 80kV were irradiated along the trench photodiode from the side of the test chip. The theoretical limit of X-ray-to-current conversion efficiency of 83.8% was achieved at a low reverse bias voltage of 25 V. The X-ray-to-electrical signal conversion efficiency of conventional indirect-conversion-type X-ray sensors is about 10%. Therefore, the developed sensor has a conversion efficiency that is about eight times higher than that of conventional sensors. It is expected that the developed X-ray sensor will be able to markedly lower the radiation dose required for X-ray diagnoses.

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FH04

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CiNii Article

その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85044467312&origin=inward

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Korea   Jeju   2017年11月06日  -  2017年11月09日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Japan   Sendai   2017年09月19日  -  2017年09月22日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

© 2017 The Japan Society of Applied Physics.To reduce the radiation dose required in medical X-ray diagnoses, we propose a high-sensitivity direct-conversion-type silicon X-ray sensor that uses trench-structured photodiodes. This sensor is advantageous in terms of its long device lifetime, noise immunity, and low power consumption because of its low bias voltage. With this sensor, it is possible to detect X-rays with almost 100% efficiency; sensitivity can therefore be improved by approximately 10 times when compared with conventional indirect-conversion-type sensors. In this study, a test chip was fabricated using a single-poly single-metal 0.35μm process. The formed trench photodiodes for the X-ray sensor were approximately 170 and 300μm deep. At a bias voltage of 25V, the absorbed X-ray-to-current signal conversion efficiencies were 89.3% (theoretical limit; 96.7%) at a trench depth of 170μm and 91.1% (theoretical limit; 94.3%) at a trench depth of 300 μm.

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CH06

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CiNii Article

その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85017187863&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2016 Elsevier LtdA novel diode with a unique trench shape is predicted by TCAD simulation to have high performance. The novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process shows a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced by half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. Thanks to the hole pockets with an electric field in the diagonal direction, the remaining hole suppresses the surge voltage with noise for high performance. In this paper, we specially focus on the analysis of phenomenon and the noise suppression mechanism during reverse recovery. The novel diode structure is a strong candidate when developing the fabrication process after silicon trench etching is established.

DOI： 10.1016/j.sse.2016.12.006

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85007414024&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2016, Springer Science+Business Media New York.This paper reports the heat dissipation ability of nanocrystalline diamond (NCD) film used as an insulator in interconnection layers. The thermal resistance is used as an evidence for evaluating particular ability. There are two points to measure, that is to say, the temperature in the active Si region and that of the nearest point at the top of the insulating film. We used a thin film Si resistor covered with NCD or silicon dioxide (SiO2) on a silicon on insulator substrate. The NCD film was deposited by microwave-plasma chemical vapor deposition at 400 °C, while the SiO2 film was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 350 °C. The thickness of the NCD film was 600 nm, while that of the SiO2 film was 300 and 500 nm. The aluminium (Al) was deposited by sputtering and patterned on the top of the insulating-film. Heat was applied to the resistor by directly applying electricity to the resistor. The temperature of the Si resistor and Al was determined from the resistance change. It was found that the thermal resistance of NCD film was approximately 14 % less than that of SiO2 film, leading to the reduction of the thin-film Si temperature by 20 °C, even though it was thicker than 100 nm.

DOI： 10.1007/s10854-016-5566-2

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84983421944&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Japan   Tsukuba   2016年09月26日  -  2016年09月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

© 2016 IEEE.The performance of a novel diode with characteristic trench shape is predicted by TCAD simulation. A novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process is proposed for a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced to a half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. The novel diode structure is a strong candidate when the simple fabrication process under development is established.

DOI： 10.1109/ISPSD.2016.7520836

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84982170348&origin=inward

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Japan   Kanazawa   2016年06月26日  -  2016年06月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Czech Republic   Prague   2016年06月12日  -  2016年06月16日

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/3DIC.2015.7334585

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担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ECTC.2015.7159590

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Copyright © 2015 Tech Science Press.In this study, a hierarchal decomposition is proposed to solve the structure- fluid-electrostatic interaction in a microelectromechanical system (MEMS). In the proposed decomposition, the structure-fluid-electrostatic interaction is partitioned into the structure-fluid interaction and the electrostatic field using the iteratively staggered method, and the structure-fluid interaction is split into the structurefluid velocity field and the fluid pressure field using the projection method. The proposed decomposition is applied to a micro cantilever beam actuated by the electrostatic force in air. It follows from the comparisons among the numerical and experimental results that the proposed method can predict the MEMS vibration characteristics accurately.

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84990191139&origin=inward

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

In this study, a hierarchal decomposition for the interaction of the structure, fluid and electrostatic field or the structure-fluid-electrostatic interaction, which is one of typical phenomena in micro-electro-mechanical system (MEMS), is proposed in order to solve it efficiently. The proposed decomposition partitions the structure-fluid-electrostatic interaction into the fluid-structure interaction (FSI) and the electrostatic field, and, moreover, splits the FSI into the velocity and fluid pressure fields. In this way, the whole interaction system is decomposed into the three fields in a hierarchal way. The proposed decomposition is implemented using a finite element method and is applied to a micro cantilever beam actuated by the electrostatic force in air. It follows from the comparison among the results for the structure-fluid-electrostatic interaction, the FSI and the experiment that the proposed method taking into account the full-interaction can predict the vibration characteristic of the MEMS accurately.

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その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938693972&origin=inward

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

日本   北九州市   2014年12月20日  -  2014年12月21日

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1299/kikaia.79.1291

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CiNii Article

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

DOI： 10.1299/jsmecmd.2013.26._2513-1_

CiNii Article

その他リンク： https://ci.nii.ac.jp/naid/110009936408

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

日本   神戸   2012年10月30日  -  2012年11月02日

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

日本   神戸   2012年10月30日  -  2012年11月02日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

日本   京都   2012年09月25日  -  2012年09月27日

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CE10

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CiNii Article

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

日本   金沢   2012年09月12日  -  2012年09月12日

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BE01

Scopus

CiNii Article

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

主要雑誌

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

主要雑誌

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Poland   Wroclaw   2008年07月13日  -  2008年07月17日

主要論文集（会議）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

札幌   2007年12月05日  -  2007年12月07日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

China   Guilin   2006年07月17日  -  2006年07月20日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

東京   2005年10月25日  -  2005年10月28日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

東京   2005年10月25日  -  2005年10月28日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

England   Oxford   2005年07月10日  -  2005年07月14日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

England   Oxford   2005年07月10日  -  2005年07月14日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2004年10月27日  -  2004年10月29日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tokyo   2004年08月25日  -  2004年08月27日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

U.S.A.   Massachusetts   2004年07月11日  -  2004年07月16日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

USA   Cambridge   2004年07月11日  -  2004年07月16日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

U.S.A.   Massachusetts   2004年07月11日  -  2004年07月16日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Fukuoka   2003年12月03日  -  2003年12月05日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Fukuoka   2003年12月03日  -  2003年12月05日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Tokyo   2003年10月29日  -  2003年10月31日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2003年07月07日  -  2003年07月11日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Osaka   2003年07月07日  -  2003年07月11日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Hiroshima   2002年12月04日  -  2002年12月06日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Tokyo   2002年11月06日  -  2002年11月08日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

Lyon, France   2002年07月07日  -  2002年07月11日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

松江   2001年10月31日  -  2001年11月02日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

松江   2001年10月31日  -  2001年11月02日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

名古屋   2001年10月16日  -  2001年10月19日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

UC Davis, California, USA   2001年08月12日  -  2001年08月16日

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

神戸   2000年11月29日  -  2000年12月01日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

東京   2000年07月11日  -  2000年07月13日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

東京   2000年07月11日  -  2000年07月13日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Sendai   1999年12月  -  1999年12月

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Yokohama   1999年07月06日  -  1999年07月08日

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Kobe   1998年12月  -  1998年12月

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

開催期間： 2016年10月24日 - 2016年10月26日   記述言語：日本語  

開催期間： 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語：日本語   開催地：日本 熊本市  

開催期間： 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語：日本語   開催地：日本 熊本市  

開催期間： 2009年11月21日 - 2009年11月22日   記述言語：日本語   開催地：日本 熊本市  

開催期間： 2009年09月28日 - 2009年09月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 飯塚市  

開催期間： 2009年03月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡市  

開催期間： 2009年03月17日 - 2009年03月19日   記述言語：日本語   開催地：日本 札幌市  

開催期間： 2009年03月17日 - 2009年03月19日   記述言語：日本語   開催地：日本 札幌市  

開催期間： 2009年03月11日 - 2009年03月13日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

開催期間： 2008年09月24日 - 2008年09月25日   記述言語：日本語   開催地：日本 大分市  

開催期間： 2008年09月24日 - 2008年09月25日   記述言語：日本語   開催地：日本 大分市  

開催期間： 2008年09月17日 - 2008年09月19日   記述言語：日本語   開催地：日本 仙台市  

開催期間： 2007年09月04日 - 2007年09月08日   記述言語：日本語   開催地：日本 北海道  

開催期間： 2007年03月27日 - 2007年03月30日   記述言語：日本語   開催地：日本 神奈川  

開催期間： 2006年04月17日 - 2006年04月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡市  

開催期間： 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 武蔵工業大学（東京）  

開催期間： 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 武蔵工業大学（東京）  

開催期間： 2006年03月22日 - 2006年03月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 武蔵工業大学（東京）  

開催期間： 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語：日本語   開催地：日本 徳島市  

開催期間： 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語：日本語   開催地：日本 徳島市  

開催期間： 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語：日本語   開催地：日本 徳島市  

開催期間： 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語：日本語   開催地：日本 徳島市  

開催期間： 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語：日本語   開催地：日本 さいたま市  

開催期間： 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語：日本語   開催地：日本 さいたま市  

開催期間： 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語：日本語   開催地：日本 さいたま市  

開催期間： 2005年03月29日 - 2005年04月01日   記述言語：日本語   開催地：日本 さいたま市  

開催期間： 2005年03月06日 - 2005年03月07日   記述言語：日本語  

開催期間： 2004年12月16日 - 2004年12月17日   記述言語：日本語   開催地：日本 吹田市  

開催期間： 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語：日本語   開催地：日本 仙台市  

開催期間： 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語：日本語   開催地：日本 仙台市  

開催期間： 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語：日本語   開催地：日本 仙台市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2004年03月28日 - 2004年03月31日   記述言語：英語   開催地：日本 八王子市  

開催期間： 2003年12月12日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

開催期間： 2003年12月06日   記述言語：日本語   開催地：日本 佐世保市  

開催期間： 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡市  

開催期間： 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡市  

開催期間： 2003年08月30日 - 2003年09月02日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡市  

開催期間： 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語：日本語   開催地：神奈川大学  

開催期間： 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語：日本語   開催地：神奈川大学  

開催期間： 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語：日本語   開催地：神奈川大学  

開催期間： 2002年12月12日 - 2002年12月13日   記述言語：日本語   開催地：東北大学  

開催期間： 2002年09月24日 - 2002年09月27日   記述言語：日本語   開催地：新潟大学  

開催期間： 2002年03月27日 - 2002年03月30日   記述言語：日本語   開催地：東海大学  

開催期間： 2001年12月13日 - 2001年12月14日   記述言語：日本語   開催地：東北大学  

開催期間： 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語：日本語   開催地：愛知工業大学  

開催期間： 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語：日本語   開催地：愛知工業大学  

開催期間： 2001年09月11日 - 2001年09月14日   記述言語：日本語   開催地：愛知工業大学  

開催期間： 2001年03月28日 - 2001年03月31日   記述言語：日本語   開催地：明治大学  

開催期間： 2001年03月28日 - 2001年03月31日   記述言語：日本語   開催地：明治大学  

開催期間： 2000年12月13日 - 2000年12月14日   記述言語：日本語   開催地：東北大学  

開催期間： 2000年12月02日 - 2000年12月03日   記述言語：日本語   開催地：熊本大学  

開催期間： 2000年09月03日 - 2000年09月07日   記述言語：日本語   開催地：北海道工業大学  

開催期間： 2000年09月03日 - 2000年09月07日   記述言語：日本語   開催地：北海道工業大学  

開催期間： 2000年03月28日 - 2000年03月31日   記述言語：日本語   開催地：青山学院大学  

開催期間： 1999年12月13日 - 1999年12月14日   記述言語：日本語   開催地：仙台  

開催期間： 1999年12月04日 - 1999年12月05日   記述言語：日本語   開催地：飯塚市  

開催期間： 1999年09月01日 - 1999年09月04日   記述言語：日本語   開催地：神戸  

開催期間： 1999年03月28日 - 1999年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本 野田市  

開催期間： 1999年03月28日 - 1999年03月31日   記述言語：日本語   開催地：青山学院大学  

開催期間： 1998年09月15日 - 1998年09月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 広島  

対象： 社会人・一般

種別：セミナー・ワークショップ