Development of a compact angle-resolved secondary ion mass spectrometer for Ar+ sputtering Reviewed

S. Kawaguchi,M. Tanemura,M. Kudo,N. Handa,N. Kinoshita,L. Miao,S. Tanemura,Y. Gotoh,M. Liao,S. Shinkai

Vacuum   80   768 - 770   2006.04

Angle Dependent Sputtering and Dimer Formation from Vanadium Nitride Target by Ar+ ion Bombaredment Reviewed

S. Kawaguchi,M. Kudo,M. Tanemura,L. Miao,S. Tanemura,Y. Gotoh,M. Liao,S. Shinkai

Adv. Mater. Res.   11-12   607 - 610   2006.04

Preparation of Single-Oriented (111)VN Film with Low-Resistivity and Its Application as Diffusion Barrier between Cu and Si Reviewed

Ken-ichi YOSHIMOTO,Fumihiro KAIYA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,and Hideto YANAGISAWA

Japanese Journal of Applied Physics   45 ( 1A )   215 - 220   2006.01

Electrical Properties of a Thin Anodized Capacitor Made of Y-Doped Al Alloy Film Reviewed

Tomotake ONOZUKA,Hayato SASAKI,NaohiroMIKUNI,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE

Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9A )   6731 - 6735   2005.09

Epitaxial condition and polarity in GaN grown on a HfN-buffered Si(111) wafer Reviewed

X. Xu,R. Armitage,Satoko Shinkai,Katsutaka Sasaki,C. Kisielowski and E. R. Weber

APPLIED PHYSICS LETTERS   86   182104 - 182104   2005.04

Development of a compact angle-resolved secondary ion mass spectrometer Reviewed

Shinichi Kawaguchi,Masaki Tanemura,Masato Kudo,Nobumasa Handa,Naokazu Kinoshita,Lei Miao,Sakae Tanemura,Yasuhito Gotoh,Meiyong Liao,Satoko Shinkai

The Eighth International Symposium on Sputtering and Plasma Processes   2005.04

Effects of Sputtering Parameters on the Formation of Single-Oriented (002) Ti Film on Si Reviewed

Kazuhiro MIREBA,Satoko SHINKAI,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 1A )   358 - 376   2005.01

Epitaxial Growth of (001)ZrN Thin Films on (001)Si by Low Temperature Process Reviewed

Hideto YANAGISAWA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE,Akira SAKAI

Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 1A )   343 - 349   2005.01

Improvement of the Crystal Orientation and Surface Roughness of Ru Thin Films by Introducing Oxygen during Sputtering Reviewed

Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Jiwang YAN and Kouki MAEKAWA

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   43 ( 1 )   277 - 280   2004.04

Difference in Thermal Degradation Behavior of ZrO2 and HfO2 Anodized Capacitors Reviewed

Masahiro KAMIJYO,Tomotake ONOZUKA,Naoto YOSHIDA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE

Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 9A )   6217 - 6220   2004.04

Epitaxial Ir Thin Film on (001)MgO Single Crystal Prepared by Sputtering Reviewed

Takeshi ISHIKAWA,Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 9A )   5747 - 5748   2003.04

Preparation of Low-Resistivity α-Ta Thin Films on (001)Si by Conventional DC Magnetron Sputtering Reviewed

Masayuki SHIOJIRI,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 7A )   4499 - 4500   2003.04

Capacitor Property and Leakage Current Mechanism of ZrO2 Thin Dielectric Films Prepared by Anodic Oxidation Reviewed

Masahiro KAMIJYO,Tomotake ONOZUKA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 7A )   4399 - 4403   2003.04

Realization of Sequential Epitaxial Growth of Cu/HfN Bilayered Films on (111) and (001)Si Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 10 )   6518 - 6522   2003.04

Influence of sputtering parameters on the formation process of single-oriented (002)Ti film on Si Reviewed

Kazuhiro MIREBA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   451 - 454   2003.04

Realization of sequential epitaxial growth of Cu/HfN bilayered films on (111) and (001)Si Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   459 - 462   2003.04

Epitaxial growth of high-quality α-Ta film on (001)Si substrate Reviewed

Masahiro KUDO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   471 - 474   2003.04

Improvement of crystal orientation and surface roughness of sputtered Ru thin films Reviewed

Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Jiwang YAN and Kouki MAEKAWA

The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   191 - 194   2003.04

Electrical Properties of HfO2 Thin Insulating Film Prepared by Anodic Oxidation Reviewed

Hideto YANAGISAWA,Masahiro KAMIJYO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE and Misao YAMANE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   41 ( 8 )   5284 - 5287   2002.04

Lattice-matched HfN Buffer Layers for Epitaxy of GaN on Si Reviewed

R. Armitage,Qing Yang,H. Feick,J. Gebauer,E. R. Weber,Satoko Shinkai,Katsutaka Sasaki

Applied Physics Letter   87 ( 8 )   1450 - 1452   2002.04

Realization of Cu (111) Single-Oriented State on SiO2 by Annealing Cu-Zr Film and the Thermal Stability of Cu-Zr/ZrN/Zr/Si Contact System Reviewed

Katsutaka SASAKI,Hidekazu MIYAKE,Satoko SHINKAI,Yoshio ABE and Hideto YANAGISAWA

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   40 ( 7 )   4661 - 4665   2001.04

Preparation of a Contact System with a Single-Oriented (111)Al Overlayer by Interposing a Thin ZrN/Zr Bilayered Barrier Applicable to Sub-0.25-μm Design Rule Reviewed

Hidekazu MIYAKE,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI,Satoko SHINKAI,Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   40 ( 6A )   4193 - 4194   2001.04

(111)Si上にエピタキシャル成長させた(111)HfN膜と(111)Cu/(111)HfN積層膜のAFM観察

新海聡子,佐々木克孝

電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2001-43   19 - 24   2001.04

Interfacial Solid-Phase Reaction in Al/HfN/Hf/Si Contact System during Postmetallization Annealing Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   39 ( 3A )   1264 - 1267   2000.04

Application of HfN/Hf Bilayered Film as a Diffusion Barrier for Cu Metallization System of Si Large-Scale Integration Reviewed

Ken-ichi YOSHIMOTO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   39 ( 4A )   1835 - 1839   2000.04

Sequential Single-Oriented Growth of (111)Cu/(111)HfN/(002)Hf Trilayered Film on (001)Si and its Thermal Stability Reviewed

Satoko SHINKAI,Ken-ichi YOSHIMOTO,Yasuhiro KITADA and Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, Vol. 39, No. 10, pp. 5995-5999 (2000)   39 ( 10 )   5995 - 5999   2000.04

(111)Si上(111)Cu/(111)HfN２層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡散バリア特性

新海聡子,佐々木克孝

電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-122   33 - 38   2000.04

薄いZrN/Zr２層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性

三宅秀和,柳沢英人,新海聡子,佐々木克孝,阿部良夫

電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-83   79 - 83   2000.04

(001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響

北田泰裕,新海聡子,柳沢英人,佐々木克孝,阿部良夫

電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-82   73 - 78   2000.04

Epitaxial Growth of HfN Film and Sequential Single-Oriented Growth of Al/HfN Bilayered Film on (001) and (111)Si Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, Vol. 38, No. 6A, pp. 3646-3650 (1999)   38 ( 6A )   3646 - 3650   1999.04

Influence of Sputtering Parameters on the Formation Process of High-Quality and Low-Resistivity HfN Thin Film Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   38 ( 4A )   2097 - 2102   1999.04

Application of Al3Hf/Hf Bilayered Film as a Diffusion Barrier to Al Metallization System of Si Large-Scale Integration Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 11 )   6146 - 6152   1998.04

Initial Silicide Formation Process of Single Oriented (002)Hf Film on Si and its Diffusion Barrier Property Reviewed

Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE and Hideto YANAGISAWA

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 4A )   2002 - 2006   1998.04

Study on Preparation Conditions of High-Quality ZrN Thin Films Using a Low-Temperature Process Reviewed

Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE,Midori KAWAMURA,Satoko SHINKAI

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 10 )   5714 - 5718   1998.04

A Study on the Preparation Conditions of Single Oriented (002)Hf Film on n-(001)Si Reviewed

Satoko SHINKAI,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 2 )   643 - 648   1998.04

Alメタライゼーション系へのAl3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用

新海聡子,佐々木克孝,阿部良夫,柳沢英人

電子情報通信学会, 技術研究報告, SDM 97-184   49 - 55   1998.04

(001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討

新海聡子,佐々木克孝

電子情報通信学会, 技術研究報告, CPM 98-118   35 - 40   1998.04

Al3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性 Reviewed

新海聡子，柳沢英人，川村みどり，阿部良夫，佐々木克孝

電子情報通信学会論文誌(C-II)   J80-C-II ( 9 )   309 - 311   1997.04

n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討

新海聡子,柳沢英人,川村みどり,阿部良夫,佐々木克孝

電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 97-56   27 - 33   1997.04

低温プロセスによる(001)Ge上における(001)TiN薄膜のエピタキシャル成長

第54回応用物理学関係連合講演会 

(111)Si上でのCu/Ru/ZrN配線膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

応用物理学会, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会 

(001)Si基板上での極薄TaN膜のエピタキシャル成長とその表面形態

応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

(111)Si上でのRu/ZrN積層膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

(001)Si上極薄エピタキシャル(001)TiN膜の電気的特性とその表面形態

応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

(001)ZrN/(001)Si上におけるCu膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

応用物理学会, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会 

(001)Si基板上における(001)TiN膜の低温エピタキシャル成長

応用物理学会, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会 

化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長

電子情報通信学会, 2005年ソサイエティ大会講演会 

低温プロセスによる(111)Si上における(111)ZrN薄膜のエピタキシャル成長

応用物理学会, 平成17年春季第52回応用物理学関係連合講演会 

Y添加したAl陽極酸化膜キャパシタの電気的特性とその熱劣化機構

応用物理学会, 平成17年春季第52回応用物理学関係連合講演会 

真空中熱処理及び基盤温度上昇に伴って発現する(100)Si上(110)α-Ta膜のエピタキシャル成長機構

第45回真空に関する連合講演会 

スパッタ法により作製した窒化ハフニウム薄膜の配向性と電子放出特性

第45回真空に関する連合講演会 

VN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定

応用物理学会, 平成16年秋季第65回応用物理学会学術講演会 

(001)Si上Ta膜の真空中アニール温度の上昇に伴うβ-Taからα-Taへの相変化

応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

HfN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定

応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

(001)Si 上における(001)ZrN膜のエピタキシャル成長とその品質評価

応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

ZrとHfによる陽極酸化膜キャパシタの熱劣化機構の違い

応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

(111)Si基板上での(110)α-Ta膜のエピタキシャル成長に及ぼす基板温度の影響

応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

Si上への(002)単配向Ti膜の実現

応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

HfN/Si上におけるCu膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

(001)Si基板上でのα-Ta(110)面のエピタキシャル成長

応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

エピタキシャル成長HfN/Si系と連続エピタキシャル成長Cu/HfN/Si系の表面形態

応用物理学会, 平成13年度秋季第62回応用物理学会学術講演会 

DCマグネトロンスパッタ法による高品質なα-Ta膜の作製

応用物理学会, 平成13年度秋季第62回応用物理学会学術講演会 

(111)Si上にエピタキシャル成長させた(111)HfN膜と(111)Cu/(111)HfN積層膜のAFM観察

本人

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

(111)Si上(111)Cu/(111)HfN２層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡散バリア特性

本人

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

連続単配向成長(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf/(001)Siコンタクト系の熱的安定性

応用物理学会, 平成12年度秋季第61回応用物理学会学術講演会 

Cuメタライゼーション系へのZrN/Zr積層膜の適用

応用物理学会, 平成12年度秋季第61回応用物理学会学術講演会 

(001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響

電子情報通信学会,電子部品・材料研究会 (CPM) 

薄いZrN/Zr２層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

(001)Si上へのAl/HfN/Hf積層膜の連続単配向成長

本人

応用物理学会, 平成11年度秋季第60回応用物理学会学術講演会 

(001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討

本人

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

高品質で低抵抗なHfN膜の形成過程に及ぼすスパッタリング因子の影響

応用物理学会, 平成10年度秋季第59回応用物理学会学術講演会 

Alメタライゼーション系へのAl3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用

本人

電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 

Hfシリサイドの初期形成過程について

本人

電子情報通信学会, 平成9年度電気関係学会北海道支部連合大会 

n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

連続交互スパッタ法で作製したAl3Hf金属間化合物膜の結晶化過程

本人

応用物理学会, 第32回応用物理学会北海道支部大会 

IKKAN

2011.08

pn接合試作実習（学外）

2011.08

pn接合試作実習（学外）

2011.03

Kyutech & NTUST students internship training

2011.03

大分県との連携事業

2010.09

MOSトランジスタ試作実習

2010.09

大分県との連携事業

2009.09

pn接合試作実習（学内）

2009.08

大分県との連携事業

2008.09

pn接合試作実習（学内）

2008.08

pn接合試作実習（学外）

2008.03

大分県との連携事業

2007.09

pn接合試作実習（学内）

2007.09

中核人材育成事業

2007.08