2022/05/25 更新

シンカイ サトコ
新海 聡子
SHINKAI Satoko
Scopus 論文情報  
総論文数: 0  総Citation: 0  h-index: 2

Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院情報工学研究院 物理情報工学研究系
職名
准教授
研究室住所
福岡県飯塚市川津680-4
外部リンク

研究キーワード

  • 酸化ガリウム

  • プロセス

  • ドライエッチング

  • ウエットエッチング

  • 窒化ガリウム

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

学内職務経歴

  • 2021年04月 - 現在   九州工業大学   大学院情報工学研究院   物理情報工学研究系     准教授

  • 2010年04月 - 2021年03月   九州工業大学   マイクロ化総合技術センター     准教授

所属学会・委員会

  • 1996年04月 - 現在   応用物理学会   日本国

  • 1996年04月 - 現在   電子情報通信学会   日本国

  • 2007年09月 - 現在   電気学会   日本国

  • 2002年04月 - 現在   日本真空学会   日本国

  • 2002年04月 - 現在   日本表面科学会   日本国

論文

  • Improvement of device isolation using field implantation for GaN MOSFETs 査読有り

    Jiang Y., Jiang Y., Wang Q., Wang Q., Zhang F., Li L., Shinkai S., Wang D., Ao J.

    Semiconductor Science and Technology   31 ( 3 )   2016年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    © 2016 IOP Publishing Ltd.Gallium nitride (GaN) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with boron field implantation isolation and mesa isolation were fabricated and characterized. The process of boron field implantation was altered and subsequently conducted after performing high-temperature ohmic annealing and gate oxide thermal treatment. Implanted regions with high resistivity were achieved. The circular MOSFET fabricated in the implanted region showed an extremely low current of 6.5 × 10-12 A under a gate voltage value up to 10 V, thus demonstrating that the parasitic MOSFET in the isolation region was eliminated by boron field implantation. The off-state drain current of the rectangular MOSFET with boron field implantation was 5.5 × 10-11 A, which was only one order of magnitude higher than the 6.6 × 10-12 A of the circular device. By contrast, the rectangular MOSFET with mesa isolation presented an off-state drain current of 3.2 × 10-9 A. The field isolation for GaN MOSFETs was achieved by using boron field implantation. The implantation did not reduce the field-effect mobility. The isolation structure of both mesa and implantation did not influence the subthreshold swing, whereas the isolation structure of only the implantation increased the subthreshold swing. The breakdown voltage of the implanted region with 5 μm spacing was up to 901.5 V.

    DOI: 10.1088/0268-1242/31/3/035019

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84959387657&origin=inward

  • Field isolation for GaN MOSFETs on AlGaN/GaN heterostructure with boron ion implantation(共著) 査読有り

    Jiang Y, Wang QP, Tamai K, Li LA, Shinkai S, Miyashita T, Motoyama SI, Wang DJ, Ao JP, Ohno Y

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   29 ( 5 )   - 055002   2014年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1088/0268-1242/29/5/055002

    Scopus

  • Dielectric Properties of Zr–Al Anodized Thin Film Capacitors Prepared Using Al-Doped Zr Alloy Films 査読有り

    Hidefumi Kimizaki, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Hideto Yanagisawa, Misao Yamane, and Yoshio Abe

    Japanese Journal of Applied Physics   49   101501   2010年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Dielectric properties of Zr-Al anodized thin film capacitors prepared using Al-doped Zr alloy films 査読有り

    Kimizaki H., Shinkai S., Sasaki K., Yanagisawa H., Yamane M., Abe Y.

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 10 )   1015011 - 1015015   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    We have examined the dielectric properties of Zr-Al anodized thin film capacitors prepared using Al-doped Zr alloy films to improve the thermal stability and capacitance density of pure-Zr anodized thin film capacitors. The Al content of the Zr-Al anodized film was varied from 0 to 24at.%. It was revealed that the capacitance densities of the Zr-Al anodized capacitors increase with increasing Al content to 17 at.%, because the tetragonal ZrO 2 phase grows and the monoclinic ZrO 2 phase disappears, although pure-Zr anodized films consist of a mixture of monoclinic and tetragonal ZrO 2 phases. In addition, it was confirmed that the thermal stability of the Zr-Al(17 at. %) anodized film is superior to that of the pure-Zr anodized film. We infer that this is due to the formation of the tetragonal ZrO 2 phase by Al doping. © 2010 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.101501

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=78650089706&origin=inward

  • Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering 査読有り

    Jin-Ping Ao, Suzuki Asato, Sawada Kouichi, Shinkai Satoko, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno

    Vacuum   84   1439 - 1443   2010年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.vacuum.2009.12.006

    Scopus

  • Loss Properties of Anodized Thin-Film Capacitors Fabricated Using Hf-Doped Nb Alloy Films 査読有り

    Tomoharu Shibata, Hidefumi Kimizaki, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Hideto Yanagisawa, Misao Yamane, and Yoshio Abe

    Japanese Journal of Applied Physics   48   085504   2009年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Crystal Orientation of Epitaxial α-Ta(110) Thin Films Grown on Si(100) and Si(111) Substrates by Sputtering 査読有り

    Masahiro Kudo, Satoko Shinkai, Hideto Yanagisawa, Katsutaka Sasaki, and Yoshio Abe

    Japanese Journal of Applied Physics   47   5608 - 5612   2008年07月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Epitaxial Growth of (0001)Ru Thin Films on (111)ZrN/(111)Si by LowTemperature Process and Their Surface Morphologies 査読有り

    Katsutaka Sasaki,Hideto Yanagisawa,Satoko Shinkai,Yoshio Abe,Junpei

    Japanese Journal of Applied Physics   47 ( 3 )   2008年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Preparation of Thin-Film Capacitor with High Reliability by Anodization of Zr-Al Alloy Film 査読有り

    Naohiro Mikuni,Tomoharu Shibata,Satoko Shinkai,Katsutaka Sasaki,Hideto Yanagisawa,Misao Yamane,and Yoshio Abe

    Japanese Journal of Applied Physics   46 ( 8A )   5249 - 5253   2007年08月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Development of a compact angle-resolved secondary ion mass spectrometer for Ar+ sputtering 査読有り

    S. Kawaguchi,M. Tanemura,M. Kudo,N. Handa,N. Kinoshita,L. Miao,S. Tanemura,Y. Gotoh,M. Liao,S. Shinkai

    Vacuum   80   768 - 770   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Angle Dependent Sputtering and Dimer Formation from Vanadium Nitride Target by Ar+ ion Bombaredment 査読有り

    S. Kawaguchi,M. Kudo,M. Tanemura,L. Miao,S. Tanemura,Y. Gotoh,M. Liao,S. Shinkai

    Adv. Mater. Res.   11-12   607 - 610   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Preparation of Single-Oriented (111)VN Film with Low-Resistivity and Its Application as Diffusion Barrier between Cu and Si 査読有り

    Ken-ichi YOSHIMOTO,Fumihiro KAIYA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,and Hideto YANAGISAWA

    Japanese Journal of Applied Physics   45 ( 1A )   215 - 220   2006年01月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Electrical Properties of a Thin Anodized Capacitor Made of Y-Doped Al Alloy Film 査読有り

    Tomotake ONOZUKA,Hayato SASAKI,NaohiroMIKUNI,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9A )   6731 - 6735   2005年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Epitaxial condition and polarity in GaN grown on a HfN-buffered Si(111) wafer 査読有り

    X. Xu,R. Armitage,Satoko Shinkai,Katsutaka Sasaki,C. Kisielowski and E. R. Weber

    APPLIED PHYSICS LETTERS   86   182104 - 182104   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Development of a compact angle-resolved secondary ion mass spectrometer 査読有り

    Shinichi Kawaguchi,Masaki Tanemura,Masato Kudo,Nobumasa Handa,Naokazu Kinoshita,Lei Miao,Sakae Tanemura,Yasuhito Gotoh,Meiyong Liao,Satoko Shinkai

    The Eighth International Symposium on Sputtering and Plasma Processes   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2005年04月  -  2005年04月

  • Effects of Sputtering Parameters on the Formation of Single-Oriented (002) Ti Film on Si 査読有り

    Kazuhiro MIREBA,Satoko SHINKAI,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 1A )   358 - 376   2005年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Epitaxial Growth of (001)ZrN Thin Films on (001)Si by Low Temperature Process 査読有り

    Hideto YANAGISAWA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE,Akira SAKAI

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 1A )   343 - 349   2005年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Improvement of the Crystal Orientation and Surface Roughness of Ru Thin Films by Introducing Oxygen during Sputtering 査読有り

    Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Jiwang YAN and Kouki MAEKAWA

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   43 ( 1 )   277 - 280   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Difference in Thermal Degradation Behavior of ZrO2 and HfO2 Anodized Capacitors 査読有り

    Masahiro KAMIJYO,Tomotake ONOZUKA,Naoto YOSHIDA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE

    Japanese Journal of Applied Physics   43 ( 9A )   6217 - 6220   2004年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Realization of Sequential Epitaxial Growth of Cu/HfN Bilayered Films on (111) and (001)Si 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 10 )   6518 - 6522   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌 代表的研究業績

  • Influence of sputtering parameters on the formation process of single-oriented (002)Ti film on Si 査読有り

    Kazuhiro MIREBA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

    The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   451 - 454   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2003年04月  -  2003年04月

  • Epitaxial growth of high-quality α-Ta film on (001)Si substrate 査読有り

    Masahiro KUDO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

    The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   471 - 474   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2003年04月  -  2003年04月

  • Realization of sequential epitaxial growth of Cu/HfN bilayered films on (111) and (001)Si 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

    The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   459 - 462   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2003年04月  -  2003年04月

  • Improvement of crystal orientation and surface roughness of sputtered Ru thin films 査読有り

    Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Jiwang YAN and Kouki MAEKAWA

    The Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Proceedings   191 - 194   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    2003年04月  -  2003年04月

  • Preparation of Low-Resistivity α-Ta Thin Films on (001)Si by Conventional DC Magnetron Sputtering 査読有り

    Masayuki SHIOJIRI,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Hideto YANAGISAWA and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 7A )   4499 - 4500   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Epitaxial Ir Thin Film on (001)MgO Single Crystal Prepared by Sputtering 査読有り

    Takeshi ISHIKAWA,Yoshio ABE,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 9A )   5747 - 5748   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Capacitor Property and Leakage Current Mechanism of ZrO2 Thin Dielectric Films Prepared by Anodic Oxidation 査読有り

    Masahiro KAMIJYO,Tomotake ONOZUKA,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Misao YAMANE and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   42 ( 7A )   4399 - 4403   2003年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Lattice-matched HfN Buffer Layers for Epitaxy of GaN on Si 査読有り

    R. Armitage,Qing Yang,H. Feick,J. Gebauer,E. R. Weber,Satoko Shinkai,Katsutaka Sasaki

    Applied Physics Letter   87 ( 8 )   1450 - 1452   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Electrical Properties of HfO2 Thin Insulating Film Prepared by Anodic Oxidation 査読有り

    Hideto YANAGISAWA,Masahiro KAMIJYO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE and Misao YAMANE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   41 ( 8 )   5284 - 5287   2002年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Preparation of a Contact System with a Single-Oriented (111)Al Overlayer by Interposing a Thin ZrN/Zr Bilayered Barrier Applicable to Sub-0.25-μm Design Rule 査読有り

    Hidekazu MIYAKE,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI,Satoko SHINKAI,Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   40 ( 6A )   4193 - 4194   2001年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • (111)Si上にエピタキシャル成長させた(111)HfN膜と(111)Cu/(111)HfN積層膜のAFM観察

    新海聡子,佐々木克孝

    電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2001-43   19 - 24   2001年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Realization of Cu (111) Single-Oriented State on SiO2 by Annealing Cu-Zr Film and the Thermal Stability of Cu-Zr/ZrN/Zr/Si Contact System 査読有り

    Katsutaka SASAKI,Hidekazu MIYAKE,Satoko SHINKAI,Yoshio ABE and Hideto YANAGISAWA

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   40 ( 7 )   4661 - 4665   2001年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Application of HfN/Hf Bilayered Film as a Diffusion Barrier for Cu Metallization System of Si Large-Scale Integration 査読有り

    Ken-ichi YOSHIMOTO,Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   39 ( 4A )   1835 - 1839   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響

    北田泰裕,新海聡子,柳沢英人,佐々木克孝,阿部良夫

    電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-82   73 - 78   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性

    三宅秀和,柳沢英人,新海聡子,佐々木克孝,阿部良夫

    電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-83   79 - 83   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • (111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡散バリア特性

    新海聡子,佐々木克孝

    電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 2000-122   33 - 38   2000年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Interfacial Solid-Phase Reaction in Al/HfN/Hf/Si Contact System during Postmetallization Annealing 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   39 ( 3A )   1264 - 1267   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Sequential Single-Oriented Growth of (111)Cu/(111)HfN/(002)Hf Trilayered Film on (001)Si and its Thermal Stability 査読有り

    Satoko SHINKAI,Ken-ichi YOSHIMOTO,Yasuhiro KITADA and Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, Vol. 39, No. 10, pp. 5995-5999 (2000)   39 ( 10 )   5995 - 5999   2000年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Influence of Sputtering Parameters on the Formation Process of High-Quality and Low-Resistivity HfN Thin Film 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   38 ( 4A )   2097 - 2102   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Epitaxial Growth of HfN Film and Sequential Single-Oriented Growth of Al/HfN Bilayered Film on (001) and (111)Si 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, Vol. 38, No. 6A, pp. 3646-3650 (1999)   38 ( 6A )   3646 - 3650   1999年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Application of Al3Hf/Hf Bilayered Film as a Diffusion Barrier to Al Metallization System of Si Large-Scale Integration 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 11 )   6146 - 6152   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Alメタライゼーション系へのAl3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用

    新海聡子,佐々木克孝,阿部良夫,柳沢英人

    電子情報通信学会, 技術研究報告, SDM 97-184   49 - 55   1998年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討

    新海聡子,佐々木克孝

    電子情報通信学会, 技術研究報告, CPM 98-118   35 - 40   1998年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • A Study on the Preparation Conditions of Single Oriented (002)Hf Film on n-(001)Si 査読有り

    Satoko SHINKAI,Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI and Yoshio ABE

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 2 )   643 - 648   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Study on Preparation Conditions of High-Quality ZrN Thin Films Using a Low-Temperature Process 査読有り

    Hideto YANAGISAWA,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE,Midori KAWAMURA,Satoko SHINKAI

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 10 )   5714 - 5718   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    主要雑誌

  • Initial Silicide Formation Process of Single Oriented (002)Hf Film on Si and its Diffusion Barrier Property 査読有り

    Satoko SHINKAI,Katsutaka SASAKI,Yoshio ABE and Hideto YANAGISAWA

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1   37 ( 4A )   2002 - 2006   1998年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • Al3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性 査読有り

    新海聡子,柳沢英人,川村みどり,阿部良夫,佐々木克孝

    電子情報通信学会論文誌(C-II)   J80-C-II ( 9 )   309 - 311   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    主要雑誌

  • n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討

    新海聡子,柳沢英人,川村みどり,阿部良夫,佐々木克孝

    電子情報通信学会, 技術研究報告 CPM 97-56   27 - 33   1997年04月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    技術研究報告

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口頭発表・ポスター発表等

  • 同時スパッタで作製したNb-Hf合金膜による陽極酸化膜キャパシタの損失特性

    応用物理学会 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2009年04月   記述言語:日本語  

  • Hfを添加したNb合金による陽極酸化膜キャパシタの損失特性

    北見工業大学,柴田智晴

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2008年09月   記述言語:日本語  

  • n-GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性

    2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価

    2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2007年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 低温プロセスによる(001)Ge上における(001)TiN薄膜のエピタキシャル成長

    第54回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Zr-Al 陽極酸化膜から作製した薄膜キャパシタのキャパシタ特性と漏れ電流機構

    未入力 

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    開催期間: 2007年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (111)Si上でのCu/Ru/ZrN配線膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

    応用物理学会, 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2006年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si上極薄エピタキシャル(001)TiN膜の電気的特性とその表面形態

    応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2006年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (111)Si上でのRu/ZrN積層膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

    応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2006年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si基板上での極薄TaN膜のエピタキシャル成長とその表面形態

    応用物理学会, 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2006年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長

    電子情報通信学会, 2005年ソサイエティ大会講演会 

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    開催期間: 2005年09月   記述言語:日本語  

  • (001)Si基板上における(001)TiN膜の低温エピタキシャル成長

    応用物理学会, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2005年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)ZrN/(001)Si上におけるCu膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

    応用物理学会, 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2005年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Y添加したAl陽極酸化膜キャパシタの電気的特性とその熱劣化機構

    応用物理学会, 平成17年春季第52回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2005年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 低温プロセスによる(111)Si上における(111)ZrN薄膜のエピタキシャル成長

    応用物理学会, 平成17年春季第52回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2005年03月   記述言語:日本語  

  • スパッタ法により作製した窒化ハフニウム薄膜の配向性と電子放出特性

    第45回真空に関する連合講演会 

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    開催期間: 2004年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 真空中熱処理及び基盤温度上昇に伴って発現する(100)Si上(110)α-Ta膜のエピタキシャル成長機構

    第45回真空に関する連合講演会 

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    開催期間: 2004年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • VN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定

    応用物理学会, 平成16年秋季第65回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2004年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si上Ta膜の真空中アニール温度の上昇に伴うβ-Taからα-Taへの相変化

    応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (111)Si基板上での(110)α-Ta膜のエピタキシャル成長に及ぼす基板温度の影響

    応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • ZrとHfによる陽極酸化膜キャパシタの熱劣化機構の違い

    応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si 上における(001)ZrN膜のエピタキシャル成長とその品質評価

    応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • HfN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定

    応用物理学会, 平成16年春季第51回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2004年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • HfN/Si上におけるCu膜の連続エピタキシャル成長とその表面形態

    応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2003年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Si上への(002)単配向Ti膜の実現

    応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2003年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si基板上でのα-Ta(110)面のエピタキシャル成長

    応用物理学会, 平成15年春季第50回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間: 2003年03月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • エピタキシャル成長HfN/Si系と連続エピタキシャル成長Cu/HfN/Si系の表面形態

    応用物理学会, 平成13年度秋季第62回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • DCマグネトロンスパッタ法による高品質なα-Ta膜の作製

    応用物理学会, 平成13年度秋季第62回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2001年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (111)Si上にエピタキシャル成長させた(111)HfN膜と(111)Cu/(111)HfN積層膜のAFM観察

    本人

    電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 2001年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡散バリア特性

    本人

    電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 2000年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Cuメタライゼーション系へのZrN/Zr積層膜の適用

    応用物理学会, 平成12年度秋季第61回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2000年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 連続単配向成長(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf/(001)Siコンタクト系の熱的安定性

    応用物理学会, 平成12年度秋季第61回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 2000年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響

    電子情報通信学会,電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 2000年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性

    電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 2000年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Si上へのAl/HfN/Hf積層膜の連続単配向成長

    本人

    応用物理学会, 平成11年度秋季第60回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1999年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討

    本人

    電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 1998年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 高品質で低抵抗なHfN膜の形成過程に及ぼすスパッタリング因子の影響

    応用物理学会, 平成10年度秋季第59回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間: 1998年09月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Alメタライゼーション系へのAl3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用

    本人

    電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 

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    開催期間: 1998年01月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • Hfシリサイドの初期形成過程について

    本人

    電子情報通信学会, 平成9年度電気関係学会北海道支部連合大会 

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    開催期間: 1997年10月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討

    電子情報通信学会, 電子部品・材料研究会 (CPM) 

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    開催期間: 1997年08月   記述言語:日本語   開催地:日本  

  • 連続交互スパッタ法で作製したAl3Hf金属間化合物膜の結晶化過程

    本人

    応用物理学会, 第32回応用物理学会北海道支部大会 

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    開催期間: 1996年11月   記述言語:日本語   開催地:日本  

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工業所有権

  • エッチング方法および半導体装置

    新海 聡子,松本 聡

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    出願番号:特願2021-174857  出願日:2021年10月28日

  • 表面処理溶液,表面処理溶液の製造方法及び表面処理方法

    新海聡子,宇崎滉太

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    出願番号:特願2018-097983  出願日:2018年05月22日

  • 半導体装置の製造方法

    新海 聡子

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    登録番号:特開2013-206991  登録日:2013年10月01日

講演

  • The Latest Trend of Semiconductors

    2022 7th International Conference on Business and Industrial Research  2022年05月  Thai-Nichi Institute of Technology (TNI) and Artificial Intelligence Association of Thailand (AIAT)

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    開催期間: 2022年05月19日 - 2022年05月20日   発表言語:英語   講演種別:基調講演   開催地:Thailand   国名:タイ王国  

    その他リンク: https://icbir.tni.ac.th/keynote/

科研費獲得実績

  • 酸化ガリウムの表面および界面処理技術の研究

    研究課題番号:22K04047  2022年04月 - 2025年03月   基盤研究(C)

  • タンタル拡散バリアの有用性探索

    研究課題番号:19760015  2007年04月 - 2009年03月   若手研究(B)

担当授業科目(学内)

  • 2021年度   半導体真空技術特論

  • 2021年度   半導体情報工学

  • 2020年度   半導体真空技術特論

  • 2020年度   集積回路製作演習

  • 2020年度   半導体情報工学

  • 2019年度   集積回路製作演習

  • 2019年度   半導体真空技術特論

  • 2019年度   半導体工学

  • 2018年度   半導体工学

  • 2018年度   半導体真空技術特論

  • 2017年度   集積回路製作演習

  • 2017年度   半導体真空技術特論

  • 2017年度   半導体工学

  • 2016年度   半導体工学

  • 2016年度   集積回路製作演習

  • 2016年度   半導体真空技術特論

  • 2015年度   集積回路製作演習

  • 2015年度   半導体工学

  • 2015年度   半導体真空技術特論

  • 2014年度   半導体工学

  • 2013年度   半導体工学

  • 2013年度   集積回路製作演習

  • 2013年度   半導体真空技術特論

  • 2012年度   半導体真空技術特論

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社会貢献活動(講演会・出前講義等)

  • MOSトランジスタ試作実習

    2011年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • IKKAN

    2011年08月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学外)

    2011年08月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学外)

    2011年03月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • Kyutech & NTUST students internship training

    2011年03月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 大分県との連携事業

    2010年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • MOSトランジスタ試作実習

    2010年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 大分県との連携事業

    2009年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学内)

    2009年08月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 大分県との連携事業

    2008年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学内)

    2008年08月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学外)

    2008年03月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 大分県との連携事業

    2007年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • pn接合試作実習(学内)

    2007年09月

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 中核人材育成事業

    2007年08月

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    種別:セミナー・ワークショップ

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