研究者詳細 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

口頭発表・ポスター発表等 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

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層間絶縁膜CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動観察

出井良和

2009年度日本機械学会九州支部第63期総会・講演会日本機械学会

CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動の観察

出井良和

２００９年度精密工学会九州支部地方講演会

開催期間： 2009年12月12日 - 2009年12月13日記述言語：日本語開催地：佐賀大学

CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動の観察を，レーザー光の照射により発生したエバネッセント光を利用して，微粒子からの散乱光を生じさせ，散乱光を観察することにより実現した．適切な画像処理を施すことで，微粒子の挙動を観察できることを確認した．その結果，粒径500 nmのダイヤモンド微粒子の挙動の観察に成功し，その挙動を確認した．

Proposal of Optical Measurement Method for 3D Single Nanoparticle Position Near a Surface

Panart Khajornrungruang

the 21th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization Clarkson University and NYSTAR

水酸化フラーレン含有加工液を用いた紫外光照射CMPに関する研究

李木宣孝

２００９年度精密工学会九州支部地方講演会

Observation role of fine particles in dielectric material CMP applying evanescent field

Panart Khajornrungruang

Center for Advanced Materials Processing's Annual Technical Meeting 2013 Clarkson University, NYSTAR

近接場光を応用した工具刃先計測の数値シミュレーションによる散乱光特性の評価

荒牧弘親, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 平佳那子

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2019年01月記述言語：日本語

<p>工具の小径化に伴い工具長の高い検出精度を持った非接触式ツールセッタが求められている．現在，一般的なものは幾何光学に基づくため精度は数μmまでである．そこで本研究では，数百nmの精度を持つ近接場光を応用した工具刃先測定手法を提案している．その際，様々な刃先形状や材質の散乱光特性を把握するために数値シミュレーションを用いている．本稿では，数値シミュレーションを用いて工具刃先からの散乱光特性を評価した．</p>

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究:第５報：標準粒子の三次元挙動観測の試み

ブラッドラーアラン, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, パームパッデーチャークンティティパッド

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2019年01月記述言語：英語

<p>The nanoparticle is popularly used for chemical mechanical polishing process (CMP) in semiconductor industry. There are many unknown phenomena in nanoparticles moving during polishing process. Therefore, we have been studying the phenomena by using optical method on 3D position tracking of nanoparticle in real-time measurement. In this report, the gold 50 nm standard particles would be observed to determine the 3D motion tracking of individual nanoparticle. According to our previous studies, the single wavelength of evanescent light field is hard to determine the 3D spatial position of each nanoparticle. Thus, the multi-wavelength of scattering light is applied in the experiment. The scattering light will occur when the particle moving near to the reference surface. Finally, the 3D position tracking results of standard nanoparticle will be investigated and discussed by the exponential relationships between the detected scattering light and the measured depth Z values.</p>

エバネッセント光を応用した超微粒子洗浄現象の実時間観察に関する研究:接触洗浄時におけるPVAブラシとナノ粒子の識別

寺山裕, 草津航平, 森田倫太朗, カチョーンルンルアンパナート, 和田雄高, 濵田聡美, 檜山浩國

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2019年01月記述言語：日本語

<p>半導体製造ではウェハ上に残留する直径100 nm以下の研磨ナノ粒子は重大な製造欠陥を引き起こすため，研磨後の表面洗浄は必要不可欠である．未だ解明されていないブラシスクラブ洗浄時表面近傍で発生するナノ粒子の付着・離脱挙動現象を，基板表面のみに局在するエバネッセント光で動的に観察した．本稿ではPVAブラシと異なった波長で蛍光するナノシリカ粒子を用いてブラシと粒子を色識別し，洗浄現象の可視化を行ったので報告する．</p>

難加工材料におけるハイブリッド研磨微粒子の最適構造に関する研究:化学的作用と機械的作用に関する考察

鈴木恵友, Bun-Athuek Natthaphon, 髙﨑寛子, 安永卓生, 吉本裕, パナートカチョーンルンルアン

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

<p>本研究ではコア微粒子上に直径4nmのナノシリカ微粒子や水酸化フラーレンを吸着により生成したハイブリット研磨微粒子を難加工研磨技術への適用を試みた．ここではコアシリカ微粒子の粒子径やナノシリカ微粒子水酸化フラーレンの吸着状態によりサファイアCMPの材料除去レートが変化した．そのためハイブリット研磨微粒子の構造を最適化することにより，化学的作用や機械的作用を独立に制御する手法を試みたので報告する．</p>

ナノ複合微粒子を用いた難加工材料の研磨微粒子に関する研究

植田颯謙, 堺航也, 吉本裕, BUN-ATHUEK NATTHAPHON, KHAJORNRUNGRUANG PANART, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

局在光を用いた窒化・酸化膜近傍における超微粒子離着現象の実時間観察に関する研究

寺山裕, 中野亜沙人, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 和田雄高, 濱田聡美

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

<p>The study on adhesion and desorption mechanism of nanoparticles near to polished wafer surface is necessary to efficiently clean the nano-particles from the wafer in semiconductor manufacturing process. This report proposes an optical method to visualize only the nano-particles moving near to Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> and SiO<sub>2</sub> film surfaces by applying an evanescent field. We generated the evanescent field locating in limited range from the film surfaces by reflecting a laser beam at an incident angle larger than critical angle. Adhesion and desorption phenomena of the polystyrene latex standard particles (50±1 nm) and the SiO<sub>2</sub> particles (55 nm) moving near to the Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> and SiO<sub>2</sub> film surfaces were observed by our developed experimental setup. Furthermore, desorption phenomenon of SiO<sub>2</sub> particles (105 nm) with the flow occurred by polyvinyl alcohol (PVA) sponge brush sliding was also demonstrated.</p>

熱転写による低屈折透明パッドの作製法に関する研究

加藤侑也, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 山口祐太, 蔡岳勳

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

Fabrication process of the pad has been developed by imprint method with special zig to control of the thickness and patter and electrode structure. Movement of the fine particle is controlled by electrical field using copper wire electrode inserted in the low refractive index – transparency polishing pad. As results, we can be observe the movement of the diamond particle between the pattern structures under the pad by electrical field using digital microscope.

超伝導援用加工法（SUAM）による研磨技術に関する研究:～遊離砥粒の適用～

田中佑季, 中島秀隆, 小野又美咲, K パナート, 小田部荘司, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

連続流体の流量精密計測の研究

武内僚佑, 高市峻佑, 村上直, 伊藤高廣, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

<p>現在，工場などで流量を管理する場合にポンプを使用しているが，装置が高価であり，長時間使用するとチューブが摩耗し，精度に影響が出てしまう．そこで本研究では，連続流体の流量を非接触で精度±2%以下で計測することを目的としている．連続流体に，レーザで光を照射しカメラで影を撮ることで流量の測定する方法を確立するための検討を行った．</p>

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究-第4報：縦分解能の検討

白川裕晃, ブラッドラーアラン, 竹元亨, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

<p>ナノスケールにおける加工現象として，ナノ粒子を用いたポリシング加工がある．ポリシング加工のナノ粒子の挙動を観察し，ナノ粒子による加工現象を解明することを目的としている．そこで本研究では，表面上近傍に局在するエバネッセント光を用いた実時間計測を行っている．表面近傍にある既知のナノ単粒子に多波長エバネッセント光を当て，その散乱強度から深さ位置を調べ，分解能について検討したので，ここに報告する．</p>

Study of Electroosmotic Micro-Flow Enhanced Abrasives Distribution in Nanoparticle Contained Slurry for Copper Chemical Mechanical Planarization

蔡岳勳, 鈴木恵友, 陳彰, Khajornrungruang Panart

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：英語

<p>Chemical mechanical planarization is one of the crucial steps for the manufacturing process of semiconductor. CMP process with good adaptability can lead to high productivity, low defect, and coping with the ever-changing materials. In CMP process, slurry plays a big role in material removal. Among the composition of slurry, the abrasive predominates in the removal rate and surface quality. Therefore, this study develops the application of water-soluble nanoparticles, such as fullerene, as abrasives for the copper CMP process. By electroosmotic phenomenon, a kind of electro kinetic force, it generates the micro-flow field for abrasive during CMP process. The increasing disturbance of flow enhances the uniformity of abrasive distribution and polishing efficiency. The electrode embedded polishing platen which causes the electroosmotic flow on polishing pad is revealed and simulated by multi-physics fields coupling software, COMSOL Multiphysics. Finally, comparing with the results of simulation and flow visualization with fluorescent powders, the optimal and reasonable design is discussed.</p>

CNPにおけるナノ復合化微粒子に関する研究

堺航也, 植田颯謙, YOSHIMOTO Hiroshi, 鈴木恵友, BUN-ATHUEK NATTHAPHON, KHAJORNRUNGRUANG PANART

日本機械学会九州支部講演論文集

CMPにおけるウェーハ・研磨パッド間スラリー流れの可視化（第4報）:コンディショニング条件の異なる研磨パッドでの比較

福田明, 関塚典明, 山本洋輝, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2018年01月記述言語：日本語

<p>本研究では，研磨メカニズムに重要な役割を果たしていると考えられるウェーハ・研磨パッド間スラリー流れの可視化を試みている．流れの相似則を利用して模擬的なスラリー流れを再現し，可視化した結果，第3報では，ウェーハ・研磨パッド間凹凸領域の循環流れについて報告した．本報では，コンディショニング条件の異なる5種類の研磨パッドについて，循環流れの数と研磨レートとの関係を調べたので，その結果を報告する．</p>

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究

白川裕晃, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

ナノスケールにおける加工現象として，ナノ粒子を用いたポリシング加工がある．本研究は，ポリシング加工のナノ粒子の挙動を観察し，ナノ粒子による加工現象を解明することを目的とする．そこで本研究では，表面上近傍に局在するエバネッセント光を用いた実時間観測を行っている．既知のナノ単粒子に多波長エバネッセント光を当て，その散乱光の強度を調べたので，ここに報告する．

近接場光による非接触式工具先端位置検出法

カチョーンルンルアンパナート, 井上智輝, 鈴木恵友

年次大会

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

<p>Non-contact tool setter for rotating micro tools has been needed because the position of tool tip during rotation is different from the position when the tool is not rotating. Furthermore, precision of tool position measurement is definitely required in nanoscale due to the miniaturization of micro rotating tool size down to smaller than 50<i>μ</i>m. An evanescent light field is applied to detect a micro tool tip position in nanoscale without contacting between micro tool and detector. In this report, micro tools with diameter of <i>φ</i> 50<i>μ</i>m were approached to and/or departed from a glass reference plane surface by a nano-controled piezo actuator to verify our detection method. Consequently, the tool tips were detected in the evanescent field during 300 nm range from the reference surface, implying that the tool tip can be detected in the precision of less than ±150 nm by only observing the scattering light from the evanescent light field without contacting.</p>

超伝導バルクを利用した磁気浮上工具による中空加工技術に関する研究

田中佑季, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 小田部荘司, 中島秀隆

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

近年，加工形状の複雑化に伴い，工具干渉の問題が顕在化している．そこで，マイスナー効果やピンニング効果などの超伝導現象を利用した磁気浮上工具が考案された．超伝導により磁石を空中で回転させることが可能なため，磁石を工具として用いれば工具干渉を低減した新加工技術に応用できると考えた．超伝導による磁石の固定力の計測結果を用いて行った研削・研磨加工の結果について報告する．

低屈折率の透明樹脂パッドを用いたCMPにおけるモニタリング技術に関する研究

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

水と同等の屈折率を有する透明な樹脂パッドを用いて、スラリー中の微粒子観察やシリコン酸化膜の膜測など、CMPにおけるモニタリング技術に関する研究を行っている。今回は低屈折率の透明樹脂パッドを用いたモニタリング技術のコンセプトと、その足がかりとなる実験データについて報告する。

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究

Khajornrungruang Panart, 白川裕晃, 鈴木恵友, 堺航也

精密工学会学術講演会講演論文集

ポリシング前後におけるスラリー中の研磨微粒子径に関する研究

永井利幸, 八尋新, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

CMPでは，複数の加工材料に対して最適なスラリーやポリシングパッドを適用させる必要がある．これらの部材を最適化するためには，材料除去メカニズムに基づき，スラリー中微粒子の種類や微粒子径，材質，薬液を選定することが重要である．そこで本研究では，サファイア，SiO2などの複数の基板に対して動的光散乱法（DLS）を用いて微粒子径の変化について評価したので報告する．

透明マイクロパターンパッドを用いた CMP 中の微粒子観察に関する研究

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

年次大会

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

<p>Transparency micro-patterned pad is used to observe fine particles by an epi-illumination microscope. The material of transparency micro-patterned pad is resin which has almost same as the refractive index of water. Therefore, it has characteristic that the micro pattern could disappear in the observation image by filling water. Epi-illumination microscope has illumination system and the detection system on the same side. In this study, we succeeded to observe the diamond particles with a diameter of 1μm on the glass substrate at 1000 frame/s in dark-field illumination. This results show that the fine particles could be observed simplicity, and also suggest the possibility that the fine particles observation on opaque substrate using the epi-illumination microscope.</p>

超伝導バルクを利用した磁気浮上工具による中空加工技術に関する研究

日高裕, 上原和晃, カチョーンルンルアンパナート, 小田部荘司, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

本研究では超電導現象である磁気浮上を利用し、金型や3Dプリンタなどの中空部品成形技術が抱える問題を解消する新規中空加工技術の確立を目指している。その概要としては、磁気浮上を利用して磁性体や超伝導体を一定間隔離して浮上させトラップし、さらに回転運動を加え回転工具とすることで被加工物を切削する技術である。本報では樹脂などを用いて本加工技術の原理検証を行ったので、その内容について報告する。

Imaging of Siver Nanoparticles and Ribbons by Evanescent Wave Scattering

Angshuman Pal

Center for Advanced Materials Processing's Annual Technical Meeting 2015 Clarkson University, NYSTAR

10106 光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッド表面形状評価法に関する研究

田尻貴寛, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 松尾尚典

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2015年03月20日記述言語：日本語

In the CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, the polishing pad is a factor which greatly affects the polishing performance, since the surface shape of contributing to the polishing pad has a very fine and complex shape, the analysis of polishing pad surface is difficult. We have analyzed the polishing pad surface shape by using the method of optical Fourier transform was devised on the basis of the diffraction phenomenon of light. In this study, by altering the incident angle of the laser beam to be irradiated to the polishing pad, we report makes it possible to clarify the difference of the polishing pad surface shape.

水酸化フラーレン混合スラリーにおける研磨微粒子の挙動観察:材料除去メカニズムに関する考察

村川渉, 鬼木喬玄, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

これまでシリカやダイヤモンドスラリーに水酸化フラーレンを混合させた場合，サファイアCMPの材料除去レートが向上することを明らかにしてきた．しかしながら水酸化フラーレンは直径1nmであることから，水酸化フラーレンの分散状態や研磨に与える影響など未解明であった．そのため本研究では動的光散乱や透明パッドによる微粒子挙動観察法を導入することにより，これの現象に関する考察を行なったので報告する．

CMP中における材料除去現象に関する研究:透明パッドによる微粒子の挙動観察

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

CMPにおける材料除去メカニズムを解明するため，透過率や屈折率を制御した専用透明パッドを作製し，高速度カメラで研磨微粒子の挙動観察を行なった．ここでは研磨圧力や相対速度，スラリー液層膜厚に対して研磨微粒子と被加工面に対する接触する場所や頻度について解析を行なった．そしてこれらの結果と材料除去レートの関係について評価することで研磨性能に対する支配因子の考察を行なったのでこれらの内容について報告する．

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究：装置の開発

Khajornrungruang Panart, Babu Suryadevara, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

本研究では半導体基板の表面（例えばポリシング）加工において加工液に含まれているナノ粒子が被加工表面に与える加工因子などを解析するため，本稿ではエバネッセント光（近接場光）を用い，加工機に搭載可能な被加工表面であるナノスケールにおける加工現象の可視化装置を開発した．本手法は被加工表面近傍である近接場光領域に侵入した個々のナノ粒子からの散乱光を追跡することにより，加工に関わる遊動粒子の挙動を可視化するものである．開発した光学系の性能評価のち粒径100nm以下のナノ粒子挙動の観察を試みたので報告する．

822 レーザビーム形状成形による光回折応用マイクロ工具測定精度の向上

城島悠, 鈴木恵友, 力チョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

826 エバネッセント光を用いたナノ微粒子観察によるポリシング加工の現象解析

今井祐太, 鈴木恵友, 力チョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

824 超伝導体を用いた磁気援用加工技術に関する研究

日高裕, 鈴木恵友, 副島一紀, カチョーンルンルアンパナート, 松田将和, 小田部荘司

日本機械学会九州支部講演論文集

823 CMP材料除去モデルに関する研究

八尋新, 永井利幸, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

Gap Measurement Between Substrate and Polishing Pad

Panart Khajornrungruang

the 19th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization Clarkson University and NYSTAR

C30 CMPにおける材料除去メカニズムの支配要因に関する研究(OS10 研磨技術(2))

永井利幸, 八尋新, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

The material removal mechanisms on the SiO_2-CMP have been studied to develop new slurries and polishing pads for the advanced ULSI devices. We focus on the chemical reacted layer at the surface of SiO_2 film because formation of the layer is effected by pH of the slurry. Relationship between the MRR (Material removal rate) and chemical reacted layer was suggested by the results of the CMP tests and SEM observations at various pH conditions from 7.5 to 12.5. The size of the SiO_2 fine particles increase as the higher pH reason because the surface of the SiO_2 fine particles might be changed during the CMP. In our report, we discuss the material removal mechanism based on the experimental result of the SEM observation on the SiO_2 fine particles.

紫外線照射による新規ナノ炭素微粒子を用いた難加工材研磨手法に関する研究

村川渉, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

難加工材料の基板形成プロセスでは研磨効率の向上は不可欠である．難加工材料の研磨技術としては現在プロズマ援用による高効率研磨技術が注目を集めているがこの場合新規に装置開発をする必要がある．本研究では研磨微粒子自体の高硬度化や化学反応性の向上を目的とし，紫外線照射により水酸化フラーレンやダイヤモンドから新規ナノ微粒子を生成することで，研磨性能の向上を試みたのでこれらの結果について報告する．

SiO<sub>2</sub>-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 福田孝佑, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

これまでのCMP材料除去メカニズムに関する研究では，スラリー中の微粒子が被研磨物表面に接触した際に凝着現象によって材料除去が発生することが報告されているものの、凝着現象についての定量的評価法が確立されておらず，凝着量と研磨量との相関性について評価を行うことができない．そこで本研究では，FE-SEMやDLSを用いた凝着量の定量的評価法の確立及び凝着量と研磨量との相関性について評価を試みたのでその内容について報告する．

C31 サファイアCMPにおける水酸化フラーレン混合微粒子に関する研究(OS10 研磨技術(2))

村川渉, 大石高史, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

Material Removal Rate of sapphire CMP using silica slurry with the fullerenol increase as the higher concentration of the fullerenol in the slurry. The surface roughness of the sapphire substrate gives the influence against the MRR of sapphire CMP. Raman spectra indicate that molecule structure did not change during CMP process. The structure of fine particle by silica particle and fullerenol in the liquid characterize using DLS method. As results, two layers fullerenol molecules are adsorbed on the silica particle. And we discuss on the fine particle with the fullerenol based on our results.

Nano-Sized Particle Identification using Evanescent Field

Panart Khajornrungruang

Center for Advanced Materials Processing's Fall Meeting 2013 Clarkson University

MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究:Niめっき金型を用いたマイクロパターンパッドの製作

磯野慎太郎, 鈴木恵友, 伊藤高廣, カチョーンルンルアンパナート, 占部正和, 木村景一, 田代康典, 鬼木喬玄

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

CMPで使用されているポリシングパッドの表面形状は，研磨能力を決定する重要な要素である．そこで，ポリシングパッド表面上に任意の形状とパターンを形成したマイクロパターンパッドを製作し，より研磨性能の優れたポリシングパッドの開発を行う．これまで，MEMS製造技術である結晶異方性ウェットエッチングを応用したSi型によりマイクロパターンパッドを製作してきた．そのSi型をマスターとしてNiめっき金型を製作し，それを用いてマイクロパターンパッドを成形し，研磨実験を行ったので報告する．

1001 マイクロバブルによるSiO2-CMPの高効率化に関する研究(生産加工・工作機械1)

長岡敦志, パナートカチョーンルンルアン, 木村景一, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

21210 Cu-CMP におけるスラリー劣化要因に関する研究(OS4-3【機械工学が支援する微細加工技術(3)】)

深川博信, 鈴木恵友, 木村景一, パナート・カチョーンルンルアン, 檜山浩國

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

In our study, degradation factors of slurry to determine the polishing performance were evaluated by analysis of the slurry parameters such as pH, ORP and conductivity after the polishing Cu-CMP process. From the experiment results, relationship between the parameters of the slurry and polishing performance were investigated. To control the slurry parameters such as pH and ORP, the slurry additive such as KOH and oxidizing agent were mixed with the slurry. In this CMP experiment, pH was adjusted by pH 12 constant during polishing. Base on these results, we discuss about relationship between material removal rate and the slurry parameters.

21211 ポリジンクパッド表面におけるドレッシングメカニズムに関する研究(OS4-3【機械工学が支援する微細加工技術(3)】)

是澤龍哉, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアン・パナート, 檜山浩國, 松尾尚典

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

In order to clarify the phenomenon and effect upon the dresser to refresh the polishing pad surface in CMP process. A single point dressing processing on the surface of the polishing pad with a diamond bite was observed by a high-speed camera. Machining scar can be seen on the edge portion of the pore on the polishing pad surface. Deformation of the polishing pad surface was also observed with a microscope

水酸化フラーレンを利用したサファイアCMP高効率研磨手法に関する研究

河北誠也, 山城天心, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

サファイアCMPプロセスは，耐薬品性，耐摩耗性に優れておりポリシングレートが低いため，長時間必要となる．これまでサファイア基板のポリシング高効率化としては，シリカスラリーに水酸化フラーレンを混合する手法が報告されている．しかしながら,ここでは加工条件について最適化されていない．そこで本研究では，ポリシングパッドの最適化により表面粗さの改善と高効率研磨を試みたので報告する.

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究(第四報)

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 田尻貴寛

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかしポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため有効な表面形状の評価法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本報告ではレーザ光入射角が散乱光強度分布に及ぼす影響を検討し，適切な角度の選定を試みた．

Study on Variable Rotation Polishing in CMP Process (1st report)

Phaisalpanumas Pipat, Keiichi Kimura, Keisuke Suzuki, Khajornrungruang Panart

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：英語

In this study, a novel Variable Rotation Polishing method would be proposed in order to increase the unsteady slurry flow in CMP process for increasing the polishing efficiency and for flowing slurry into the center of wafer sufficiently when the wafer becomes larger and also in case of saving the slurry. We developed a control unit to control platen variable rotation speed and rotation direction and rotation angle. This paper investigates the efficiency of variable rotation in CMP process. Consequently, material removals of all conditions in case of Variable Rotation Polishing were higher than only forward rotation.

SiO<sub>2</sub>-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

これまでCMP材料除去メカニズムに関する研究は，吸着挙動の解明やAFMによる凝着現象に関する評価がなされてきた．しかしながらこれらの研究はモデル実験であり現実の加工機での評価ではないため，実際の加工現象を反映しているか定かではない．そこで本研究では，小型研磨機でBPSG膜を研磨し，研磨後のSiO<sub>2</sub>微粒子上に付着する不純物の定量的解析による凝着量の評価を行ったのでその内容について報告する．

水酸化フラーレン混合スラリーによるサファイアCMPに関する研究̶材料除去メカニズムの検討̶

齊藤貴志

2012年度精密工学会全国春季大会

レーザ回折を用いたマイクロ工具形状測定法に関する研究

矢島裕一, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

デジタル電子機器などの各種デバイスの小型化，高精度化を実現するために金型加工等において工作機機器，工具の高精度化，小径化が進んでいる．小径工具の形状計測は，従来から光学的計測法が広く使用されていたが測定分解能，測定精度ともに不十分であり新しい測定方法が求められていた．本研究では，光回折を用いた微小工具形状計測法において直径数10μmの微小工具形状計測の高精度化を実現する測定手法について報告する．

1721 ウェハーポリジンクパッド間で発生する諸現象の動的観察および解析(OS1-1 機械工学が支援する微細加工技術I,OS1 機械工学が支援する微細加工技術)

木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 山根康志

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

This paper describes how to directly monitor the slurry layer thickness created between the wafer and the polishing pad during Chemical Mechanical Polishing (CMP) process We propose a new method to measure the slurry layer thickness, which is observed directly by Light-section method The measuring error of this proposed method was less than about 3|im in calibration experiments The liquid layer thickness while the polishing pad rotates also was experimentally observed Consequently, the proposed measurement method can be an effective way to directly observe the slurry layer thickness, even if the polishing pad is rotating Finally, we have been a new optical device to observe the region between the wafer and the polishing pad This device can be adjustable pressure applied to the glass substrate and rotational speed of the pad.

1722 Si0_2-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究 : SiO_2-CMPにおける研磨微粒子の吸着特性(OS1-1 機械工学が支援する微細加工技術I,OS1 機械工学が支援する微細加工技術)

田中明穂, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 高野祐一, 木村景一

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

Material removal mechanism of CMP (Chemical Mechanical Polishing) remain largely unknown because CMP material removal phenomena are influenced by a lot of polishing parameters CMP simulation method based on new model of the CMP material removal phenomena can be calculated to CMP performance without optimization of the CMP condition by human experience In order to clarify influence on adsorption between SiO_2 fine particles and SiO_2 wafer surface by KOH slurry (pH 10 5, 11 5, 12 5), we attempted dipping experiment, dropping slurry experiment and observing experiment As results of these experiments, it is indicated that adsorption of SiO_2 fine particles depend on temperature and pH of solution.

606 ポリジンクパッド表面におけるドレッシングメカニズムに関する研究(0S.3 機械要素の性能とトライボロジー2)

是澤龍哉, 木村景一, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 松尾尚典, 和田雄高, 檜山浩國, 福永明

日本機械学会九州支部講演論文集

エバネッセント光を応用した酸化膜CMPにおける研磨界面での現象解析

出井良和, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友, 迫田卓

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の凝着・その後の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。エバネッセント光を応用して研磨時の材料除去現象を観察することで、材料除去時の研磨微粒子の機能を明らかにすることを目的とする。実験より、研磨条件変更時の研磨面での微粒子の挙動を捉え、研磨条件と研磨微粒子移動速度の関係を確認した。

水酸化フラーレン混合スラリーによるサファイアCMPに関する研究

齊藤貴志, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 烏谷恵里香, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

LEDに使用されるサファイア基板には平坦性が求められ，表面仕上げ加工にCMP技術が広く用いられているが，サファイアは耐薬品性，耐摩耗性に優れているためポリシングレートが低く長時間の加工が必要となる．そこで加工時間短縮のため化学反応を活発化して，コロイダルシリカスラリーに水酸化フラーレンを混合した新たなサファイアCMP加工技術を提案している．今回はサファイアCMPにおける材料除去メカニズムの検討を行った．

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究（第二報）

櫛田高志, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が著しく低下することが問題視されている．しかし，ポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため，有効な解析手法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本稿では提案手法に基づく測定装置を試作し，その有効性を検討したので報告する．

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究(第三報)

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 田尻貴寛

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかしポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため有効な表面形状の評価法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本報告では撮像素子を大型化して測定空間波長領域を拡大したので、実験的に検証を行った．

SiO2-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMP材料除去メカニズムに関する研究は，これまでAFMスタイラスによる凝着現象の評価やアルカリ溶液の浸漬後の SiO<sub>2</sub>微粒子の吸着現象の観察により行われてきた．ここでは，ｐHの増加により吸着量の増加が確認されたが定量的でないため，研磨性能との関係については未解明である．そこで本研究では、スラリー微粒子の吸着挙動の定量的評価を行うとともに研磨性能との関係を明らかにする．

CMP用マイクロパターンパッドの開発

磯野慎太郎, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 占部正和

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPで使用されているポリシングパッドの表面形状は，研磨能力を決定する重要な要素である．そこで，ポリシングパッド表面上に任意の形状とパターンを形成したマイクロパターンパッドを製作し，研磨実験を行うことで研磨性能との関係性を明らかにする．その結果をもとに，より研磨性能の優れたマイクロパターンパッドの開発を行う．本稿では研磨に適用可能なサイズのマイクロパターンパッドを製作したので報告する．

CMPにおけるポリシング界面の摩擦およびスラリー流れの現象解析

由井隆司, 木村景一, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 有本翔太

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

現在CMPは、プレストンの経験則に従って研磨条件を設定している。CMPにおけるポリシング界面には、ウェハ‐ポリシングパッド間の摩擦、ウェハ面下のスラリー流れ、被研磨面に発生する熱など未解明な現象が多く存在している。これら現象を体系的に解析し、研磨条件を最適化する必要がある。そこで本研究では、ポリシング界面の摩擦およびスラリー流れの現象解析を行ったので報告する。

904 光回折パターンによるポリジンクパッドの表面解析法に関する研究(CMP加工1)

高橋昂, パナートカチョーンルンルアン, 木村景一, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

903 Cu CMPにおけるスラリー劣化要因に関する研究(CMP加工1)

深川博信, 鈴木恵友, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 福田明, 和田雄高, 檜山浩國, 福永明

日本機械学会九州支部講演論文集

608 Study on Variable Rotation Polishing in CMP Process

Pipat PHAISALPANUMAS, KIMURA Keiichi, SUZUKI Keisuke, Panart KHAJORNRUNGRUANG

日本機械学会九州支部講演論文集

Correlation Between Spatial Fourier Transformed Topography of Polishing Pad Surface and Its Material Removal Rate

Panart Khajornrugnruang

ICPT 2011

Effect of Fullerenol as Fine Particles in Sapphire CMP Slurry

Takashi Saito

ICPT 2011

Study on The Measurement of Slurry Layer Thickness using Laser Diode

Yasushi Yamane

ICPT 2011

Study on Behavior of Fine Particles on Polishing Surface in SiO2 CMP

Yoshikazu Idei

ICPT 2011

Study on The Material Removal Mechanism of SiO2-CMP

Akiho Tanaka

ICPT 2011

Investigation on Relationship Between Friction and Polishing Rate with In-situ Dressing

Ryuji Yui

ICPT 2011

Study on Evaluation Method for Surface Topography of Polishing Pad Based on Optical Fourier Transform

Takashi Kushida

ICPT 2011

Measurements of Slurry Film Thickness during CMP

HIronobu Fukagawa

ICPT 2011

サファイア CMP における水酸化フラーレン混合スラリーに関する研究 ̶コロイタルシリカスラリーをヘースとした研磨特性の検証

齊藤貴志

2011年度精密工学会全国秋季大会

エハネッセントを応用したSiO2 膜CMPにおける研磨微粒子の挙動に関する研究

出井良和

2011年度精密工学会全国秋季大会

光学的フーリエ変換に基ついたCMP用ホリシンクハットの表面形状評価に関する研究

櫛田高志

2011年度精密工学会全国秋季大会

摩擦力評価法によるCMP性能に関する研究

鈴木恵友

2011年砥粒加工学会学術講演会（ABTEC2011)

ポリシングパッド表面トポグラフィーの空間的FFT解析

カチョーンルンルアン　パナート

2011年砥粒加工学会学術講演会（ABTEC2011)

Performance of Water-Soluble Fullerenol as Novel Functional Fine Particles for Polishing Nanosurfaces

Keisuke Suzuki

The 16th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization (CAMP)

7. MEMS技術を応用したCMP用マイクロハターンハットの研究 ̶PEEK材を使用した耐摩耗性パットの評価

安田佳祐

2011年度精密工学会全国春季大会

FFT解析に基ついたホリシンクハットの表面形状評価とその研磨性能に関する研究

奥園貴久

2011年度精密工学会全国春季大会

K42 CMPにおけるポリシングパッドーウェハ間のスラリー層の厚さ測定法に関する研究(K4 CMPIII)

山根康志, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

K24 CMPにおけるウエハーポリシングパッド間の摩擦に関する研究(K2CMPI)

由井隆司, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

220402 エバネッセント場を用いたCMPプロセスでの研磨微粒子の挙動の観察(OS16 東京ブロック・山梨ブロック共同企画機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)2(研磨プロセス),オーガナイズド・セッション)

出井良和, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 城山順基

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

We focused on the fine particles motion being close to polishing surface in the CMP process of SiO_2 film, and then the fine particles motion was observed by evanescent field. In the case of ceria fine particles, the motion close to SiO_2 surface was observed. In the case of silica fine particles, the motion being close to SiO_2 surface was not identified. The cause was in the formation of the hydration layer on the surface by confirming the observation by use of the slurry of Wet/Dry state including the silica fine particles. Next, in the case of ceria fine particles and silica fine particles, the adhesion phenomena of fine particles to the surface were confirmed by FE-SEM observation. It is considered that the adhesion of fine particles to the polishing surface occurs in the CMP process of SiO_2 film.

光学的フーリエ変換に基づいたCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかし，ポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため，有効な解析手法は確立されていない．そこで本稿ではポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案する．さらにポリシングパッド表面形状の空間的FFT解析と比較して本手法の有効性を検討した．

サファイアCMPにおける水酸化フラーレン混合スラリーに関する研究

齊藤貴志, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 烏谷恵里香, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

LEDに使用されるサファイア基板には平坦性が求められ，表面仕上げ加工にCMP技術が広く用いられているが，サファイアは耐薬品性，耐摩耗性に優れているため長時間の加工が必要となる．そこで加工時間短縮のため，SiO2スラリーに水酸化フラーレンを研磨粒子として混合した新たなサファイアCMP加工技術を提案し，SiO2+ C60(OH)n混合スラリーの有効性を検討した．

エバネッセント光を応用したSiO<sub>2</sub>膜CMPにおける研磨微粒子の挙動に関する研究

出井良和, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。実際の研磨時の研磨微粒子の挙動を研磨面表面近傍に限定して観察し、研磨現象の把握と、研磨への微粒子の寄与を明らかにすることを目的とする。コロイダルシリカスラリー、セリアスラリーを用いて実験を行い、研磨面での微粒子の転動・滑り運動を確認した。微粒子単独での材料除去現象への作用が推察される。

MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究

安田佳祐, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 磯野慎太郎

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMP技術に使用されるポリシングパッドの表面形状はコンディショニングによりランダムで複雑であり，その表面形状が研磨に及ぼす影響は未だ解明されていない．そこでマイクロメートルオーダーの表面形状を設計したポリシングパッドを製作し，研磨を行うことで最適な表面形状を追求する．本研究では設計した表面形状を研磨中より長く保つ必要がある．そこで本報告ではPEEK材を用い，耐摩耗性の向上を図る．

K44 原子間力顕微鏡を用いたCMPの材料除去メカニズムに関する研究(K4 CMPIII)

田中明穂, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 高橋昂

日本機械学会九州支部講演論文集

K22 水酸化フラーレン混合スラリーを用いたAl203-CMPに関する研究(K2CMPI)

齊藤貴志, 木村景一, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 是澤龍哉

日本機械学会九州支部講演論文集

FFT解析に基づいたポリシングパッドの表面形状評価とその研磨性能に関する研究

奥園貴久, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 櫛田高志

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMP（Chemical Mechanical Polishing）を進行するにつれてポリシングパッドの研磨性能が低下する．そのため，コンディショニングを行う必要がある．コンディショニングを行うにあたって，コンディショニングされたポリシングパッドの表面形状とMRR（Material Removal Rate）の関係は重要である．本研究では，異なる条件でコンディショニングされたポリシングパッドの表面形状をFFT解析に基づいて評価を行い，その研磨特性を検討した．

FFTを用いた研磨パッドの表面トポグラフィー解析

カチョーンルンルアン　パナート

可視化情報学会全国講演会

CMPプロセス中のウェハ面内における温度測定およびスラリー流れの可視化

由井隆司

可視化情報学会全国講演会

SiO2系膜のCMPにおける材料除去メカニスムの研究―第1報スラリー中のSiO2微粒子の材料除去作用―

木村景一

2010年度精密工学会全国秋季大会

レーザ回折光による高速回転中の工具先端と被加工物間の距離計測

カチョーンルンルアン　パナート

2010年度精密工学会全国秋季大会

An Attempt on Conditioned Polishing Pad Surface Evaluation with FFT Analysis

Keiichi Kimura

The 15th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization (CAMP)

20305 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第四報 : スラリー中の微粒子の機能に関する研究(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)

橋山雄一, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

This paper studies fine particles in slurry on chemical mechanical polishing (CMP) process for SiO_2 layer. The material removal phenomena in CMP process is not revealed perfectly yet. Therefore, the function of fine particles in slurry acting on the wafer surface have not explained. It is said that material removal phenomena in oxide wafer CMP process was considered conventionally that fine particles in slurry are thrusted into wafer surface with polishing pad, and then scratch and remove wafer material as small fragments. However, this assumption has a lot of contradictions. In addition it is not clear that the function of fine particles in slurry acting on the wafer surface. In this study, we focused on basic function of particles in slurry. First, we attempted to observe material removal phenomena with AFM in the way that AFM stylus tip was presumed as SiO_2 particle. Next, fine particles in slurry before and after CMP were obserbed by super- dynamic light scattering spectrophotometer and transmission electron microscope (TEM).

307 MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究 : 異なる形状パターンによる研磨レートの比較(GS 生産加工I)

安田佳祐, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 田中明穂

日本機械学会九州支部講演論文集

大型の角型石英ガラス基板に対するCMPにおけるスラリー流れに関する研究

和田なぎさ, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

液晶ディスプレイパネル等に使用されるガラス材や，パターンを転写するフォトマスクとして表面を高精度に研磨された角型の石英ガラス基板が用いられる．研磨にはChemical Mechanical Polishing (CMP)が用いられるが，基板の大型化に伴いスラリー(研磨液)の非流入領域が形成される．そこで本研究では，従来と異なるスラリー供給方法でCMPを行い，スラリー流れを比較・検討したので報告する．

レーザ回折光による高速回転中の工具先端と被加工物間の距離計測

KHAJORNRUNGRUANG PANART, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

本研究はオンマシンにおける工具先端位置の精密測定を行っている．本稿では，高速回転中（160,000 min<sup>-1</sup>）の工具先端および被加工物のエッジそのものからなるエッジ間隙に，レーザ光を照射して発生した回折パターンを利用し，工具と被加工物の間距離の精密測定を検証し，測定値の不均一性は55 nm未満であった．

CMP用ポリシングパッド表面形状のFFT解析に関する研究

奥園貴久, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

コンディショニングしたポリシングパッドの表面形状と研磨性能との関係を明らかにするために，異なる条件でコンディショニングを行い，ポリシングパッド表面形状の観察と，その観察した形状データを用いて空間的FFT解析を行うことで，表面形状の評価を行ったので報告する．

CMPにおけるポリシングパッドとウェハとの動的接触に関する研究

岡本英一郎, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

半導体プロセスなどに適用されるCMP（Chemical Mechanical polishing）の材料除去メカニズムを解明するに当たって，ポリシングパッドとウェハとの接触面の観察を行った．研磨時におけるポリシングパッドとウェハとの接触状態を観察するために，両者が相対的に回転運動を行う観察装置を製作した．その装置を用いポリシングパッドとウェハとの動的接触状態を観察し，評価したので報告する．

309 層間絶縁膜CMPプロセスにおけるスラリー中の微粒子の挙動観察(GS 生産加工I)

出井良和, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

Development of Arrayed Micro Pattern on Polishing Pad Surface Applied with Anisotropic Etching

Keisuke Yasuda

ICPT 2009

Study on Slurry Flow in CMP Process for Large Quadrilateral Quartz Glass Substrate

Nagisa Wada

ICPT 2009

Evaluation Method for Surface Topography of Conditioned Polishing Pad based on Fourier Transform

Takahisa Okuzono

ICPT 2009

Study on Functionality of Fine Particles in Slurry for Oxide CMP Process

Yuuichi Hashiyama

ICPT 2009

Cu表面のCMP加工における材料除去メカニズムの研究－Cu表面膜の成長速度および物性の検証－

2007年　精密工学会九州支部　長崎地方講演会

MEMS技術を用いたCMPマイクロパターンパッドの研究－パッド表面のマイクロパターンの提案とその製作法－

2007年　精密工学会九州支部　長崎地方講演会

レーザ回折を用いたマイクロ工具オンマシン計測ユニットの試作―ユニットの測定性能の評価―

2007年度精密工学会春季大会学術講演会後援論文集

ＣＭＰプロセスにおける材料除去モデルの研究

日本機械学会関東支部第13期総会講演会講演論文集

SiC単結晶に対する紫外光照射の及ぼす影響

日本機械学会九州支部第６０期総会講演論文集

紫外光照射Cu-CMPの研究

日本機械学会九州支部第６０期総会講演論文集

ＣＭＰにおけるスラリープロー可視化に関する研究～ポリシングパッド溝パターン設計の指針～

日本機械学会九州支部第６０期総会講演論文集

ＳｉＣセラミックスの高温ＣＭＰ加工に関する基礎的研究

日本機械学会九州支部第６０期総会講演論文集

SiC単結晶の紫外光照射CMP加工の研究

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

単結晶SiC高温CMP加工の研究

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

CMPにおけるスラリーフロー可視化実験に関する研究～ポリシングパッド溝パターンの影響～

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

ArFエキシマレーザによるダイヤモンドの紫外光照射CMPの研究

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

紫外光照射CMPの研究　－紫外光照射による加工特性－

2006年度精密工学会九州支部「福岡地方講演会」論文集

光回折を用いたマイクロ工具オンマシン計測ユニットの試作（計測ユニットの基本特性）

第6回生産加工・工作機械部門講演会

Material Removal Phenomena on Cu Wafer with Ultraviolet Light Irradiation Polishing

11th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization

ＣＭＰにおけるポリシングパッド表面のモデル化の試み

日本機械学会関東支部第12期総会講演会講演論文集

ＣＭＰにおけるスラリーフロー可視化に関する研究

2006年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

マイクロ工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測法に関する研究

2006年度精密工学会春季大会学術講演会後援論文集

ＳｉＣセラミックスの超精密ＣＭＰ加工の研究―第２報高温ポリシングの特性―

2006年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

紫外光照射ＣＭＰの研究―第１報　紫外光照射による加工特性―

2006年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

ＳｉＣセラミックスの高温ＣＭＰ加工の研究

2005年度　精密工学会九州支部　鹿児島地方講演会

ＣＭＰにおけるプロセスシミュレーションの研究

2005年度精密工学会九州支部　鹿児島地方講演会講演論文集

ＣＭＰにおけるスラリーフロー可視化に関する研究

2005年度　精密工学会九州支部　鹿児島地方講演会

紫外光照射ポリシングの研究

2005年度　精密工学会九州支部　鹿児島地方講演会

レーザ回折を利用した極小径エンドミルの3次元切れ刃プロファイル計測

年次大会講演論文集 : JSME annual meeting

ＳｉＣセラミックスの超精密ＣＭＰ加工の研究-第１報　高温ポリシングの試み-

2005年度精密工学会秋季大会学術講演会論文集

極小径工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測に関する研究 : 摩耗切れ刃の検証実験

第5回生産加工・工作機械部門講演会

極小径工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測法の開発

2004年度砥粒加工学会学術講演会論文集

小径工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測法に関する研究(第2報)工具回転振れの誤差解析

2004年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

小径工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測法に関する研究（第1報）三次元切れ刃プロファイル測定装置の試作

2003年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

小径工具切れ刃プロファイルの光回折オンマシン計測に関する研究 : 光回折ゲージ法の提案

第4回生産加工・工作機械部門講演会

光回折による小径工具切れ刃断面プロファイル計測法に関する研究（第1報）ねじれ刃の精度に及ぼす影響

2002年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

光回折による小径工具切れ刃の断面プロファイル計測法に関する研究 : 理論解析と基礎実験

第3回生産加工・工作機械部門講演会

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