大村 一郎 (オオムラ イチロウ)

OMURA Ichiro

写真a

職名

教授

研究室住所

福岡県北九州市若松区ひびきの2-4

研究分野・キーワード

パワーエレクトロニクス、パワー半導体

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1985年03月   大阪大学   理学部   数学科   卒業   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1987年03月  大阪大学  理学系研究科  修士課程・博士前期課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • スイス連邦工科大学 -  博士(工学)  2001年08月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2017年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻   教授  

  • 2008年04月
    -
    2017年03月

    九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系   教授  

  • 2020年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   副理事(研究担当)  

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • パワーエレクトロニクス

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Numerical study on the suppression of 4H-SiC PiN diodes forward bias degradation due to substrate basal plane dislocations

    Satoshi Torimi, Yoshiki Obiyama, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Solid State Electronics    166   107770   2020年04月  [査読有り]

    DOI

  • Impact of Structural Parameter Scaling on On-state Voltage in 1200V Scaled IGBTs

    Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki, Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura and Toshiro Hiramoto

    JJAP      2020年04月  [査読有り]

    DOI

  • Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs

    Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, and Toshiro Hiramoto

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing      2020年02月  [査読有り]

    DOI

  • Robust Gate Driving Vectors to Load Current and Temperature Variations for Digital Gate Drivers

    Toru Sai, Koutaro Miyazaki, Hidemine Obara, Tomoyuki Mannen, Keiji Wada, Ichiro Omura, Takayasu Sakurai and Makoto Takamiya

    4th IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC 2019), Special Session      2019年11月  [査読有り]

  • Peak Minimisation based Gate Delay Compensation for Active Current Balancing of Parallel IGBT System

    Ravi Nath Tripathi, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability    101-101   113426   2019年09月  [査読有り]

    DOI

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著書 【 表示 / 非表示

  • 2020年度版 薄膜作製応用ハンドブック

    監修者 權田 俊一 ( 分担執筆 )

    (株)エヌ・ティー・エス  2020年02月 ISBN: 978-4-86043-631-5

口頭発表・ポスター発表等 【 表示 / 非表示

  • 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証

    更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内 潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤 渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林 整, 筒井一生, 岩井 洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2019年11月  -  2019年11月   

  • パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術

    管理, 渡辺和葉, 附田正則, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2019年11月  -  2019年11月   

  • パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発

    池亀恵市, 渡邉晃彦, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2019年11月  -  2019年11月   

  • 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作

    平本俊郎, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通  [招待有り]

    電子情報通信学会SDM/ICD研究会8月研究会   2019年08月  -  2019年08月   

  • 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減

    更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎  [招待有り]

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第213回研究集会 電通SDM 共催研究集会  2019年01月  -  2019年01月   

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講演 【 表示 / 非表示

  • Power Semiconductor Device Basics

    32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures Tutorial   2019年03月18日 

  • JOINT PROJECT REPORT: POWER SEMICONDUCTOR FOR SPACE APPLICATION AND CURRENT SENSOR FOR POWER ELECTRONICS

    1st International Conference on Joint research Program in Mongolia under “Higher Engineering Education Development” Project   2019年03月11日 

  • Measurement of the Electric Current Flow inside Power Modules and Chips with Tiny Sensors

    Fifth International Forum on Advanced Technologies   2019年03月08日 

  • New Collaboration Scheme in Kyutech Power Electronics Research Center

    The 6th Symposium on Applied Engineering and Sciences : SAES2018   2018年12月15日 

  • パワー半導体のデジタルゲート駆動:NEDO―PJとドライブ関連技術の報告

    NPERC-Jセミナー   2018年12月12日 

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報道関係 【 表示 / 非表示

  • 戦略デバイスとして期待高まるIGBT

    日刊工業新聞  2019年02月18日

    大村一郎

  • 研究・試験 一貫体制

    日刊工業新聞  2017年10月26日

    大村一郎

  • Si IGBTがSiCに肉迫、素子構造や駆動法の改善で

    日経エレクトロニクス  2017年09月

    大村一郎, 筒井一生

  • 世界との開発競争北九州名乗り パワー半導体 市立拠点 今秋開設、企業誘致へ

    西日本新聞  2015年03月23日

    大村一郎

  • IGBTの電流密度を2倍に新たな微細化構造で挑む

    日経エレクトロニクス  2013年02月18日

    大村一郎

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学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰「技術開発・製品化部門」

    2018年12月03日   環境省   日本国

    受賞者:  次世代パワーエレクトロニクス研究センター

  • 2018 IEEE Transactions on Power Electronics Prize Letter Award

    2018年09月   IEEE Power Electronics Society   アメリカ合衆国

    受賞者:  Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, and Ichiro Omura

科研費獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード

    基盤研究(B)

    研究期間:  2010年04月  -  2013年03月

    研究課題番号:  22360118

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2019年度  パワー半導体デバイス

  • 2019年度  電気電子計測Ⅱ

  • 2019年度  電磁気学Ⅳ

  • 2018年度  パワー半導体デバイス

  • 2018年度  電気電子計測Ⅱ

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教育活動に関する受賞・指導学生の受賞など 【 表示 / 非表示

  • 電気学会産業応用部門優秀論発表賞

    2019年03月   一般社団法人電気学会産業応用部門

 

社会貢献活動(講演会・出前講義等) 【 表示 / 非表示

  • 株式会社ケーヒン 自動車業界の今までとこれから

    2019年11月
    -
    2019年12月
  • 次世代パワーエレクトロニクス研究センター主催学内セミナ

    2019年11月
     
     
  • 特別講演会:インバータエアコン誕生からのパワエレトレンドと最新技術

    2019年07月
     
     
  • 半導体デバイスおよびワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの最新技術動向

    2019年07月
     
     
 

国際会議の開催 【 表示 / 非表示

  • 第3回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    2012年01月31日  -  2012年01月31日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学

  • 第2回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    2011年01月25日  -  2011年01月25日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学

  • 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ

    2010年01月21日  -  2010年01月21日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学