大村 一郎 (オオムラ イチロウ)

OMURA Ichiro

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職名

教授

研究室住所

福岡県北九州市若松区ひびきの2-4

研究分野・キーワード

パワーエレクトロニクス、パワー半導体

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1985年03月   大阪大学   理学部   数学科   卒業   日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1987年03月  大阪大学  理学系研究科  修士課程・博士前期課程  修了  日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • スイス連邦工科大学 -  博士(工学)  2001年08月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2017年04月
    -
    継続中

    九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻   教授  

  • 2008年04月
    -
    2017年03月

    九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系   教授  

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • パワーエレクトロニクス

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Structure-based capacitance modeling and power loss analysis for the latest high-performance slant field-plate trench MOSFET

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    Japanese Journal of Applied Physics 57      2018年03月  [査読有り]

  • Current filament monitoring under unclamped inductive switching conditions on real IGBT interconnection

    M. Tsukuda, T. Arimoto and I. Omura

    The 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2018)      2018年03月  [査読有り]

  • Power Loss Analysis of 60 V Trench Field-Plate MOSFETs utilizing Structure Based Capacitance Model for Automotive Application

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    The 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2018)      2018年03月  [査読有り]

  • スケーリングIGBTが拓くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム

    平本 俊郎, 大村 一郎

    応用物理      2017年11月  [査読有り]

  • Structure Based Compact Model for Output Capacitance of Trench Field-Plate MOSFET to Enable Power Loss Prediction

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials      2017年09月  [査読有り]

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口頭発表・ポスター発表等 【 表示 / 非表示

  • 電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案

    附田 正則

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2017年11月  -  2017年11月   

  • パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発

    田畑 勝次

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2017年11月  -  2017年11月   

  • ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用 ノイズ計測システムの構築

    岩﨑量旺

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2017年11月  -  2017年11月   

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:酸化膜形成による表面パッシベーション効果の評価

    金田寛

    第64回応用物理学会春季学術講演会  (パシフィコ横浜)  2017年03月  -  2017年03月    応用物理学会

  • 平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

    金田寛

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  2016年11月  -  2016年11月   

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講演 【 表示 / 非表示

  • 「How, What and Why:理系は生き残れるのか」

    大阪大学大学院:特別講義   2017年01月19日 

  • パワーデバイスの現状とその応用

    日本機械学会2016年度年次大会「先端技術フォーラム」   2016年07月14日 

  • 2025 年、先端パワー半導体デバイスが目指すビジョン

    NPERC-J第2回ワークショップ 「グリーンエレクトロニクスの創生を目指して」NPERC-Jが描く2025年のパワーエレクトロニク   2015年11月16日 

  • 高度電力化社会を支える次世代パワー半導体の研究

    北九州市環境エレクトロニクス研究所記念ワークショップ   2015年10月01日 

  • Power semiconductor device: Past , Present, and the Future パワー半導体の、過去、現在、将来

    プラナリゼーション研究会「CMP 技術の基礎を理解するサマーキャンプ 2015」   2015年08月22日 

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報道関係 【 表示 / 非表示

  • 「省エネ切り札」半導体

    読売新聞  2011年10月12日

    大村 一郎

  • 低炭素社会への鍵となるパワー半導体の開発

    西日本新聞  2010年10月30日

    大村 一郎

科研費獲得実績 【 表示 / 非表示

  • ダイヤモンド・パワーエレクトロニクス:革新的デバイス技術の提案と実証

    基盤研究(B)

    研究期間:  2018年04月  -  2021年03月

    研究課題番号:  18H01431

  • 新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード

    基盤研究(B)

    研究期間:  2010年04月  -  2013年03月

    研究課題番号:  22360118

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 2018年度  パワー半導体デバイス

  • 2018年度  電気電子計測Ⅱ

  • 2018年度  電磁気学Ⅳ

  • 2017年度  電気電子計測Ⅱ

  • 2017年度  電磁気学Ⅳ

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国際会議の開催 【 表示 / 非表示

  • 第3回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    2012年01月31日  -  2012年01月31日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学

  • 第2回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    2011年01月25日  -  2011年01月25日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学

  • 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ

    2010年01月21日  -  2010年01月21日  主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学