2022/07/21 更新

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オオムラ イチロウ
大村 一郎
OMURA Ichiro
Scopus 論文情報  
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院生命体工学研究科 生体機能応用工学専攻
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教授
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研究キーワード

  • パワー半導体

  • パワーエレクトロニクス

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電力工学  / パワーエレクトロニクス

出身学校

  • 1985年03月   大阪大学   理学部   数学科   卒業   日本国

出身大学院

  • 1987年03月   大阪大学   理学系研究科   修士課程・博士前期課程   修了   日本国

取得学位

  • スイス連邦工科大学  -  博士(工学)   2001年08月

学内職務経歴

  • 2017年04月 - 現在   九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻     教授

  • 2008年04月 - 2017年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     教授

  • 2020年04月 - 現在   九州工業大学     副理事(研究担当)

論文

  • Speed-Up Gate Pulse Method to Suppress Switching Loss and Surge Voltage for MOS Gate Power Device 査読有り 国際誌

    Hiroya Egashira, Hirotaka Oomori, Ichiro Omura

    The 34rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   2022年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Hybrid GaN-SiC Power Switches for Optimum Switching, Conduction and Free-Wheeling Performance 査読有り 国際誌

    Battuvshin Bayarkhuu, Ravi Nath Tripathi, Ichiro Omura, Alberto Castellazzi

    The 34rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   2022年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Dynamic Vgs-Id monitoring system for junction temperature estimation for MOS gate power semiconductors 査読有り 国際誌

    Yandagkhuu Bayarsaikhan, Ichiro Omura

    The 34rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   2022年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Study of parasitic oscillations in trench IGBT during short-circuit type II based on signal flow graph model 査読有り 国際誌

    Hiroshi Kono and Ichiro Omura

    CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2022年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Self-turn-on-free criteria for MOS gate power device and circuit 査読有り

    Takanao Nishio and Ichiro Omura

    CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2022年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Feedback Controlled IPM Inverter with Single PCB Rogowski Coil Sensor 査読有り 国際誌

    Battuvshin Bayarkhuu, Bat-Otgon Bat-Ochir and Ichiro Omura

    CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2022年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Thermal grease pump-out visualizing system for power modules using 3D digital image correlation method 査読有り 国際誌

    Issei Manzen and Ichiro Omura

    CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2022年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Direct / indirect impinging air jet cooling for power devices and application to power electronics system 査読有り 国際誌

    Shunichiro Nakata, Ichiro Omura

    CIPS 2022 - 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2022年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • A testing method for evaluating shoot-through immunity of IGBTs in an inverter 査読有り 国際誌

    K. Hasegawa, S. Abe, M. Tsukuda, I. Omura, T. Ninomiya

    Microelectronics Reliability   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114289

    DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114289

  • Determination of Abnormality of IGBT Images Using VGG16 査読有り 国際誌

    T. Ogawa, H. Lu, A. Watanabe, I. Omura and T. Kamiya

    Proc. of The 21th International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS 2021)   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: https://doi.org/10.23919/ICCAS52745.2021.9650029

    DOI: https://doi.org/10.23919/ICCAS52745.2021.9650029

  • Multipurpose Strategy for Energy Storage System Based on Capital Asset Pricing Model With Ensemble Approach 査読有り 国際誌

    Kazufumi Yuasa, Miki Ueshima, Tadatoshi Babasaki, Ichiro Omura

    IEEE Access ( IEEE )   9   106725 - 106733   2021年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2021.3101207

    DOI: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2021.3101207

  • Improved DICM with an IR camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of TO packages 査読有り 国際誌

    Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD 2021   2021年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452304

  • Benchmarking of Digital Gate Driven IGBTs: New Eoff-Vsurge Trade-off Approach 査読有り 国際誌

    Kouji Harasaki, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD 2021   2021年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452197

  • DUT Temperature Coefficient and Power Cycles to Failure 査読有り 国際誌

    Yuma Kawauchi, Kenji Akimoto, Akihiko Watanabe and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD 2021   2021年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452298

  • Altitude Dependent Failure Rate Calculation for High Power Semiconductor Devices in Aviation Electronics 査読有り 国際誌

    Srikanth Gollapudi and Ichiro Omura

    Japanese Journal of Applied Physics   2021年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.35848/1347-4065/abebc0

  • Study of parasitic oscillation of a multi-chip SiC MOSFET circuit based on a signal flow graph model by TCAD simulation 査読有り 国際誌

    Hiroshi Kono, Ichiro Omura

    Solid-State Electronics ( Elsevier )   177   2021年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.sse.2020.107884

  • Multipurpose strategy for energy storage system based on capital asset pricing model with ensemble approach 査読有り 国際誌

    Yuasa K., Ueshima M., Babasaki T., Omura I.

    Yuasa K., Ueshima M., Babasaki T., Omura I.   2021年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1109/ACCESS.2021.3101207

  • 3.3 kV back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) using manufacturable double-side process technology 査読有り 国際誌

    Saraya T., Itou K., Takakura T., Fukui M., Suzuki S., Takeuchi K., Tsukuda M., Satoh K., Matsudai T., Kakushima K., Hoshii T., Tsutsui K., Iwai H., Ogura A., Saito W., Nishizawa S., Omura I., Ohashi H., Hiramoto T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/IEDM13553.2020.9371909

  • Effect of cell size reduction on the threshold voltage of UMOSFETs 査読有り

    Baba Y., Omura I.

    Microelectronics Reliability   114   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    UMOSFET on-resistances have been dramatically improved in recent decades with the miniaturization of cell size by innovations in the fabrication process. However, with miniaturization, failure in the gate oxide, large deviations in the threshold voltage and reductions in avalanche capability have emerged as design problems for mass production. In particular, threshold voltage increase have appeared with the introduction of a trench source contact. The source contact trench and MOS gate trench are fabricated next to each other with a narrow silicon mesa region, and the voltage increase appear when the silicon mesa width becomes narrower than 80 nm. So far, it appears that the P+ layer dopant in the contact sidewall diffuses toward the gate oxide and the channel doping increases, which causes the increase in the threshold voltage Vth. We analyzed the distribution of Vth at the wafer level/shot level and found for the first time that the increase in Vth is caused by the punch-through effect from the channel depletion layer to the contact P+ layer, and thus, sidewall dopant diffusion will not affect the increase in Vth. We established an analytical model for the increase in Vth. Our model showed that for the field plate type UMOSFET with a shorter gate contact length, not only is there a increase in Vth, but also it is difficult to control Vth using the conventional channel implantation method.

    DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113747

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  • Shoot-through protection for an inverter consisting of the next-generation IGBTs with gate impedance reduction 査読有り

    Hasegawa K., Abe S., Tsukuda M., Omura I., Ninomiya T.

    Microelectronics Reliability   114   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Attention has been paid to the next-generation IGBT toward CMOS compatible wafer processes, which can be driven by a 5-V logic level due to its low threshold gate voltage. This low threshold voltage makes the so-called shoot-through fault severer. Even though the switching speed of the IGBT is intentionally reduced, the shoot-through fault can happen. This paper presents shoot-through protection for an inverter consisting of the next-generation IGBTs with gate impedance reduction. Theoretical analysis reveals the criterion of the gate impedance with taking parasitic parameters of the inverter into account.

    DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113765

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  • Identification of normal and abnormal from ultrasound images of power devices using VGG16 査読有り

    Ogawa T., Lu H., Watanabe A., Omura I., Kamiya T.

    International Conference on Control, Automation and Systems   2020-October   415 - 418   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Power devices are semiconductor devices that handle high voltages and large currents, which are used in electric vehicles, televisions, and trains. Therefore, high reliability and safety are required, and to ensure this, power cycle tests are performed to analyze the breakdown process. Conventional tests are often difficult to analyze due to the influence of sparks generated during the test. Therefore, new tests are being developed by adding ultrasound to conventional methods. The new technology is capable of continuously recording structural changes inside the device during testing, which is expected to make testing much easier than conventional testing. However, the new technology still has some challenges. The main problems are the lack of a method for analyzing large amounts of image data and the extraction of small changes in image features that are difficult to distinguish with the human eye, and the establishment of such a system is required. In this paper, we use deep learning for image classification of the obtained ultrasound images. We propose a new network model with the addition of Batch normalization and Global average pooling to VGG16, which is a pre-trained model. In the experiment, accuracy=98.29%, TPR=98.96% and FPR=7.43% classification accuracy was obtained.

    DOI: 10.23919/ICCAS50221.2020.9268275

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  • Altitude Dependent Failure Rate Calculation for High Power Semiconductor Devices in Aviation Electronics 査読有り 国際誌

    Srikanth Gollapudi, Ichiro Omura

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)   2020年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   富山(新型コロナ感染拡大に伴い、現地開催中止)   2020年09月27日  -  2020年09月30日

  • 太陽光併設蓄電システムの自家消費型長期運用戦略に関する一検討 査読有り

    湯淺一史,植嶋美喜,馬場﨑忠利,大村一郎

    電子情報通信学会論文誌 B ( 電子情報通信学会 )   J103-B ( 9 )   382 - 390   2020年09月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.14923/transcomj.2020JBP3011

  • Active Voltage Balancing for Series Connected IGBT System using Gate Delay Compensation 査読有り

    Ravi Nath Tripathi, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   725 - 726   PS-4-02   2020年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • 13kV UHV-IGBT: Feasibility Study 査読有り

    Ito A., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2020-September   50 - 53   2020年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Increasing the rated voltage of IGBTs is indispensable for realizing future energy transmission systems such as gigawatt-class UHVDC and high-power motor drives with reduced number of series connection or simplified circuit topology. The voltage of IGBTs, however, has stagnated for 20 years at 6.5kV because of several issues. In this paper, we investigated the feasibility of a 13kV ultra-high voltage IGBT with twice the breakdown voltage of conventional IGBTs using TCAD simulations. As a result, the use of a double gate structure proved to be practical under DC bus voltage of 6.6 kV and a switching frequency of 150 Hz.

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170034

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  • V-I Curve Based Condition Monitoring System for Power Devices 査読有り

    Tsukuda M., Guan L., Watanabe K., Yamaguchi H., Takao K., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2020-September   82 - 85   2020年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    According to gaining importance of power electronics systems in the society, reliability issues of power semiconductor devices are the constrains on availability of the system operations. Regular interval based maintenance for higher availability, on the other hand, increases operation cost since the lifetime of power devices have a large deviation with production lots or conditions which they are used. Condition based maintenance (CBM) of power semiconductor devices will be a promising solution for both the availability and cost of power electronics system maintenance. In this study, a high signal resolution condition monitoring system board has been demonstrated. The system monitors real time V-I curve for both switching device and diode with case temperature and the data is stored on board memory and can be monitored on-line. The board was mounted on the gate driver board being supplied power from the gate driver board and demonstrated on a commercial 60kVA inverter.

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170059

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  • Dynamic Current Balancing of Parallel Connected IGBT Devices using PCB Sensors for Integration in Power Modules 査読有り 国際誌

    Ravi Nath Tripathi; Masanori Tsukuda; Ichiro Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Simultaneous Imaging of Strain and Temperature using Single IR Camera 査読有り 国際誌

    Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe and Ichiro Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • IGBT current filamentation observation by segmented collector sensing under UIS condition 査読有り 国際誌

    Seiya Matsuura, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • EMI Imaging System Using Double-pulse-compose-method 査読有り 国際誌

    K. Matsuo, M. Tsukuda and I. Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Digital Gate Drive Control Method for Active Voltage Balancing of Series-connected IGBT Devices 査読有り 国際誌

    R. N. Tripathi, T. Arimoto, M. Tsukuda and I. Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Detecting Three-Phase Power Inverter Output Currents By A Single PCB Current Sensor 査読有り 国際誌

    B. Bat-Ochir, B. Bayarkhuu, M. Tsukuda, B. Dugarjav and I. Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) ( VDE )   2020年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Mechanism Clarification of Switching Loss and Surge Voltage / Current Reduction with Active Gate Drive for System Reliability Improvement 査読有り 国際誌

    Seiya Abe, Yusuke Tokita, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Journal of the Institute of Industrial Applications Engineers ( IIAE )   8 ( 2 )   50 - 55   2020年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.12792/jiiae.8.50

  • Impact of Structural Parameter Scaling on On-state Voltage in 1200V Scaled IGBTs 査読有り

    Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki, Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura and Toshiro Hiramoto

    JJAP   2020年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab7414

  • Numerical study on the suppression of 4H-SiC PiN diodes forward bias degradation due to substrate basal plane dislocations 査読有り

    Satoshi Torimi, Yoshiki Obiyama, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Solid State Electronics   166   107770   2020年04月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.sse.2020.107770

  • Stop-and-Go Gate Drive Minimizing Test Cost to Find Optimum Gate Driving Vectors in Digital Gate Drivers 査読有り

    Sai T., Miyazaki K., Obara H., Mannen T., Wada K., Omura I., Sakurai T., Takamiya M.

    Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC   2020-March   3096 - 3101   2020年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    An active gate driving is effective to solve the trade-off between the switching loss and the current/voltage overshoot of power transistors. The test cost in the conventional digital gate drivers with four variables, however, is high, because more than 2000 measurements are required to find an optimum gate driving vector out of 64 (~1.7 x 10 ) combinations [1]. To minimize the test cost, a stop-and-go gate drive with only one variable is proposed. The switching loss and the current/voltage overshoot in turn-on/off state of IGBT of the conventional gate drive [1] and the proposed stop-and-go gate drive are measured by using a 6-bit programmable digital gate driver IC across nine conditions including different load currents (20 A, 50 A, and 80 A) and temperatures (25 °C, 75 °C, and 125 °C), and they are compared. The performance degradation of the switching loss and the current/voltage overshoot in the proposed stop-and-go gate drive over the conventional gate drive with four variables [1] is less than 8 % and 25 % across the nine conditions in turn-on/off state respectively. 4 7

    DOI: 10.1109/APEC39645.2020.9124356

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85087753832&origin=inward

  • Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読有り

    Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, and Toshiro Hiramoto

    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   2020年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1109/TSM.2020.2972369

  • Detecting three-phase power inverter output currents by a single PCB current sensor 査読有り

    Bat-Ochir B.O., Bayarkhuu B., Tsukuda M., Dugarjav B., Omura I.

    CIPS 2020 - 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   106 - 109   2020年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Measuring the current of a power conversion system is imperative. So, we have developed a new method of measuring a three-phase inverter’s currents of all loads with a single current sensor. We successfully tested this method on a computer simulation and an experimental setup. Which showed that the method can be integrated into power inverters. We proposed an inexpensive analog circuit suitable for capturing current information from a tiny PCB Rogowski coil. It measures the current of the power inverter’s DC supply line and resynthesizes all load currents separately. This way it will reduce the size and cost of a power conversion system’s current measuring devices.

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  • IGBT current filamentation observation by segmented collector sensing under UIS condition 査読有り

    Matsuura S., Tsukuda M., Omura I.

    CIPS 2020 - 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   559 - 564   2020年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Current filamentation during the avalanche period of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) has been investigated using various approaches including TCAD simulations and temperature distribution measurements, since the phenomena can be an origin of chip current capability lowering with the parasitic thyristor latching-up due to the strongly localized current. This paper reports, for the first time, the current filamentation is directly measured as collector currents of segmented metallization areas of an IGBT chip. The experimental results show that the filament moves across the segmented areas with couple of micro second as the transition time and the transitions are not identical for the repeated tests even the circuit condition is the same.

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  • Dynamic current balancing of parallel connected IGBT devices using PCB sensor for integration in power modules 査読有り

    Tripathi R.N., Tsukuda M., Omura I.

    CIPS 2020 - 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   101 - 105   2020年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Dynamic current balancing is a crucial factor for parallel connected devices. It has to be considered as a prominent issue concerning the high reliability and lifetime of the power module as well as the power electronic converter system. This paper presents, dynamic current balancing among the parallel-connected discrete IGBT devices using a tiny PCB sensor that can be integrated inside a power module for system miniaturization. The output of the tiny PCB sensor is used for current peak detection to perform gate delay compensation through feedback control. Moreover, the currents are also measured using Pearson current probe for authentication of measurement and system performance using PCB sensors.

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  • Digital gate drive control method for active voltage balancing of series-connected IGBT devices 査読有り

    Tripathi R.N., Arimoto T., Tsukuda M., Omura I.

    CIPS 2020 - 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   269 - 273   2020年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    High voltage power generation and conversion are essential considering reduced system losses, consequently, lead to better power system efficiency. Series-connected power devices are used to address and satisfy the high voltage requirement of the system. However, unbalanced voltage stress distribution among the series-connected power devices is a vital concern considering the ageing of the devices, safe-operating-area (SOA) and system reliability. This paper presents, a digital gate drive control (DGDC) method for voltage balancing of series-connected IGBT devices. The proposed method dynamically controls the gate voltage to optimize the overshoot voltage as well as the voltage-stress distribution. The DGDC method is implemented for a three series-connected IGBT system to authenticate the performance.

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  • Robust Gate Driving Vectors to Load Current and Temperature Variations for Digital Gate Drivers 査読有り

    Toru Sai, Koutaro Miyazaki, Hidemine Obara, Tomoyuki Mannen, Keiji Wada, Ichiro Omura, Takayasu Sakurai and Makoto Takamiya

    4th IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC 2019), Special Session   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Examination of correction method of long-term solar radiation forecasts of numerical weather prediction 査読有り

    Ueshima M., Babasaki T., Yuasa K., Omura I.

    8th International Conference on Renewable Energy Research and Applications, ICRERA 2019   113 - 117   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    To optimize operation plans for storage batteries with solar power systems, it is necessary to predict solar radiation for up to one week with high accuracy. However, it is known that the further a prediction system forecasts into the future, the lower the prediction accuracy. In this paper, we report on the results of testing a method for correcting the solar radiation prediction value statistically from a numerical weather prediction model by using the tendency of past error occurrence for predicting seven days ahead.

    DOI: 10.1109/ICRERA47325.2019.8997070

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  • Power energy cost reduction effects by applying optimized long-term storage battery operation strategy 査読有り

    Yuasa K., Omura I., Ueshima M., Babasaki T.

    8th International Conference on Renewable Energy Research and Applications, ICRERA 2019   107 - 112   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    In this paper, we propose an optimized storage battery operation strategy by considering the long-term variability of the net load with photovoltaics. We derive the power energy cost reduction effects from the proposed strategy that was applied by numerical analysis. From the numerical analysis results, we report that the strategy is more advantageous than conventional strategies.

    DOI: 10.1109/ICRERA47325.2019.8996953

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  • Optimized Storage Battery Operation Strategy by Considering Long-term Variabilitty of a Net Load with Photovoltaics 査読有り

    Yuasa K., Ueshima M., Babasaki T., Omura I.

    2019 IEEE 4th International Future Energy Electronics Conference, IFEEC 2019   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    In this paper, we propose an optimized storage battery operation strategy by considering the long-term variability of net loads with photovoltaics. We derive the power energy cost reduction effects in the case of applying the proposed strategy under storage parity conditions by numerical analysis. From the results, we report that the proposed strategy is more advantageous than conventional methods.

    DOI: 10.1109/IFEEC47410.2019.9014973

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  • Switching of 3300v scaled igbt by 5v gate drive 査読有り

    Hiramoto T., Satoh K., Matsudai T., Saito W., Kakushima K., Hoshii T., Furukawa K., Watanabe M., Shigyo N., Wakabayashi H., Tsutsui K., Sarava T., Iwai H., Ogura A., Nishizawa S., Omura I., Ohash H., Itou K., Takakura T., Fukui M., Suzuki S., Takeuchi K., Tsukuda M., Numasawa Y.

    Proceedings of International Conference on ASIC   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    In this work, the switching of 3300V IGBTs by 5V gate drive voltage has been successfully demonstrated for the first time. IGBT was designed based on a scaling principle. Comparing with conventional 15V-driven non-scaled IGBTs, the tum-off tail current of the scaled devices significantly decreased. The improvement of E-{\mathrm{off}} vs V-{\mathrm{cesat}} relationship by 35% was achieved.

    DOI: 10.1109/ASICON47005.2019.8983633

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  • Peak Minimisation based Gate Delay Compensation for Active Current Balancing of Parallel IGBT System 査読有り

    Ravi Nath Tripathi, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   101-101   113426   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113426

  • Infrared image correlation for thermal stress analysis of power devices 査読有り

    Akihiko Watanabe, Yoshiki Masuda and Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   101-101   113414   2019年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113414

  • Development of fast short-circuit protection system for advanced IGBT 査読有り

    M. Ichiki, T. Arimoto, S. Abe, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   101-101   113408   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113408

  • Convolutional neural network (CNNs) based image diagnosis for failure analysis of power devices 査読有り

    Akihiko Watanabe, Naoto Hirose, Hyoungseop Kim and Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   101-101   113399   2019年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.113399

  • Calculation of single event burnout failure rate for high voltage devices under satellite orbit without fitting parameters 査読有り

    Sudo, M. Nagamatsu, T. Tsukuda, M. Omura, I.

    Microelectronics Reliability   101-101   113396   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2019.07.001

  • Evaluation of Carrier Recombination Lifetime in Silicon Epitaxial Layer by Open Circuit Voltage Decay Method 査読有り

    S. Sasaki, N. Mitsugi, S. Samata, W. Manabe, M. Tsukuda, H. Y.-Kaneta, I. Omura

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   2019年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Numerical Study of 4H-SiC PiN Diode to Enable Forward Bias Degradation Prediction Considering BPD-TED Conversion Position in the SiC Epitaxial Wafer 査読有り

    Satoshi Torimi, Yoshiki Obiyama, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Active Voltage Balancing for Series Connected IGBT System using Gate Delay Control 査読有り

    Ravi Nath Tripathi, Kouji Harasaki, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials   2019年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Load current and temperature dependent optimization of active gate driving vectors 査読有り

    Sai T., Miyazaki K., Obara H., Mannen T., Wada K., Omura I., Takamiya M., Sakurai T.

    2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2019   3292 - 3297   2019年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    A load current and temperature dependent optimization of the active gate driving waveforms is proposed to always solve the trade-off between the switching loss and the current/voltage overshoot of power transistors under load current and temperature variations. The switching loss and the current/voltage overshoot in turn-on/off state of IGBT using optimized gate driving vectors obtained by an automatic optimization are measured by using a 6-bit programmable digital gate driver IC across nine conditions including different load currents (20 A, 50 A, and 80 A) and temperatures (25 °C, 75 °C, and 125 °C). They are compared with those with conventional single-step gate driving waveforms using an object function as a function of the normalized loss and overshoot. When the optimized gate driving vector at a typical operation point of (50 A, 25 °C) is reused in other eight conditions, the object functions at eight conditions are better or worse than those of the conventional single-step driving. In contrast, when the gate driving vector is optimized at each condition, the object functions at all eight conditions are better than those of the conventional single-step driving in both turn-on and turn-off states, which clarifies the necessity of the proposed optimization. To implement the proposed optimization, a lookup table based active gate controller, which provides a preset optimum driving vector depending on the load current and the temperature, will be effective.

    DOI: 10.1109/ECCE.2019.8913103

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  • Output-Current Measurement of a PWM Inverter with a Tiny PCB Rogowski Sensor Integrated into an IGBT Module 査読有り

    Hasegawa K., Sho S., Tsukuda M., Omura I., Ichiki M., Kato T.

    2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2019   5707 - 5711   2019年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Inverters used in motor-drive and grid-connected applications usually employ current sensors at the output terminal because they have to control the output current. Existing current sensors like the Hall sensor and the current transformer are a constraint to reduce the volume and cost of the inverter. This paper proposes an output-current measurement method of a PWM inverter using a tiny PCB sensor that is based on the so-called Rogowski coil and can be integrated into an IGBT module. The method utilizes the switching current of the low-side switch for reproducing the output current, which allows using the PCB sensor because the switching current consists of high-frequency components. The method uses a single PCB sensor per leg and takes the polarity of the output current into account. Experimental results using a half-bridge sinusoidal PWM inverter verify that the proposed method measures the output current including its fundamental frequency component, switching ripple one, and polarity.

    DOI: 10.1109/ECCE.2019.8912662

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  • 3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage 査読有り

    T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, and T. Hiramoto

    The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2019年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757626

  • A Condition-Monitoring Method of DC-Link Capacitors Used in a High-Power Three-Phase PWM Inverter with an Evaluation Circuit 査読有り

    K. Hasegawa, S. Nishizawa, and I. Omura

    IEEJ Journal of Industry Applications   8 ( 3 )   480 - 487   2019年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1541/ieejjia.8.480

  • Mutual inductance influence to switching speed and TDR measurements for separating self- and mutual inductances in the package 査読有り

    H. Iida, K. Hasegawa, I. Omura

    The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   503 - 506   2019年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757658

  • Analog Basis, Low-Cost Inverter Output Current Sensing with Tiny PCB Coil Implemented inside IPM 査読有り

    Battuvshin Bayarkhuu, Bat-Otgon Bat-Ochir, Kazunori Hasegawa, Masanori Tsukuda, Bayasgalan Dugarjav, Ichiro Omura

    The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   251 - 254   2019年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757580

  • Self-Turn-on-Free 5V Gate Driving for 1200V Scaled IGBT 査読有り

    Tsukuda Masanori, Sudo Masaki, Hasegawa Kazunori, Abe Seiya, Saraya Takuya, Takakura Toshihiko, Fukui Munetoshi, Itou Kazuo, Suzuki Shinichi, Takeuchi Kiyoshi, Ninomiya Tamotsu, Hiramoto Toshiro, Omura Ichiro

    The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)   339 - 342   2019年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757665

  • Gate Waveform Optimization in Emergency Turn-Off of IGBT Using Digital Gate Driver 査読有り

    Miyazaki K., Wada K., Omura I., Takamiya M., Sakurai T.

    ICPE 2019 - ECCE Asia - 10th International Conference on Power Electronics - ECCE Asia   3292 - 3296   2019年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    IGBTs need to be immediately turned off when a short circuit occurs [1]. This paper discusses the optimized gate control in this emergency turn-off process. The optimized gate waveform minimizes the energy loss, hence the heat generation, while keeping the maximum collector-emitter voltage overshoot within a certain allowable value. The optimized waveform is found by theoretical analysis and is verified by measurements for the first time. Analytical expressions are derived for the optimized control, which explains well the experimental results. The optimized gate waveform is realized only by a digital gate driver (DGD)whose output drivability is programmable over 64 strength levels. The DGD decreases the energy loss by 22 % compared with the conventional resistor gate driver [2]-[4].

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  • Stop-and-Go Gate Drive Minimizing Test Cost to Find Optimum Gate Driving Vectors in Digital Gate Drivers 査読有り 国際誌

    Toru Sai, Koutaro Miyazaki, Hidemine Obara, Tomoyuki Mannen, Keiji Wada, Ichiro Omura, Takayasu Sakurai and Makoto Takamiya

    IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)   2019年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Load Current and Temperature Dependent Optimization of Active Gate Driving Vectors 査読有り 国際誌

    Toru Sai, Koutaro Miyazaki, Hidemine Obara, Tomoyuki Mannen, Keiji Wada, Ichiro Omura, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai

    The Eleventh Annual Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE)   2019年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Vertical Bipolar Transistor Test Structure for Measuring Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読有り

    K. Takeuchi, M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, Y. Numasawa, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, I. Muneta, H. Wakabayashi, M. Tsukuda, A. Ogura, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura6, H. Ohashi, and T. Hiramoto

    ICMTS2019(32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)   2019年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ICMTS.2019.8730922

  • Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss 査読有り

    Saraya T., Itou K., Takakura T., Fukui M., Suzuki S., Takeuchi K., Tsukuda M., Numasawa Y., Satoh K., Matsudai T., Saito W., Kakushima K., Hoshii T., Furukawa K., Watanabe M., Shigyo N., Tsutsui K., Iwai H., Ogura A., Nishizawa S., Omura I., Ohashi H., Hiramoto T.

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   2018-December   8.4.1 - 8.4.4   2019年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Functional trench-gated 1200V-10A class Si-IGBTs, designed based on a three dimensional (3D) scaling concept, were fabricated, and 5V gate voltage switching operation has been demonstrated for the first time. 33% reduction of turn-off loss and 100mV improvement of on-state voltage were achieved, while keeping 1.2kV forward blocking voltage.

    DOI: 10.1109/IEDM.2018.8614491

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  • Application-specific micro Rogowski coil for power modules -Design tool, novel coil pattern and demonstration- 査読有り

    Koga M., Tsukuda M., Nakashima K., Omura I.

    CIPS 2016 - 9th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2019年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We developed a printed circuit board “Rogowski coil” to improve the reliability of power modules and packages. For the design, we used a new tool for sensitivity and adopted a fishbone coil pattern to realize design sensitivity. The developed coil demonstrates flat sensitivity that is as good as that of commercialized current probes/sensors because the proposed coil pattern successfully cancels noise from an outside current with flat signal sensitivity by an inside current.

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  • Optimal double sided gate control of IGBT for lower turn-off loss and surge voltage suppression 査読有り

    Harada S., Tsukuda M., Omura I.

    CIPS 2016 - 9th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2019年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    The current density of power semiconductor devices continues to increase and, carrier injection has been enhanced by several methods even though turn-off loss tends to be increased. In order to address this problem, we propose a double sided gate IGBT and optimal gate control method for lower turn-off loss. TCAD simulation numerically shows that the proposed IGBT successfully decreases turn-off loss. Furthermore, the turn-off loss is further decreased with optimal control of the double sided gate without surge voltage increase. In addition, we consider the effects of stray inductance on the performance of double sided gate IGBT.

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  • Magnetic flux signal simulation with 16-channel sensor array to specify accurate IGBT current distribution 査読有り

    Tsukuda M., Matsuo K., Tomonaga H., Okoda S., Noda R., Tashiro K., Omura I.

    CIPS 2016 - 9th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2019年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Current crowding of IGBT and power diodes in a chip or among chips is a barrier to the realization of highly-reliable power modules and power electronics systems. Current crowding occurs because of stray inductance imbalance, difference of chip characteristics and temperature imbalance among chips. Although current crowding among IGBT or power diode chips has been analyzed by numerical simulation, no sensor with sufficiently high special resolution and fast measurement time has yet been developed. Therefore, we developed a 16-channel sensor array and demonstrated IGBT current distribution imaging. By using the developed simulation method for the sensor array, the accuracy of the magnetic flux signals was confirmed. In future work, we will apply the simulation method to specify the IGBT current distribution corresponding to the structure of bonding wire and other wiring.

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  • Calorimetric Power-Loss Measurement of a High-Power Film Capacitor with Actual Ripple Current Generated by a PWM Inverter 査読有り 国際誌

    Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura

    ECCE2018 (IEEE ENERGY CONVERSION CONGRESS & EXPO)   2018年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ECCE.2018.8557709

  • Envelop Tracking Based Embedded Current Measurement for Monitoring of IGBT and Power Converter System 査読有り 国際誌

    Bat-Otgon Bat-Ochir, Battuvshin Bayarkhuu, Kazunori Hasegawa, Masanori Tsukuda, Bayasgalan Dugarjav, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   ( 89-90 )   500 - 504   2018年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2018.06.028

  • A fully digital feedback control of gate driver for current balancing of parallel connected power devices 査読有り 国際誌

    R.N. Tripathi, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 89-90 )   505 - 509   2018年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2018.06.030

  • Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena 査読有り 国際誌

    M. Tsukuda, S. Abe, K. Hasegawa, T. Ninomiya, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 89-90 )   482 - 485   2018年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2018.06.026

  • A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices 査読有り 国際誌

    A. Watanabe, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 89-90 )   458 - 461   2018年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2018.06.071

  • ESR and capacitance monitoring of a dc-link capacitor used in a three-phase PWM inverter with a front-end diode rectifier 査読有り 国際誌

    K. Hasegawa, S. Nishizawa, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 89-90 )   433 - 437   2018年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2018.07.023

  • Current Imbalance Monitoring in SiC-MOSFET under Unclamped Inductive Switching by Tiny PCB Rogowski Coil 査読有り 国際誌

    Takaaki Arimoto, Masanori Tsukuda, Seiya Matsuura, Ichiro Omura

    14th International Seminar on Power Semiconductors   2018年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Czech   Prague   2018年08月29日  -  2018年08月31日

  • An Evaluation Circuit for DC-Link Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter with Condition Monitoring 査読有り

    Hasegawa, K., Omura,I., Nishizawa, S.

    2018 International Power Electronics Conference, IPEC-Niigata - ECCE Asia 2018   1938 - 1942   2018年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    日本   新潟  

    DOI: 10.23919/IPEC.2018.8507885

  • Structure-based capacitance modeling and power loss analysis for the latest high-performance slant field-plate trench MOSFET 査読有り

    Kobayashi K., Sudo M., Omura I.

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Field-plate trench MOSFETs (FP-MOSFETs), with the features of ultralow on-resistance and very low gate-drain charge, are currently the mainstream of high-performance applications and their advancement is continuing as low-voltage silicon power devices. However, owing to their structure, their output capacitance (C ), which leads to main power loss, remains to be a problem, especially in megahertz switching. In this study, we propose a structure-based capacitance model of FP-MOSFETs for calculating power loss easily under various conditions. Appropriate equations were modeled for C curves as three divided components. Output charge (Q ) and stored energy (E ) that were calculated using the model corresponded well to technology computer-aided design (TCAD) simulation, and we validated the accuracy of the model quantitatively. In the power loss analysis of FP-MOSFETs, turn-off loss was sufficiently suppressed, however, mainly Q loss increased depending on switching frequency. This analysis reveals that Q may become a significant issue in next-generation high-efficiency FP-MOSFETs. oss oss oss oss oss oss

    DOI: 10.7567/JJAP.57.04FR14

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85044467697&origin=inward

  • Structure-based capacitance modeling and power loss analysis for the latest high-performance slant field-plate trench MOSFET 査読有り

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    Japanese Journal of Applied Physics 57   2018年03月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Current filament monitoring under unclamped inductive switching conditions on real IGBT interconnection 査読有り

    M. Tsukuda, T. Arimoto and I. Omura

    The 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2018)   2018年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Power Loss Analysis of 60 V Trench Field-Plate MOSFETs utilizing Structure Based Capacitance Model for Automotive Application 査読有り

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    The 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2018)   2018年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Current filament monitoring under unclamped inductive switching conditions on real IGBT interconnection 査読有り

    Tsukuda M., Arimoto T., Omura I.

    CIPS 2018 - 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   430 - 434   2018年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Destruction under unclamped inductive switching is typical, catastrophic destruction phenomena. We used our original printed circuit board Rogowski sensor and monitored current filaments in IGBT under unclamped inductive switching conditions at emitter pads of IGBT devices. The current filament varied a little by switching condition. Even with the same switching condition, the current varied a little from sample to sample. Temperature and photoemission monitoring was sufficient to analyse a major current filament under unclamped inductive switching condition from the standpoint of time resolution. The spatial resolution of current monitoring should be improved to monitor minor phenomena of current filaments.

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85080581925&origin=inward

  • Power loss analysis of 60 V trench field-Plate MOSFETs utilizing structure based capacitance model for automotive application 査読有り

    Kobayashi K., Sudo M., Omura I.

    CIPS 2018 - 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   122 - 127   2018年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We propose a structure based capacitance model for output capacitance (Coss) and reverse transfer capacitance (Crss) in 60-V class source-field-plate (SFP) and gate-field-plate (GFP) MOSFETs. C-V curves obtained by the model showed good agreement with TCAD simulation. Output charge (Qoss), stored energy (Eoss) and turn-off waveforms also could be calculated very well. In assumption of 30 V, 70 A and 20 to 200 kHz switching operation, power losses related to the FP-MOSFET’s features were estimated by utilizing the model. Moreover, we compared advantages of both FP-MOSFETs for several use conditions.

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85085735535&origin=inward

  • スケーリングIGBTが拓くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム 査読有り

    平本 俊郎, 大村 一郎

    応用物理   2017年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Structure Based Compact Model for Output Capacitance of Trench Field-Plate MOSFET to Enable Power Loss Prediction 査読有り

    Kenya Kobayashi, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Temperature Distribution Imaging inside Power Devices by Real-Time Simulation 査読有り

    A. Watanabe, R. Nagao, I. Omura

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Clamp type built-in current sensor using PCB in high-voltage power modules 査読有り

    M. Tsukuda, K. Nakashima, S. Tabata, K. Hasegawa, I. Omura

    Microelectronics Reliability   66-67   517 - 521   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Real-time imaging of temperature distribution inside a power device under a power cycling test 査読有り

    A. Watanabe, R. Nagao, I. Omura

    Microelectronics Reliability   66-67   490 - 494   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications 査読有り

    S. Abe, K. Hasegawa, M. Tsukuda, K. Wada, I. Omura, T. Ninomiya

    Microelectronics Reliability   66-67   465 - 469   2017年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low V<inf>ce(sat)</inf> 査読有り

    Tsutsui K., Kakushima K., Hoshii T., Nakajima A., Nishizawa S., Wakabayashi H., Muneta I., Sato K., Matsudai T., Saito W., Saraya T., Itou K., Fukui M., Suzuki S., Kobayashi M., Takakura T., Hiramoto T., Ogura A., Numasawa Y., Omura I., Ohashi H., Iwai H.

    Proceedings of International Conference on ASIC   2017-October   1137 - 1140   2017年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Three dimensionally (3D) scaled IGBTs that have a scaling factor of 3 (k=3) with respect to current commercial products (k=1) were fabricated for the first time. The scaling was applied to the lateral and vertical dimensions as well as the gate voltage. A significant decrease in ON resistance, - V reduction from 1.70 to 1.26 V - was experimentally confirmed for the 3D scaled IGBTs. ce(sat)

    DOI: 10.1109/ASICON.2017.8252681

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  • General-Purpose Clocked Gate Driver IC With Programmable 63-Level Drivability to Optimize Overshoot and Energy Loss in Switching by a Simulated Annealing Algorithm 査読有り

    K. Miyazaki, S. Abe, M. Tsukuda, I. Omura, K. Wada, M. Takamiya, and T. Sakurai

    IEEE Transactions on Industry Applications   53 ( 3 )   2350 - 2357   2017年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Formulation of Single Event Burnout Failure Rate for High Voltage Devices in Satellite Electrical Power System 査読有り

    Yuji Shiba, Erdenebaatar Dashdondog, Masaki Sudo, Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD 2017   2017年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Current Distribution Based Power Module Screening by New Normal/Abnormal Classification Method, with Image Processing 査読有り

    Masanori Tsukuda, Daisuke Yuki, Hiroki Tomonaga, Hyoungseop Kim, Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD 2017   2017年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • New Power Module Integrating Output Current Measurement Function 査読有り

    S. Tabata, K. Hasegawa, M. Tsukuda, I. Omura

    Proc. of ISPSD 2017   2017年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • An Evaluation Circuit for DC-Link Capacitors used in a Single-Phase PWM Inverter 査読有り

    Kazunori Hasegawa, Ichiro Omura, Shin-ichi Nishizawa

    PCIM Europe2017   2017年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • High-performance vertical Si PiN diode by hole remaining mechanism 査読有り

    Tsukuda M., Baba A., Shiba Y., Omura I.

    Solid-State Electronics   129   22 - 28   2017年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    A novel diode with a unique trench shape is predicted by TCAD simulation to have high performance. The novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process shows a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced by half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. Thanks to the hole pockets with an electric field in the diagonal direction, the remaining hole suppresses the surge voltage with noise for high performance. In this paper, we specially focus on the analysis of phenomenon and the noise suppression mechanism during reverse recovery. The novel diode structure is a strong candidate when developing the fabrication process after silicon trench etching is established.

    DOI: 10.1016/j.sse.2016.12.006

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85007414024&origin=inward

  • Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide and Extreme Bandgap Semiconductors 査読有り

    T. Paul Chow, Ichiro Omura, Masataka Higashiwaki, Hiroshi Kawarada, and Vipindas Pala,

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   63 ( 3 )   856 - 873   2017年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A New Output Current Measurement Method with Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module 査読有り

    K. Hasegawa, S. Takahara, S. Tabata, M. Tsukuda, and I. Omura

    IEEE Trans. Power Electron   32 ( 3 )   1707 - 1712   2017年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A new output current measurement method with tiny PCB sensors capable of being embedded in an IGBT module 査読有り

    Hasegawa K., Takahara S., Tabata S., Tsukuda M., Omura I.

    IEEE Transactions on Power Electronics   32 ( 3 )   1707 - 1712   2017年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    This paper proposes a new output current measuring method using tiny printed-circuit-board (PCB) current sensors. The method will make it possible to install the PCB current sensors in an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. The PCB sensor picks up a switching current flowing through an IGBT chip, and then a combination of a digital circuit based on field-programmable gate array and an integrator circuit reproduces the output current of an inverter from the switching current. A proof-of-concept experimental verification is carried out using a buck converter, which verifies that the proposed method detects a dc component of the output current as well as a ripple component although the PCB sensor is based on the so-called Rogowski coil.

    DOI: 10.1109/TPEL.2016.2606111

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85027502487&origin=inward

  • スケーリングIGBTが拓(ひら)くパワーエレクトロニクスの新しいパラダイム 招待有り 査読有り

    平本 俊郎, 大村 一郎

    応用物理 ( 社団法人応用物理学会 )   86 ( 11 )   956 - 961   2017年01月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)

    <p>絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)のスケーリング則は,デバイス性能の向上に加えて,ゲートドライブ電圧の低減により集積回路と一体化することを可能とする.我々は量産性に優れたシリコンテクノロジーと独自のスケーリングIGBTの概念をベースに,IoT(Internet of Things)や人工知能(AI)を駆使してパワーデバイス制御を自動最適化するパワーエレクトロニクスの新パラダイム構築を目指している.本稿ではその基本コンセプトと研究の一部を紹介する.</p>

    DOI: 10.11470/oubutsu.86.11_956

    CiNii Article

    その他リンク: https://ci.nii.ac.jp/naid/130007715469

  • An evaluation circuit for DC-link capacitors used in a single- phase PWM inverter 査読有り

    Hasegawa K., Omura I., Nishizawa S.

    PCIM Europe 2017 - International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management   2017年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    High-power conversion systems are based not only on three-phase inverters but also on singlephase inverters because modular multilevel cascade converters (MMCC) consist of half- or fullbridge single-phase converters. Their DC-link capacitors are a major constraint on the improvement of power density as well as of reliability. Evaluation of dc-link capacitors in terms of power loss, ageing, and failure rate will play an important role in the next-generation power converters. This paper presents an evaluation circuit for dc-link capacitors used in a high-power single-phase PWM inverter. The evaluation circuit produces a practical ripple current waveform and a dc bias voltage into a capacitor under test with a downscaled voltage-rating inverter, which is equivalent to those of the full-scale inverter. Theoretical analysis and experimental results verify the effectiveness of the evaluation circuit.

    DOI: 10.1109/SBMicro.2017.7990846

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85040555124&origin=inward

  • Current distribution based power module screening by new normal/abnormal classification method with image processing 査読有り

    Tsukuda M., Yuki D., Tomonaga H., Kim H., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   407 - 410   2017年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We developed a screening equipment for ceramic substrate level power module of IGBT. The equipment realizes a new screening test with current distribution. The equipment acquires magnetic field signals over bonding wires and finally classifies to normal/abnormal module automatically. We established statistics based normal/abnormal classification with image processing. It is expected to be applied for screening in a production line and analysis to prevent the failure of power modules.

    DOI: 10.23919/ISPSD.2017.7988970

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85028510316&origin=inward

  • New power module integrating output current measurement function 査読有り

    Tabata S., Hasegawa K., Tsukuda M., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   267 - 270   2017年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    This paper proposes a new power module concept that integrates output current measurement function to make inverters compact. The current measurement function is realized by tiny printed-circuit-board (PCB) Rogowski coils. The PCB Rogowski coil picks up a switching current flowing through an IGBT chip, and then a combination of a digital circuit based on a field-programmable-gate-array (FPGA) and an integrator circuit reproduces the output current of the inverter from the switching current. A major concern of the new power module is the effect of reverse recovery current of free-wheeling diodes because the reverse recovery current is superimposed on the switching current. This paper proposes a mitigating method of the reverse recovery current.

    DOI: 10.23919/ISPSD.2017.7988911

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  • Formulation of single event burnout failure rate for high voltage devices in satellite electrical power system 査読有り

    Shiba Y., Dashdondog E., Sudo M., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   167 - 170   2017年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Single-Event Burnout (SEB) is a catastrophic failure in the high voltage devices that is initiated by the passage of particles during turn-off state. Previous papers reported that SEB failure rate increases sharply when applied voltage exceeds a certain threshold voltage. On the other hand, the high voltage devices for the artificial satellite have been increasing. In space, due to increase flux of particle, it is predicted that SEB failure rate will be higher. In this paper, we proposed the failure rate calculation method for high voltage devices based on SEB cross section and flux of particles. This formula can calculate the failure rate at space level and terrestrial level depending on the applied voltage of the high voltage devices.

    DOI: 10.23919/ISPSD.2017.7988937

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  • High-performance vertical Si PiN diode by hole remaining mechanism 査読有り

    Masanori Tsukuda , Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omur

    Solid-State Electronics   129   22 - 28   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • 20-ns Short-Circuit Detection Scheme with High Variation-Tolerance based on Analog Delay Multiplier Circuit for Advanced IGBTs 査読有り 国際誌

    Koutaro Miyazaki, Ichiro Omura, Makoto Takamiya and Takayasu Sakurai

    IEEE Southern Power Electronics Conference (SPEC)   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low Vce(sat) IGBT 査読有り

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai

    2016 IEEE International Electron Devices Meeting   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/IEDM.2016.7838390

  • Mutual Inductance Measurement for Power Device Package Using Time Domain Reflectometry 査読有り

    Kazunori Hasegawa, Keiji Wada, Ichiro Omura

    ECCE2016   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    USA   Milwaukee  

  • Failure rate calculation method for high power devices in space applications at low earth orbit 査読有り

    Erdenebaatar Dashdondog, Shohei Harada, Yuji Shiba, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   64   502 - 506   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Micro PCB Rogowski coil for current monitoring and protection of high voltage power modules 査読有り

    Masanori Tsukuda, Masahiro Koga, Kenta Nakashima, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   64   479 - 483   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Temperature rise measurement for power-loss comparison of an aluminum electrolytic capacitor between sinusoidal and square-wave current injections 査読有り

    K. Hasegawa,K. Kozuma, K. Tsuzaki, I. Omura, S. Nishizawa,

    Microelectronics Reliability   64   98 - 100   2016年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • IGBT avalanche current filamentaion ratio: Precise simulations on mesh and structure effect 査読有り

    Shiba Y., Omura I., Tsukuda M.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2016-July   339 - 342   2016年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Current filamentaion effect with dynamic avalanche during turn-off transient in IGBT has been discussed for years. In the prior papers, the possibility of device failure has been reported based on TCAD simulation and simulation results have shown that variety of filamentation phenomena exist for conditions assumed in each simulation. It is discussed in this paper, for the first time, that the relationship of filamentation current concentration strength to device design parameters and categorizes filamentation phenomena, introducing current filamentation ratio (CFR). In the paper, guidelines for appropriate mesh pattern selection are also described to ensure the validity of simulation results.

    DOI: 10.1109/ISPSD.2016.7520847

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84982182689&origin=inward

  • Novel 600 v low reverse recovery loss vertical PiN diode with hole pockets by Bosch deep trench 査読有り

    Tsukuda M., Baba A., Shiba Y., Omura I.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2016-July   295 - 298   2016年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    The performance of a novel diode with characteristic trench shape is predicted by TCAD simulation. A novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process is proposed for a better trade-off curve between reverse recovery loss and forward voltage. The reverse recovery loss is reduced to a half. In addition, the active chip size of the novel diode is reduced to two-thirds that of the conventional PiN diode in the same forward voltage. The novel diode structure is a strong candidate when the simple fabrication process under development is established.

    DOI: 10.1109/ISPSD.2016.7520836

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  • IGBT Avalanche Current Filamentaion Ratio: Precise Simulations on Mesh and Structure Effect Precise Simulations on Mesh and Structure Effect 査読有り

    Yuji Shiba, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD2016   339 - 342   2016年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    Czech Republic   Prague  

  • Novel 600 V Low Reverse Recovery Loss Vertical PiN Diode with Hole Pockets by Bosch Deep Trench 査読有り

    Masanori Tsukuda, Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD2016   295 - 298   2016年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • General-purpose clocked gate driver (CGD) IC with programmable 63-level drivability to reduce Ic overshoot and switching loss of various power transistors 査読有り

    Miyazaki K., Abe S., Tsukuda M., Omura I., Wada K., Takamiya M., Sakurai T.

    Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC   2016-May   1640 - 1645   2016年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    A general-purpose clocked gate driver (CGD) IC to generate an arbitrary gate waveform is proposed to provide a universal platform for fine-grained gate waveform optimization handling various power transistors. The fabricated IC with 0.18μm BCD process has 63 PMOS and 63 NMOS driver transistors on a chip whose activation patterns are controlled by 6-bit digital signals and 25-MHz clock (= 40-ns time step control). In the 500-V switching measurements, the proposed CGD reduces the IC overshoot by 25% and 41% and the energy loss by 38% and 55% for Si-IGBT and SiC-MOSFET, respectively.

    DOI: 10.1109/APEC.2016.7468086

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84973620738&origin=inward

  • Design and Analysis of a New Evaluation Circuit for Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter 査読有り

    K. Hasegawa, I. Omura, S. Nishizawa

    IEEE Transactions on Industrial Electronics   63 ( 5 )   2679 - 2687   2016年05月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • A New Evaluation Circuit with a Low-Voltage Inverter Intended for Capacitors Used in a High-Power Three-Phase Inverter 査読有り

    K. Hasegawa, I. Omura, and S. Nishizawa

    APEC2016   2016年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    USA   Long Beach, CA   2016年03月20日  -  2016年03月24日

    DOI: 10.1109/APEC.2016.7468295

    Scopus

  • Application-specific micro Rogowski coil for power modules -Design tool, novel coil pattern and demonstration- 査読有り

    M. Koga, M. Tsukuda, K. Nakashima, I. Omura

    International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2016年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Garmany   Nurnberg   2016年03月08日  -  2016年03月10日

  • Magnetic flux signal simulation with 16-channel sensor array to specify accurate IGBT current distribution 査読有り

    M. Tsukuda, K. Matsuo, H. tomonaga, S. Okoda, R. Noda, K. Tashiro and I. Omura

    International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2016年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Garmany   Nurnberg   2016年03月08日  -  2016年03月10日

  • Optimal double sided gate control of IGBT for lower turn-off loss and surge voltage suppression 査読有り

    S. Harada, M. Tsukuda, I. Omura

    International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2016年03月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Garmany   Nurnberg   2016年03月08日  -  2016年03月10日

  • 20-ns Short-circuit detection scheme with high variation-tolerance based on analog delay multiplier circuit for advanced IGBTs 査読有り

    Miyazaki K., Omura I., Takamiya M., Sakurai T.

    2016 IEEE 2nd Annual Southern Power Electronics Conference, SPEC 2016   2016年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • パワーデバイスの現状とその応用 招待有り

    大村 一郎

    年次大会 ( 一般社団法人 日本機械学会 )   2016 ( 0 )   2016年01月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)

    DOI: 10.1299/jsmemecj.2016.F012002

    CiNii Article

    その他リンク: https://ci.nii.ac.jp/naid/130007063655

  • Mutual inductance measurement for power device package using time domain reflectometry 査読有り

    Hasegawa K., Wada K., Omura I.

    ECCE 2016 - IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, Proceedings   2016年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Stray inductance inside power device package will be a constraint on improvement of power density as well as switching frequency in power converters because the converters will suffer from electromagnetic interference (EMI)-related problems. This paper proposes a measurement method of mutual inductance for power device packages using time domain reflectometry. The method is characterized by introducing four-terminal measurement that distinguishes self and mutual inductances among collector, emitter, and gate terminals. A measurement fixture for a discrete IGBT is designed, constructed, and tested to ensure repeatability of the proposed method. Experimental results verifies the viability of the proposed method.

    DOI: 10.1109/ECCE.2016.7855285

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85015442646&origin=inward

  • Development of a supporting system for visual inspection of IGBT device based on statistical feature and complex multi-resolution analysis 査読有り

    Yuki D., Kim H., Tan J.K., Ishikawa S., Tsukuda M., Omura I.

    ICCAS 2015 - 2015 15th International Conference on Control, Automation and Systems, Proceedings   1551 - 1554   2015年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Recently, the necessity of environmental regulation, low fuel consumption, and natural energy development is proposed by environmental issues. So the demands of power transistor devices are increased. But measurement technique of the current distribution is not keeping up with further miniaturized and integrated were needed in present condition. Now, therefore, ensuring security attended high functionalization is a subject. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is the device that used for wide range of power devices. So we are developing imaging system used non-contact sensor arrays aimed to IGBT production line. In this paper, we propose a development of a supporting system for visual inspection of IGBT device based on statistical feature and complex multi-resolution analysis. First, this performs signal de-noising after entering well-known good data and measured data. Second, the statistical feature is expressed the difference between good data and measured data are calculated. Last, classifying of good and inferiority is performed based on the result of threshold processing. In the paper, we applied our algorithm to 28 sample data including 20 good data and 8 inferiority data.

    DOI: 10.1109/ICCAS.2015.7364603

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84966269121&origin=inward

  • 16-channel micro magnetic flux sensor array for IGBT current distribution measurement 査読有り

    H. Tomonaga, M. Tsukuda, S. Okoda, R. Noda, K. Tashiro, I. Omura

    Microelectronics Reliability   55   1357 - 1362   2015年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2015.06.045

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  • Failure analysis of power devices based on real-time monitoring 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda and I. Omura

    Microelectronics Reliability   55   2032 - 2035   2015年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2015.06.128

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  • High-throughput and full automatic DBC-module screening tester 査読有り

    M. Tsukuda, H. Tomonaga, S. Okoda, R. Noda, K. Tashiro, I. Omura

    Microelectronics Reliability   55   1363 - 1368   2015年08月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2015.06.016

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  • New measurement base De-embedded CPU load model for power delivery network design 査読有り

    Okano M., Watanabe K., Naitoh M., Omura I.

    9th International Conference on Power Electronics - ECCE Asia: "Green World with Power Electronics", ICPE 2015-ECCE Asia   2288 - 2293   2015年07月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    CPU load model including on-chip wiring and package interconnection has been required for printed circuit board (PCB) design of digital products according to the improvement in the speed of CPU operation in recent years. Especially, accurate power delivery network (PDN) information inside CPU is indispensable for PCB design according to requirement of low-impedance and the broadband (from DC to GHz) from the inside of CPU to DC-DC converter. While the detailed impedance information inside CPUs is not disclosed to PCB board designers with the complicated back-end and front-end production design for CPU chip and package. This paper aims to establish new methodology to extract CPU load model with combination of measurement and simulation. The method is simple yet powerful for high-end CPU board design.

    DOI: 10.1109/ICPE.2015.7168125

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84961904009&origin=inward

  • New Measurement Base De-embedded CPU Load Model for Power Delivery Network Design 査読有り

    Motochika Okano, Koji Watanabe, Masamichi Naitoh, and Ichiro Omura

    9th International Conference on Power Electronics – ECCE Asia   2015年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • 60 GHz Wireless Signal Transmitting Gate Driver for IGBT 査読有り

    Kenichi Yamamoto, Fumio Ichihara, Kazunori Hasegawa, Masanori Tsukuda, and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD2015   133 - 136   2015年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Hong Kong   2015年05月10日  -  2015年05月14日

    DOI: 10.1109/ISPSD.2015.7123407

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  • Ultrafast lateral 600 V silicon SOI PiN diode with geometric traps for preventing waveform oscillation 査読有り

    Masanori Tsukuda, Hironori Imaki, Ichiro Omura

    Solid State Electronics   104   61 - 69   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.sse.2014.11.011

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  • Short-circuit protection for an IGBT with detecting the gate voltage and gate charge 査読有り

    K. Hasegawa, K. Yamamoto, H. Yoshida, K. Hamada, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   54   1897 - 1900   2014年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2014.07.083

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  • Structure oriented compact model for advanced trench IGBTs without fitting parameters for extreme condition: part II 査読有り

    J. Takaishi, S. Harada, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   54   1891 - 1896   2014年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • High Speed Real-time Temperature Monitoring System inside Power Devices Package Using Infrared Radiation 査読有り

    N. Hirata, A. Watanabe and I. Omura

    The 2014 International Conference Solid State Devices and Materials   1016 - 1017   2014年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Ultra-fast Lateral 600 V Silicon PiN Diode Superior to SiC-SBD 査読有り

    Masanori Tsukuda, Hironori Imaki and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD2014   31 - 31   2014年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2014.6855968

    Scopus

  • Rea-time failure monitoring system for high power IGBT under acceleration test up to 500A stress 査読有り

    Akihiko Watanabe, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD2014   338 - 341   2014年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test 査読有り

    Akihiko Watanabe, Masahiro Tsukuda and Ichiro Omura

    International Conference on Integrated Power Electronics System   2014年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • High-throughput DBC-assembled IGBT screening for power module 査読有り

    Masanori Tsukuda, Seiichi Okoda, Ryuzo Noda, Katsuji Tashiro and Ichiro Omura

    International Conference on Integrated Power Electronics System   2014年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • High-throughput DBC-assembled IGBT screening for power module 査読有り

    Tsukuda M., Okoda S., Noda R., Tashiro K., Omura I.

    CIPS 2014 - 8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, Proceedings   2014年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    High-throughput DBC-assembled IGBT screening equipment for a production line is under development in order to prevent early failure of power modules. The equipment has been planning to have automatic GO/NO GO judgment technology by high-throughput measurement of current signal distribution with non-contact sensor arrays with small coils over the bonding wires of IGBT chips. Basic technology and Prototypes of a sensor, an analog amplifier, digital compensation technology, a test head and power circuit have been almost completed. The authors will fabricate the sensor arrays and develop GO/NO GO judgement technology with the integration of a basic technology.

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85084019987&origin=inward

  • Real-time failure monitoring system for high power IGBT under acceleration test up to 500 A stress 査読有り

    Watanabe A., Omura I., Tsukuda M.

    Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   338 - 341   2014年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Real-time failure monitoring system for IGBT module was demonstrated under 500 A power cycling test. The system successfully captured internal phenomena occurred in interface regions of the device under test. Moreover, we proposed realtime failure analysis method by combining the real-time monitoring and image processing techniques. This failure analysis method enables to distinguish the place where degradation occurs in DUT and also trace internal degradation process to failure. © 2014 IEEE.

    DOI: 10.1109/ISPSD.2014.6856045

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    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84905457043&origin=inward

  • Ion-beam irradiation effect in the growth process of graphene on silicon carbide-on-insulator substrates 査読有り

    Okano M., Edamoto D., Uchida K., Omura I., Ikari T., Nakao M., Naitoh M.

    Materials Science Forum   778-780   1170 - 1173   2014年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    We investigated the effect of ion-beam irradiation of the 3C-SiC(111) surface on the growth of graphene by the SiC surface-decomposition method. When a 3C-SiC(111) surface was irradiated by 1 keV Ar ions at a dose of 4.5 × 10 cm in an ultra-high-vacuum chamber and then annealed at 1200 °C for 1 min, the formation of graphene layers was promoted in comparison with that in the absence of ion-beam irradiation. X-ray photoelectron spectroscopy studies showed that Ar ion bombardment of the 3C-SiC(111) caused breakage of surface bonds and helped Si atoms to desorb from the surface. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland. + 15 -2

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1170

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84896064430&origin=inward

  • Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test 査読有り

    Watanabe A., Tsukuda M., Omura I.

    CIPS 2014 - 8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, Proceedings   2014年01月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    A technique to monitor internal degradation to failure of power devices in real time was proposed. Required components for this technique are (1) non-destructive inside imaging, (2) power stress control and (3) device cooling. We constructed the system with scanning acoustic tomography (SAT), DC power supply controlled by own made program and water cooling system, respectively. In the case of a TO-3P packaged MOSFET, propagation of internal degradations to failure was successfully recorded as time series data by using this system. At the present time, the system is modified for high power and large size IGBT modules.

    Scopus

    その他リンク: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85084020110&origin=inward

  • Real time degradation monitoring system for high power IGBT module under power cycling test 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda and I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 53 )   1692 - 1696   2013年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2013.07.084

    Scopus

  • “IGBT chip current imaging system by scanning local magnetic field” 査読有り

    Hiroaki Shiratsuchi, Kohei Matsushita, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   ( 53 )   1409 - 1412   2013年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

  • Real Time Monitoring System for Internal Process to Failure of High Power IGBT 査読有り

    Akihiko Watanabe, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura,

    The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials   1046 - 1047   M-2-4   2013年09月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current 査読有り

    Yamato Miki, Makoto Mukunoki, Takashi Matsuyoshi, Masanori Tsukuda, and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   347 - 350   8-4   2013年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694419

    Scopus

  • Sub-micron Junction Termination for 1200V Class Devices toward CMOS Process Compatibility 査読有り

    Kota Seto, Hironori Imaki, Junpei Takaishi, Masahiro Tanaka, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   281 - 284   HV-P7   2013年05月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694441

    Scopus

  • Role of Simulation Technology for the Progress in Power Devices and Their Applications 招待有り 査読有り

    Hiromichi Ohashi, Ichiro Omura

    IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES   60 ( 2 )   528 - 536   2013年02月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1109/TED.2012.2228272

    Scopus

  • IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes 査読有り

    Masahiro Tanaka, Ichiro Omura

    Solid-State Electronics   800   118 - 123   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.sse.2012.10.020

    Scopus

  • Real-time failure imaging system under power stress for power semiconductors using Scanning Acoustics Tomography(SAT) 査読有り

    Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   52 ( 9-10 )   2081 - 2086   2012年09月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    DOI: 10.1016/j.microrel.2012.06.090

    Scopus

  • Bonding Wire Current Measurement with Tiny Film Current Sensors 査読有り

    Hidetoshi Hirai, Yuya Kasho, Masanori Tsukuda and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   287 - 290   2012年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Belgium   Bruges  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229079

    Scopus

  • Scattering Parameter Approach to Power MOSFET Design for EMI 査読有り

    Masanori Tsukuda, Keiichiro Kawakami and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   181 - 184   2012年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Belgium   Bruges  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229053

    Scopus

  • Scaling Rule for Very Shallow Trench IGBT toward CMOS Process Compatibility 査読有り

    Masahiro Tanaka and Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   177 - 180   2012年06月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Belgium   Bruges  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229052

    Scopus

  • Universal Trench Edge Termination Design 査読有り

    Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda and  Ichiro Omura

    Proc. of ISPSD   161 - 164   2012年06月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

    Belgium   Bruges  

    DOI: 10.1109/ISPSD.2012.6229048

    Scopus

  • "Design for EMI" approach on power PiN diode reverse recovery 査読有り

    M. Tsukuda, K. Kawakami, K. Takahama, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 51 )   1972 - 1975   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    フランス   ボルドー   2011年10月03日  -  2011年10月07日

    その他リンク: http://www.elsevier.com/locate/microrel

  • Structure oriented compact model for advanced trench IGBTs without fitting 査読有り

    M. Tanaka, I. Omura

    Microelectronics Reliability   ( 51 )   1933 - 1937   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    フランス   ボルドー   2011年10月03日  -  2011年10月07日

    その他リンク: http://www.elsevier.com/locate/microrel

  • Tiny-scale ‘‘stealth’’ current sensor to probe power semiconductor device failure 査読有り

    Yuya Kasho, Hidetoshi Hirai, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

    Microelectronics Reliability   ( 51 )   1689 - 1692   2011年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    フランス   ボルドー   2011年10月03日  -  2011年10月07日

    DOI: 10.1016/j.microrel.2011.06.015

    Scopus

    その他リンク: https://www.journals.elsevier.com/microelectronics-reliability

  • Full Digital Short Circuit Protection for Advanced IGBTs 査読有り

    Takuya Tanimura, Kazufumi Yuasa and Ichiro Omura

    Proceedings of the 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's   2011年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    アメリカ   サンディエゴ   2011年05月23日  -  2011年05月26日

    DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890790

    Scopus

  • Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with VF<350mV 査読有り

    Motohiro Tsuda, Yasuaki Matsumoto, and Ichiro Omura

    Proceedings of the 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's   2011年05月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)

    アメリカ   サンディエゴ   2011年05月23日  -  2011年05月26日

    DOI: 10.1109/ISPSD.2011.5890796

    Scopus

  • Design of Trench Termination for High Voltage Devices 査読有り

    Ryu Kamibaba,Kenichi Takahama,Ichiro Omura

    ISPSD'10   2010年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    広島   2010年04月  -  2010年04月

  • Challenge to the Barrier of Conduction Loss in PiNDiode toward VF<300 mV with Pulsed CarrierInjection Concept 査読有り

    Yasuaki Matumoto,Kenichi Takahama,Ichiro Omura

    ISPSD'10   2010年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    広島   2010年04月  -  2010年04月

  • Numerical study on very high speed silicon PiN diodepossibilityfor power ICs in comparison with SiC-SBD 査読有り

    Kenichi Takahama,Ichiro Omura

    ISPSD'10   2010年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    広島   2010年04月  -  2010年04月

  • Ultra High Speed Short Circuit Protection for IGBTwith Gate Charge Sensing 査読有り

    Kazufumi Yuasa,Soh Nakamichi,Ichiro Omura

    ISPSD'10   2010年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    広島   2010年04月  -  2010年04月

  • Effect of Buffer Layer Structure on Drain Leakage Current and Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs 査読有り

    Wataru Saito,Takao Noda,Masahiko Kuraguchi,Yoshiharu Takada,Kunio Tsuda,Yasunobu Saito,Ichiro Omura,Masakazu Yamaguchi

    IEEE-Trans on Electron Devices   56 ( 7 )   2009年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Non-Destructive Current Measurement for Surface Mounted Power MOSFET on VRM Board Using Magnetic Field Probing Technique 査読有り

    Yoshiko Ikeda,Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Masakazu Yamaguchi,Ichiro Omura

    IEEE 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs   ( 66-68 )   2008年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2008年04月  -  2008年04月

    DOI: 10.1541/ieejeiss.130.961

    Scopus

    CiNii Article

  • Demonstration of Resonant Inverter Circuit for Electrodeless Fluorescent Lamps Using High Voltage GaN-HEMT 査読有り

    Wataru Saito,Tomokazu Domon,Ichiro Omura

    IEEE Power Electronics Specialists Conference   3324 - 3329   2008年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2008年04月  -  2008年04月

  • Critical IGBT Design Regarding EMI and Switching Losses 査読有り

    M. Tsukuda,I. Omura

    Proc of ISPSD 2008   185 - 188   2008年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2008年04月  -  2008年04月

  • Demonstration of 13.56-MHz Class-E Amplifier Using a High-Voltage GaN Power-HEMT 査読有り

    Saito,W.; Domon,T.; Omura,I.; Kuraguchi,M.; Takada,Y.; Tsuda,K.; Yamaguchi

    Electron Device Letters, IEEE,   27 ( 5 )   326 - 328   2006年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Recessed-gate structure approach toward normally off high-Voltage AlGaN/GaN HEMT for power electronics applications 査読有り

    Saito,W.; Takada,Y.; Kuraguchi,M.; Tsuda,K.; Omura,I.

    Electron Devices, IEEE Transactions on   27 ( 2 )   356 - 362   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • High Voltage and High Switching Frequency Power-Supplies using a GaN-HEMT 査読有り

    T. Domon,I. Omura,W.Saito,K. Tsuda

    Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium 2006 IEEE   575 - 580   2006年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2006年04月  -  2006年04月

  • Demonstration of High Output Power Density (50 W/cc) Converter using 600 V SJ-MOSFET and SiC-SBD 査読有り

    M. Tsukada,I. Omura,W. Saito,T. Domon

    4th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   167 - 170   2006年04月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2006年04月  -  2006年04月

  • A 15.5 mOhmcm2-680V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing 査読有り

    W. Saito,I. Omura,S. Aida S. Koduki,M. Izumisawa,H. Yoshioka,H. Okumura,M. Yamaguchi and T. Ogura

    Proc on IEEE ISPSD, 2006   293 - 296   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2006年04月  -  2006年04月

  • A New Stored-Charge-Controlled Over-Voltage Protection Concept for Wide RBSOA in High-Voltage Trench-IEGTs 査読有り

    T. Ogura,K. Sugiyama,I. Omura,M. Yamaguchi,S. Teramae,N. Yamano and S. Iesaka

    IEEE, ISPSD 2006   25 - 28   2006年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2006年04月  -  2006年04月

  • High breakdown voltage (>1000 V) semi-superjunction MOSFETs using 600-V class superjunction MOSFET process 査読有り

    Saito,W.; Omura,I.; Aida,S.; Koduki,S.; Izumisawa,M.; Yoshioka,H.; Ogura,T.

    Electron Devices, IEEE Transactions on   52 ( 10 )   2317 - 2322   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • Influence of surface defect charge at AlGaN-GaN-HEMT upon Schottky gate leakage current and breakdown voltage 査読有り

    Saito W.,Kuraguchi M.,Takada Y.,Tsuda K,Omura I.,Ogura T

    Electron Devices, IEEE Transactions on   52 ( 2 )   159 - 164   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

  • 380v/1.9A GaN power-HEMT: current collapse phenomena under high applied voltage and demonstration of 27.1 MHz class-E amplifier 査読有り

    Saito W.,Kuraguchi M.,Takada Y.,Tsuda K.,Domon T.,Omura I.,Yamaguchi M.

    Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2005年04月  -  2005年04月

  • Demonstration of High Power Density(30W/cc) Converter using 600V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver 査読有り

    M. Tsukuda,I. Omura,T. Domon,W. Saito and T. Ogura

    5th International Power Electronics Conference S32-4   2005年04月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(その他学術会議資料等)

    2005年04月  -  2005年04月

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著書

  • 2020年度版 薄膜作製応用ハンドブック

    監修者 權田 俊一(分担執筆)

    (株)エヌ・ティー・エス  2020年02月  ( ISBN:978-4-86043-631-5

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    記述言語:日本語

口頭発表・ポスター発表等

  • パワーサイクル試験のDUT温度係数依存性

    秋元健志, 大村一郎

    信学技報(電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術 ) 

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    開催期間: 2022年01月27日 - 2022年01月28日   記述言語:日本語  

  • MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化

    西尾貴植, 大村一郎

    電子情報通信学会/ 電子通信エネルギー技術研究会(EE) 

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    開催期間: 2021年01月25日   記述言語:日本語  

  • パワーデバイス電流集中測定技術

    西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • 13kV UHV-IGBTの理論検討

    伊東篤史, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • Cosmic Ray Failure Rate Calculation for Power Semiconductor Device for Aircraft applications

    Srikanth Gollapudi, Ichiro Omura

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:英語  

  • パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究

    川内勇真, 秋元健志, 渡邉晃彦, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • 赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング

    増田貴樹, 渡邉晃彦, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • 650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討

    星原宏紀, 伊東篤史, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究

    原崎宏治, 附田正則, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語:日本語  

  • Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera

    Yoshiki Masuda Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences(SAES2020) 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語:英語  

  • SEB Failure Rate Calculation for High Power Semiconductor due to Neutrons at Aviation Altitude

    Srikanth Gollapudi, Ichiro Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences(SAES2020) 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語:英語  

  • 13kV UHV-IGBT : Feasibility Study

    Atsushi Ito, Ichiro Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences(SAES2020) 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語:英語  

  • Development of Condition Monitoring System for Power Semiconductor Devices

    Kazuha Watanabe, Masanori Tsukuda, Li Guan, Ichiro Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences(SAES2020) 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語:英語  

  • Development of noise measurement System for power electronics equipment

    Tomoki Furuta, Kota Matsuo, Ichiro Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences(SAES2020) 

     詳細を見る

    開催期間: 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語:英語  

  • 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証

    更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内 潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤 渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林 整, 筒井一生, 岩井 洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語:日本語  

  • パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発

    池亀恵市, 渡邉晃彦, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語:日本語  

  • パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術

    管理, 渡辺和葉, 附田正則, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語:日本語  

  • 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 招待有り

    平本俊郎, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通

    電子情報通信学会SDM/ICD研究会8月研究会  

     詳細を見る

    開催期間: 2019年08月07日 - 2019年08月09日   記述言語:日本語  

  • 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 招待有り

    更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第213回研究集会 電通SDM 共催研究集会 

     詳細を見る

    開催期間: 2019年01月29日   記述言語:日本語  

  • Real-Time Monitoring for Improvement of Reliability of Power Devices

    Akihiko Watanabe, Shingo Hiroyoshi, Ichiro Omura

    6th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2018) 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年12月15日 - 2018年12月16日   記述言語:英語  

  • 宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案

    永松拓朗, 須藤雅貴, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語:日本語  

  • 大容量PWMインバータの小型化を可能にする新しい出力電流検出システムの開発

    肖駿, 長谷川一徳, 一木真生, 附田正則, 大村一郎, 嘉藤徹

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語:日本語  

  • 内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証

    廣吉慎吾, 渡邉晃彦, 大村一郎, 嘉藤徹

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語:日本語  

  • 次世代IGBT 用超高速短絡保護システムの開発

    一木真生, 有元貴昭, 安部征哉, 附田正則, 大村一郎

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語:日本語  

  • シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル: III. キャリア励起レーザの減衰を考慮した厳密解

    金田 寛,大村 一郎

    第79回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年09月18日 - 2018年09月21日   記述言語:日本語  

  • パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携:IGBT向けデジタルゲートドライバIC

    高宮真, 宮崎耕太郎, 崔 通, 小原秀嶺, 萬年智介, 和田圭二, 附田正則, 安部征哉, 大村一郎, 桜井貴康

    電子情報通信学会ソサイエティ大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年09月11日 - 2018年09月14日   記述言語:日本語  

  • ダイオード整流器・三相PWMインバータシステムにおける システムにおける直流リンクコンデンサのモニタリング手法

    永松拓朗, 須藤雅貴, 大村一郎

    電気学会産業応用部門大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2018年08月28日 - 2018年08月30日   記述言語:日本語  

  • Prospects of GaN technology in power devices

    Giorgia Longobardi, Ichiro Omura

    BIT’s 4th Annual World Congress of Smart Materials-2018 (WCSM-2018)  

     詳細を見る

    開催期間: 2018年03月06日 - 2018年03月08日   記述言語:英語  

  • 電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案

    附田 正則

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語:日本語  

  • パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発

    田畑 勝次

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語:日本語  

  • ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用 ノイズ計測システムの構築

    岩﨑量旺

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語:日本語  

  • 三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証

    筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎,大橋弘通, 岩井洋

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語:日本語  

  • プログラマブルゲートドライバIC を用いたIGBT モジュール用ゲート駆動制御回路の開発

    小原秀嶺, 秋山寿夫, 和田圭二, 附田正則, 大村一郎, 宮崎耕太郎, 高宮真, 桜井貴康

    電気学会産業応用部門大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2017年08月29日 - 2017年08月31日   記述言語:日本語  

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:酸化膜形成による表面パッシベーション効果の評価

    金田寛

    第64回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

     詳細を見る

    開催期間: 2017年03月14日 - 2017年03月17日   記述言語:日本語   開催地:パシフィコ横浜  

  • 平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

    金田寛

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年11月14日 - 2016年11月15日   記述言語:日本語  

  • ディジタルゲート駆動ICを用いたIGBTのスイッチング時における損失とオーバーシュートの自動最適化

    崔 通, 宮崎耕太郎, 安部征哉, 附田正則, 大村一郎, 小原秀嶺, 和田圭二, 高宮真, 桜井貴康

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年11月14日 - 2016年11月15日   記述言語:日本語  

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:Fe故意汚染による寿命劣化の検出

    金田寛

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

     詳細を見る

    開催期間: 2016年09月13日 - 2016年09月16日   記述言語:日本語   開催地:パシフィコ横浜  

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアの寿命評価:不純物酸素析出による寿命劣化の検出

    金田寛

    第77回応用物理学会秋季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年09月13日 - 2016年09月16日   記述言語:英語  

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:赤外レーザビーム屈折の理論

    金田寛、大村一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月19日 - 2016年03月22日   記述言語:日本語  

  • 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:装置構成と平行デュアルビームの実現

    金田寛、大村一郎

    第63回応用物理学会春季学術講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月19日 - 2016年03月22日   記述言語:日本語  

  • 三相インバータ用直流リンクコンデンサに適した評価回路の実験検証

    長谷川一徳、大村一郎、西澤伸一

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • OCVD法によるキャリアライフタイム測定の精度解析

    真辺航、原田翔平、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • リアルタイム内部温度分布可視化システムの構築

    長尾亮輔、渡邉晃彦、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • 高耐圧パワー半導体モジュール用超小型PCB電流センサの開発:ノイズ低減構造の提案と実証

    中島健太、古賀仁大、大村一郎、附田正則

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • パワーモジュールのインテリジェント化;出力電流検出機能の開発

    田畑勝次、高原賢、長谷川一徳、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:英語  

  • パワーモジュール内蔵型出力電流計測手法の新提案

    高原賢、長谷川一徳、附田正則、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:英語  

  • 近傍空間磁界可視化システムの実現

    松本拓朗、鈴木秀斗、市原文夫、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • 近傍空間磁界可視化システムの計測精度の検証

    鈴木秀斗、松本拓朗、岩崎量旺、古賀仁大、大村一郎

    電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語:日本語  

  • パワーモジュール用PCB超小型電流センサ:専用設計ツールの開発とセンサ試作実証

    古賀仁大、中島健太、大村一郎、附田正則

    電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2016年01月22日 - 2016年01月23日   記述言語:日本語  

  • IGBTダブルゲート構造の提案とアクティブ・ホール注入制御:数値解析による低損失化の原理確認

    原田翔平、大村一郎、附田正則

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語:日本語  

  • 磁束センサアレイを用いたパワーモジュール内電流の可視化システムの開発

    朝長大貴、大村一郎、附田正則、大胡田清一、野田龍三、田代勝治

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語:日本語  

  • IGBTモジュール用超小型電流センサの開発:高精度センサ構造の提案と専用設計環境の構築

    古賀仁大、大村一郎、附田正則

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語:日本語  

  • 三相インバータ用直流リンクコンデンサに適した評価回路

    長谷川一徳、大村一郎、西澤伸一

    電気学会産業応用部門大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2015年09月02日 - 2015年09月04日   記述言語:日本語  

  • A Wireless monitoring system for gate-voltage waveforms of IGBTs

    S. Takahara

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • High-performance IGBTs with Very Shallow Trench Gate up to 13 kV

    S.Harada

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • Fast Recovery Diode with Convexo-concave-shaped Traps

    H.Imaki

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • Current distribution imaging system for power devices using tiny ferrite core sensor

    H. Tomonaga

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • Current imbalance measurement among chips in IGBT module with ultra-small PCB probe

    H. Yamaguchi

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • Numerical design method of multi-turn coil for wireless power transfer circuit based on electrical circuit simulation

    M. Koga

    The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語:英語  

  • SOI超高速横型シリコンダイオード

    今城寛紀

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語:日本語  

  • 60GHz無線モジュールを用いたワイヤレス・ゲートドライブ回路

    山本研一

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語:日本語  

  • IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発

    山口治之

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語:日本語  

  • IGBTのゲート電化・ゲート電圧検出を用いた負荷短絡保護

    吉田秀太郎

    電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2014年01月24日 - 2014年01月25日   記述言語:日本語  

  • マイクロフィルムセンサを用いた電流集中現象の画像化

    松下幸平

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究  電気学会

     詳細を見る

    開催期間: 2013年10月21日 - 2013年10月22日   記述言語:日本語   開催地:大阪大学  

  • リアルタイムモニタリング機能を持ったゲート駆動システムの構築

    濱田航太

    電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年10月21日 - 2013年10月22日   記述言語:日本語  

  • High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

    Yamato Miki

    UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語:英語  

  • Wireless Energy Transfer Technology with High Frequency GaN Transistor

    Jong-Ruey Yang

    UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語:英語  

  • Failure analysis of power semiconductor devices based on real time monitoring

    I.Omura

    UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences (UKSAES2013) 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語:英語  

  • High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

    Ichiro Omura

    UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

     詳細を見る

    開催期間: 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語:英語  

  • 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発

    松吉峻

    電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会  電子情報通信学会

     詳細を見る

    開催期間: 2013年01月24日 - 2013年01月25日   記述言語:日本語   開催地:熊本県  

  • PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討

    川神圭一朗

    電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

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    開催期間: 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語:日本語   開催地:島根  

    CiNii Article

  • InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討

    川神圭一朗

    電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

     詳細を見る

    開催期間: 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語:日本語   開催地:島根  

    CiNii Article

  • フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護

    谷村拓哉

    電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

     詳細を見る

    開催期間: 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語:日本語   開催地:島根  

  • 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法の開発

    未入力 

     詳細を見る

    開催期間: 2009年04月   記述言語:日本語  

  • EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBT の限界設計

    電気学会合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2008年04月   記述言語:日本語  

  • GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路

    電子情報通信学会 研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2007年04月   記述言語:日本語  

  • 低オン抵抗高耐圧GaN-MISFET

    2006年春期 第53回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年04月   記述言語:日本語  

  • 電源用GaNパワーデバイス

    電子情報通信学会 総合大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年04月   記述言語:日本語  

  • VRM 開発用マイクロ電流プローブ(高dI/dt (≧2000A/μsec) 逆回復動作の測定)

    電気学会 半導体電力変換研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年04月   記述言語:日本語  

  • フィールドプレート構造による高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制

    2006年春期 第53回応用物理学関係連合講演会 

     詳細を見る

    開催期間: 2006年04月   記述言語:日本語  

  • 高耐圧(>1000V)Semi Super junction MOSFET

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合 同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年04月   記述言語:日本語  

  • 1200V系Si-IGBTと1200V系SiC-SBDによる2レベル三相インバータの損失予測

    平成17年電気学会全国大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年04月   記述言語:日本語  

  • 次世代パワーデバイス開発に向けて:IGBT開発動向

    電気学会、電子デバイス技術委員会 

     詳細を見る

    開催期間: 2005年04月   記述言語:日本語  

  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望

    本人

    応用物理学会 応用電子物性研究例会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • 600V-SiC-SBDを用いた300Wチョッパ変換器の体積予測

    平成16年電気学会全国大会電力変換・制御回路方式 DC/DC変換回路(II) 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価

    電気学会 半導体電力変換研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • IGBTモジュール内のチップ電流測定

    平成16年電気学会全国大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • 600V AlGaN/GaN HEMT の試作とDC-DC コンバータ連続運転試験

    電気学会 電子デバイス研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • 20mΩcm2-600V クラスSuperjunction MOSFET

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2004年04月   記述言語:日本語  

  • 4.5kV-6kA 遮断IEGT 圧接型パッケージの開発

    本人

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計

    電子情報通信学会 電子デバイス研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • AlGaN/GaN HEMTのパワーデバイス応用

    応用物理学会 学術講演会 シンポジウムGaN電子デバイスの進展と実用化への課題 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 高耐圧パワーMOSFETの数MHzスイッチング動作検討

    電気学会産業応用部門大会(JIASC03)  

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    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 次々世代CPU用電源

    照明学会 公開研究会「照明機器における光の発生と回路技術、部品・デバイス・材料技術」 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明

    第12回 TIARA研究発表会― イオンビームを利用した最新の材料・バイオ研究 ― 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • プレーナ型4HSiC-SITの試作・評価

    電気学会全国大会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 600V Semi-Superjunction MOSFET

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会 

     詳細を見る

    開催期間: 2003年04月   記述言語:日本語  

  • 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化

    電気学会 電子デバイス 半導体電力変換 合同研究会 

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    開催期間: 2002年04月   記述言語:日本語  

  • 高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明

    第11回 TIARA研究発表会 

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    開催期間: 2002年04月   記述言語:日本語  

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工業所有権

  • ロゴスキ型電流センサおよびインバータ並びにロゴスキ型電流センサの装着方法

    大村一郎

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    出願番号:特願2021-050490  出願日:2021年03月24日

  • 電力変換用半導体装置の状態推定システム及び状態推定方法

    大村一郎、附田正則、管理、渡辺和葉

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    出願番号:PCT/JP2020/032604  出願日:2020年08月28日

  • 電流計測装置、電流計測方法およびプログラム

    大村一郎

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    出願番号:特願2019-101808  出願日:2019年05月30日

  • 電力変換器、可変信号遅延回路及び電力変換方法

    大村一郎、トリパシラビナス

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    出願番号:特願2018-164922  出願日:2018年09月03日

  • 半導体装置および半導体装置の製造方法

    附田正則、大村一郎、馬場昭好

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    登録番号:特許第6709425号  登録日:2020年05月27日

講演

  • パワーデバイス、モジュールのセンシング技術

    (一般社団法人)電子実装工学研究所( IMSI  2021年12月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • カーボンニュートラル実現に貢献する次世代 IGBT と周辺技術

    エネルギーマネージメント・材料デバイス技術分科会  2021年09月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • IGBT パワーモジュールの小型軽量化に貢献する電流測定技術

    電気学会産業応用部門大会シンポジウム(招待講演)  2021年08月 

     詳細を見る

    開催期間: 2021年08月25日 - 2021年08月27日   発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • シリコンIGBT の技術動向とスケーリングIGBT

    第68回応用物理学会春季学術講演会分科シンポジウム  2021年03月 

     詳細を見る

    開催期間: 2021年03月16日 - 2021年03月19日   発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • 信頼度解析の基礎

    先進パワー半導体分科会 第7回講演会 チュートリアル  2020年12月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • General formula for SEB failure rate calculation for power devices

    IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia 2020  2020年09月 

     詳細を見る

    発表言語:英語   講演種別:招待講演   開催地:Virtual Conference  

  • Power Semiconductor Device Basics

    32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures Tutorial  2019年03月 

     詳細を見る

    発表言語:英語   講演種別:招待講演  

  • JOINT PROJECT REPORT: POWER SEMICONDUCTOR FOR SPACE APPLICATION AND CURRENT SENSOR FOR POWER ELECTRONICS

    1st International Conference on Joint research Program in Mongolia under “Higher Engineering Education Development” Project  2019年03月 

     詳細を見る

    発表言語:英語   講演種別:招待講演  

  • Measurement of the Electric Current Flow inside Power Modules and Chips with Tiny Sensors

    Fifth International Forum on Advanced Technologies  2019年03月 

     詳細を見る

    発表言語:英語   講演種別:招待講演  

  • New Collaboration Scheme in Kyutech Power Electronics Research Center

    The 6th Symposium on Applied Engineering and Sciences : SAES2018  2018年12月 

     詳細を見る

    発表言語:英語   講演種別:基調講演  

  • パワー半導体のデジタルゲート駆動:NEDO―PJとドライブ関連技術の報告

    NPERC-Jセミナー  2018年12月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:その他  

  • パワーデバイス開発と関連技術

    平成30年度 日本表面真空学会 九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018)  2018年06月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:招待講演  

  • 超小型電流センサによるパワーモジュール内電流の見える化

    第8回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスの為の信頼性科学ワークショップ  2018年02月 

     詳細を見る

    講演種別:その他  

  • 人工衛星に使用するパワーデバイスの宇宙線耐量

    公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 第10回研究会  2018年01月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • パワーデバイス開発と今後の展望

    応用物理学会 結晶工学分科会主催 第21回結晶工学セミナー  2017年01月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:工学院大学 新宿キャンバス  

  • 「How, What and Why:理系は生き残れるのか」

    大阪大学大学院:特別講義  2017年01月 

     詳細を見る

    講演種別:特別講演  

  • 次世代パワーエレクトロニクス研究センターの取り組み

    九工大主催 NEDOシンポジウム  2016年10月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:その他  

  • パワーデバイスの現状とその応用

    日本機械学会2016年度年次大会「先端技術フォーラム」  2016年07月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • 新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発:PJ概要とIGBTドライブ回路技術

    NPERC-Jセミナー  2016年05月 

     詳細を見る

    発表言語:日本語   講演種別:その他  

  • 2025 年、先端パワー半導体デバイスが目指すビジョン

    NPERC-J第2回ワークショップ 「グリーンエレクトロニクスの創生を目指して」NPERC-Jが描く2025年のパワーエレクトロニク  2015年11月 

     詳細を見る

    講演種別:その他  

  • 高度電力化社会を支える次世代パワー半導体の研究

    北九州市環境エレクトロニクス研究所記念ワークショップ  2015年10月 

     詳細を見る

    講演種別:その他  

  • Power semiconductor device: Past , Present, and the Future パワー半導体の、過去、現在、将来

    プラナリゼーション研究会「CMP 技術の基礎を理解するサマーキャンプ 2015」  2015年08月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Power semiconductor device: Past , Present, and the Future

    The 9th International Conference on Power Electronics – ECCE Asia (ICPE 2015-ECCE Asia)  2015年06月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Power Semiconductors and ”Green Electronics

    International SiC Power Electronics Applications Workshop, ISiCPEAW  2014年05月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • 2050年、高度電力化社会実現に向けた次世代パワー半導体の役割~NEDO調査研究から見えてくるエレクトロニクスの方向性~

    第30回低消費電力・高速LSI 技術懇談会  2014年03月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • 次世代省エネ用パワー半導体:化合物半導体とシリコンの可能性について

    EE研セミナー  2013年11月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Power Electronics Research in Japan

    10Year ECPE Anniversary  2013年04月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Next Generation Power Electronics and Systems~toward New Electronics Technology Scheme~

    シリコンシーベルトサミット福岡2013  2013年02月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Future role of power semiconductors: From “Silicon vs. WBG” to “Silicon and WBG”

    SSDM  2012年09月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • 2030 年に向けた低炭素社会実現のためのグリーンエレクトロニクスの役割

    電気学会産業応用部門大会シンポジウム  2012年08月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Semiconductor Power Switches: Principles and the Future

    ISPSD Short Course  2012年06月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • Lateral Power Devices: from LDMOS, LIGBT to GaN

    2012 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications VLSI Design, Automation and Test  2012年04月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演  

  • パワーデバイスの将来とその役割:「Si×WBG」から「Si+WBG」へ

    電子情報通信学会総合大会  2012年03月  電子情報通信学会

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:岡山  

  • Si, SiC, GaN - How Will They Share Future Applications?

    ECPE Workshop Future Trends for Power Semiconductors  2012年01月  ECPE

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:ETH Zurich  

  • IGBT: History, Principle and the Future

    IWPSD2011  2011年12月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:インド カンプール  

  • Future Role of Power Devices: From "Si or WBG" to "Si and WBG"

    3rd Global COE International Symposium--Electronic Devices Innovation --EDIS2011  2011年12月  the Global COE Program "Center for Electronic Devices Innovation"

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:大阪  

  • Introduction: Future Role of Power Electronics and Power Devices toward Low Carbon Society

    SISPAD 2011 Companion Work Shop  2011年09月 

     詳細を見る

    講演種別:基調講演   開催地:大阪  

  • Power Semiconductor Devices for High Power Applications

    SISPAD 2011 Companion Work Shop  2011年09月 

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:大阪  

  • 低炭素社会実現へのキー技術:パワーエレクトロニクスとパワー半導体

    結晶工学分科会・応用電子物性分科会 連携研究会 「ワイドギャップhん動体パワーデバイス」  2011年06月  応用物理学会

     詳細を見る

    講演種別:招待講演   開催地:京都  

  • Future Role of Power Electronics

    Proc. of CIPS  2010年03月 

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    講演種別:招待講演  

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報道関係

  • 戦略デバイスとして期待高まるIGBT   新聞・雑誌

    大村一郎

    日刊工業新聞  2019年02月18日

  • 研究・試験 一貫体制

    大村一郎

    日刊工業新聞  2017年10月26日

  • Si IGBTがSiCに肉迫、素子構造や駆動法の改善で   新聞・雑誌

    大村一郎, 筒井一生

    日経エレクトロニクス  2017年09月

  • 世界との開発競争北九州名乗り パワー半導体 市立拠点 今秋開設、企業誘致へ

    大村一郎

    西日本新聞  2015年03月23日

  • IGBTの電流密度を2倍に新たな微細化構造で挑む

    大村一郎

    日経エレクトロニクス  2013年02月18日

  • 九州半導体の底力:半導体各社の九州拠点の取り組み

    大村一郎

    日本経済新聞  2012年11月21日

  • 研究開発・新技術

    大村一郎

    半導体産業新聞  2012年08月08日

  • 「省エネ切り札」半導体

    大村 一郎

    読売新聞  2011年10月12日

  • 低炭素社会への鍵となるパワー半導体の開発

    大村 一郎

    西日本新聞  2010年10月30日

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学術関係受賞

  • 平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰「技術開発・製品化部門」

    環境省   2018年12月03日

    次世代パワーエレクトロニクス研究センター

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    受賞国:日本国

  • 2018 IEEE Transactions on Power Electronics Prize Letter Award

    IEEE Power Electronics Society   2018年09月

    Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, and Ichiro Omura

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    受賞国:アメリカ合衆国

科研費獲得実績

  • 新原理に基づく革新的シリコン省エネダイオード

    研究課題番号:22360118  2010年04月 - 2013年03月   基盤研究(B)

その他競争的資金獲得実績

  • 大電流パルス発生モジュール研究 

    2020年11月 - 現在

    国立研究開発法人科学技術振興機構 未来創造事業  

担当授業科目(学内)

  • 2021年度   パワー半導体デバイス

  • 2021年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2020年度   パワー半導体デバイス

  • 2020年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2019年度   パワー半導体デバイス

  • 2019年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2019年度   電磁気学Ⅳ

  • 2018年度   電磁気学Ⅳ

  • 2018年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2018年度   パワー半導体デバイス

  • 2017年度   半導体デバイス工学特論

  • 2017年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2017年度   電磁気学Ⅳ

  • 2016年度   半導体デバイス工学特論

  • 2016年度   半導体トピックセミナー

  • 2016年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2016年度   電磁気学Ⅳ

  • 2015年度   電気電子工学PBL実験

  • 2015年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2015年度   半導体デバイス工学特論

  • 2015年度   電磁気学Ⅳ

  • 2014年度   電磁気学Ⅳ

  • 2014年度   電気電子工学PBL実験

  • 2014年度   電気電子計測Ⅱ

  • 2014年度   半導体デバイス工学特論

  • 2013年度   半導体デバイス工学特論

  • 2013年度   電気電子計測ⅡB

  • 2013年度   エネルギー・デバイス実験

  • 2013年度   電磁気学Ⅳ

  • 2012年度   半導体デバイス工学特論

  • 2012年度   半導体デバイス工学特論

  • 2012年度   電気電子計測ⅡB

  • 2012年度   集積回路応用

  • 2012年度   電磁気学Ⅳ

  • 2011年度   半導体デバイス工学特論

  • 2011年度   集積回路応用

  • 2011年度   集積回路基礎

  • 2011年度   電気電子工学序論

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教育活動に関する受賞・指導学生の受賞など

  • 電気学会産業応用部門優秀論発表賞

    一般社団法人電気学会産業応用部門  

    2020年03月20日

    西尾成植

  • 電気学会産業応用部門優秀論発表賞

    一般社団法人電気学会産業応用部門  

    2020年03月20日

    星原宏紀

  • 学生奨励賞

    電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化及び高品質化技術調査専門委員会  

    2020年12月20日

    西尾成植

  • 電気学会産業応用部門優秀論発表賞

    一般社団法人電気学会産業応用部門  

    2019年03月19日

    永松拓朗

社会貢献活動(講演会・出前講義等)

  • 次世代パワーエレクトロニクス研究センター ワークショップKyutechPE2022

    役割:講師, 企画, 運営参加・支援

    2022年03月08日

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    種別:セミナー・ワークショップ

  • 株式会社ケーヒン 自動車業界の今までとこれから

    役割:司会, 企画, 運営参加・支援

    2019年11月20日 - 2019年12月03日

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者

  • 次世代PE研究センター主催パワーエレクトロニクスセミナー

    役割:司会, 編集長, 企画, 運営参加・支援

    2019年11月20日

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者

  • 特別講演会:インバータエアコン誕生からのパワエレトレンドと最新技術

    役割:司会, 企画, 運営参加・支援

    2019年07月31日

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者

  • 半導体デバイスおよびワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの最新技術動向

    役割:司会, 企画, 運営参加・支援

    2019年07月01日

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    対象: 大学生, 大学院生, 教育関係者, 研究者

国際会議開催(学会主催除く)

  • The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s (ISPSD2021)

    The Institute of Electrical Engineers of Japan  Japan  2021年05月30日 - 2021年06月03日

  • International Joint Workshop on Kyutech Research Centers

    Kyushu Institute of Tschnology  Japan  2018年11月06日 - 2018年11月07日

  • 第3回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学  2012年01月31日

  • 第2回 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ~グリーンエレクトロニクスの構築に向けて~

    主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学/長崎大学  2011年01月25日

  • 次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ

    主催:北九州市/(財)国際東アジア研究センター、共催:(独)産業技術総合研究所/九州工業大学  2010年01月21日

国際交流窓口担当

  • モンゴル国立大学  モンゴル国  2017年02月 - 現在