口頭発表・ポスター発表等 - 大村　一郎

過渡的なゲート閾値計測によるジャンクション温度モニタリング方法

Bayarsaikhan Yandagkhuu, 一郎大村

電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会 

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開催期間： 2023年10月26日 - 2023年10月27日   記述言語：英語  

SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案

杜　赫, Bayarsaikhan Yandagkhuu, 大村一郎

電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会 

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開催期間： 2023年10月26日 - 2023年10月27日   記述言語：日本語  

並列IGBTデバイスの電流均一化のためのゲート遅延制御とミラープラトー効果

とりぱし　らび　なす, 大村一郎

電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会 

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開催期間： 2023年10月26日 - 2023年10月27日   記述言語：英語  

持続可能な未来とパワーエレクトロニクス 招待有り

大村一郎

信学技報（電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会（EE）） 

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開催期間： 2023年01月19日 - 2023年01月20日   記述言語：日本語  

Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system

Yandagkhuu Bayarsaikhan, Ichiro Omura

信学技報（電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会（EE）） 

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開催期間： 2023年01月19日 - 2023年01月20日   記述言語：英語  

Single PCB current sensor for feedback control in the switch mode power converters

Bayarkhuu Battuvshin・Omura Ichiro

信学技報（電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会（EE）） 

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開催期間： 2023年01月19日 - 2023年01月20日   記述言語：英語  

複数巻線を用いたMRM用高磁束発生回路

花田哲郎, 和田圭二, 高宮真, 赤津観, 大村一郎

電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会 

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開催期間： 2022年12月01日 - 2022年12月02日   記述言語：英語  

パワーサイクル試験のDUT温度係数依存性

秋元健志, 大村一郎

信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術 ） 

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開催期間： 2022年01月27日 - 2022年01月28日   記述言語：日本語  

MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化

西尾貴植, 大村一郎

電子情報通信学会/ 電子通信エネルギー技術研究会（EE） 

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開催期間： 2021年01月25日   記述言語：日本語  

パワーデバイス電流集中測定技術

西尾成植, 松浦成哉, 附田正則, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

13kV UHV-IGBTの理論検討

伊東篤史, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

Cosmic Ray Failure Rate Calculation for Power Semiconductor Device for Aircraft applications

Srikanth Gollapudi, Ichiro Omura

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：英語  

パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究

川内勇真, 秋元健志, 渡邉晃彦, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング

増田貴樹, 渡邉晃彦, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討

星原宏紀, 伊東篤史, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究

原崎宏治, 附田正則, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera

Yoshiki Masuda Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences（SAES2020） 

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開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

SEB Failure Rate Calculation for High Power Semiconductor due to Neutrons at Aviation Altitude

Srikanth Gollapudi, Ichiro Omura

8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences（SAES2020） 

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開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

13kV UHV-IGBT : Feasibility Study

Atsushi Ito, Ichiro Omura

8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences（SAES2020） 

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開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

Development of Condition Monitoring System for Power Semiconductor Devices

Kazuha Watanabe, Masanori Tsukuda, Li Guan, Ichiro Omura

8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences（SAES2020） 

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開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

Development of noise measurement System for power electronics equipment

Tomoki Furuta, Kota Matsuo, Ichiro Omura

8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences（SAES2020） 

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開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術

管理, 渡辺和葉, 附田正則, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語：日本語  

5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内　潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤　渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林　整, 筒井一生, 岩井　洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語：日本語  

パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発

池亀恵市, 渡邉晃彦, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語：日本語  

5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 招待有り

平本俊郎, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通

電子情報通信学会SDM/ICD研究会8月研究会　 

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開催期間： 2019年08月07日 - 2019年08月09日   記述言語：日本語  

5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 招待有り

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎,　佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕,　執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会　第213回研究集会 電通SDM 共催研究集会 

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開催期間： 2019年01月29日   記述言語：日本語  

Real-Time Monitoring for Improvement of Reliability of Power Devices

Akihiko Watanabe, Shingo Hiroyoshi, Ichiro Omura

6th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2018) 

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開催期間： 2018年12月15日 - 2018年12月16日   記述言語：英語  

宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案

永松拓朗, 須藤雅貴, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語：日本語  

大容量PWMインバータの小型化を可能にする新しい出力電流検出システムの開発

肖駿, 長谷川一徳, 一木真生, 附田正則, 大村一郎, 嘉藤徹

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語：日本語  

内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証

廣吉慎吾, 渡邉晃彦, 大村一郎, 嘉藤徹

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語：日本語  

次世代IGBT 用超高速短絡保護システムの開発

一木真生, 有元貴昭, 安部征哉, 附田正則, 大村一郎

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語：日本語  

シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル： III. キャリア励起レーザの減衰を考慮した厳密解

金田 寛，大村 一郎

第７９回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催期間： 2018年09月18日 - 2018年09月21日   記述言語：日本語  

パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携：IGBT向けデジタルゲートドライバIC

高宮真, 宮崎耕太郎, 崔 通, 小原秀嶺, 萬年智介, 和田圭二, 附田正則, 安部征哉, 大村一郎, 桜井貴康

電子情報通信学会ソサイエティ大会 

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開催期間： 2018年09月11日 - 2018年09月14日   記述言語：日本語  

ダイオード整流器・三相PWMインバータシステムにおける システムにおける直流リンクコンデンサのモニタリング手法

永松拓朗, 須藤雅貴, 大村一郎

電気学会産業応用部門大会 

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開催期間： 2018年08月28日 - 2018年08月30日   記述言語：日本語  

Prospects of GaN technology in power devices

Giorgia Longobardi, Ichiro Omura

BIT’s 4th Annual World Congress of Smart Materials-2018 (WCSM-2018)  

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開催期間： 2018年03月06日 - 2018年03月08日   記述言語：英語  

電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案

附田 正則

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語：日本語  

パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発

田畑　勝次

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語：日本語  

ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用 ノイズ計測システムの構築

岩﨑量旺

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語：日本語  

三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎,大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2017年11月20日 - 2017年11月22日   記述言語：日本語  

プログラマブルゲートドライバIC を用いたIGBT モジュール用ゲート駆動制御回路の開発

小原秀嶺, 秋山寿夫, 和田圭二, 附田正則, 大村一郎, 宮崎耕太郎, 高宮真, 桜井貴康

電気学会産業応用部門大会 

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開催期間： 2017年08月29日 - 2017年08月31日   記述言語：日本語  

平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価：酸化膜形成による表面パッシベーション効果の評価

金田寛

第64回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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開催期間： 2017年03月14日 - 2017年03月17日   記述言語：日本語   開催地：パシフィコ横浜  

平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

金田寛

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年11月14日 - 2016年11月15日   記述言語：日本語  

ディジタルゲート駆動ICを用いたIGBTのスイッチング時における損失とオーバーシュートの自動最適化

崔 通, 宮崎耕太郎, 安部征哉, 附田正則, 大村一郎, 小原秀嶺, 和田圭二, 高宮真, 桜井貴康

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年11月14日 - 2016年11月15日   記述言語：日本語  

平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアの寿命評価：不純物酸素析出による寿命劣化の検出

金田寛

第77回応用物理学会秋季学術講演会 

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開催期間： 2016年09月13日 - 2016年09月16日   記述言語：英語  

平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価：Fe故意汚染による寿命劣化の検出

金田寛

第77回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

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開催期間： 2016年09月13日 - 2016年09月16日   記述言語：日本語   開催地：パシフィコ横浜  

平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価：赤外レーザビーム屈折の理論

金田寛、大村一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会 

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開催期間： 2016年03月19日 - 2016年03月22日   記述言語：日本語  

平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価：装置構成と平行デュアルビームの実現

金田寛、大村一郎

第63回応用物理学会春季学術講演会 

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開催期間： 2016年03月19日 - 2016年03月22日   記述言語：日本語  

三相インバータ用直流リンクコンデンサに適した評価回路の実験検証

長谷川一徳、大村一郎、西澤伸一

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

近傍空間磁界可視化システムの計測精度の検証

鈴木秀斗、松本拓朗、岩崎量旺、古賀仁大、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

近傍空間磁界可視化システムの実現

松本拓朗、鈴木秀斗、市原文夫、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

OCVD法によるキャリアライフタイム測定の精度解析

真辺航、原田翔平、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

リアルタイム内部温度分布可視化システムの構築

長尾亮輔、渡邉晃彦、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

高耐圧パワー半導体モジュール用超小型PCB電流センサの開発：ノイズ低減構造の提案と実証

中島健太、古賀仁大、大村一郎、附田正則

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：日本語  

パワーモジュールのインテリジェント化；出力電流検出機能の開発

田畑勝次、高原賢、長谷川一徳、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：英語  

パワーモジュール内蔵型出力電流計測手法の新提案

高原賢、長谷川一徳、附田正則、大村一郎

電気学会電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2016年03月08日 - 2016年03月09日   記述言語：英語  

パワーモジュール用PCB超小型電流センサ：専用設計ツールの開発とセンサ試作実証

古賀仁大、中島健太、大村一郎、附田正則

電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会 

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開催期間： 2016年01月22日 - 2016年01月23日   記述言語：日本語  

IGBTダブルゲート構造の提案とアクティブ・ホール注入制御：数値解析による低損失化の原理確認

原田翔平、大村一郎、附田正則

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語：日本語  

磁束センサアレイを用いたパワーモジュール内電流の可視化システムの開発

朝長大貴、大村一郎、附田正則、大胡田清一、野田龍三、田代勝治

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語：日本語  

IGBTモジュール用超小型電流センサの開発：高精度センサ構造の提案と専用設計環境の構築

古賀仁大、大村一郎、附田正則

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 

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開催期間： 2015年10月29日 - 2015年10月30日   記述言語：日本語  

三相インバータ用直流リンクコンデンサに適した評価回路

長谷川一徳、大村一郎、西澤伸一

電気学会産業応用部門大会 

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開催期間： 2015年09月02日 - 2015年09月04日   記述言語：日本語  

A Wireless monitoring system for gate-voltage waveforms of IGBTs

S. Takahara

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

High-performance IGBTs with Very Shallow Trench Gate up to 13 kV

S.Harada

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

Fast Recovery Diode with Convexo-concave-shaped Traps

H.Imaki

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

Current distribution imaging system for power devices using tiny ferrite core sensor

H. Tomonaga

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

Current imbalance measurement among chips in IGBT module with ultra-small PCB probe

H. Yamaguchi

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

Numerical design method of multi-turn coil for wireless power transfer circuit based on electrical circuit simulation

M. Koga

The 2ed Universiti Putra Malaysia-Kyushu Institute of Technology International Symposium of Applied Engineering and Sciences (SAES2014) 

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開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

SOI超高速横型シリコンダイオード

今城寛紀

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

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開催期間： 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語：日本語  

60GHz無線モジュールを用いたワイヤレス・ゲートドライブ回路

山本研一

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

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開催期間： 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語：日本語  

IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発

山口治之

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

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開催期間： 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語：日本語  

IGBTのゲート電化・ゲート電圧検出を用いた負荷短絡保護

吉田秀太郎

電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会 

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開催期間： 2014年01月24日 - 2014年01月25日   記述言語：日本語  

マイクロフィルムセンサを用いた電流集中現象の画像化

松下幸平

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究  電気学会

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開催期間： 2013年10月21日 - 2013年10月22日   記述言語：日本語   開催地：大阪大学  

リアルタイムモニタリング機能を持ったゲート駆動システムの構築

濱田航太

電気学会電子デバイス/半導体電力変換合同研究 

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開催期間： 2013年10月21日 - 2013年10月22日   記述言語：日本語  

High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

Yamato Miki

UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

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開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語：英語  

Wireless Energy Transfer Technology with High Frequency GaN Transistor

Jong-Ruey Yang

UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

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開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語：英語  

Failure analysis of power semiconductor devices based on real time monitoring

I.Omura

UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences (UKSAES2013) 

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開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語：英語  

High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

Ichiro Omura

UPM-Kyutech Symposium of Applied Engineering and Sciences 

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開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語：英語  

高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストヘッドの開発

松吉峻

電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究会  電子情報通信学会

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開催期間： 2013年01月24日 - 2013年01月25日   記述言語：日本語   開催地：熊本県  

PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討

川神圭一朗

電気学会　電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

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開催期間： 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語：日本語   開催地：島根  

CiNii Article

InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討

川神圭一朗

電気学会　電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

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開催期間： 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語：日本語   開催地：島根  

CiNii Article

フルデジタル回路によるＩＧＢＴの高速短絡保護

谷村拓哉

電気学会　電子デバイス/半導体電力変換合同研究会  電気学会

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開催期間： 2011年11月27日 - 2011年11月28日   記述言語：日本語   開催地：島根  

磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法の開発

未入力 

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開催期間： 2009年04月   記述言語：日本語  

EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBT の限界設計

電気学会合同研究会 

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開催期間： 2008年04月   記述言語：日本語  

GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路

電子情報通信学会　研究会 

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開催期間： 2007年04月   記述言語：日本語  

低オン抵抗高耐圧GaN-MISFET

２００６年春期　第53回応用物理学関係連合講演会 

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開催期間： 2006年04月   記述言語：日本語  

電源用GaNパワーデバイス

電子情報通信学会　総合大会 

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開催期間： 2006年04月   記述言語：日本語  

VRM 開発用マイクロ電流プローブ（高dI/dt (≧2000A/μsec) 逆回復動作の測定）

電気学会　半導体電力変換研究会 

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開催期間： 2006年04月   記述言語：日本語  

フィールドプレート構造による高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制

２００６年春期　第53回応用物理学関係連合講演会 

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開催期間： 2006年04月   記述言語：日本語  

高耐圧（>1000V）Semi Super junction MOSFET

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換合　同研究会 

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開催期間： 2005年04月   記述言語：日本語  

1200V系Si-IGBTと1200V系SiC-SBDによる2レベル三相インバータの損失予測

平成１７年電気学会全国大会 

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開催期間： 2005年04月   記述言語：日本語  

次世代パワーデバイス開発に向けて：IGBT開発動向

電気学会、電子デバイス技術委員会 

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開催期間： 2005年04月   記述言語：日本語  

ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望

本人

応用物理学会　応用電子物性研究例会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

600V-SiC-SBDを用いた300Wチョッパ変換器の体積予測

平成16年電気学会全国大会電力変換・制御回路方式 DC/DC変換回路（II） 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転

電子情報通信学会　電子デバイス研究会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価

電気学会　半導体電力変換研究会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

IGBTモジュール内のチップ電流測定

平成１６年電気学会全国大会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

600V AlGaN/GaN HEMT の試作とDC-DC コンバータ連続運転試験

電気学会　電子デバイス研究会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

20mΩcm2-600V クラスSuperjunction MOSFET

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換　合同研究会 

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開催期間： 2004年04月   記述言語：日本語  

4.5kV-6kA 遮断IEGT 圧接型パッケージの開発

本人

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換　合同研究会 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

プレーナ型4HSiC-SITの試作・評価

電気学会全国大会 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

600V Semi-Superjunction MOSFET

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換　合同研究会 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換　合同研究会 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明

第12回 ＴＩＡＲＡ研究発表会― イオンビームを利用した最新の材料・バイオ研究 ― 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計

電子情報通信学会　電子デバイス研究会 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

AlGaN/GaN HEMTのパワーデバイス応用

応用物理学会　学術講演会　シンポジウムGaN電子デバイスの進展と実用化への課題 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴの数ＭＨｚスイッチング動作検討

電気学会産業応用部門大会(JIASC03)  

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

次々世代CPU用電源

照明学会　公開研究会「照明機器における光の発生と回路技術、部品・デバイス・材料技術」 

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開催期間： 2003年04月   記述言語：日本語  

埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化

電気学会　電子デバイス　半導体電力変換　合同研究会 

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開催期間： 2002年04月   記述言語：日本語  

高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明

第1１回 ＴＩＡＲＡ研究発表会 

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開催期間： 2002年04月   記述言語：日本語