1989.08   The Japan Society of Applied Physics   Japan

Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation (III) Reviewed

Yamada Yuya, Shiratsuchi Keiki, Ida Hajime, Ono Kaito, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2020 ( 0 )   64   2020.01

Observation of CuPc thin films formed on Si(100) surfaces by STM Reviewed

Ara Kaisei, Kanamaru Renjiro, Hiroki Tatsunori, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2020 ( 0 )   63   2020.01

Observation of absorption formation of H₂Pc molecule at SiC surface Reviewed

Emoto Satoru, Kawamura Kazuya, Kuroki Shin-ichiro, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2020 ( 0 )   43   2020.01

Electronic and structural properties of H-intercalated graphene-SiC(0001) interface Reviewed

J. Ishii, S. Matsushima, M. Naitoh

Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 3 )   035001   5 pages   2019.03

Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation (II) Reviewed

Imanami Satoshi, Yamada Yuya, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract book of Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2019 ( 0 )   1P19   2019.01

Production conditions of CNT using SiC surface decomposition method Reviewed

Akira Hamada, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2018 ( 0 )   116   2018.01

Studies on CuPc adsorption process on Si (100) surface by scanning tunneling microscopy Reviewed

kurahashi syouta, Umeda Kyosei, Takigawa Rui, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2018 ( 0 )   287   2018.01

Observation of adsorption state of ZnPc molecule on graphite surface Reviewed

Umeda Kyosei, Kurahashi Shota, Takigawa Rui, Ikari Tomonori, Naitoh Masamichi

Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2018 ( 0 )   286   2018.01

Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation Reviewed

Motokawa Yosuke, Yamasaki Takayuki, Imanami Satoshi, Yamada Yuya, Naitoh Masamichi, Ikari Tomonori

Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan ( The Japan Society of Vacuum and Surface Science )   2018 ( 0 )   170   2018.01

Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method Reviewed

J. Ishii, Y. Miyawaki, T. Yamasaki, T. Ikari, M. Naitoh

Japanese Journal of Applied Physics   56   085104   4 pages   2017.07

The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas Reviewed

Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji

Applied Materials Today   7   185 - 189   2017.06

Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy Reviewed

T. Ikari, K. Matsuo, S. Uesugi, D. Todo, J. Ishii, M. Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   141 - 143   2016.05

Growth of graphene on SiC(111) surfaces via- ion beam irradiation Reviewed

J. Ishii, Y. Miyawaki, N. Tsuboi, T. Ikari, M. Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   121 - 124   2016.04

First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface Reviewed

J. Ishii, S. Matsushima, H. Nakamura, T. Ikari, M.Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   107 - 112   2016.04

Oxidation at Cs pre-Adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3 × 3) reconstructed surfaces studied using metastable-induced electron spectroscopy Reviewed

T. Ikari, T. Nakamura, K. Hirayama, K. Muraoka, J. Ishii, M. Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   103 - 106   2016.04

New measurement base de-embedded CPU load model for power delivery network design Reviewed

M. Okano, K. Watanabe, M. Naitoh, I. Omura

9th International Conference on Power Electronics-ECCE Asia   2288 - 2293   2015.06

Growth Control of Carbon Nanotubes Using Ion-Beam Irradiation Effect in the SiC Surface Decomposition Method, jointly worked Reviewed

Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 5 )   182 - 184   2014.05

Growth of Spherical Carbon Particles in the Vertically Excited Columnar Plasma Sheath, jointly worked Reviewed

Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 4 )   155 - 158   2014.04

A Study of the Graphene Formation on Silicon Carbide-on-Iinsulator Substrates, jointly worked Reviewed

Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 4 )   144 - 146   2014.04

Ion-beam irradiation effect in the growth process of graphene on silicon carbide-on-insulator substrates Reviewed

M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh

Materials Science Forum   2014.02

Self-organized formatioh of high-alignment carbon nanotubes and aplication for nano-devices

2012.06

Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma Reviewed

M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji

Diamond & Related Materials   27-28   10 - 13   2012.05

Ion-beam irradiation effect on the growth of carbon nanotubes in the SiC surface decomposition method Reviewed

M. Naitoh, Y. Karayama, H. Ohaze, T. Ikari

Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 1 )   010201   3pages   2012.01

STM observation of graphene formation using SiC-on insulator substrates Reviewed

M. Naitoh, M. Okano, Y. Kitada, Y. Sasaki, Y. Okubo, D. Edamoto, M. Nakao, I. Omura, T. Ikari

Surface Review and Letters   18 ( 5 )   163 - 167   2011.10

走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン化に関する研究 Reviewed

北田祐介,佐々木悠祐,大久保雄平,碇　智徳,内藤正路,中尾　基

表面科学   32 ( 7 )   459 - 460   2011.07

イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究 Reviewed

辛山慶訓,大櫨浩司,山崎絢哉,碇　智徳,山内貴志,内藤正路

表面科学   32 ( 7 )   457 - 458   2011.07

CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究 Reviewed

上村一平,古賀　光,小島健志,植田謙介,碇　智徳,内藤正路,西垣　敏

表面科学   31 ( 10 )   551 - 553   2010.10

Adsorption of cobalt phthalocyanine on a Si(100) surface with Bi-line structures as evaluated by scanning tunneling microscopy Reviewed

T. Ikari,S. Tanaka,S. Nakamura,M. Naitoh,S. Nishigaki,F. Shoji

Applied Surface Science   256 ( 4 )   1132 - 1135   2009.11

Influence of oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method Reviewed

T. Yamauchi,K. Nagamatsu,Y. Karayama,M. Naitoh,S. Nishigaki,H. Okado

Applied Surface Science   256 ( 4 )   930 - 933   2009.11

Influence of a Cr Layer on the Glass Substrate on the Growth of Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition Reviewed

T. Ikari,H. Koga,K. Kojima,I. Uemura,H. Miyazaki,M. Naitoh,S. Nishigaki

Surface Review and Letters   16 ( 5 )   761 - 765   2009.10

Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface Reviewed

J.Yoshida,Y.Yonekubo,T.Nakanishi,H.Okado,M.Naitoh,T.Sakata and H.Mori

Applied Surface Science   254   7723 - 7727   2008.09

SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 Reviewed

米久保喜彦,上田大志,山内貴志,碇　智徳,内藤正路,西垣　敏,大門秀朗,生地文也

表面科学   29 ( 7 )   418 - 420   2008.07

SiC(0001)-(3x3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 Reviewed

田中圭介,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也

Journal of the Vacuum Society of Japan   51 ( 3 )   124 - 127   2008.03

Influence of heating rate upon the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method Reviewed

T.Yamauchi,T.Ueda,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki

Journal of Physics: Conference Series   100   082007.1 - 082007.4   2008.03

An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures Reviewed

S.Nakamura,S.Kashirajima,Y.Johdai,Y.Yoshiiwa,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,Y.Shimizu

Surface Review and Letters   14 ( 5 )   957 - 961   2007.10

Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by metastable-induced electron spectroscopy Reviewed

T.Ikari,T.Matsuoka,K.Murakami,T.Kawamoto,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Science   601 ( 18 )   4418 - 4422   2007.09

Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy Reviewed

Y.Shirouzu,Y.Kaya,T.Okazaki,A. Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki,T.Ikari,K.Yamada

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   5   89 - 93   2007.03

Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 Reviewed

上代祐藏,吉岩由人,塗木貴彦,中村慎太郎,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也

真空   50 ( 3 )   196 - 198   2007.03

Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) surfaces Reviewed

T.Yamauchi,T.Tokunaga,M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji,M.Kusunoki

Surface Science   600 ( 18 )   4077 - 4080   2006.09

Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy Reviewed

A.Watanabe,S.Nishioka,Y.Shirouzu,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Science   600 ( 18 )   3659 - 3662   2006.09

Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy

Y.Shirouzu,T.Ikari,N.Kaya,T.Okazaki,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2006.09

Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

T.Ikari,T.Matsuoka,T.Kawamoto,K.Murakami,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2006.09

Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy Reviewed

T.Ikari,S.Arikado,K.Kameishi,H.Kawahara,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Applied Surface Science   252 ( 15 )   5424 - 5427   2006.05

Dynamic formation process of Bi line structure on Si(100) surface Reviewed

J.-T.Wang,D.-S.Wang,E.-G.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Computational Materials Science   36   135 - 138   2006.05

Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method Reviewed

T.Yamauchi,Y.Takahara,M.Naitoh,N.Narita

Physica B   376-377   778 - 781   2006.04

Surface-structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED Reviewed

T.Ikari,K.Kameishi,S.Arikado,H.Kawahara,T.Matsuoka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4   170 - 173   2006.02

Dynamic ad-dimer twisting assisted nanowire self-assembly on Si(100) Reviewed

J.-T.Wang,E.-G.Wang,D.-S.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Physical Review Letters   94 ( 22 )   226103.1 - 226103.4   2005.06

STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition Reviewed

T.Itoh,S.Kashirajima,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji

Applied Surface Science   244   161 - 165   2005.05

Influence of the incident He* velocity on metastable de-excitation process at a Cs-covered Si(100) surface Reviewed

T.Ikari,N.Uchino,S.Nishioka,H.Fujiwaki,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   232   88 - 93   2005.05

Growth control of carbon nanotubes on slicon carbide surfaces using the laser irradiation effect Reviewed

H.Konishi,H.Matsuoka,N.Toyama,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki

Thin Solid Films   464-465   295 - 298   2004.10

6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究 Reviewed

小野拓磨,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

表面科学   25 ( 8 )   519 - 520   2004.08

Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100) Reviewed

F.Shoji,H.Shimoji,M.Naitoh

Thin Solid Films   461   116 - 119   2004.08

Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

A.Watanabe,S.Nishioka,N.Uchino,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2004.04

Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

T.Inoue,N.Uchino,R.Yoshida,S.Nishioka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,R.Nishitani,S.Nishigaki

Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2004.04

レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御 Reviewed

小西博文,松岡宏則,遠山尚武,内藤正路,西垣敏,楠美智子

真空   47 ( 3 )   136 - 139   2004.03

Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察 Reviewed

大垣真治,内藤正路,西垣敏,大石信弘,生地文也

真空   46 ( 6 )   501 - 504   2003.06

6H-SiC(000-1)再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析 Reviewed

北田昌俊,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

真空   46 ( 6 )   505 - 508   2003.06

A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface Reviewed

T.Ikari,T.Kojima,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

Applied Surface Science   212-213   579 - 582   2003.05

Stability of Sb line structure on Si(100) Reviewed

J.-T.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,T.Hashizume,M.Naitoh,D.-S.Wang,E.-G.Wang

Physical Review B   67 ( 19 )   193307.1 - 193307.4   2003.05

A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS Reviewed

N.Oishi,N.Saitoh,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,S.Nakanishi,K.Umezawa

Applied Surface Science   212-213   373 - 377   2003.05

シリコンカーバイド表面の原子スケール解析とサーファクタントによる新機能開拓

内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

マツダ財団研究報告書 ( 未設定 )   15   201 - 208   2003.04

An STM observation of the initial process of graphitization at the 6H-SiC(000-1) surface Reviewed

M.Naitoh,M.Kitada,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji

Surface Review and Letters   10 ( 2-3 )   473 - 477   2003.04

Sodium-assisted nitrogen adsorption on Si(001) surfaces at room temperature studied by metastable de-excitation spectroscopy Reviewed

K.Yamada,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Science   507-510   207 - 212   2002.06

A metastable-induced electron spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces Reviewed

S.Nishigaki,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,K.Yamada,M.Naitoh

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   193   460 - 465   2002.06

Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED

K.Tachibana,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki

Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2002.04

STM observation of Bi-nanowire growth on the Si(100) surface

S.Ohgaki,M.Takei,M.Naitoh,N.Oishi,S.Nishigaki,F.Shoji

Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2002.04

走査トンネル顕微鏡による表面原子の観察と操作

内藤正路

明専会報 ( 未設定 )   ( 771 )   9 - 11   2001.05

Scanning tunneling microscopy observation of Bi-induced surface structures on the Si(100) surface Reviewed

M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Surface Science   482-485   1440 - 1444   2001.04

STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface Reviewed

J.Takami,M.Naitoh,I.Yokoh,S.Nishigaki,N.Toyama

Surface Science   482-485   359 - 364   2001.04

シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成 Invited Reviewed

内藤正路,武井孝樹,西垣敏,大石信弘,生地文也

真空   43 ( 11 )   1063 - 1066   2000.11

吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(最終報告)

内藤正路,西垣敏

財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 )   23   19 - 22   2000.04

半導体表面における水素原子のサーファクタント作用の解明と新機能抽出に関する研究

内藤正路

財団法人池谷科学技術振興財団年報 ( 未設定 )   11   41 - 42   2000.04

Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface studied by STM Reviewed

M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Transactions of the Material Research Society of Japan   25 ( 3 )   857 - 860   2000.04

Structure of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface : a scanning tunneling microscopy study Reviewed

M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 5A )   2793 - 2794   2000.04

Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy

S.Nishigaki,T.Sugiman,I.Yokoh,M.Yanagibashi,M.Naitoh,K.Yamada

Proceedings of the 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2000.04

吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(中間報告)

内藤正路,西垣敏

財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 )   22   86 - 88   1999.04

半導体表面における水素原子の能動的作用の原子スケール解析

内藤正路

Annual Report of the Murata Science Foundation ( 未設定 )   13   155 - 157   1999.04

Bismuth-induced surface structure of Si(100) studied by scanning tunneling microscopy Reviewed

M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Applied Surface Science   142   38 - 42   1999.04

A (2√3×2√13) surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy Reviewed

M.Naitoh,J.Takami,S.Nishigaki,N.Toyama

Applied Physics Letters   75 ( 5 )   650 - 652   1999.04

Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111) surface : a scanning tunneling microscopy study Reviewed

A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Applied Surface Science   144-145   548 - 553   1999.04

Hydrogen-induced restructuring and crater formation at Si(111)surfaces : a scanning tunneling microscopy study Reviewed

M.Naitoh,H.Shimaya,A.Watanabe,S.Nishigaki

Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 4A )   2033 - 2034   1998.04

Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy Reviewed

M.Naitoh,H.Shimaya,N.Oishi,F.Shoji,S.Nishigaki

Applied Surface Science   123-124   171 - 175   1998.04

Cs and oxygen adsorption on Ge(001) and GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy Reviewed

K.Yamada,S.Nishigaki,M.Naitoh

Surface Review and Letters   5   255 - 259   1998.04

A scanning tunneling microscopy investigation of adsorption and clustering of potassium on the Si(111)7×7 surface Reviewed

A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 6B )   3778 - 3781   1998.04

Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(001)surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy Reviewed

K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Science   402-404   683 - 686   1998.04

Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001)surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms Reviewed

S.Nishigaki,K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh

Ultramicroscopy   73   223 - 228   1998.04

Ga-rich GaP(001)(2×4)surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy Reviewed

M.Naitoh,A.Konishi,H.Inenaga,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Surface Science   402-404   623 - 627   1998.04

An ISS study on Ga-dimer arrangement in the GaP(001)4×2 surface Reviewed

N.Oishi,F.Shoji,A.Konishi,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Review and Letters   5   223 - 227   1998.04

Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS

S.Nishigaki,S.Tandjoeng,T.Kato,S.Sonoda,M.Naitoh,K.Yamada

Proceedings of the 3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   188 - 191   1998.04

化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

内藤正路

第4回新世代研究所研究助成研究成果報告会研究成果報告書 ( 未設定 )   107 - 113   1997.04

Scanning tunneling microscopy observation of bismuth growth on Si(100) surfaces Reviewed

M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

Surface Science   377-379   899 - 903   1997.04

Ge(100)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の準安定原子脱励起分光

山田健二,内藤正路,西垣　敏

九州工業大学研究報告   69   15 - 20   1997.04

A clean GaP(4x2)/c(8x2) surface structure studied by scanning tunneling microscopy and ion scattering spectroscopy Reviewed

M.Naitoh,A.Watanabe,A.Konishi,S.Nishigaki

Japanese Journal of Applied Physics   35   4789 - 4790   1996.04

Hydrogen-induced reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy Reviewed

A.Watanabe,H.Shimaya,M.Naitoh,S.Nishigaki

Journal of Vacuum Science & Technology B   14   3599 - 3602   1996.04

Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy Reviewed

K.Yamada,H.Iga,M.Naitoh,S.Nishigaki

Surface Science   357-358   481 - 485   1996.04

An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces Reviewed

M.Naitoh,A.Watanabe,S.Nishigaki

Surface Science   357-358   140 - 144   1996.04

A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces Reviewed

S.Nishigaki,K.Yamada,M.Naitoh,H.Iga

Surface Science   363   121 - 126   1996.04

Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究

内藤正路,西垣　敏

九州工業大学研究報告   68   31 - 39   1996.04

低エネルギーイオン散乱によるGaP(001)表面の構造解析

大石信弘,内藤正路,西垣　敏

九州工業大学研究報告   68   41 - 47   1996.04

Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam

S.Nishigaki,H,Iga,K.Yamada,M.Naitoh

Proceedings of the 2nd International Symposium on Advanced Materials   201 - 202   1995.04

Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scaning tunneling microscopy

M.Naitoh,A.Watanabe,H.Shimaya,N.Oishi,S.Nishigaki

Proceedings of the 2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   178 - 182   1995.04

Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis Reviewed

M.Watamori,M.Naitoh,H.Morioka,Y.Maeda,K.Oura

Applied Surface Science   82-83   417 - 421   1995.03

Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces Reviewed

M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,M.Watamori,K.Oura

Control of Semiconductor Interfaces   45 - 49   1994.03

Elastic recoil detection analysis of coadsorption of hydrogen and deuterium on clean Si surfaces Reviewed

K.Oura,M.Naitoh,H.Morioka,M.Watamori,F.Shoji

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   85   344 - 346   1994.03

Ion beam analysis of hydrogen on silicon surfaces Reviewed

K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji

Microbeam analysis   2   139 - 150   1993.12

Coadsorption of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis Reviewed

M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,K.Oura

Surface Science   297   135 - 140   1993.12

シリコン表面の水素変性と薄膜形成初期過程 Invited

尾浦憲治郎,住友弘二,内藤正路

固体物理   28 ( 12 )   943 - 949   1993.12

Direct observation of the growth process of Ag thin film on a hydrogen-terminated Si(111) surface Reviewed

M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura

Japanese Journal of Applied Physics   31   4018 - 4019   1992.12

Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED Reviewed

M.Naitoh,H.Ohnishi,Y.Ozaki,F.Shoji,K.Oura

Applied Surface Science   60-61   190 - 194   1992.08

シリコン表面水素の定量とその成膜過程への影響

内藤正路,尾浦憲治郎

大阪大学低温センターだより ( 未設定 )   79   7 - 11   1992.07

高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si(111)面上の銀薄膜成長過程の観察 Reviewed

内藤正路,生地文也,尾浦憲治郎

真空   34   140 - 142   1991.03

Hydrogen-termination effects on the growth of Ag thin films on Si(111) surfaces Reviewed

M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura

Surface Science   242   152 - 156   1991.02

Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Ag surface Reviewed

K.Oura,M.Naitoh,J.Yamane,F.Shoji

Surface Science   230   L151 - L154   1990.05

Elastic recoil detection analysis of hydrogen adsorbed on solid surfaces Reviewed

K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji,J.Yamane,K.Umezawa,T.Hanawa

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   45   199 - 202   1990.03

Hydrogen adsorption on Si(100)-2×1 surfaces studied by elactic recoil detection analysis Reviewed

K.Oura,J.Yamane,K.Umezawa,M.Naitoh,F.Shoji,T.Hanawa

Physical Review B   41   1200 - 1203   1990.01

基板加熱を伴うPt/[EMIm]Tf2N/SiC(000-1)表面構造の観察

山中郁哉, 杉山宏一, 来海裕之, 江本　暁, 益田純奨, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.09  応用物理学会

金属フタロシアニンを吸着したSiC再構成表面の構造観察

白石　凛, 碇　智徳, 内藤正路

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023.09  応用物理学会

SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ形成表面でのSTM観察

杉山宏一, 山中郁哉, 来海裕之, 江本　暁, 益田純奨, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023.06  日本表面真空学会九州支部

イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究(Ⅳ)

内野元稀, 井田　孟, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇　智徳

令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023.06  日本表面真空学会九州支部

プラズマ浸漬格子状ターゲットスパッタリング法による酸化アルミニウム薄膜の作製

木山歩優, 今　高信, 森田知希, 内藤正路, 生地文也, 碇　智徳

令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023.06  日本表面真空学会九州支部

白金を蒸着した[EMIm]Tf2N/Si表面の構造観察

渡邊美紀, 益田純奨, 山中郁哉, 中尾悠人, 杉山宏一, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.03  応用物理学会

A study of the desorption process at Pt adsorbed [EMIm]Tf2N/SiC surface with annealing

S. Masuda, F. Yamanaka, M. Miyamoto, S. Emoto, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari

The 22nd International Vacuum Congress  2022.09 

Pt蒸着した[EMIm]Tf2N/SiC表面の加熱による電子状態観測

山中郁哉, 益田純奨, 杉山宏一, 来海裕之, 渡邊美紀, 内藤正路, 碇　智徳

令和4年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2022）  2022.06  日本表面真空学会九州支部

Surface decomposition of Pt pre-adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

S. Masuda, T. Watanabe, F. Yamanaka, Y. Yamada, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari

The 9th International Symposium on Surface Science 

Observation of metal-free phthalocyanine adsorbed on SiC reconstructed surface

S. Emoto, A. Isobe, K. Kawamura, S. Kuroki, M. Naitoh, T. Ikari

The 9th International Symposium on Surface Science 

[EMIm]Tf2Nを蒸着したグラファイト/SiC(000-1)表面の電子状態解析

宮本弥凪, 益田純奨, 田中晶貴, 内藤正路, 碇　智徳

令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021）  2021.06  日本表面真空学会九州支部

準安定原子誘起電子分光法によるH2Pc/SiC再構成表面の電子状態の観測

江本 暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021）  2021.06  日本表面真空学会九州支部

SiC(0001)表面の安定な金属吸着サイトの第一原理計算による探索

石井純子, 松嶋茂憲, 内藤正路

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察

江本　暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測

宮本弥凪, 田中晶貴, 渡邉拓斗, 内藤正路, 碇　智徳

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

プラズマ浸漬格子状ターゲット法による機能性薄膜作製に関する研究

宗岡絢太, 徳永浩之, 本田　亘, 森田知希, 内藤正路, 碇　智徳

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察

荒　海成, 金丸廉二朗, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇　智徳

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅲ）

山田雄也, 白土恵輝, 井田　孟, 小野魁士, 内藤正路, 碇　智徳

日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

Production conditions of CNT using SiC surface decomposition method

プラズマ浸漬格子状ターゲット法による表面改質に関する研究

徳永浩之, 内藤正路, 碇　智徳

令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2019）  日本表面真空学会九州支部

準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定

田中晶貴, 飯田　涼, 柏谷拓実, 渡邉拓斗, 平山　楓, 田中　悟, 内藤正路, 碇　智徳

第66回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

ZnPc蒸着したSiC(0001)-(3×3)表面上の電子状態の観察

河村和哉, 山田稜汰, 志賀大真, 村岡幸輔, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

第66回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

Study on hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) interface by DFT calculation

Studies on CuPc adsorption process on Si (100) surface by scanning tunneling microscopy

Observation of adsorption state of ZnPc molecule on graphite surface

Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation

Production conditions of CNT using SiC surface decomposition method

水素を導入したグラフェンSiC界面の第一原理計算

石井純子

平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

加熱によるグラファイト表面上のZnPc分子挙動の観測

河村和哉

平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究

田中晶貴

平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

A study of epitaxial graphene on 3C-SiC(111) via Ar+ ion beam irradiation

The International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 

Electronic structure of oxygen and cesium co-adsorption on 6H-SiC(0001)_(6/3x6/3)R30#Uo#U) surface studied by MIES

The 8th International Symposium on Surface Science 

Observation of the electronic structure at a zinc-phthalocyanine thin film by MIES

The 8th International Symposium on Surface Science 

アルカリ金属及び酸素吸着したSiC(0001)- (6√3×6√3)R30°表面の電子状態

碇　智徳

九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

MIESによるCuPc/SiC(0001)-(1×1)表面の電子状態観測

河村和哉

九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

DCメタンプラズマCVDを利用したナノダイヤモンド合成に関するシース作用

縄田悠人

九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

Oxidation of Cs/6H-SiC(0001) surface studied by metastable-atom induced electron spectroscopy

Interdisciplinary Symposium for Up-and-comingMaterial Scientists 2017 

MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測

中村拓人

日本物理学会　第72回年次大会  日本物理学会

DCメタンプラズマによるナノダイヤモンド合成に及ぼすシースの効果

小林友樹

第64回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

Synthesis of nanodiamonds in sheath of the dc-methane/hydrogen plasma

Symposium on Surface Science & Nanotechnology 

A study of surface modification effect in the growth of carbon nanotubes by SiC surface decomposition method

Symposium on Surface Science & Nanotechnology 

XPS and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation

Symposium on Surface Science & Nanotechnology 

Effect of M-doping (M=Y, La) on the electronic structure of BiVO₄

2017 International Symposium on Innovation in Information Technology and Application 

Si(100)上に吸着した銅フタロシアニン薄膜の表面構造解析

内田真仁

2016年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

SiC 表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究(Ⅲ)

尾山貴大

2016年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド合成に関する研究

内田和希

第77回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

Raman spectroscopy and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation

20th International Vacuum Congress 

The study of the electronic structure at CuPc on graphite/4H-SiC(0001) surface by metastable atom induced electron spectroscopy

20th International Vacuum Congress 

Initial oxidation process of the 4H-SiC(0001)-(1×1) reconstructed surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

20th International Vacuum Congress 

DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド薄膜合成に関する研究

内田和希

九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

銅フタロシアニンを吸着した4H-SiC表面の電子状態の観測

植杉昌平

九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

4H-SiC再構成表面における初期酸化過程に関する研究

平山　楓

九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

Influence of atomic vacancy on the electronic structure of graphene layer on 4H-SiC(0001)

2016 Kumamoto Symposium on Two Dimensional Nanomaterials 

Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成

内田和希

2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究（Ⅱ）

内田真仁

2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

Si(100)上に吸着した金属フタロシアニン薄膜表面における電子状態及び構造解析

金子福利

2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

A study of the electronic structure at alkali metal adsorbed HOPG surface by MIES and UPS

10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 

Oxidation at Cs pre-adsorbed Si/6H-SiC(0001) reconstructiuon surfaces studied by metastable-atom induced electron spectroscopy

10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 

Electronic structure at MePc/Si(100) surface studied by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy

10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 

The formation of epitaxial graphene layers on the 4H-SiC(0001) surface studied by first-principles calculation

10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 

A study in the growth of graphene on the SiC(111) surface with ion beam irradiation

10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 

Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成

首藤大輝

九州表面・真空研究会2015 

自然酸化膜付Si基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長（Ⅱ）

山田晋平

第62回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

Cs/グラファイト表面における電子状態の研究

村岡幸輔

第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

鉛直柱状プラズマ法によるシリコン基板上へのナノダイヤモンド成長

首藤大輝

第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究

内藤正路

第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

CuPc/Si表面における加熱温度変化に伴う電子状態の観測

松尾航平

第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

石井純子

第34回表面科学学術講演会  日本表面科学会

鉛直柱状プラズマ法によるSi(100)上ナノダイヤモンドの合成

菅　祐志

第34回表面科学学術講演会  日本表面科学会

A Study of the Formation Process of Graphene on Silicon Carbide-on-Insulator Substrates

The 7th International Symposium on Surface Science 

The study of the electronic structure at CuPc adsorbed Si(100) surface by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy

The 7th International Symposium on Surface Science 

Oxidation of cesium adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

The 7th International Symposium on Surface Science 

メタンプラズマシース中において生成される球状カーボン微粒子の特徴

菅　祐志

九州表面・真空研究会2014（第19回九州薄膜・表面研究会） 

Comparison of tribological properties of closed-packed and well-aligned carbon nanotube and Peapod films

2014 International Industrial Information Systems Conference 

鉛直柱状プラズマ－基板間における球状カーボン微粒子の成長様式の解明

中山泰輔

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

準安定原子誘起電子分光法による銅フタロシアニンを吸着したSi(100)表面の電子状態の観測

金子福利

平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

Nd-Fe-B系磁石の保留場に対する圧力効果

後藤弘樹

第119回日本物理学会九州支部例会  日本物理学会九州支部

メソ多孔体細孔中に合成したDyMnO3ナノ粒子の磁性と結晶構

新納　健

第119回日本物理学会九州支部例会  日本物理学会九州支部

鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長

菅　祐志

第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究

早久和希

第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

Cu(111)面に吸着させた蛍光タンパク質の走査トンネル顕微鏡観察

冨田哲朗

第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

イオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究

高松草平

第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

Ion-beam irradiation effect in the growth process of grapheme using SiC-on-insulator substrates

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

Observation of the electronic structure of Si/6H-SiC(0001) reconstruction surfaces by metastable atom induced electron spectroscopy

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

Growth control of carbon nanotubes using ion-beam irradiation in the SiC surface decomposition method

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 

SOI基板を用いたSiC膜のグラフェン化におけるイオンビーム照射に関する研究

枝元太希

九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会） 

MIESを用いた6H-SiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態の観測

村岡幸輔

九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会） 

Adsorption of fullerene on a Si(100) surface with Bi-line structure as evaluated by scanning tunneling microscopy

2012 Joint Conference of the International Industrial Information Systems Conference & the International Conference on Computers, Communications and Systems 

熱CVD法によるAl及びNi金属膜を用いたCNT成長に関する研究

川島智幸

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

SOI基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究

枝元太希

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

SiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究

瀬尾甲太郎

平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

Si基板上3C-SiC薄膜を用いたグラフェン形成に関する研究

内田健太郎

第32回表面科学学術講演会  日本表面科学会

低温低圧柱状プラズマを用いた球状炭素粒子の形成と構造解析

中山泰輔

第53回真空に関する連合講演会  日本真空学会

準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC(0001)表面の電子状態抽出

森岡明大

第53回真空に関する連合講演会  日本真空学会

Si基板上3C-SiC薄膜のグラフェン形成過程に関するSTM研究

内田健太郎

第73回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究

枝元太希

九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

高密度配向カーボンナノチューブ及びピーポッドの摩擦力測定

井上一平

九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

CVD法によるSi基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究

瀬尾甲太郎

九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成

中山泰輔

九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

一次元原子鎖形成Si(100)表面上のフラーレン吸着に関する研究

内田健太郎

第31回表面科学学術講演会 

Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究とパワーデバイス用素子への可能性

岡野資睦

第31回表面科学学術講演会 

Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma

22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 

CVD法によるガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究

竹堂公貴

九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

低圧メタンプラズマにおける球状炭素粒子の微細構造と成長に関する研究

尾上雅俊

九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

走査トンネル顕微鏡によるBiナノワイヤ形成Si(100)表面上のフラーレン吸着・脱離に関する研究

内田健太郎

九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究

大久保雄平

九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅱ

工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

第58回応用物理学関係連合講演会 

低温低圧柱状プラズマによる炭素系球状粒子成長に関する研究

工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

SiC表面分解法における重水雰囲気の影響

工学研究科先端機能システム工学専攻　野田光洋

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン形成過程に関する研究

工学府博士前期電気電子　佐々木悠祐

平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

イオンビーム照射によるSiC表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究

工学府博士前期電気電子　大櫨浩司

第30回表面科学学術講演会 

走査トンネル顕微鏡によるSiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究

工学府博士前期電気電子　北田祐介

第30回表面科学学術講演会 

ガラス及びSi基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究

工学府博士前期電気電子　植田謙介

第30回表面科学学術講演会 

低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅰ

工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

第71回応用物理学会学術講演会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面への金属フタロシアニン及びC60吸着のSTM研究

本人

第71回応用物理学会学術講演会 

イオンビーム照射によるSiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成

工学研究科電気工学専攻　辛山慶訓

九州表面・真空研究会2010（第15回九州薄膜・表面研究会） 

準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面の電子状態抽出

工学研究科電気電子工学専攻　清水洋平

平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 

イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究

工学府博士前期電気電子　永松謙佑

第29回表面科学講演大会 

CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究

工学府博士前期電気電子　田中繁文

第29回表面科学講演大会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

工学府博士前期電気電子　田中繁文

第29回表面科学講演大会 

SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製

工学研究科先端機能システム工学専攻　大門秀朗

九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会） 

CVD法により作製したカーボンナノチューブの電界放出特性評価

工学研究科電気工学専攻　上村一平

九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会） 

Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

A study of adsorption of cobalt phthalocyanine on the Si(100) surface with Bi-line structures by scanning tunneling microscopy

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

Reduction reaction of oxidized Ni(110) surfaces with hydrogen studied by metastable-induced electron spectroscopy

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

An STM observation of adsorption of cobalt phthalocyanine on the 6H-SiC(0001) surfaces

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

Influence of the oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における酸素の与える影響に関する研究

工学研究科電気工学専攻　永松謙佑

第13回九州薄膜・表面研究会 

準安定原子誘起電子分光法を用いたO/Ni(11)表面における水素還元・吸着プロセスの研究

宇部高専　碇智徳

第13回九州薄膜・表面研究会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着のSTM研究

工学研究科電気工学専攻　中村慎太郎

第55回応用物理学会関係連合講演会 

原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

工学研究科電気工学専攻　川本卓磨

平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

準安定ヘリウム原子の脱励起プロセスにおける速度依存性

石川高専　山田健二

平成19年度日本物理学会北陸支部学術講演会 

SiC(0001)3×3表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察

大学院工学研究科電気工学専攻　田中圭介

第48回真空に関する連合講演会 

Formation of carbon nanotubes on a polyimide substrate by chemical vapor deposition method

9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

Influence by the difference of the vacuum degree to the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究

工学研究科電気工学専攻　米久保喜彦

第27回表面科学講演大会 

Influence of the heating rate upon the growth of carbon-nanotubes by SiC surface decompisition method

17th International Vacuum Congress,13th International Conference on Surface Science andInternational Conference on Nano Sciecen and Technology 

原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

工学研究科電気工学専攻　村上和大

第12回九州薄膜・表面研究会 

CVD法を用いたポリイミド基板上へのカーボンナノチューブ低温形成

工学研究科電気工学専攻　松本康伸

第12回九州薄膜・表面研究会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着過程のSTM研究

工学研究科電気工学専攻　中村慎太郎

第12回九州薄膜・表面研究会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

工学研究科電気工学専攻　上代祐蔵

第47回真空に関する連合講演会 

水素終端6H-SiC(0001)3x3表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

工学研究科電気工学専攻　安冨一裕

第47回真空に関する連合講演会 

SiC表面分解法でのCNT配向膜形成に関する研究

工学研究科電気工学専攻　上田大志

第47回真空に関する連合講演会 

Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface 

Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy

7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface 

An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures

The 24th European Conference on Surface Science 

Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3x1)-O surface studied by MIES and LEED

24th European Conference on Surface Science 

水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性－MIESとLEEDによる研究

工学研究科電気工学専攻　川本卓磨

第11回九州薄膜・表面研究会 

Ca吸着Si(111)表面電子状態のMIESによる研究

工学研究科電気工学専攻　嘉屋旨哲

第11回九州薄膜・表面研究会 

表面分解法による6H-SiC-C面のカーボンナノチューブ成長過程

工学部電気工学科　山内貴志

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

水素ガスによるO/Ni(110)表面の還元反応：MIESとLEEDによる研究

工学研究科電気工学専攻　松岡利幸

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

Ca/Si(111)表面反応のMIESとLEEDによる研究

工学研究科電気工学専攻　白水康雄

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

低速イオン散乱分光法による酸素吸着Ni(110)表面の構造解析

工学研究科電気工学専攻　松岡悠一郎

平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

Surface structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED

4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology 

準安定励起原子を用いた半導体表面の電子状態抽出

石川工業高等専門学校　山田健二

平成17年度電気関係学会北陸支部連合大会 

Co-adsorption of silver and hydrogen on the Si(100) surface with Bi line structures studied by scanning tunneling microscopy

5th Iberian Vacuum Meeting 

Adsorption of hydrogen on the 6H-SiC(0001)(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy

5th Iberian Vacuum Meeting 

6H-SiC(000-1)C面における表面構造のカーボンナノチューブ成長へ与える影響

工学部電気工学科　山内貴志

第66回応用物理学会学術講演会 

Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) C-faces

The 23rd European Conference on Surface Science 

Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy

The 23rd European Conference on Surface Science 

Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method

The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors 

Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy

8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

CVT法で作製したZnSe単結晶表面のAFM観察

工学部電気工学科　山内貴志

第10回九州薄膜・表面研究会 

水素曝露されたO/Ni(110)表面のMIESによる表面電子状態密度抽出

工学研究科電気工学専攻　川原宏樹

第10回九州薄膜・表面研究会 

Si(100)表面上のCa吸着とCaシリサイド薄膜形成プロセス

工学研究科電気工学専攻　吉田亮

第10回九州薄膜・表面研究会 

水素原子吸着によるダイヤモンド表面ポテンシャルの変化：UPS/MIESの同時計測による研究

工学研究科電気工学専攻　西岡信介

第10回九州薄膜・表面研究会 

SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究

工学研究科電気工学専攻　矢野祐樹

第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

水素終端CVDダイヤモンド表面電子状態の準安定原子誘起電子分光法による研究

工学部電気工学科　渡邉晃彦

第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子及び水素の吸着・脱離過程のSTM研究

工学研究科電気工学専攻　頭島周

第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

酸素吸着Ni(110)表面の水素による還元反応：準安定原子誘起電子分光と低速電子線回折による研究

工学部電気工学科　碇智徳

第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

カーボンナノチューブの低温形成と選択的成長制御

工学研究科電気工学専攻　山崎宏徳

第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

Influences of the incident He* velocity on the metastable de-excitation process at surfaces and the resultant electron spectra

15th International Workshop on Inelastic Ion Surface Collisions 

Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察

工学研究科電気工学専攻　頭島周

第65回応用物理学会学術講演会 

STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition

12th International Conference on Solid Films and Surfaces 

Hydrogen-induced reordering of the 6H-SiC(0001)-(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy

12th International Conference on Solid Films and Surfaces 

6H-SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究

工学研究科電気工学専攻　徳永孝行

第9回九州薄膜・表面研究会 

Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察

工学研究科電気工学専攻　頭島　周

第9回九州薄膜・表面研究会 

準安定原子脱励起スペクトルのHe*原子入射速度依存性

工学部電気工学科　西垣　敏

第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会 

準安定原子脱励起スペクトルの表面－He*相対速度依存性

工学研究科電気工学専攻　内野直喜

第109回日本物理学会九州支部例会 

ナノワイヤを含むBi／Si(100)表面の構造変化に関するSTM研究

工学研究科電気工学専攻　伊藤剛士

第109回日本物理学会九州支部例会 

表面スピン電子密度分布のためのヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化

工学研究科電気工学専攻　亀石浩太

第109回日本物理学会九州支部例会 

6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究

工学研究科電気工学専攻　小野拓磨

第23回表面科学講演大会 

Preparation of Si(100)-1×1-Bi phase by the mass-analyzed low-energy ion deposition method

7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

Formation of carbon-nanotubes on silicon carbide surfaces and selective growth control by the laser irradiation

7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

カーボンナノチューブの生成メカニズム解明および選択的成長制御

工学研究科電気工学専攻　小西博文

第44回真空に関する連合講演会 

Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100)

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials 

CCVD法によるカーボンナノチューブの生成及び評価

工学研究科電気工学専攻　御木智幸

電気関係学会九州支部第56回連合大会 

SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびレーザ照射による表面変性

工学研究科電気工学専攻　松岡宏則

電気関係学会九州支部第56回連合大会 

低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi多層吸着膜の構造解析

工学研究科電気工学専攻　児玉諭彦

第8回九州薄膜・表面セミナー 

ヘリウム準安定原子のスピン偏極化及び表面スピン電子状態分析への応用

工学研究科電気工学専攻　碇智徳

第8回九州薄膜・表面セミナー 

SiC表面上でのカーボンナノチューブの自己組織化形成

工学研究科電気工学専攻　小西博文

第8回九州薄膜・表面セミナー 

SiC(0001)及び(000-1)表面再構成のSTM-LEED研究

工学研究科電気工学専攻　小野拓磨

第8回九州薄膜・表面セミナー 

Si(100)表面に自己組織的に誘起された一次元構造の形成メカニズムの解明

工学研究科電気工学専攻　伊藤剛士

第8回九州薄膜・表面セミナー 

SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびTEM観察

工学研究科電気工学専攻　小西博文

第50回応用物理学関係連合講演会 

Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程のSTM観察

工学研究科電気工学専攻　大垣真治

第43回真空に関する連合講演会 

6H-SiC(000-1)再構成表面のSTM/LEEDによる解析

工学研究科電気工学専攻　北田昌俊

第43回真空に関する連合講演会 

低速イオン散乱法によるSi(100)表面上Bi薄膜の構造解析

工学研究科電気工学専攻　斉藤伸之

第43回真空に関する連合講演会 

Bi-induced line structures on Si(100) surfaces

Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference 

Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED

5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

STM observation of Bi-nanowire formation on the Si(100) surface

5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

An STM observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface

7th International Conference on the Structure of Surfaces 

A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface

11th International Conference on Solid Films and Surfaces 

A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS

11th International Conference on Solid Films and Surfaces 

低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi薄膜の構造解析

第7回九州薄膜・表面セミナー 

Si(100)表面上のBi原子ワイヤー形成過程

第7回九州薄膜・表面セミナー 

SiC表面上でのカーボンナノチューブ形成

第7回九州薄膜・表面セミナー 

O吸着Ni(110)表面の準安定原子誘起電子分光

第7回九州薄膜・表面セミナー 

Si(100)面上での鉄シリサイド薄膜の形成

第3回表面科学会関西支部学生セッション 

スピン偏極MDSによるO/Ni(110)表面研究

第3回表面科学会関西支部学生セッション 

Scanning tunneling microscopy observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface

Atomic-Scale Surface Designing for Functional Low-Dimensional Materials 

シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成

本人

第42回真空に関する連合講演会 

Alkali-assisted nitridation of Si(001) surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy

20th European Conference on Surface Science 

A metastable de-excitation spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces

19th International Conference on Atomic Collision in Solids 

An STM observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(000-1)3×3 surface

11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

An STM investigation of formation of Bi nanowires on a Si(100) surface

11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

Single-crystal phases on Si surfaces

シリコン表面でのビスマスナノワイヤ自己組織化形成のSTM観察

第6回九州薄膜・表面セミナー 

Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy

4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

Scanning tunneling microscopy observation of Bi-dimer linear chains on the Si(100) surface

19th European Conference on Surface Science 

STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface

19th European Conference on Surface Science 

Si(100)表面上のビスマス一次元構造のSTM観察

九州薄膜・表面セミナー(兼第5回九州薄膜・表面研究会) 

Si(100)表面上のBiダイマー鎖構造形成のSTM観察

本人

第47回応用物理学関係連合講演会 

MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究

日本物理学会2000年春の分科会 

Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100) surface studied by STM

TOF-ICISSを用いたSi(100)表面上Bi吸着層の構造解析

平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究

平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

スピン偏極ヘリウム準安定原子脱励起分光装置の試作

平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

準安定原子脱励起分光を用いた表面最外層電子状態の抽出

第3回実用表面分析講演会 

A new surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy

7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 

6H-SiC(0001)表面の2√3×2√13構造:STM研究

薄膜・表面の機能・物性研究会 

走査トンネル顕微鏡によるSiC(0001)表面構造解析

本人

第46回応用物理学関係連合講演会 

準安定原子脱励起分光法による半導体表面上のCs吸着とその酸化促進効果の研究

第54回日本物理学会年会 

Si(111)7×7表面上のK吸着過程:中被覆度領域での吸着構造解析

日本物理学会1998年秋の分科会 

Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察

本人

日本物理学会1998年秋の分科会 

Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS

3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111)7×7 surface: a scanning tunneling microscopy

14th International Vacuum Congress and 10th International Conference on Solid Surfaces 

Strain relaxation of bismuth thin films on the Si(100) surface studied by scanning tunneling microscopy

9th International Conference on Solid Films and Surfaces 

Si(111)7×7表面上K吸着の構造と電子状態変化:STM観察

第3回九州薄膜・表面研究会 

スピン偏極MDSの開発とNi(110)表面スピン状態分析への応用

第3回九州薄膜・表面研究会 

スピン偏極He*を用いたNi(110)表面電子状態解析

第53回日本物理学会年会 

Si(111)7×7表面上のK吸着過程の走査トンネル顕微鏡による研究

第45回応用物理学関係連合講演会 

An STM/STS observation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface

5th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy 

MDSによるGaAs(100)表面上のCs吸着の電子状態

平成9年度応用物理学会九州支部学術講演会 

低速イオン散乱分光法によるGa-rich GaP(001)(2×4)清浄表面の構造解析

未入力 

An MDS study of variation in the local electronic structure during alkali-promoted oxygenation of GaAs(001) surfaces

4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

Li+ and Na+ ion scattering study on the structure of the Ga-rich GaP(001)(4×2) surface

4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察

本人

日本物理学会1997年秋の分科会 

MDSによるSi(111)表面上Cs吸着の電子状態変化と酸化初期過程

日本物理学会1997年秋の分科会 

Ga-rich GaP(001)(4×2) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy

17th European Conference on Surface Science 

Coadsorption of cesium and oxygen on GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy

17th European Conference on Surface Science 

An STM/STS investigation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface

9th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001) surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms

44th International Field Emission Symposium 

Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy

6th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 

Si(111),(100)表面へのBi吸着のSTM研究

第2回九州薄膜・表面研究会 

化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

本人

財団法人新世代研究所第4回研究助成成果報告会 

アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析

第52回日本物理学会年会 

アルカリ金属吸着シリコン表面の構造及び電子状態の走査トンネル顕微鏡観察

本人

第52回日本物理学会年会 

Cs/GaAs(001)表面上の酸素吸着の準安定原子脱励起分光

第52回日本物理学会年会 

原子状水素吸着によるBi蒸着Si(111)表面の構造変化過程のSTM観察

本人

第44回応用物理学関係連合講演会 

スピン偏極MDSによるNi(110)表面の電子状態検出

日本物理学会1996年秋の分科会 

GaAs(001)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の表面局所電子状態

日本物理学会1996年秋の分科会 

Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察

日本物理学会1996年秋の分科会 

Scanning tunneling microscopy observation of the Si(100)1×1-Bi structure

16th European Conference on Surface Science 

GaAs(001)表面上の酸素とアルカリ金属共吸着の準安定原子脱励起分光法による研究

第57回応用物理学会学術講演会 

An ISS study on the reconstruction of GaP(001)4×2 surfaces

5th International Conference on the Structure of Surfaces 

Cs and oxygen adsorption on Ge and GaAs surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy

5th International Conference on the Structure of Surfaces 

金属/半導体界面における水素誘起構造変態(STM)

本人

第1回九州薄膜・表面研究会 

GaP(001)清浄及び水素処理面のSTM/STS観察

第51回日本物理学会年会 

Ge(001)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の表面局所電子状態

第51回日本物理学会年会 

GaP(001)清浄表面及び水素処理による再配列構造のSTM/LEED/ISS観察

本人

第43回応用物理学関係連合講演会 

Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy

2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

GaP(001)清浄及びアルカリ金属吸着表面のISS/LEED観察

日本物理学会1995年秋の分科会 

An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy

13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

Reconstruction of the GaP(001) surface studied by STM

13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces

International Symposium on Dynamical Quantum Processes on Solid Surfaces 

シリコン表面上の金属・水素共吸着系のSTM/STS観察

内藤正路

第50回日本物理学会年会 

Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam

2nd International Symposium on Advanced Materials 

シリコン表面水素のイオンビーム定量並びに薄膜形成に及ぼす影響

本人

第10回局所表面分析懇話会 

低温におけるSi表面吸着水素のERDA観察

前田泰宏

日本物理学会1994年秋の分科会 

Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and (100) surfaces studied by elastic recoil detection analysi

3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes 

低温におけるSi基板表面水素の挙動のERDA/LEED観察

内藤正路

第41回応用物理学関係連合講演会 

`Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

1st International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

Si(111)面上のAg膜成長に及ぼす表面水素の影響の重イオンRBSによる観察

内藤正路

第54回応用物理学会学術講演会 

Si(100)面上のAg膜成長過程に及ぼす表面水素の影響

森岡　肇

第40回応用物理学関係連合講演会 

Si(100)面上の水素吸着過程

内藤正路

第48回日本物理学会年会 

Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察

森岡　肇

日本物理学会1992年秋の分科会 

Coadsorption study of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces by elastic recoil detection analysis technique

3rd ISSP International Symposium on Dynamical Processes at Solid Surfaces 

ERDA/LEEDによるAl/Si(111)-√7×√7表面への水素吸着の研究

内藤正路

第39回応用物理学関係連合講演会 

UHV-STMによるSi表面観察(II);√3-Ag表面の水素誘起クラスタ形成

片山逸雄

第39回応用物理学関係連合講演会 

Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED

1st International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

ERDA/LEEDによるAl単原子層蒸着Si表面への水素吸着の研究

内藤正路

第52回応用物理学会学術講演会 

Al単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察

大西秀朗

第46回日本物理学会年会 

高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dの振舞いに関する研究

内藤正路

第46回日本物理学会年会 

高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究

内藤正路

日本物理学会1991年春の分科会 

水素終端Si(111)表面上におけるAgの成長様式のSEM観察

内藤正路

第38回応用物理学関係連合講演会 

高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素ターミネートSi(111)面上の金属膜成長過程

内藤正路

第31回真空に関する連合講演会 

ERDA/LEEDによるAu単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究

内藤正路

第51回応用物理学会学術講演会 

Hydrogen-termination effect on the growth of Ag thin films on Si(111) surface

YAMADA Conference 26 

水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察

尾浦憲治郎

第45回日本物理学会年会 

水素ターミネーションによるSi(111)基板上への金属膜成長初期過程の制御

内藤正路

第37回応用物理学関係連合講演会 

ERDA/LEEDによるSi(111)-√3×√3Ag表面への水素吸着

尾浦憲治郎

日本物理学会1989年秋の分科会 

ERDA/LEEDによるAg単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究

内藤正路

第50回応用物理学会学術講演会 

SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御

Grant number：13650028  2001.04 - 2003.03   基盤研究(C)

固体表面でのイオン・準安定原子の中性化・脱励起における集団的励起

Grant number：12640317  2000.04 - 2003.03   基盤研究(C)

超低速イオンビーム蒸着によるSi表面低次元相形成とエピタキシーの研究

Grant number：12650033  2000.04 - 2002.03   基盤研究(C)

半導体表面変性における水素原子の能動的作用の原子スケ-ル解析

Grant number：09750035  1997.04 - 1999.03   奨励研究(A)

スピン編極ヘリウム準安定原子ビームによる表面最外原子層磁気秩序の解明

Grant number：08454083  1996.04 - 1999.03   基盤研究(B)

STM-STS法による化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

Grant number：08750037  1996.04 - 1997.03   奨励研究(A)

STM-STS法による半導体表面における吸着水素原子の表面変性効果に関する研究

Grant number：07750039  1995.04 - 1996.03   奨励研究(A)

The Vacuum Society of Japan  

2014.01 - 2018.03

The Japan Society of Applied Physics  

2009.04

The Surface Science Society of Japan  

2009.04 - 2016.03

The Vacuum Society of Japan  

2008.01 - 2010.12

The Japan Society of Applied Physics  

2006.04 - 2008.03

The Japan Society of Applied Physics  

2006.04 - 2007.03

The Surface Science Society of Japan  

2003.04 - 2005.03