2024/07/24 更新

ナイトウ　マサミチ
内藤　正路
NAITOH Masamichi
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Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院工学研究院 電気電子工学研究系
職名
教授
メールアドレス
メールアドレス
研究室FAX
093-884-3266
外部リンク

研究キーワード

  • 走査トンネル顕微鏡

  • カーボンナノチューブ

  • グラフェン

  • ビスマス

  • 水素吸着

  • シリコン

  • シリコンカーバイド

  • 自己組織化

  • 表面変性

  • 半導体表面

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / ナノ材料科学

出身学校

  • 1989年03月   大阪大学   工学部   電子工学   卒業   日本国

出身大学院

  • 1994年03月   大阪大学   工学研究科   電子工学   博士課程・博士後期課程   修了   日本国

  • 1991年03月   大阪大学   工学研究科   電子工学   修士課程・博士前期課程   修了   日本国

取得学位

  • 大阪大学  -  博士（工学）   1994年03月

学内職務経歴

  • 2022年04月 - 2023年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     電気電子工学科長

  • 2018年04月 - 2019年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     電気電子工学科長

  • 2017年04月 - 現在   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     教授

  • 2017年04月 - 2018年03月   九州工業大学   大学院工学研究院     副専攻長（電気)

  • 2013年04月 - 2017年03月   九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能専攻     教授

所属学会・委員会

  • 2018年04月 - 現在   日本表面真空学会   日本国

  • 2013年04月 - 2015年03月   北九州学術研究都市　産学連携フェア実行委員会   日本国

  • 2003年06月 - 2018年03月   日本表面科学会   日本国

  • 2001年07月 - 2018年03月   日本真空学会   日本国

  • 1990年11月 - 2017年12月   日本物理学会   日本国

  • 1989年08月 - 現在   応用物理学会   日本国

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論文

  • Molybdenum disulfide homogeneous junction diode fabrication and rectification characteristics 査読有り 国際誌

    Wei Li, Jeng-Yu Ke, Yun-Xuan Ou-Yang, Ying-Xuan Lin, Ching-Hwa Ho, Kuei-Yi Lee, Shunjiro Fujii, Shin-ichi Honda, Hideaki Okado, Masamichi Naitoh

    Japanese Journal of Applied Physics ( 日本応用物理学会 )   61 ( 8 )   086504   8 pages   2022年08月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    The chemical vapor transport method was used in this research to synthesize MoS2 bulk. Through mechanical exfoliation, we limited the thickness of MoS2 flakes from 1 to 3 μm. In order to fabricate a p-n homogeneous junction, we used oxygen plasma treatment to transform the MoS2 characteristics from n-type to p-type to fabricate a p-n homogenous junction and demonstrate the charge neutrality point shift from −80 to +102 V successfully using FET measurement. The MoS2 p-n homogeneous junction diode showed an excellent p-n characteristic curve during the measurements and performed great rectifying behavior with 1-10 Vpp in the half-wave rectification experiment. This work demonstrated that MoS2 flake had great potential for p-n diodes that feature significant p-n characteristics and rectifying behavior.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac7fcf

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac7fcf

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  • Observation of Metal-free Phthalocyanine Adsorbed on SiC Reconstructed Surface 査読有り

    Emoto S., Isobe A., Ikari T., Kawamura K., Kuroki S.I., Naitoh M.

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   20 ( 4 )   257 - 260   2022年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Metal-free phthalocyanine (H2Pc) has unique features, such as visible light absorption and excellent thermal and chemical stabilities, which render them applicable to organic electronic devices. However, the condition of the phthalocyanine (Pc) film affects the performance of these devices. Therefore, it is necessary to establish a control method for Pc adsorption and the thin-film growth. In the present study, we observed the electronic structures and morphology of H2Pc structures adsorbed on reconstructed SiC surfaces using metastable atom induced electron spectroscopy, low-energy electron diffraction, and atomic force microscopy. The H2Pc molecules were deposited on each SiC reconstructed surface (particularly graphene) until the H2Pc thin film was formed. The molecular orientation of H2Pc adsorbed on the graphene surface changed from a tilted structure to a flat-lying structure with the increase in the deposition time. As the amount of deposition increases, the H2Pc molecules formed a thin film on the surface during the island growth. We further discuss the adsorption structure and the thin-film growth of the H2Pc molecules with the increasing deposition time on the SiC reconstructed surface.

    DOI： 10.1380/ejssnt.2022-040

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  • SiC(0001)表面の安定な金属吸着サイトの第一原理計算による探索 査読有り

    石井 純子, 松嶋 茂憲, 内藤 正路

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   2   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>本研究では、4H-SiC(0001)表面に金属原子（Ni、Pt、Pd、Cu）が吸着した場合の表面構造変化と安定吸着位置について検討する。吸着位置の違いによって3種類のスラブモデル（type-I、type-II、type-III）を構築し、第一原理バンド計算を実施した。その結果、type-Iが最もエネルギー的に安定し、4種類の金属原子の中では、Ptが最も安定な吸着を形成することがわかった。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_2

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  • プラズマ浸漬格子状ターゲット法による機能性薄膜作製に関する研究 査読有り

    宗岡 絢太, 徳永 浩之, 本田 亘, 森田 知希, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   106   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>本研究では、プラズマを用いた新たな薄膜生成技術の確立を目指して実験を行った。従来のプラズマを用いた薄膜生成技術、特に、スパッタリング法では、薄膜を生成する際に基板へのダメージがあることが問題として挙げられているが、本研究で提案するPILST法では、薄膜生成場とプラズマ生成場を分離させることで、基板へのダメージを消滅させることが期待できる。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_106

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  • イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測 査読有り

    宮本 弥凪, 田中 晶貴, 渡邉 拓斗, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   44   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、絶縁破壊電圧や熱伝導率において優れた特徴を持つ。また、SiC結晶はグラフェンなどの幾つかの再構成表面を形成する。イオン液体は、優れたイオン伝導性や熱的・化学的安定性や不揮発性といった特徴を持つ。本発表では、SiC基板表面上にグラフェンを形成し、その表面にイオン液体を蒸着し、蒸着量の変化に伴うイオン液体分子の振舞を最表面の電子状態から調査した。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_44

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  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（III） 査読有り

    山田 雄也, 白土 恵輝, 井田 孟, 小野 魁士, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   64   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>近年，電気的特性の高いグラフェンが注目されているが，形成方法を明らかにしていく必要がある。そのため，6H-SiC(0001)基板にイオンビーム（IB）照射およびSi蒸着をしたのち，基板のアニールを行い，STM観察およびRaman分光測定を行った。本研究では，IB30°で品質の高いグラフェンを得ることができた。今後は実験条件を変化させて高品質のグラフェンが得られる条件を探っていく必要がある。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_64

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  • Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り

    荒 海成, 金丸 廉二朗, 廣木 竜徳, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   63   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>有機分子で電子デバイスへの応用が期待されている銅フタロシアニン(CuPc)をSi(100)表面上に蒸着させてCuPc薄膜を形成し，走査トンネル顕微鏡(STM)や低速電子線回折法(LEED)を用いて基板表面の観察を行うことで，CuPcの配向や配列についての解明，CuPc薄膜の構造解析を行った。本研究では，基板の加熱条件を変化させることでCuPc薄膜に変化が生じることがわかった。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_63

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  • SiC表面におけるH<sub>2</sub>Pc分子の吸着形態の観察 査読有り

    江本 暁, 河村 和哉, 黒木 伸一郎, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2020 ( 0 )   43   2020年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>フタロシアニン(Pc)は、熱的、化学的安定性に優れていることから、有機薄膜太陽電池などの有機デバイス材料として注目されている。Pc分子による薄膜の形成状態によって、デバイス性能に大きな影響を与える為、Pc分子の基板表面への吸着から膜形成までの過程とその状態を明らかにする必要がある。そこで、炭化ケイ素(SiC)表面上へ無金属フタロシアニン(H<sub>2</sub>Pc)を蒸着し、吸着形態を表面電子状態により調べた。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2020.0_43

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  • Electronic and structural properties of H-intercalated graphene-SiC(0001) interface 査読有り

    J. Ishii, S. Matsushima, M. Naitoh

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 3 )   035001   5 pages   2019年03月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    In this study, we investigate the changes in electronic and structural properties of a graphene layer deposited on a ( 3'3 ) R30SiC (0001) surface before and after hydrogen intercalation using first-principles energy band calculations. Before hydrogen adsorption, the bond distance between the first graphene layer (FGL) and an Si atom on SiC surface is calculated to be 0.2285 nm, which is close to the value reported in the literature. After hydrogen adsorption, the layer distance between SiC surface and FGL tends to increase. The adsorption energy of hydrogen on SiC surface as estimated from the total energy change before and after hydrogen adsorption is relatively small. Thus, we suggest that hydrogen easily bonds to Si dangling bonds on SiC surface. When Si dangling bonds on SiC surface are passivated by hydrogen, the graphene layer on SiC functions as a quasi-free-standing graphene layer, whether the graphene exfoliates or not. Therefore, our results indicate the effectiveness of the hydrogen intercalation technique to create quasi-free-standing epitaxial graphene on Si-face SiC (0001) substrate.

    DOI： 10.7567/1347-4065/aafb4a

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    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85063333372&origin=inward

  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究 (II) 査読有り

    今浪 聡史, 山田 雄也, 内藤 正路, 碇 智徳

    日本表面真空学会学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2019 ( 0 )   1P19   2019年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    <p>我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行ってきた。SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。</p>

    DOI： 10.14886/jvss.2019.0_1p19

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  • 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)面上のCuPc吸着過程に関する研究 査読有り

    倉橋 渉太, 梅田 恭誠, 滝川 塁, 内藤 正路, 碇 智徳

    表面科学学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2018 ( 0 )   287   2018年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    高度情報化社会の急速な発展に伴い昨今のデバイスの小型化には限界がきており、<br><br>近い将来微細化技術が原子・分子レベルまで到達されると予想され新たな材料開発が必要である。<br><br>そこで我々は有機分子である銅フタロシアニンに着目した。<br><br>分子の配向、配列を制御した有機薄膜の構築には、基板表面第一層の配向制御が必要であるので、<br><br>STMを用いて銅フタロシアニンの吸着初期過程の研究を行った。

    DOI： 10.14886/sssj2008.2018.0_287

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  • グラファイト表面上でのZnPc分子の吸着状態の観察 査読有り

    梅田 恭誠, 倉橋 渉太, 滝川 塁, 碇 智徳, 内藤 正路

    表面科学学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2018 ( 0 )   286   2018年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    フタロシアニン類は中心原子により、性質が変化しその特性も優れています。吸着形態は中心原子や表面状態、基板加熱によって変化します。グラファイト表面においては、吸着した亜鉛フタロシアニン分子が加熱により配向性を得ることが分かっており、我々も表面の電子状態のみを抽出できる準安定原子誘起電子分光法により確認しました。ここでは、この表面の電子状態と走査型トンネル顕微鏡の観察結果を合わせて評価します。

    DOI： 10.14886/sssj2008.2018.0_286

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  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究 査読有り

    元川 陽介, 山﨑 誉之, 今浪 聡史, 山田 雄也, 内藤 正路, 碇 智徳

    表面科学学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2018 ( 0 )   170   2018年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行っている。<br><br>SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。

    DOI： 10.14886/sssj2008.2018.0_170

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  • SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件の研究 査読有り

    濱田 聖, 内藤 正路, 碇 智徳

    表面科学学術講演会要旨集 ( 公益社団法人 日本表面真空学会 )   2018 ( 0 )   116   2018年01月

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    担当区分：最終著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    本研究ではSiC表面分解法を用い、CNTの生成条件の解明を目的とし、熱処理時間変化がCNT成長に与える影響と、また熱処理前の加工として基板表面へのIB照射がCNT成長に与える影響を調べた。その結果、熱処理時間の増加に伴って生成されるCNT長も増加する。熱処理前にイオン照射電流10μAでIB照射を行ったところ、イオン照射なしの場合に生成されたCNT長を大幅に上回ることが分かった。

    DOI： 10.14886/sssj2008.2018.0_116

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  • Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method 査読有り

    J. Ishii, Y. Miyawaki, T. Yamasaki, T. Ikari, M. Naitoh

    Japanese Journal of Applied Physics   56   085104   4 pages   2017年07月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.7567/JJAP.56.085104

  • The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas 査読有り

    Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji

    Applied Materials Today   7   185 - 189   2017年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1016/j.apmt.2017.02.007

  • Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy 査読有り

    T. Ikari, K. Matsuo, S. Uesugi, D. Todo, J. Ishii, M. Naitoh

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   141 - 143   2016年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2016.141

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    その他リンク： http://www.sssj.org/ejssnt/

  • Growth of graphene on SiC(111) surfaces via- ion beam irradiation 査読有り

    J. Ishii, Y. Miyawaki, N. Tsuboi, T. Ikari, M. Naitoh

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   121 - 124   2016年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2016.121

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    CiNii Article

    その他リンク： http://www.sssj.org/ejssnt/

  • First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface 査読有り

    J. Ishii, S. Matsushima, H. Nakamura, T. Ikari, M.Naitoh

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   107 - 112   2016年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2016.107

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  • Oxidation at Cs pre-Adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3 × 3) reconstructed surfaces studied using metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    T. Ikari, T. Nakamura, K. Hirayama, K. Muraoka, J. Ishii, M. Naitoh

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   103 - 106   2016年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2016.103

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  • New measurement base de-embedded CPU load model for power delivery network design 査読有り

    M. Okano, K. Watanabe, M. Naitoh, I. Omura

    9th International Conference on Power Electronics-ECCE Asia   2288 - 2293   2015年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    DOI： 10.1109/ICPE.2015.7168125

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  • SiC表面へのイオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成の制御 査読有り

    瀬尾甲太郎,高松草平,近藤利紀,碇　智徳,内藤正路

    Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 5 )   182 - 184   2014年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

    DOI： 10.3131/jvsj2.57.182

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  • 鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長 査読有り

    中山泰輔,菅　祐志,長友和輝,碇　智徳,内藤正路,長井達三,生地文也

    Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 4 )   155 - 158   2014年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

    DOI： 10.3131/jvsj2.57.155

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  • SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究 査読有り

    枝元太希,早久和希,岡野資睦,坪井直也,碇　智徳,中尾　基,内藤正路

    Journal of the Vacuum Society of Japan   57 ( 4 )   144 - 146   2014年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

    DOI： 10.3131/jvsj2.57.144

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  • Ion-beam irradiation effect in the growth process of graphene on silicon carbide-on-insulator substrates 査読有り

    M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh

    Materials Science Forum   2014年02月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1170

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  • 自己組織化形成カーボンナノチューブによるナノデバイス創製

    内藤正路

    日本板硝子材料工学助成会成果報告書 ( 日本板硝子材料工学助成会 )   2012年06月

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    記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma 査読有り

    M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji

    Diamond & Related Materials   27-28   10 - 13   2012年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1016/j.diamond.2012.05.006

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  • Ion-beam irradiation effect on the growth of carbon nanotubes in the SiC surface decomposition method 査読有り

    M. Naitoh, Y. Karayama, H. Ohaze, T. Ikari

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 1 )   010201   3pages   2012年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1143/JJAP.51.010201

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  • STM observation of graphene formation using SiC-on insulator substrates 査読有り

    M. Naitoh, M. Okano, Y. Kitada, Y. Sasaki, Y. Okubo, D. Edamoto, M. Nakao, I. Omura, T. Ikari

    Surface Review and Letters   18 ( 5 )   163 - 167   2011年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1142/S0218625X11014643

    Scopus

  • 走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン化に関する研究 査読有り

    北田祐介,佐々木悠祐,大久保雄平,碇　智徳,内藤正路,中尾　基

    表面科学   32 ( 7 )   459 - 460   2011年07月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究 査読有り

    辛山慶訓,大櫨浩司,山崎絢哉,碇　智徳,山内貴志,内藤正路

    表面科学   32 ( 7 )   457 - 458   2011年07月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究 査読有り

    上村一平,古賀　光,小島健志,植田謙介,碇　智徳,内藤正路,西垣　敏

    表面科学   31 ( 10 )   551 - 553   2010年10月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • Adsorption of cobalt phthalocyanine on a Si(100) surface with Bi-line structures as evaluated by scanning tunneling microscopy 査読有り

    T. Ikari,S. Tanaka,S. Nakamura,M. Naitoh,S. Nishigaki,F. Shoji

    Applied Surface Science   256 ( 4 )   1132 - 1135   2009年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2009.05.115

  • Influence of oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method 査読有り

    T. Yamauchi,K. Nagamatsu,Y. Karayama,M. Naitoh,S. Nishigaki,H. Okado

    Applied Surface Science   256 ( 4 )   930 - 933   2009年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2009.05.112

  • Influence of a Cr Layer on the Glass Substrate on the Growth of Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition 査読有り

    T. Ikari,H. Koga,K. Kojima,I. Uemura,H. Miyazaki,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Surface Review and Letters   16 ( 5 )   761 - 765   2009年10月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

    DOI： 10.1142/S0218625X09013220

  • Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface 査読有り

    J.Yoshida,Y.Yonekubo,T.Nakanishi,H.Okado,M.Naitoh,T.Sakata and H.Mori

    Applied Surface Science   254   7723 - 7727   2008年09月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.009

  • SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 査読有り

    米久保喜彦,上田大志,山内貴志,碇　智徳,内藤正路,西垣　敏,大門秀朗,生地文也

    表面科学   29 ( 7 )   418 - 420   2008年07月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • SiC(0001)-(3x3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り

    田中圭介,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也

    Journal of the Vacuum Society of Japan   51 ( 3 )   124 - 127   2008年03月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • Influence of heating rate upon the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method 査読有り

    T.Yamauchi,T.Ueda,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki

    Journal of Physics: Conference Series   100   082007.1 - 082007.4   2008年03月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

    DOI： 10.1088/1742-6596/100/8/082007

  • An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures 査読有り

    S.Nakamura,S.Kashirajima,Y.Johdai,Y.Yoshiiwa,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,Y.Shimizu

    Surface Review and Letters   14 ( 5 )   957 - 961   2007年10月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    T.Ikari,T.Matsuoka,K.Murakami,T.Kawamoto,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Science   601 ( 18 )   4418 - 4422   2007年09月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

    DOI： 10.1016/j.susc.2007.04.192

  • Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    Y.Shirouzu,Y.Kaya,T.Okazaki,A. Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki,T.Ikari,K.Yamada

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   5   89 - 93   2007年03月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2007.89

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り

    上代祐藏,吉岩由人,塗木貴彦,中村慎太郎,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也

    真空   50 ( 3 )   196 - 198   2007年03月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) surfaces 査読有り

    T.Yamauchi,T.Tokunaga,M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji,M.Kusunoki

    Surface Science   600 ( 18 )   4077 - 4080   2006年09月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

    DOI： 10.1016/j.susc.2006.01.125

    Scopus

  • Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    A.Watanabe,S.Nishioka,Y.Shirouzu,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Science   600 ( 18 )   3659 - 3662   2006年09月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

    DOI： 10.1016/j.susc.2006.02.058

  • Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy

    Y.Shirouzu,T.Ikari,N.Kaya,T.Okazaki,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2006年09月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    T.Ikari,T.Matsuoka,T.Kawamoto,K.Murakami,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2006年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    T.Ikari,S.Arikado,K.Kameishi,H.Kawahara,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Applied Surface Science   252 ( 15 )   5424 - 5427   2006年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

  • Dynamic formation process of Bi line structure on Si(100) surface 査読有り

    J.-T.Wang,D.-S.Wang,E.-G.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Computational Materials Science   36   135 - 138   2006年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1016/j.commatsci.2005.02.016

  • Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method 査読有り

    T.Yamauchi,Y.Takahara,M.Naitoh,N.Narita

    Physica B   376-377   778 - 781   2006年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1016/j.physb.2005.12.195

  • Surface-structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED 査読有り

    T.Ikari,K.Kameishi,S.Arikado,H.Kawahara,T.Matsuoka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4   170 - 173   2006年02月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

    DOI： 10.1380/ejssnt.2006.170

  • Dynamic ad-dimer twisting assisted nanowire self-assembly on Si(100) 査読有り

    J.-T.Wang,E.-G.Wang,D.-S.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Physical Review Letters   94 ( 22 )   226103.1 - 226103.4   2005年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition 査読有り

    T.Itoh,S.Kashirajima,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji

    Applied Surface Science   244   161 - 165   2005年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • Influence of the incident He* velocity on metastable de-excitation process at a Cs-covered Si(100) surface 査読有り

    T.Ikari,N.Uchino,S.Nishioka,H.Fujiwaki,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   232   88 - 93   2005年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

  • Growth control of carbon nanotubes on slicon carbide surfaces using the laser irradiation effect 査読有り

    H.Konishi,H.Matsuoka,N.Toyama,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki

    Thin Solid Films   464-465   295 - 298   2004年10月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • 6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究 査読有り

    小野拓磨,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

    表面科学   25 ( 8 )   519 - 520   2004年08月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100) 査読有り

    F.Shoji,H.Shimoji,M.Naitoh

    Thin Solid Films   461   116 - 119   2004年08月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

  • Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

    A.Watanabe,S.Nishioka,N.Uchino,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2004年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

    T.Inoue,N.Uchino,R.Yoshida,S.Nishioka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,R.Nishitani,S.Nishigaki

    Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2004年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御 査読有り

    小西博文,松岡宏則,遠山尚武,内藤正路,西垣敏,楠美智子

    真空   47 ( 3 )   136 - 139   2004年03月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り

    大垣真治,内藤正路,西垣敏,大石信弘,生地文也

    真空   46 ( 6 )   501 - 504   2003年06月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • 6H-SiC(000-1)再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析 査読有り

    北田昌俊,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

    真空   46 ( 6 )   505 - 508   2003年06月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface 査読有り

    T.Ikari,T.Kojima,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Applied Surface Science   212-213   579 - 582   2003年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌

  • Stability of Sb line structure on Si(100) 査読有り

    J.-T.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,T.Hashizume,M.Naitoh,D.-S.Wang,E.-G.Wang

    Physical Review B   67 ( 19 )   193307.1 - 193307.4   2003年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS 査読有り

    N.Oishi,N.Saitoh,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,S.Nakanishi,K.Umezawa

    Applied Surface Science   212-213   373 - 377   2003年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • シリコンカーバイド表面の原子スケール解析とサーファクタントによる新機能開拓

    内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也

    マツダ財団研究報告書 ( 未設定 )   15   201 - 208   2003年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • An STM observation of the initial process of graphitization at the 6H-SiC(000-1) surface 査読有り

    M.Naitoh,M.Kitada,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji

    Surface Review and Letters   10 ( 2-3 )   473 - 477   2003年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    主要雑誌 代表的研究業績

  • Sodium-assisted nitrogen adsorption on Si(001) surfaces at room temperature studied by metastable de-excitation spectroscopy 査読有り

    K.Yamada,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Science   507-510   207 - 212   2002年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A metastable-induced electron spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces 査読有り

    S.Nishigaki,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,K.Yamada,M.Naitoh

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   193   460 - 465   2002年06月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED

    K.Tachibana,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2002年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • STM observation of Bi-nanowire growth on the Si(100) surface

    S.Ohgaki,M.Takei,M.Naitoh,N.Oishi,S.Nishigaki,F.Shoji

    Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   2002年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • 走査トンネル顕微鏡による表面原子の観察と操作

    内藤正路

    明専会報 ( 未設定 )   ( 771 )   9 - 11   2001年05月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • Scanning tunneling microscopy observation of Bi-induced surface structures on the Si(100) surface 査読有り

    M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Surface Science   482-485   1440 - 1444   2001年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface 査読有り

    J.Takami,M.Naitoh,I.Yokoh,S.Nishigaki,N.Toyama

    Surface Science   482-485   359 - 364   2001年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成 招待有り 査読有り

    内藤正路,武井孝樹,西垣敏,大石信弘,生地文也

    真空   43 ( 11 )   1063 - 1066   2000年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • 吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(最終報告)

    内藤正路,西垣敏

    財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 )   23   19 - 22   2000年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • 半導体表面における水素原子のサーファクタント作用の解明と新機能抽出に関する研究

    内藤正路

    財団法人池谷科学技術振興財団年報 ( 未設定 )   11   41 - 42   2000年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface studied by STM 査読有り

    M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Transactions of the Material Research Society of Japan   25 ( 3 )   857 - 860   2000年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Structure of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface : a scanning tunneling microscopy study 査読有り

    M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 5A )   2793 - 2794   2000年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy

    S.Nishigaki,T.Sugiman,I.Yokoh,M.Yanagibashi,M.Naitoh,K.Yamada

    Proceedings of the 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   2000年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • 吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(中間報告)

    内藤正路,西垣敏

    財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 )   22   86 - 88   1999年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • 半導体表面における水素原子の能動的作用の原子スケール解析

    内藤正路

    Annual Report of the Murata Science Foundation ( 未設定 )   13   155 - 157   1999年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • Bismuth-induced surface structure of Si(100) studied by scanning tunneling microscopy 査読有り

    M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Applied Surface Science   142   38 - 42   1999年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A (2√3×2√13) surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り

    M.Naitoh,J.Takami,S.Nishigaki,N.Toyama

    Applied Physics Letters   75 ( 5 )   650 - 652   1999年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    代表的研究業績

  • Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111) surface : a scanning tunneling microscopy study 査読有り

    A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Applied Surface Science   144-145   548 - 553   1999年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced restructuring and crater formation at Si(111)surfaces : a scanning tunneling microscopy study 査読有り

    M.Naitoh,H.Shimaya,A.Watanabe,S.Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 4A )   2033 - 2034   1998年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り

    M.Naitoh,H.Shimaya,N.Oishi,F.Shoji,S.Nishigaki

    Applied Surface Science   123-124   171 - 175   1998年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Cs and oxygen adsorption on Ge(001) and GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy 査読有り

    K.Yamada,S.Nishigaki,M.Naitoh

    Surface Review and Letters   5   255 - 259   1998年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A scanning tunneling microscopy investigation of adsorption and clustering of potassium on the Si(111)7×7 surface 査読有り

    A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 6B )   3778 - 3781   1998年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(001)surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy 査読有り

    K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Science   402-404   683 - 686   1998年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001)surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms 査読有り

    S.Nishigaki,K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh

    Ultramicroscopy   73   223 - 228   1998年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Ga-rich GaP(001)(2×4)surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy 査読有り

    M.Naitoh,A.Konishi,H.Inenaga,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Surface Science   402-404   623 - 627   1998年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • An ISS study on Ga-dimer arrangement in the GaP(001)4×2 surface 査読有り

    N.Oishi,F.Shoji,A.Konishi,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Review and Letters   5   223 - 227   1998年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS

    S.Nishigaki,S.Tandjoeng,T.Kato,S.Sonoda,M.Naitoh,K.Yamada

    Proceedings of the 3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces   188 - 191   1998年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • 化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

    内藤正路

    第4回新世代研究所研究助成研究成果報告会研究成果報告書 ( 未設定 )   107 - 113   1997年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • Scanning tunneling microscopy observation of bismuth growth on Si(100) surfaces 査読有り

    M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji

    Surface Science   377-379   899 - 903   1997年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Ge(100)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の準安定原子脱励起分光

    山田健二,内藤正路,西垣　敏

    九州工業大学研究報告   69   15 - 20   1997年04月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

  • A clean GaP(4x2)/c(8x2) surface structure studied by scanning tunneling microscopy and ion scattering spectroscopy 査読有り

    M.Naitoh,A.Watanabe,A.Konishi,S.Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physics   35   4789 - 4790   1996年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り

    A.Watanabe,H.Shimaya,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Journal of Vacuum Science & Technology B   14   3599 - 3602   1996年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy 査読有り

    K.Yamada,H.Iga,M.Naitoh,S.Nishigaki

    Surface Science   357-358   481 - 485   1996年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces 査読有り

    M.Naitoh,A.Watanabe,S.Nishigaki

    Surface Science   357-358   140 - 144   1996年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces 査読有り

    S.Nishigaki,K.Yamada,M.Naitoh,H.Iga

    Surface Science   363   121 - 126   1996年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究

    内藤正路,西垣　敏

    九州工業大学研究報告   68   31 - 39   1996年04月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

  • 低エネルギーイオン散乱によるGaP(001)表面の構造解析

    大石信弘,内藤正路,西垣　敏

    九州工業大学研究報告   68   41 - 47   1996年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

  • Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam

    S.Nishigaki,H,Iga,K.Yamada,M.Naitoh

    Proceedings of the 2nd International Symposium on Advanced Materials   201 - 202   1995年04月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    日本   大阪  

  • Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scaning tunneling microscopy

    M.Naitoh,A.Watanabe,H.Shimaya,N.Oishi,S.Nishigaki

    Proceedings of the 2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   178 - 182   1995年04月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    日本   大阪  

  • Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis 査読有り

    M.Watamori,M.Naitoh,H.Morioka,Y.Maeda,K.Oura

    Applied Surface Science   82-83   417 - 421   1995年03月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces 査読有り

    M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,M.Watamori,K.Oura

    Control of Semiconductor Interfaces   45 - 49   1994年03月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

  • Elastic recoil detection analysis of coadsorption of hydrogen and deuterium on clean Si surfaces 査読有り

    K.Oura,M.Naitoh,H.Morioka,M.Watamori,F.Shoji

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   85   344 - 346   1994年03月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Ion beam analysis of hydrogen on silicon surfaces 査読有り

    K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji

    Microbeam analysis   2   139 - 150   1993年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Coadsorption of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis 査読有り

    M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,K.Oura

    Surface Science   297   135 - 140   1993年12月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • シリコン表面の水素変性と薄膜形成初期過程 招待有り

    尾浦憲治郎,住友弘二,内藤正路

    固体物理   28 ( 12 )   943 - 949   1993年12月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Direct observation of the growth process of Ag thin film on a hydrogen-terminated Si(111) surface 査読有り

    M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura

    Japanese Journal of Applied Physics   31   4018 - 4019   1992年12月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED 査読有り

    M.Naitoh,H.Ohnishi,Y.Ozaki,F.Shoji,K.Oura

    Applied Surface Science   60-61   190 - 194   1992年08月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • シリコン表面水素の定量とその成膜過程への影響

    内藤正路,尾浦憲治郎

    大阪大学低温センターだより ( 未設定 )   79   7 - 11   1992年07月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）

  • 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si(111)面上の銀薄膜成長過程の観察 査読有り

    内藤正路,生地文也,尾浦憲治郎

    真空   34   140 - 142   1991年03月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-termination effects on the growth of Ag thin films on Si(111) surfaces 査読有り

    M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura

    Surface Science   242   152 - 156   1991年02月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Ag surface 査読有り

    K.Oura,M.Naitoh,J.Yamane,F.Shoji

    Surface Science   230   L151 - L154   1990年05月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Elastic recoil detection analysis of hydrogen adsorbed on solid surfaces 査読有り

    K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji,J.Yamane,K.Umezawa,T.Hanawa

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   45   199 - 202   1990年03月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen adsorption on Si(100)-2×1 surfaces studied by elactic recoil detection analysis 査読有り

    K.Oura,J.Yamane,K.Umezawa,M.Naitoh,F.Shoji,T.Hanawa

    Physical Review B   41   1200 - 1203   1990年01月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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著書

  • 薄膜作製応用ハンドブック

    権田俊一監修,内藤正路（１３２名の執筆者の中の一人）（共著 ,  範囲: 第３編第４章第６節）

    エヌ・ティー・エス  1995年11月  （ ISBN:4-900830-06-2 ）

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    記述言語：日本語

口頭発表・ポスター発表等

  • プラズマ浸漬格子状ターゲットスパッタリング法による酸化アルミニウム薄膜作製と表面改質に関する研究

    山﨑悠生, 木山歩優, 今　高信, 内藤正路, 碇　智徳

    令和6年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2024）  2024年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2024年06月01日   記述言語：日本語   開催地：福岡教育大学  

  • SiC表面分解法によるグラフェン表面でのSTM観察

    田村将悟, 白石　凛, 石津柊哉, 中村拓人, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    令和6年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2024）  2024年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2024年06月01日   記述言語：日本語   開催地：福岡教育大学  

  • Pt/[EMIm]Tf2N/SiC表面上のカーボンナノキャップの観察

    杉山宏一, 山中郁哉, 来海裕之, 江本　暁, 益田純奨, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    開催期間： 2024年03月22日 - 2024年03月25日   記述言語：日本語   開催地：東京都市大学  

  • 加熱を伴うPt蒸着した[EMIm]Tf2N/Si表面の構造観察

    来海裕之, 松浦聖直, 渡邊美紀, 山中郁哉, 杉山宏一, 内藤正路, 碇　智徳

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    開催期間： 2024年03月22日 - 2024年03月25日   記述言語：日本語   開催地：東京都市大学  

  • プラズマ浸漬格子状ターゲットスパッタリング法による酸化アルミニウム薄膜の作製に関する研究

    木山歩優, 今　高信, 森田知希, 内藤正路, 碇　智徳

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    開催期間： 2023年09月19日 - 2023年09月23日   記述言語：日本語   開催地：熊本  

  • 基板加熱を伴うPt/[EMIm]Tf2N/SiC(000-1)表面構造の観察

    山中郁哉, 杉山宏一, 来海裕之, 江本　暁, 益田純奨, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    開催期間： 2023年09月19日 - 2023年09月23日   記述言語：日本語   開催地：熊本  

  • 金属フタロシアニンを吸着したSiC再構成表面の構造観察

    白石　凛, 碇　智徳, 内藤正路

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    開催期間： 2023年09月19日 - 2023年09月23日   記述言語：日本語   開催地：熊本  

  • SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ形成表面でのSTM観察

    杉山宏一, 山中郁哉, 来海裕之, 江本　暁, 益田純奨, 渡邊美紀, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2023年06月11日   記述言語：日本語   開催地：佐世保  

  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究(Ⅳ)

    内野元稀, 井田　孟, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇　智徳

    令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2023年06月11日   記述言語：日本語   開催地：佐世保  

  • プラズマ浸漬格子状ターゲットスパッタリング法による酸化アルミニウム薄膜の作製

    木山歩優, 今　高信, 森田知希, 内藤正路, 生地文也, 碇　智徳

    令和5年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023）  2023年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2023年06月11日   記述言語：日本語   開催地：佐世保  

  • 白金を蒸着した[EMIm]Tf2N/Si表面の構造観察

    渡邊美紀, 益田純奨, 山中郁哉, 中尾悠人, 杉山宏一, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

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    開催期間： 2023年03月15日 - 2023年03月18日   記述言語：日本語   開催地：上智大学  

  • A study of the desorption process at Pt adsorbed [EMIm]Tf2N/SiC surface with annealing

    S. Masuda, F. Yamanaka, M. Miyamoto, S. Emoto, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari

    The 22nd International Vacuum Congress  2022年09月 

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    開催期間： 2022年09月11日 - 2022年09月16日   記述言語：英語   開催地：札幌  

  • Pt蒸着した[EMIm]Tf2N/SiC表面の加熱による電子状態観測

    山中郁哉, 益田純奨, 杉山宏一, 来海裕之, 渡邊美紀, 内藤正路, 碇　智徳

    令和4年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2022）  2022年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2022年06月11日   記述言語：日本語   開催地：佐賀大学  

  • Surface decomposition of Pt pre-adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

    S. Masuda, T. Watanabe, F. Yamanaka, Y. Yamada, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari

    The 9th International Symposium on Surface Science 

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    開催期間： 2021年11月28日 - 2021年12月01日   記述言語：英語   開催地：Online  

  • Observation of metal-free phthalocyanine adsorbed on SiC reconstructed surface

    S. Emoto, A. Isobe, K. Kawamura, S. Kuroki, M. Naitoh, T. Ikari

    The 9th International Symposium on Surface Science 

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    開催期間： 2021年11月28日 - 2021年12月01日   記述言語：英語   開催地：Online  

  • [EMIm]Tf2Nを蒸着したグラファイト/SiC(000-1)表面の電子状態解析

    宮本弥凪, 益田純奨, 田中晶貴, 内藤正路, 碇　智徳

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021）  2021年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2021年06月05日   記述言語：日本語   開催地：Online  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるH2Pc/SiC再構成表面の電子状態の観測

    江本 暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021）  2021年06月  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2021年06月05日   記述言語：日本語   開催地：Online  

  • SiC(0001)表面の安定な金属吸着サイトの第一原理計算による探索

    石井純子, 松嶋茂憲, 内藤正路

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察

    江本　暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測

    宮本弥凪, 田中晶貴, 渡邉拓斗, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • プラズマ浸漬格子状ターゲット法による機能性薄膜作製に関する研究

    宗岡絢太, 徳永浩之, 本田　亘, 森田知希, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察

    荒　海成, 金丸廉二朗, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅲ）

    山田雄也, 白土恵輝, 井田　孟, 小野魁士, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2020年11月19日 - 2020年11月21日   記述言語：日本語   開催地：ON LINE  

  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅱ）

    今浪聡史, 山田雄也, 内藤正路, 碇　智徳

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2019年10月27日 - 2019年10月29日   記述言語：日本語  

  • プラズマ浸漬格子状ターゲット法による表面改質に関する研究

    徳永浩之, 内藤正路, 碇　智徳

    令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2019）  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2019年06月01日   記述言語：日本語   開催地：福岡大学　七隈キャンパス  

  • ZnPc蒸着したSiC(0001)-(3×3)表面上の電子状態の観察

    河村和哉, 山田稜汰, 志賀大真, 村岡幸輔, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇　智徳

    第66回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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    開催期間： 2019年03月09日 - 2019年03月12日   記述言語：日本語  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定

    田中晶貴, 飯田　涼, 柏谷拓実, 渡邉拓斗, 平山　楓, 田中　悟, 内藤正路, 碇　智徳

    第66回応用物理学会春季学術講演会  応用物理学会

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    開催期間： 2019年03月09日 - 2019年03月12日   記述言語：日本語  

  • Study on hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) interface by DFT calculation

    J. Ishii

    第28回日本MRS年次大会  日本MRS学会

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    開催期間： 2018年12月18日 - 2018年12月20日   記述言語：英語   開催地：北九州市  

  • 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)面上のCuPc吸着過程に関する研究

    倉橋 渉太

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2018年11月19日 - 2018年11月21日   記述言語：日本語   開催地：神戸市  

    高度情報化社会の急速な発展に伴い昨今のデバイスの小型化には限界がきており、<br><br>近い将来微細化技術が原子・分子レベルまで到達されると予想され新たな材料開発が必要である。<br><br>そこで我々は有機分子である銅フタロシアニンに着目した。<br><br>分子の配向、配列を制御した有機薄膜の構築には、基板表面第一層の配向制御が必要であるので、<br><br>STMを用いて銅フタロシアニンの吸着初期過程の研究を行った。

    CiNii Article

  • グラファイト表面上でのZnPc分子の吸着状態の観察

    梅田 恭誠

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2018年11月19日 - 2018年11月21日   記述言語：日本語   開催地：神戸市  

    フタロシアニン類は中心原子により、性質が変化しその特性も優れています。吸着形態は中心原子や表面状態、基板加熱によって変化します。グラファイト表面においては、吸着した亜鉛フタロシアニン分子が加熱により配向性を得ることが分かっており、我々も表面の電子状態のみを抽出できる準安定原子誘起電子分光法により確認しました。ここでは、この表面の電子状態と走査型トンネル顕微鏡の観察結果を合わせて評価します。

    CiNii Article

  • イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究

    元川 陽介

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2018年11月19日 - 2018年11月21日   記述言語：日本語   開催地：神戸市  

    我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行っている。<br><br>SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。

    CiNii Article

  • SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件の研究

    濱田 聖

    日本表面真空学会学術講演会  日本表面真空学会

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    開催期間： 2018年11月19日 - 2018年11月21日   記述言語：日本語   開催地：神戸市  

    本研究ではSiC表面分解法を用い、CNTの生成条件の解明を目的とし、熱処理時間変化がCNT成長に与える影響と、また熱処理前の加工として基板表面へのIB照射がCNT成長に与える影響を調べた。その結果、熱処理時間の増加に伴って生成されるCNT長も増加する。熱処理前にイオン照射電流10μAでIB照射を行ったところ、イオン照射なしの場合に生成されたCNT長を大幅に上回ることが分かった。

    CiNii Article

  • 水素を導入したグラフェンSiC界面の第一原理計算

    石井純子

    平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2018年06月09日   記述言語：日本語   開催地：九州工業大学戸畑キャンパス  

  • 加熱によるグラファイト表面上のZnPc分子挙動の観測

    河村和哉

    平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2018年06月09日   記述言語：日本語   開催地：九州工業大学戸畑キャンパス  

  • SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究

    田中晶貴

    平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018）  日本表面真空学会九州支部

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    開催期間： 2018年06月09日   記述言語：日本語   開催地：九州工業大学戸畑キャンパス  

  • A study of epitaxial graphene on 3C-SiC(111) via Ar+ ion beam irradiation

    J. Ishii

    The International Symposium on Epitaxial Graphene 2017  名古屋大学

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    開催期間： 2017年11月22日 - 2017年11月25日   記述言語：英語   開催地：愛知県名古屋市  

  • Electronic structure of oxygen and cesium co-adsorption on 6H-SiC(0001)_(6√3×6√3)R30°) surface studied by MIES

    K. Hirayama

    The 8th International Symposium on Surface Science  The Surface Science Society of Japan

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    開催期間： 2017年10月22日 - 2017年10月26日   記述言語：英語   開催地：茨城県つくば市  

  • Observation of the electronic structure at a zinc-phthalocyanine thin film by MIES

    S. Uesugi

    The 8th International Symposium on Surface Science  The Surface Science Society of Japan

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    開催期間： 2017年10月22日 - 2017年10月26日   記述言語：英語   開催地：茨城県つくば市  

  • アルカリ金属及び酸素吸着したSiC(0001)- (6√3×6√3)R30°表面の電子状態

    碇　智徳

    九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2017年06月24日   記述言語：日本語   開催地：佐賀大学  

  • MIESによるCuPc/SiC(0001)-(1×1)表面の電子状態観測

    河村和哉

    九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2017年06月24日   記述言語：日本語   開催地：佐賀大学  

  • DCメタンプラズマCVDを利用したナノダイヤモンド合成に関するシース作用

    縄田悠人

    九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2017年06月24日   記述言語：日本語   開催地：佐賀大学  

  • Oxidation of Cs/6H-SiC(0001) surface studied by metastable-atom induced electron spectroscopy

    T. Nakamura

    Interdisciplinary Symposium for Up-and-comingMaterial Scientists 2017  大阪大学

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    開催期間： 2017年06月08日   記述言語：英語   開催地：大阪府豊中市  

  • MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測

    中村拓人

    日本物理学会　第72回年次大会  日本物理学会

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    開催期間： 2017年03月17日 - 2017年03月20日   記述言語：日本語   開催地：大阪大学豊中キャンパス  

  • DCメタンプラズマによるナノダイヤモンド合成に及ぼすシースの効果

    小林友樹

    第64回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

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    開催期間： 2017年03月14日 - 2017年03月17日   記述言語：日本語   開催地：パシフィコ横浜  

  • Synthesis of nanodiamonds in sheath of the dc-methane/hydrogen plasma

    T. Kobayashi

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology  日本表面科学会関西支部

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    開催期間： 2017年01月24日 - 2017年01月25日   記述言語：英語   開催地：京都市  

  • A study of surface modification effect in the growth of carbon nanotubes by SiC surface decomposition method

    T. Kambara

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology  日本表面科学会関西支部

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    開催期間： 2017年01月24日 - 2017年01月25日   記述言語：英語   開催地：京都市  

  • XPS and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation

    T. Yamasaki

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology  日本表面科学会関西支部

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    開催期間： 2017年01月24日 - 2017年01月25日   記述言語：英語   開催地：京都市  

  • Effect of M-doping (M=Y, La) on the electronic structure of BiVO#D4#DR

    J. Ishii

    2017 International Symposium on Innovation in Information Technology and Application 

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    開催期間： 2017年01月10日 - 2017年01月13日   記述言語：英語   開催地：ベトナム  

  • Si(100)上に吸着した銅フタロシアニン薄膜の表面構造解析

    内田真仁

    2016年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

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    開催期間： 2016年11月29日 - 2016年12月01日   記述言語：日本語   開催地：名古屋市  

  • SiC 表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究(Ⅲ)

    尾山貴大

    2016年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

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    開催期間： 2016年11月29日 - 2016年12月01日   記述言語：日本語   開催地：名古屋市  

  • DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド合成に関する研究

    内田和希

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  応用物理学会

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    開催期間： 2016年09月13日 - 2016年09月16日   記述言語：日本語   開催地：朱鷺メッセ　新潟県  

  • Raman spectroscopy and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation

    J. Ishii

    20th International Vacuum Congress 

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    開催期間： 2016年08月21日 - 2016年08月26日   記述言語：英語   開催地：韓国　釜山  

  • The study of the electronic structure at CuPc on graphite/4H-SiC(0001) surface by metastable atom induced electron spectroscopy

    S. Uesugi

    20th International Vacuum Congress 

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    開催期間： 2016年08月21日 - 2016年08月26日   記述言語：英語   開催地：韓国　釜山  

  • Initial oxidation process of the 4H-SiC(0001)-(1×1) reconstructed surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

    K. Hirayama

    20th International Vacuum Congress 

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    開催期間： 2016年08月21日 - 2016年08月26日   記述言語：英語   開催地：韓国　釜山  

  • 銅フタロシアニンを吸着した4H-SiC表面の電子状態の観測

    植杉昌平

    九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2016年06月11日   記述言語：日本語   開催地：九州大学  

  • 4H-SiC再構成表面における初期酸化過程に関する研究

    平山　楓

    九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2016年06月11日   記述言語：日本語   開催地：九州大学  

  • DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド薄膜合成に関する研究

    内田和希

    九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2016年06月11日   記述言語：日本語   開催地：九州大学  

  • Influence of atomic vacancy on the electronic structure of graphene layer on 4H-SiC(0001)

    J. Ishii

    2016 Kumamoto Symposium on Two Dimensional Nanomaterials 

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    開催期間： 2016年02月04日   記述言語：英語   開催地：熊本市  

  • Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成

    内田和希

    2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

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    開催期間： 2015年12月01日 - 2015年12月03日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究（Ⅱ）

    内田真仁

    2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

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    開催期間： 2015年12月01日 - 2015年12月03日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • Si(100)上に吸着した金属フタロシアニン薄膜表面における電子状態及び構造解析

    金子福利

    2015年真空・表面科学合同講演会  日本真空学会・日本表面科学会

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    開催期間： 2015年12月01日 - 2015年12月03日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • A study of the electronic structure at alkali metal adsorbed HOPG surface by MIES and UPS

    K. Umeda

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15  日本表面科学会

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    開催期間： 2015年10月25日 - 2015年10月30日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • Oxidation at Cs pre-adsorbed Si/6H-SiC(0001) reconstructiuon surfaces studied by metastable-atom induced electron spectroscopy

    T. Nakamura

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15  日本表面科学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2015年10月25日 - 2015年10月30日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • Electronic structure at MePc/Si(100) surface studied by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy

    K. Matsuo

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15  日本表面科学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2015年10月25日 - 2015年10月30日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

    CiNii Article

  • The formation of epitaxial graphene layers on the 4H-SiC(0001) surface studied by first-principles calculation

    J. Ishii

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15  日本表面科学会

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    開催期間： 2015年10月25日 - 2015年10月30日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • A study in the growth of graphene on the SiC(111) surface with ion beam irradiation

    Y. Miyawaki

    10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15  日本表面科学会

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    開催期間： 2015年10月25日 - 2015年10月30日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成

    首藤大輝

    九州表面・真空研究会2015 

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    開催期間： 2015年06月13日   記述言語：日本語   開催地：北九州市  

  • 自然酸化膜付Si基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長（Ⅱ）

    山田晋平

    第62回応用物理学関係連合講演会  応用物理学会

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    開催期間： 2015年03月11日 - 2015年03月14日   記述言語：日本語   開催地：東海大学　湘南キャンパス  

  • Cs/グラファイト表面における電子状態の研究

    村岡幸輔

    第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2014年11月18日 - 2014年11月20日   記述言語：日本語   開催地：大阪市  

  • 鉛直柱状プラズマ法によるシリコン基板上へのナノダイヤモンド成長

    首藤大輝

    第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2014年11月18日 - 2014年11月20日   記述言語：日本語   開催地：大阪市  

  • SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究

    内藤正路

    第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2014年11月18日 - 2014年11月20日   記述言語：日本語   開催地：大阪市  

  • CuPc/Si表面における加熱温度変化に伴う電子状態の観測

    松尾航平

    第55回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2014年11月18日 - 2014年11月20日   記述言語：日本語   開催地：大阪市  

  • Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

    石井純子

    第34回表面科学学術講演会  日本表面科学会

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    開催期間： 2014年11月06日 - 2014年11月08日   記述言語：日本語   開催地：島根県松江市  

  • 鉛直柱状プラズマ法によるSi(100)上ナノダイヤモンドの合成

    菅　祐志

    第34回表面科学学術講演会  日本表面科学会

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    開催期間： 2014年11月06日 - 2014年11月08日   記述言語：日本語   開催地：島根県松江市  

  • A Study of the Formation Process of Graphene on Silicon Carbide-on-Insulator Substrates

    N. Tsuboi

    The 7th International Symposium on Surface Science  日本表面科学会

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    開催期間： 2014年11月02日 - 2014年11月06日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • The study of the electronic structure at CuPc adsorbed Si(100) surface by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy

    K. Matsuo

    The 7th International Symposium on Surface Science  日本表面科学会

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    開催期間： 2014年11月02日 - 2014年11月06日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • Oxidation of cesium adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy

    K. Muraoka

    The 7th International Symposium on Surface Science  日本表面科学会

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    開催期間： 2014年11月02日 - 2014年11月06日   記述言語：英語   開催地：島根県松江市  

  • メタンプラズマシース中において生成される球状カーボン微粒子の特徴

    菅　祐志

    九州表面・真空研究会2014（第19回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2014年06月07日   記述言語：日本語   開催地：福岡教育大学  

  • Comparison of tribological properties of closed-packed and well-aligned carbon nanotube and Peapod films

    I. Inoue

    2014 International Industrial Information Systems Conference  Korea Society of Industrial Information Systems

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    開催期間： 2014年01月21日 - 2014年01月24日   記述言語：英語   開催地：タイ  

  • 鉛直柱状プラズマ－基板間における球状カーボン微粒子の成長様式の解明

    中山泰輔

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

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    開催期間： 2013年11月30日 - 2013年12月01日   記述言語：日本語   開催地：長崎市  

  • 準安定原子誘起電子分光法による銅フタロシアニンを吸着したSi(100)表面の電子状態の観測

    金子福利

    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

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    開催期間： 2013年11月30日 - 2013年12月01日   記述言語：日本語   開催地：長崎市  

  • Nd-Fe-B系磁石の保留場に対する圧力効果

    後藤弘樹

    第119回日本物理学会九州支部例会  日本物理学会九州支部

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    開催期間： 2013年11月30日   記述言語：日本語   開催地：久留米市  

  • メソ多孔体細孔中に合成したDyMnO3ナノ粒子の磁性と結晶構

    新納　健

    第119回日本物理学会九州支部例会  日本物理学会九州支部

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    開催期間： 2013年11月30日   記述言語：日本語   開催地：久留米市  

  • 鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長

    菅　祐志

    第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2013年11月26日 - 2013年11月28日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究

    早久和希

    第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2013年11月26日 - 2013年11月28日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • Cu(111)面に吸着させた蛍光タンパク質の走査トンネル顕微鏡観察

    冨田哲朗

    第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2013年11月26日 - 2013年11月28日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • イオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究

    高松草平

    第54回真空に関する連合講演会  日本真空学会

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    開催期間： 2013年11月26日 - 2013年11月28日   記述言語：日本語   開催地：つくば市  

  • Ion-beam irradiation effect in the growth process of grapheme using SiC-on-insulator substrates

    M. Okano

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  応用物理学会

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    開催期間： 2013年09月29日 - 2013年10月04日   記述言語：英語   開催地：宮崎  

  • Observation of the electronic structure of Si/6H-SiC(0001) reconstruction surfaces by metastable atom induced electron spectroscopy

    K. Muraoka

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  応用物理学会

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    開催期間： 2013年09月29日 - 2013年10月04日   記述言語：英語   開催地：宮崎  

  • Growth control of carbon nanotubes using ion-beam irradiation in the SiC surface decomposition method

    K. Seo

    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials  応用物理学会

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    開催期間： 2013年09月29日 - 2013年10月04日   記述言語：英語   開催地：宮崎  

  • SOI基板を用いたSiC膜のグラフェン化におけるイオンビーム照射に関する研究

    枝元太希

    九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2013年06月15日   記述言語：日本語   開催地：福岡大学  

  • MIESを用いた6H-SiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態の観測

    村岡幸輔

    九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2013年06月15日   記述言語：日本語   開催地：福岡大学  

  • Adsorption of fullerene on a Si(100) surface with Bi-line structure as evaluated by scanning tunneling microscopy

    K.Uchida

    2012 Joint Conference of the International Industrial Information Systems Conference & the International Conference on Computers, Communications and Systems 

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    開催期間： 2012年12月20日 - 2012年12月23日   記述言語：英語   開催地：タイ  

  • 熱CVD法によるAl及びNi金属膜を用いたCNT成長に関する研究

    川島智幸

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年12月01日 - 2012年12月02日   記述言語：日本語   開催地：佐賀市  

  • SOI基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究

    枝元太希

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年12月01日 - 2012年12月02日   記述言語：日本語   開催地：佐賀市  

  • SiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究

    瀬尾甲太郎

    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会  応用物理学会九州支部

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年12月01日 - 2012年12月02日   記述言語：日本語   開催地：佐賀市  

  • Si基板上3C-SiC薄膜を用いたグラフェン形成に関する研究

    内田健太郎

    第32回表面科学学術講演会  日本表面科学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年11月20日 - 2012年11月22日   記述言語：日本語   開催地：仙台市  

  • 低温低圧柱状プラズマを用いた球状炭素粒子の形成と構造解析

    中山泰輔

    第53回真空に関する連合講演会  日本真空学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年11月14日 - 2012年11月16日   記述言語：日本語   開催地： 神戸市  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC(0001)表面の電子状態抽出

    森岡明大

    第53回真空に関する連合講演会  日本真空学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年11月14日 - 2012年11月16日   記述言語：日本語   開催地： 神戸市  

  • Si基板上3C-SiC薄膜のグラフェン形成過程に関するSTM研究

    内田健太郎

    第73回応用物理学会学術講演会  応用物理学会

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年09月11日 - 2012年09月14日   記述言語：日本語   開催地：松山市  

  • Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究

    枝元太希

    九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2012年06月09日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • 高密度配向カーボンナノチューブ及びピーポッドの摩擦力測定

    井上一平

    九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2012年06月09日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • CVD法によるSi基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究

    瀬尾甲太郎

    九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年06月09日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成

    中山泰輔

    九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会） 

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年06月09日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター  

  • 一次元原子鎖形成Si(100)表面上のフラーレン吸着に関する研究

    内田健太郎

    第31回表面科学学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2011年12月15日 - 2011年12月17日   記述言語：日本語  

  • Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究とパワーデバイス用素子への可能性

    岡野資睦

    第31回表面科学学術講演会 

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    開催期間： 2011年12月15日 - 2011年12月17日   記述言語：日本語  

  • Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma

    M.Onoue

    22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides 

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    開催期間： 2011年09月04日 - 2011年09月08日   記述言語：英語   開催地：ドイツ  

  • CVD法によるガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究

    竹堂公貴

    九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2011年06月11日   記述言語：日本語   開催地： 長崎大学  

  • 低圧メタンプラズマにおける球状炭素粒子の微細構造と成長に関する研究

    尾上雅俊

    九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2011年06月11日   記述言語：日本語   開催地： 長崎大学  

  • 走査トンネル顕微鏡によるBiナノワイヤ形成Si(100)表面上のフラーレン吸着・脱離に関する研究

    内田健太郎

    九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2011年06月11日   記述言語：日本語   開催地： 長崎大学  

  • 走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究

    大久保雄平

    九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2011年06月11日   記述言語：日本語   開催地： 長崎大学  

  • 低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅱ

    工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

    第58回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間： 2011年03月24日 - 2011年03月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 神奈川県厚木市  

  • 低温低圧柱状プラズマによる炭素系球状粒子成長に関する研究

    工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間： 2010年11月27日 - 2010年11月28日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • SiC表面分解法における重水雰囲気の影響

    工学研究科先端機能システム工学専攻　野田光洋

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年11月27日 - 2010年11月28日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン形成過程に関する研究

    工学府博士前期電気電子　佐々木悠祐

    平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年11月27日 - 2010年11月28日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • イオンビーム照射によるSiC表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究

    工学府博士前期電気電子　大櫨浩司

    第30回表面科学学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年11月04日 - 2010年11月06日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • 走査トンネル顕微鏡によるSiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究

    工学府博士前期電気電子　北田祐介

    第30回表面科学学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年11月04日 - 2010年11月06日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • ガラス及びSi基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究

    工学府博士前期電気電子　植田謙介

    第30回表面科学学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年11月04日 - 2010年11月06日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • 低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅰ

    工学研究科電気電子工学専攻　尾上雅俊

    第71回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年09月14日 - 2010年09月17日   記述言語：日本語   開催地：日本 長崎市  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面への金属フタロシアニン及びC60吸着のSTM研究

    本人

    第71回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2010年09月14日 - 2010年09月17日   記述言語：日本語   開催地：日本 長崎市  

  • イオンビーム照射によるSiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成

    工学研究科電気工学専攻　辛山慶訓

    九州表面・真空研究会2010（第15回九州薄膜・表面研究会） 

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    開催期間： 2010年06月12日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県福岡市  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面の電子状態抽出

    工学研究科電気電子工学専攻　清水洋平

    平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年11月22日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究

    工学府博士前期電気電子　永松謙佑

    第29回表面科学講演大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年10月27日 - 2009年10月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

  • CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究

    工学府博士前期電気電子　田中繁文

    第29回表面科学講演大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年10月27日 - 2009年10月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

    工学府博士前期電気電子　田中繁文

    第29回表面科学講演大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年10月27日 - 2009年10月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

  • SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製

    工学研究科先端機能システム工学専攻　大門秀朗

    九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会） 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年06月13日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県北九州市  

  • CVD法により作製したカーボンナノチューブの電界放出特性評価

    工学研究科電気工学専攻　上村一平

    九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会） 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年06月13日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県北九州市  

  • Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method

    工学府博士前期電気電子　小島健志

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • A study of adsorption of cobalt phthalocyanine on the Si(100) surface with Bi-line structures by scanning tunneling microscopy

    工学府博士前期電気電子　田中繁文

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Reduction reaction of oxidized Ni(110) surfaces with hydrogen studied by metastable-induced electron spectroscopy

    工学府博士前期電気電子　香月将吾

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method

    工学府博士前期電気電子　古賀　光

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • An STM observation of adsorption of cobalt phthalocyanine on the 6H-SiC(0001) surfaces

    工学府博士前期電気電子　清水　透

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Influence of the oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method

    工学府博士前期電気電子　永松謙佑

    4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における酸素の与える影響に関する研究

    工学研究科電気工学専攻　永松謙佑

    第13回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年06月21日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県大野城市  

  • 準安定原子誘起電子分光法を用いたO/Ni(11)表面における水素還元・吸着プロセスの研究

    宇部高専　碇智徳

    第13回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年06月21日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県大野城市  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着のSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　中村慎太郎

    第55回応用物理学会関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年03月27日 - 2008年03月30日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

    工学研究科電気工学専攻　川本卓磨

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年12月01日 - 2007年12月02日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 準安定ヘリウム原子の脱励起プロセスにおける速度依存性

    石川高専　山田健二

    平成19年度日本物理学会北陸支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年12月01日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • SiC(0001)3×3表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察

    大学院工学研究科電気工学専攻　田中圭介

    第48回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月14日 - 2007年11月16日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Formation of carbon nanotubes on a polyimide substrate by chemical vapor deposition method

    大学院工学研究科電気工学専攻　松本康伸

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Influence by the difference of the vacuum degree to the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

    大学院工学研究科　吉田順一

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    宇部工業高等専門学校電気工学科　碇智徳

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究

    工学研究科電気工学専攻　米久保喜彦

    第27回表面科学講演大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月01日 - 2007年11月03日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Influence of the heating rate upon the growth of carbon-nanotubes by SiC surface decompisition method

    山内貴志

    17th International Vacuum Congress,13th International Conference on Surface Science andInternational Conference on Nano Sciecen and Technology 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年07月02日 - 2007年07月06日   記述言語：英語   開催地： Sweden Stockholm  

  • 原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

    工学研究科電気工学専攻　村上和大

    第12回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年06月16日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県宗像市  

  • CVD法を用いたポリイミド基板上へのカーボンナノチューブ低温形成

    工学研究科電気工学専攻　松本康伸

    第12回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年06月16日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県宗像市  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着過程のSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　中村慎太郎

    第12回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年06月16日   記述言語：日本語   開催地： 福岡県宗像市  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　上代祐蔵

    第47回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月07日 - 2006年11月09日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • 水素終端6H-SiC(0001)3x3表面へのCuPc吸着に関するSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　安冨一裕

    第47回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月07日 - 2006年11月09日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • SiC表面分解法でのCNT配向膜形成に関する研究

    工学研究科電気工学専攻　上田大志

    第47回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月07日 - 2006年11月09日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    電気工学科　西垣　敏

    7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年09月17日 - 2006年09月21日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy

    電気工学科　西垣　敏

    7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年09月17日 - 2006年09月21日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures

    工学部電気工学科　上代祐蔵

    The 24th European Conference on Surface Science 

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    開催期間： 2006年09月04日 - 2006年09月08日   記述言語：英語   開催地： France Paris  

  • Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3x1)-O surface studied by MIES and LEED

    宇部工業高等専門学校　碇　智徳

    24th European Conference on Surface Science 

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    開催期間： 2006年09月04日 - 2006年09月08日   記述言語：英語   開催地： France Paris  

  • 水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性－MIESとLEEDによる研究

    工学研究科電気工学専攻　川本卓磨

    第11回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年06月17日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • Ca吸着Si(111)表面電子状態のMIESによる研究

    工学研究科電気工学専攻　嘉屋旨哲

    第11回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年06月17日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • 表面分解法による6H-SiC-C面のカーボンナノチューブ成長過程

    工学部電気工学科　山内貴志

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 水素ガスによるO/Ni(110)表面の還元反応：MIESとLEEDによる研究

    工学研究科電気工学専攻　松岡利幸

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • Ca/Si(111)表面反応のMIESとLEEDによる研究

    工学研究科電気工学専攻　白水康雄

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 低速イオン散乱分光法による酸素吸着Ni(110)表面の構造解析

    工学研究科電気工学専攻　松岡悠一郎

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • Surface structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED

    工学部電気工学科　碇　智徳

    4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月14日 - 2005年11月17日   記述言語：英語   開催地：日本 大宮  

  • 準安定励起原子を用いた半導体表面の電子状態抽出

    石川工業高等専門学校　山田健二

    平成17年度電気関係学会北陸支部連合大会 

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    開催期間： 2005年09月24日 - 2005年09月25日   記述言語：日本語   開催地：日本 石川県河北郡  

  • Co-adsorption of silver and hydrogen on the Si(100) surface with Bi line structures studied by scanning tunneling microscopy

    工学研究科電気工学専攻　頭島周

    5th Iberian Vacuum Meeting 

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    開催期間： 2005年09月18日 - 2005年09月21日   記述言語：英語   開催地： Portugal Minho  

  • Adsorption of hydrogen on the 6H-SiC(0001)(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy

    工学研究科電気工学専攻　頭島周

    5th Iberian Vacuum Meeting 

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    開催期間： 2005年09月18日 - 2005年09月21日   記述言語：英語   開催地： Portugal Minho  

  • 6H-SiC(000-1)C面における表面構造のカーボンナノチューブ成長へ与える影響

    工学部電気工学科　山内貴志

    第66回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間： 2005年09月07日 - 2005年09月11日   記述言語：日本語   開催地：日本 徳島  

  • Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) C-faces

    工学研究科電気工学専攻　徳永孝行

    The 23rd European Conference on Surface Science 

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    開催期間： 2005年09月04日 - 2005年09月09日   記述言語：英語   開催地： Germany Berlin  

  • Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy

    工学部電気工学科　渡邉晃彦

    The 23rd European Conference on Surface Science 

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    開催期間： 2005年09月04日 - 2005年09月09日   記述言語：英語   開催地： Germany Berlin  

  • Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method

    工学部電気工学科　山内貴志

    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors 

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    開催期間： 2005年07月27日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy

    工学部電気工学科　碇　智徳

    8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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    開催期間： 2005年06月19日 - 2005年06月23日   記述言語：英語   開催地： Sweden Stockholm  

  • CVT法で作製したZnSe単結晶表面のAFM観察

    工学部電気工学科　山内貴志

    第10回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 鳥栖  

  • 水素曝露されたO/Ni(110)表面のMIESによる表面電子状態密度抽出

    工学研究科電気工学専攻　川原宏樹

    第10回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 鳥栖  

  • Si(100)表面上のCa吸着とCaシリサイド薄膜形成プロセス

    工学研究科電気工学専攻　吉田亮

    第10回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 鳥栖  

  • 水素原子吸着によるダイヤモンド表面ポテンシャルの変化：UPS/MIESの同時計測による研究

    工学研究科電気工学専攻　西岡信介

    第10回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 鳥栖  

  • SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　矢野祐樹

    第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

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    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • 水素終端CVDダイヤモンド表面電子状態の準安定原子誘起電子分光法による研究

    工学部電気工学科　渡邉晃彦

    第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

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    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子及び水素の吸着・脱離過程のSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　頭島周

    第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

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    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • 酸素吸着Ni(110)表面の水素による還元反応：準安定原子誘起電子分光と低速電子線回折による研究

    工学部電気工学科　碇智徳

    第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

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    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • カーボンナノチューブの低温形成と選択的成長制御

    工学研究科電気工学専攻　山崎宏徳

    第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

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    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • Influences of the incident He* velocity on the metastable de-excitation process at surfaces and the resultant electron spectra

    工学研究科電気工学専攻　碇　智徳

    15th International Workshop on Inelastic Ion Surface Collisions 

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    開催期間： 2004年10月22日   記述言語：英語   開催地：日本 三重  

  • Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

    工学部電気工学科　西垣　敏

    6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 2004年10月12日 - 2004年10月15日   記述言語：英語   開催地：日本 富山  

  • Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

    工学部電気工学科　渡邉晃彦　

    6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 2004年10月12日 - 2004年10月15日   記述言語：英語   開催地：日本 富山  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察

    工学研究科電気工学専攻　頭島周

    第65回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間： 2004年09月01日 - 2004年09月04日   記述言語：日本語   開催地：日本 仙台  

  • STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition

    工学研究科電気工学専攻　伊藤剛士

    12th International Conference on Solid Films and Surfaces 

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    開催期間： 2004年06月21日 - 2004年06月25日   記述言語：英語   開催地：日本 浜松  

  • Hydrogen-induced reordering of the 6H-SiC(0001)-(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy

    工学研究科電気工学専攻　田中博史

    12th International Conference on Solid Films and Surfaces 

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    開催期間： 2004年06月21日 - 2004年06月25日   記述言語：英語   開催地：日本 浜松  

  • 6H-SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　徳永孝行

    第9回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2004年06月19日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察

    工学研究科電気工学専攻　頭島　周

    第9回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 2004年06月19日   記述言語：日本語   開催地： 北九州  

  • 準安定原子脱励起スペクトルのHe*原子入射速度依存性

    工学部電気工学科　西垣　敏

    第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会 

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    開催期間： 2003年12月20日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 準安定原子脱励起スペクトルの表面－He*相対速度依存性

    工学研究科電気工学専攻　内野直喜

    第109回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間： 2003年11月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • ナノワイヤを含むBi／Si(100)表面の構造変化に関するSTM研究

    工学研究科電気工学専攻　伊藤剛士

    第109回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間： 2003年11月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 表面スピン電子密度分布のためのヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化

    工学研究科電気工学専攻　亀石浩太

    第109回日本物理学会九州支部例会 

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    開催期間： 2003年11月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究

    工学研究科電気工学専攻　小野拓磨

    第23回表面科学講演大会 

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    開催期間： 2003年11月26日 - 2003年11月28日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

  • Preparation of Si(100)-1×1-Bi phase by the mass-analyzed low-energy ion deposition method

    九州共立大学工学部　生地文也

    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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    開催期間： 2003年11月16日 - 2003年11月20日   記述言語：英語   開催地：日本 奈良  

  • Formation of carbon-nanotubes on silicon carbide surfaces and selective growth control by the laser irradiation

    工学研究科電気工学専攻　小西博文

    7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

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    開催期間： 2003年11月16日 - 2003年11月20日   記述言語：英語   開催地：日本 奈良  

  • カーボンナノチューブの生成メカニズム解明および選択的成長制御

    工学研究科電気工学専攻　小西博文

    第44回真空に関する連合講演会 

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    開催期間： 2003年11月12日 - 2003年11月14日   記述言語：日本語   開催地：日本 東京  

  • Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100)

    九州共立大学工学部　生地文也

    International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials 

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    開催期間： 2003年10月11日   記述言語：英語   開催地：日本 横浜  

  • CCVD法によるカーボンナノチューブの生成及び評価

    工学研究科電気工学専攻　御木智幸

    電気関係学会九州支部第56回連合大会 

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    開催期間： 2003年09月26日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびレーザ照射による表面変性

    工学研究科電気工学専攻　松岡宏則

    電気関係学会九州支部第56回連合大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年09月26日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi多層吸着膜の構造解析

    工学研究科電気工学専攻　児玉諭彦

    第8回九州薄膜・表面セミナー 

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    開催期間： 2003年07月05日   記述言語：日本語   開催地： 九重  

  • ヘリウム準安定原子のスピン偏極化及び表面スピン電子状態分析への応用

    工学研究科電気工学専攻　碇智徳

    第8回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年07月05日   記述言語：日本語   開催地： 九重  

  • SiC表面上でのカーボンナノチューブの自己組織化形成

    工学研究科電気工学専攻　小西博文

    第8回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年07月05日   記述言語：日本語   開催地： 九重  

  • SiC(0001)及び(000-1)表面再構成のSTM-LEED研究

    工学研究科電気工学専攻　小野拓磨

    第8回九州薄膜・表面セミナー 

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    開催期間： 2003年07月05日   記述言語：日本語   開催地： 九重  

  • Si(100)表面に自己組織的に誘起された一次元構造の形成メカニズムの解明

    工学研究科電気工学専攻　伊藤剛士

    第8回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年07月05日   記述言語：日本語   開催地： 九重  

  • SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびTEM観察

    工学研究科電気工学専攻　小西博文

    第50回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語：日本語   開催地：日本 横浜  

  • Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程のSTM観察

    工学研究科電気工学専攻　大垣真治

    第43回真空に関する連合講演会 

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    開催期間： 2002年10月16日 - 2002年10月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • 6H-SiC(000-1)再構成表面のSTM/LEEDによる解析

    工学研究科電気工学専攻　北田昌俊

    第43回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年10月16日 - 2002年10月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • 低速イオン散乱法によるSi(100)表面上Bi薄膜の構造解析

    工学研究科電気工学専攻　斉藤伸之

    第43回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年10月16日 - 2002年10月18日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • Bi-induced line structures on Si(100) surfaces

    Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference 

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    開催期間： 2002年10月02日   記述言語：英語   開催地：日本 東京  

  • Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED

    工学部電気工学科　西垣　敏

    5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 2002年09月16日 - 2002年09月17日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • STM observation of Bi-nanowire formation on the Si(100) surface

    工学部電気工学科　西垣　敏

    5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 2002年09月16日 - 2002年09月17日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • An STM observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface

    本人

    7th International Conference on the Structure of Surfaces 

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    開催期間： 2002年07月23日   記述言語：英語   開催地： Australia Newcastle  

  • A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface

    工学部電気工学科　西垣　敏

    11th International Conference on Solid Films and Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年07月08日 - 2002年07月10日   記述言語：英語   開催地： France Marseilles  

  • A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS

    工学部電気工学科　西垣　敏

    11th International Conference on Solid Films and Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年07月08日 - 2002年07月10日   記述言語：英語   開催地： France Marseilles  

  • 低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi薄膜の構造解析

    第7回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年06月22日   記述言語：日本語  

  • Si(100)表面上のBi原子ワイヤー形成過程

    第7回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年06月22日   記述言語：日本語  

  • SiC表面上でのカーボンナノチューブ形成

    第7回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年06月22日   記述言語：日本語  

  • O吸着Ni(110)表面の準安定原子誘起電子分光

    第7回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年06月22日   記述言語：日本語  

  • Si(100)面上での鉄シリサイド薄膜の形成

    第3回表面科学会関西支部学生セッション 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年03月08日   記述言語：日本語  

  • スピン偏極MDSによるO/Ni(110)表面研究

    第3回表面科学会関西支部学生セッション 

    　詳細を見る

    開催期間： 2002年03月08日   記述言語：日本語  

  • Scanning tunneling microscopy observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface

    本人

    Atomic-Scale Surface Designing for Functional Low-Dimensional Materials 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本 つくば  

  • シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成

    本人

    第42回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年10月17日   記述言語：日本語  

  • Alkali-assisted nitridation of Si(001) surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy

    20th European Conference on Surface Science 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年09月06日   記述言語：英語   開催地： Poland Krakow  

  • A metastable de-excitation spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces

    19th International Conference on Atomic Collision in Solids 

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    開催期間： 2001年07月31日   記述言語：英語   開催地： France Paris  

  • An STM observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(000-1)3×3 surface

    本人

    11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年07月17日   記述言語：英語   開催地： Canada Vancouver  

  • An STM investigation of formation of Bi nanowires on a Si(100) surface

    11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年07月17日   記述言語：英語   開催地： Canada Vancouver  

  • Single-crystal phases on Si surfaces

    第6回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年06月02日   記述言語：英語  

  • シリコン表面でのビスマスナノワイヤ自己組織化形成のSTM観察

    第6回九州薄膜・表面セミナー 

    　詳細を見る

    開催期間： 2001年06月02日   記述言語：日本語  

  • Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy

    4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 2000年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Scanning tunneling microscopy observation of Bi-dimer linear chains on the Si(100) surface

    本人

    19th European Conference on Surface Science 

    　詳細を見る

    開催期間： 2000年09月05日 - 2000年09月08日   記述言語：英語   開催地： Spain Madrid  

  • STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface

    19th European Conference on Surface Science 

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    開催期間： 2000年09月05日 - 2000年09月08日   記述言語：英語   開催地： Spain Madrid  

  • Si(100)表面上のビスマス一次元構造のSTM観察

    九州薄膜・表面セミナー(兼第5回九州薄膜・表面研究会) 

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    開催期間： 2000年06月03日   記述言語：日本語  

  • Si(100)表面上のBiダイマー鎖構造形成のSTM観察

    本人

    第47回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間： 2000年03月28日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究

    日本物理学会2000年春の分科会 

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    開催期間： 2000年03月24日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100) surface studied by STM

    本人

    第11回日本MRS学術シンポジウム 

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    開催期間： 1999年12月17日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • TOF-ICISSを用いたSi(100)表面上Bi吸着層の構造解析

    平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

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    開催期間： 1999年12月05日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究

    平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1999年12月05日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • スピン偏極ヘリウム準安定原子脱励起分光装置の試作

    平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1999年12月05日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 準安定原子脱励起分光を用いた表面最外層電子状態の抽出

    第3回実用表面分析講演会 

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    開催期間： 1999年11月05日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • A new surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy

    本人

    7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 

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    開催期間： 1999年06月22日   記述言語：英語   開催地： Sweden Goteborg  

  • 6H-SiC(0001)表面の2√3×2√13構造:STM研究

    薄膜・表面の機能・物性研究会 

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    開催期間： 1999年06月05日   記述言語：日本語  

  • 走査トンネル顕微鏡によるSiC(0001)表面構造解析

    本人

    第46回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間： 1999年03月29日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 準安定原子脱励起分光法による半導体表面上のCs吸着とその酸化促進効果の研究

    第54回日本物理学会年会 

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    開催期間： 1999年03月29日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Si(111)7×7表面上のK吸着過程:中被覆度領域での吸着構造解析

    日本物理学会1998年秋の分科会 

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    開催期間： 1998年09月26日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察

    本人

    日本物理学会1998年秋の分科会 

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    開催期間： 1998年09月26日   記述言語：日本語  

  • Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS

    3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 1998年09月21日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111)7×7 surface: a scanning tunneling microscopy

    14th International Vacuum Congress and 10th International Conference on Solid Surfaces 

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    開催期間： 1998年09月01日   記述言語：英語   開催地： Birmingham  

  • Strain relaxation of bismuth thin films on the Si(100) surface studied by scanning tunneling microscopy

    本人

    9th International Conference on Solid Films and Surfaces 

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    開催期間： 1998年07月07日   記述言語：英語   開催地： Copenhagen  

  • Si(111)7×7表面上K吸着の構造と電子状態変化:STM観察

    第3回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 1998年06月06日   記述言語：日本語  

  • スピン偏極MDSの開発とNi(110)表面スピン状態分析への応用

    第3回九州薄膜・表面研究会 

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    開催期間： 1998年06月06日   記述言語：日本語  

  • スピン偏極He*を用いたNi(110)表面電子状態解析

    第53回日本物理学会年会 

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    開催期間： 1998年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Si(111)7×7表面上のK吸着過程の走査トンネル顕微鏡による研究

    第45回応用物理学関係連合講演会 

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    開催期間： 1998年03月28日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • An STM/STS observation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface

    本人

    5th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy 

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    開催期間： 1997年12月12日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • MDSによるGaAs(100)表面上のCs吸着の電子状態

    平成9年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年11月30日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 低速イオン散乱分光法によるGa-rich GaP(001)(2×4)清浄表面の構造解析

    未入力 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年11月30日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • An MDS study of variation in the local electronic structure during alkali-promoted oxygenation of GaAs(001) surfaces

    4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年10月28日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Li+ and Na+ ion scattering study on the structure of the Ga-rich GaP(001)(4×2) surface

    4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年10月28日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察

    本人

    日本物理学会1997年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年10月07日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • MDSによるSi(111)表面上Cs吸着の電子状態変化と酸化初期過程

    日本物理学会1997年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年10月07日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Ga-rich GaP(001)(4×2) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy

    本人

    17th European Conference on Surface Science 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年09月17日   記述言語：英語   開催地： Netherland Enschede  

  • Coadsorption of cesium and oxygen on GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy

    17th European Conference on Surface Science 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年09月17日   記述言語：英語   開催地： Netherland Enschede  

  • An STM/STS investigation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface

    9th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年07月22日   記述言語：英語   開催地： Germany Hamburg  

  • Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001) surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms

    44th International Field Emission Symposium 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年07月10日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy

    本人

    6th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年06月24日   記述言語：英語   開催地： England Cardiff  

  • Si(111),(100)表面へのBi吸着のSTM研究

    第2回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年06月07日   記述言語：日本語  

  • 化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

    本人

    財団法人新世代研究所第4回研究助成成果報告会 

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    開催期間： 1997年05月22日   記述言語：日本語  

  • アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析

    第52回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年03月29日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • アルカリ金属吸着シリコン表面の構造及び電子状態の走査トンネル顕微鏡観察

    本人

    第52回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年03月29日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Cs/GaAs(001)表面上の酸素吸着の準安定原子脱励起分光

    第52回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年03月29日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • 原子状水素吸着によるBi蒸着Si(111)表面の構造変化過程のSTM観察

    本人

    第44回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1997年03月28日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • スピン偏極MDSによるNi(110)表面の電子状態検出

    日本物理学会1996年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年10月03日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • GaAs(001)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の表面局所電子状態

    日本物理学会1996年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年10月03日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察

    日本物理学会1996年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年10月03日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Scanning tunneling microscopy observation of the Si(100)1×1-Bi structure

    本人

    16th European Conference on Surface Science 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年09月10日   記述言語：英語   開催地： Italy Genova  

  • GaAs(001)表面上の酸素とアルカリ金属共吸着の準安定原子脱励起分光法による研究

    第57回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年09月07日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • An ISS study on the reconstruction of GaP(001)4×2 surfaces

    5th International Conference on the Structure of Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年07月11日   記述言語：英語   開催地： France Aix en Provence  

  • Cs and oxygen adsorption on Ge and GaAs surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy

    5th International Conference on the Structure of Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年07月10日   記述言語：英語   開催地： France Aix en Provence  

  • 金属/半導体界面における水素誘起構造変態(STM)

    本人

    第1回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年06月08日   記述言語：日本語  

  • GaP(001)清浄及び水素処理面のSTM/STS観察

    第51回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Ge(001)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の表面局所電子状態

    第51回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年03月31日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • GaP(001)清浄表面及び水素処理による再配列構造のSTM/LEED/ISS観察

    本人

    第43回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1996年03月26日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy

    本人

    2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 

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    開催期間： 1995年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • GaP(001)清浄及びアルカリ金属吸着表面のISS/LEED観察

    日本物理学会1995年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年09月30日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

    本人

    13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年09月27日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy

    13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年09月27日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Reconstruction of the GaP(001) surface studied by STM

    13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年09月27日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces

    S.Nishigaki

    International Symposium on Dynamical Quantum Processes on Solid Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年09月01日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • シリコン表面上の金属・水素共吸着系のSTM/STS観察

    内藤正路

    第50回日本物理学会年会 

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    開催期間： 1995年03月28日   記述言語：日本語   開催地：日本  

  • Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam

    S.Nishigaki

    2nd International Symposium on Advanced Materials 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年03月15日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • シリコン表面水素のイオンビーム定量並びに薄膜形成に及ぼす影響

    本人

    第10回局所表面分析懇話会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1995年02月17日   記述言語：日本語  

  • 低温におけるSi表面吸着水素のERDA観察

    前田泰宏

    日本物理学会1994年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1994年09月02日 - 1994年09月05日   記述言語：日本語  

  • Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and (100) surfaces studied by elastic recoil detection analysi

    M.Watamori

    3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes 

    　詳細を見る

    開催期間： 1994年05月25日 - 1994年05月27日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • 低温におけるSi基板表面水素の挙動のERDA/LEED観察

    内藤正路

    第41回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1994年03月28日 - 1994年03月31日   記述言語：日本語  

  • `Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

    M.Naitoh

    1st International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1993年11月08日 - 1993年11月12日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • Si(111)面上のAg膜成長に及ぼす表面水素の影響の重イオンRBSによる観察

    内藤正路

    第54回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1993年09月   記述言語：日本語  

  • Si(100)面上のAg膜成長過程に及ぼす表面水素の影響

    森岡　肇

    第40回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1993年03月29日 - 1993年04月01日   記述言語：日本語  

  • Si(100)面上の水素吸着過程

    内藤正路

    第48回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1993年03月29日 - 1993年04月01日   記述言語：日本語  

  • Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察

    森岡　肇

    日本物理学会1992年秋の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1992年09月25日 - 1992年09月28日   記述言語：日本語  

  • Coadsorption study of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces by elastic recoil detection analysis technique

    M.Naitoh

    3rd ISSP International Symposium on Dynamical Processes at Solid Surfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1992年04月   記述言語：英語   開催地：日本  

  • ERDA/LEEDによるAl/Si(111)-√7×√7表面への水素吸着の研究

    内藤正路

    第39回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1992年03月28日 - 1992年03月31日   記述言語：日本語  

  • UHV-STMによるSi表面観察(II);√3-Ag表面の水素誘起クラスタ形成

    片山逸雄

    第39回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1992年03月28日 - 1992年03月31日   記述言語：日本語  

  • Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED

    M.Naitoh

    1st International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年11月19日 - 1991年11月22日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • ERDA/LEEDによるAl単原子層蒸着Si表面への水素吸着の研究

    内藤正路

    第52回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年10月09日 - 1991年10月12日   記述言語：日本語  

  • Al単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察

    大西秀朗

    第46回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年09月27日 - 1991年09月30日   記述言語：日本語  

  • 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dの振舞いに関する研究

    内藤正路

    第46回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年09月27日 - 1991年09月30日   記述言語：日本語  

  • 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究

    内藤正路

    日本物理学会1991年春の分科会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年03月28日 - 1991年03月31日   記述言語：日本語  

  • 水素終端Si(111)表面上におけるAgの成長様式のSEM観察

    内藤正路

    第38回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1991年03月   記述言語：日本語  

  • 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素ターミネートSi(111)面上の金属膜成長過程

    内藤正路

    第31回真空に関する連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1990年10月24日 - 1990年10月26日   記述言語：日本語  

  • ERDA/LEEDによるAu単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究

    内藤正路

    第51回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1990年09月26日 - 1990年09月29日   記述言語：日本語  

  • Hydrogen-termination effect on the growth of Ag thin films on Si(111) surface

    M.Naitoh

    YAMADA Conference 26 

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    開催期間： 1990年07月02日 - 1990年07月06日   記述言語：英語   開催地：日本  

  • 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察

    尾浦憲治郎

    第45回日本物理学会年会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1990年03月   記述言語：日本語  

  • 水素ターミネーションによるSi(111)基板上への金属膜成長初期過程の制御

    内藤正路

    第37回応用物理学関係連合講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 1990年03月   記述言語：日本語  

  • ERDA/LEEDによるSi(111)-√3×√3Ag表面への水素吸着

    尾浦憲治郎

    日本物理学会1989年秋の分科会 

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    開催期間： 1989年10月   記述言語：日本語  

  • ERDA/LEEDによるAg単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究

    内藤正路

    第50回応用物理学会学術講演会 

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    開催期間： 1989年09月27日 - 1989年09月30日   記述言語：日本語  

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学術関係受賞

  • 日本真空協会第10回真空進歩賞

    日本真空協会   2001年10月17日

    未設定

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    受賞国：日本国

科研費獲得実績

  • シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製

    研究課題番号：19510118  2007年04月 - 2009年03月   基盤研究(C)

  • 水素―表面反応基礎過程:スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

    研究課題番号：17002011  2005年04月 - 2010年03月   特別推進研究

  • 高配向・高密度カーボンナノチューブの自己組織化形成とナノデバイス応用

    研究課題番号：16310089  2004年04月 - 2007年03月   基盤研究(B)

  • 一次元原子鎖制御によるシリコン・ナノアーキテクチャ

    研究課題番号：15651056  2003年04月 - 2005年03月   萌芽研究・萌芽的研究

  • 表面最外層領域で準安定原子・イオンにより誘起されたオージェ電子の回折と局所構造

    研究課題番号：13440098  2001年04月 - 2004年03月   基盤研究(B)

  • SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御

    研究課題番号：13650028  2001年04月 - 2003年03月   基盤研究(C)

  • 固体表面でのイオン・準安定原子の中性化・脱励起における集団的励起

    研究課題番号：12640317  2000年04月 - 2003年03月   基盤研究(C)

  • 超低速イオンビーム蒸着によるSi表面低次元相形成とエピタキシーの研究

    研究課題番号：12650033  2000年04月 - 2002年03月   基盤研究(C)

  • 半導体表面変性における水素原子の能動的作用の原子スケ-ル解析

    研究課題番号：09750035  1997年04月 - 1999年03月   奨励研究(A)

  • スピン編極ヘリウム準安定原子ビームによる表面最外原子層磁気秩序の解明

    研究課題番号：08454083  1996年04月 - 1999年03月   基盤研究(B)

  • STM-STS法による化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

    研究課題番号：08750037  1996年04月 - 1997年03月   奨励研究(A)

  • STM-STS法による半導体表面における吸着水素原子の表面変性効果に関する研究

    研究課題番号：07750039  1995年04月 - 1996年03月   奨励研究(A)

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受託研究・共同研究実施実績

  • 炭素系新材料の創製と評価

    2013年10月 - 2017年03月

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    研究区分：その他共同研究等

寄附金・講座

  • 財団法人日本板硝子材料工学助成会    2009年04月

  • 財団法人マツダ財団    2000年12月

  • 財団法人　吉田学術教育振興会    2000年04月

  • 財団法人　池谷科学技術振興財団    1999年04月

  • 財団法人　村田学術振興財団    1998年08月

  • 財団法人　矢崎科学技術振興記念財団    1998年04月

  • 財団法人　泉科学技術振興財団    1997年04月

  • 財団法人　岩谷直治記念財団    1997年04月

  • 財団法人　新世代研究所    1996年04月

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担当授業科目（学内）

  • 2023年度   薄膜デバイス特論

  • 2023年度   電気回路Ⅱ

  • 2023年度   電気電子工学ＰＢＬ実験

  • 2023年度   電気電子工学実験Ⅱ

  • 2023年度   電気電子物性

  • 2023年度   電気回路Ⅱ

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   先端電気工学特論

  • 2022年度   薄膜デバイス特論

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   電気回路Ⅱ

  • 2022年度   電気電子工学ＰＢＬ実験

  • 2022年度   電気電子工学実験Ⅱ

  • 2022年度   電気電子物性

  • 2022年度   電気回路Ⅱ

  • 2021年度   薄膜デバイス特論

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2021年度   電気回路Ⅱ

  • 2021年度   電気電子工学ＰＢＬ実験

  • 2021年度   電気電子工学実験Ⅱ

  • 2021年度   電気電子物性

  • 2021年度   電気回路Ⅱ

  • 2020年度   薄膜デバイス特論

  • 2020年度   電気回路Ⅱ

  • 2020年度   電気電子工学実験Ⅱ

  • 2020年度   電気電子物性

  • 2020年度   電気回路Ⅱ

  • 2019年度   薄膜デバイス特論

  • 2019年度   電気回路Ⅱ

  • 2019年度   電気電子工学実験Ⅱ

  • 2019年度   電気電子物性

  • 2019年度   電気回路Ⅱ

  • 2019年度   電気電子工学ＰＢＬ実験

  • 2018年度   薄膜デバイス特論

  • 2018年度   電気電子物性

  • 2018年度   電気回路Ⅱ

  • 2017年度   薄膜デバイス特論

  • 2017年度   電気電子物性

  • 2017年度   電気回路Ⅱ

  • 2016年度   半導体ナノデバイスプロセス

  • 2016年度   電気電子物性

  • 2016年度   電気回路Ⅱ

  • 2015年度   電気回路Ⅱ

  • 2015年度   電気電子物性

  • 2015年度   半導体ナノデバイスプロセス

  • 2014年度   電気電子物性

  • 2014年度   半導体ナノデバイスプロセス

  • 2014年度   電気回路Ⅱ

  • 2013年度   半導体ナノデバイスプロセス

  • 2013年度   電気電子物性

  • 2013年度   電気回路Ⅱ

  • 2012年度   薄膜デバイス特論

  • 2012年度   半導体デバイス

  • 2012年度   半導体デバイス

  • 2012年度   電気電子工学実験ⅠＢ

  • 2012年度   電気回路Ⅱ

  • 2011年度   薄膜デバイス特論

  • 2011年度   半導体デバイス

  • 2011年度   電気電子工学実験ⅠＢ

  • 2011年度   電気回路Ⅱ

  • 2011年度   先端半導体デバイスプロセス特論

  • 2011年度   エネルギー・デバイス実験

  • 2011年度   専門英語

  • 2011年度   サイエンス工房

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担当経験のある授業科目(学外)

  • 電気基礎学実験

    機関名：福岡工業大学

学会・委員会等活動

  • 応用物理学会   薄膜・表面物理分科会常任幹事  

    2023年04月 - 2025年03月

  • 日本表面真空学会   協議員  

    2022年04月 - 2026年03月

  • 日本表面真空学会   九州支部　支部長  

    2020年04月 - 2022年03月

  • 日本表面真空学会   九州支部　副支部長  

    2018年04月 - 2020年03月

  • 日本表面科学会   九州支部役員  

    2016年04月 - 2018年03月

  • 日本真空学会   関西支部役員  

    2014年01月 - 2018年03月

  • 応用物理学会   薄膜・表面物理分科会幹事  

    2009年04月 - 現在

  • 日本表面科学会   関西支部役員  

    2009年04月 - 2016年03月

  • 日本真空学会   関西支部役員  

    2008年01月 - 2010年12月

  • 応用物理学会   編集委員  

    2006年04月 - 2008年03月

  • 応用物理学会   応用電子物性分科会幹事  

    2006年04月 - 2007年03月

  • 日本表面科学会   編集委員  

    2003年04月 - 2005年03月

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社会貢献活動（講演会・出前講義等）

  • 学研都市サイエンスカフェ

    2013年08月20日

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    種別：サイエンスカフェ

    講師：内藤正路
    主催者：北九州産業技術推進機構
    役割：企画、運営等
    会場：黒崎コムシティ

  • 第53回九州工業大学ジュニア・サイエンス・スクール

    2011年12月03日

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    種別：セミナー・ワークショップ

    講師：内藤正路、学部生、大学院生
    主催者：九州工業大学
    役割：企画、運営等
    会場：九州工業大学戸畑キャンパス

  • カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー　－カーボンナノチューブとは？－

    2010年07月14日

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    対象： 高校生

    種別：出前授業

    福岡県立新宮高等学校　１年～３年　　

  • カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー　－カーボンナノチューブとは？－

    2010年06月10日

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    種別：出前授業

    第一高等学院小倉校　１年～３年　　

国際会議開催（学会主催除く）

  • 2017 International Symposium on Innovation in Information Technology and Application

    Korea Society of Industrial Information Systems  ベトナム  2017年01月10日 - 2017年01月13日

  • 2014 International Industrial Information Systems Conference

    Korea Society of Industrial Information Systems  タイ  2014年01月21日 - 2014年01月24日

  • 2012 Joint Conference of The International Industrial Information Systems Conference & The International Conference on Computers, Communications and Systems

    Korea Society of Industrial Information Systems  タイ  2012年12月20日 - 2012年12月23日