所属
大学院工学研究院 電気電子工学研究系
職名
教授
メールアドレス
研究室FAX
093-884-3266
外部リンク
ナイトウ マサミチ
内藤 正路
NAITOH Masamichi
Scopus 論文情報
総論文数: 0 総Citation: 0 h-index: 2
研究キーワード
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走査トンネル顕微鏡
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カーボンナノチューブ
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グラフェン
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ビスマス
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水素吸着
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シリコン
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シリコンカーバイド
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自己組織化
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表面変性
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半導体表面
研究分野
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ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
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ナノテク・材料 / ナノ材料科学
出身学校
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1989年03月 大阪大学 工学部 電子工学 卒業 日本国
出身大学院
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1994年03月 大阪大学 工学研究科 電子工学 博士課程・博士後期課程 修了 日本国
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1991年03月 大阪大学 工学研究科 電子工学 修士課程・博士前期課程 修了 日本国
取得学位
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大阪大学 - 博士（工学） 1994年03月
学内職務経歴
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2022年04月 - 2024年03月 九州工業大学 大学院工学研究院 副専攻長（電気)
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2022年04月 - 2024年03月 九州工業大学 大学院工学研究院 電気電子工学研究系 電気電子工学科長
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2017年04月 - 現在 九州工業大学 大学院工学研究院 電気電子工学研究系 教授
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2013年04月 - 2017年03月 九州工業大学 大学院生命体工学研究科 生体機能専攻 教授
所属学会・委員会
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2018年04月 - 現在 日本表面真空学会 日本国
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2013年04月 - 2015年03月 北九州学術研究都市 産学連携フェア実行委員会 日本国
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2003年06月 - 2018年03月 日本表面科学会 日本国
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2001年07月 - 2018年03月 日本真空学会 日本国
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1990年11月 - 2017年12月 日本物理学会 日本国
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1989年08月 - 現在 応用物理学会 日本国
論文
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Molybdenum disulfide homogeneous junction diode fabrication and rectification characteristics 査読有り 国際誌
Wei Li, Jeng-Yu Ke, Yun-Xuan Ou-Yang, Ying-Xuan Lin, Ching-Hwa Ho, Kuei-Yi Lee, Shunjiro Fujii, Shin-ichi Honda, Hideaki Okado, Masamichi Naitoh
Japanese Journal of Applied Physics ( 日本応用物理学会 ) 61 ( 8 ) 086504 8 pages 2022年08月
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Electronic and structural properties of H-intercalated graphene-SiC(0001) interface 査読有り
J. Ishii, S. Matsushima, M. Naitoh
Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 3 ) 035001 5 pages 2019年03月
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Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method 査読有り
J. Ishii, Y. Miyawaki, T. Yamasaki, T. Ikari, M. Naitoh
Japanese Journal of Applied Physics 56 085104 4 pages 2017年07月
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The thermal radiation effect of substrate on nano-microsized particles levitating in low-pressure reactive plasmas 査読有り
Tatsuzo Nagai, Masamichi Naitoh, Fumiya Shoji
Applied Materials Today 7 185 - 189 2017年06月
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Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy 査読有り
T. Ikari, K. Matsuo, S. Uesugi, D. Todo, J. Ishii, M. Naitoh
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 141 - 143 2016年05月
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Growth of graphene on SiC(111) surfaces via- ion beam irradiation 査読有り
J. Ishii, Y. Miyawaki, N. Tsuboi, T. Ikari, M. Naitoh
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 121 - 124 2016年04月
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First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface 査読有り
J. Ishii, S. Matsushima, H. Nakamura, T. Ikari, M.Naitoh
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 107 - 112 2016年04月
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Oxidation at Cs pre-Adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3 × 3) reconstructed surfaces studied using metastable-induced electron spectroscopy 査読有り
T. Ikari, T. Nakamura, K. Hirayama, K. Muraoka, J. Ishii, M. Naitoh
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 103 - 106 2016年04月
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New measurement base de-embedded CPU load model for power delivery network design 査読有り
M. Okano, K. Watanabe, M. Naitoh, I. Omura
9th International Conference on Power Electronics-ECCE Asia 2288 - 2293 2015年06月
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SiC表面へのイオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成の制御 査読有り
瀬尾甲太郎,高松草平,近藤利紀,碇 智徳,内藤正路
Journal of the Vacuum Society of Japan 57 ( 5 ) 182 - 184 2014年05月
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SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究 査読有り
枝元太希,早久和希,岡野資睦,坪井直也,碇 智徳,中尾 基,内藤正路
Journal of the Vacuum Society of Japan 57 ( 4 ) 144 - 146 2014年04月
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鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長 査読有り
中山泰輔,菅 祐志,長友和輝,碇 智徳,内藤正路,長井達三,生地文也
Journal of the Vacuum Society of Japan 57 ( 4 ) 155 - 158 2014年04月
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Ion-beam irradiation effect in the growth process of graphene on silicon carbide-on-insulator substrates 査読有り
M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh
Materials Science Forum 2014年02月
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自己組織化形成カーボンナノチューブによるナノデバイス創製
内藤正路
日本板硝子材料工学助成会成果報告書 ( 日本板硝子材料工学助成会 ) 2012年06月
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Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma 査読有り
M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji
Diamond & Related Materials 27-28 10 - 13 2012年05月
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Ion-beam irradiation effect on the growth of carbon nanotubes in the SiC surface decomposition method 査読有り
M. Naitoh, Y. Karayama, H. Ohaze, T. Ikari
Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 1 ) 010201 3pages 2012年01月
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STM observation of graphene formation using SiC-on insulator substrates 査読有り
M. Naitoh, M. Okano, Y. Kitada, Y. Sasaki, Y. Okubo, D. Edamoto, M. Nakao, I. Omura, T. Ikari
Surface Review and Letters 18 ( 5 ) 163 - 167 2011年10月
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走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン化に関する研究 査読有り
北田祐介,佐々木悠祐,大久保雄平,碇 智徳,内藤正路,中尾 基
表面科学 32 ( 7 ) 459 - 460 2011年07月
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イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究 査読有り
辛山慶訓,大櫨浩司,山崎絢哉,碇 智徳,山内貴志,内藤正路
表面科学 32 ( 7 ) 457 - 458 2011年07月
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CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究 査読有り
上村一平,古賀 光,小島健志,植田謙介,碇 智徳,内藤正路,西垣 敏
表面科学 31 ( 10 ) 551 - 553 2010年10月
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Influence of oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method 査読有り
T. Yamauchi,K. Nagamatsu,Y. Karayama,M. Naitoh,S. Nishigaki,H. Okado
Applied Surface Science 256 ( 4 ) 930 - 933 2009年11月
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Adsorption of cobalt phthalocyanine on a Si(100) surface with Bi-line structures as evaluated by scanning tunneling microscopy 査読有り
T. Ikari,S. Tanaka,S. Nakamura,M. Naitoh,S. Nishigaki,F. Shoji
Applied Surface Science 256 ( 4 ) 1132 - 1135 2009年11月
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Influence of a Cr Layer on the Glass Substrate on the Growth of Carbon Nanotubes by Chemical Vapor Deposition 査読有り
T. Ikari,H. Koga,K. Kojima,I. Uemura,H. Miyazaki,M. Naitoh,S. Nishigaki
Surface Review and Letters 16 ( 5 ) 761 - 765 2009年10月
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Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface 査読有り
J.Yoshida,Y.Yonekubo,T.Nakanishi,H.Okado,M.Naitoh,T.Sakata and H.Mori
Applied Surface Science 254 7723 - 7727 2008年09月
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SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 査読有り
米久保喜彦,上田大志,山内貴志,碇 智徳,内藤正路,西垣 敏,大門秀朗,生地文也
表面科学 29 ( 7 ) 418 - 420 2008年07月
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SiC(0001)-(3x3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り
田中圭介,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也
Journal of the Vacuum Society of Japan 51 ( 3 ) 124 - 127 2008年03月
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Influence of heating rate upon the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method 査読有り
T.Yamauchi,T.Ueda,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki
Journal of Physics: Conference Series 100 082007.1 - 082007.4 2008年03月
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An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures 査読有り
S.Nakamura,S.Kashirajima,Y.Johdai,Y.Yoshiiwa,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,Y.Shimizu
Surface Review and Letters 14 ( 5 ) 957 - 961 2007年10月
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Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り
T.Ikari,T.Matsuoka,K.Murakami,T.Kawamoto,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Science 601 ( 18 ) 4418 - 4422 2007年09月
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Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り
Y.Shirouzu,Y.Kaya,T.Okazaki,A. Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki,T.Ikari,K.Yamada
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 5 89 - 93 2007年03月
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り
上代祐藏,吉岩由人,塗木貴彦,中村慎太郎,碇智徳,内藤正路,西垣敏,生地文也
真空 50 ( 3 ) 196 - 198 2007年03月
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Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り
A.Watanabe,S.Nishioka,Y.Shirouzu,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Science 600 ( 18 ) 3659 - 3662 2006年09月
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Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) surfaces 査読有り
T.Yamauchi,T.Tokunaga,M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji,M.Kusunoki
Surface Science 600 ( 18 ) 4077 - 4080 2006年09月
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Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy
Y.Shirouzu,T.Ikari,N.Kaya,T.Okazaki,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki
Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 2006年09月
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Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy
T.Ikari,T.Matsuoka,T.Kawamoto,K.Murakami,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 2006年09月
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Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り
T.Ikari,S.Arikado,K.Kameishi,H.Kawahara,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Applied Surface Science 252 ( 15 ) 5424 - 5427 2006年05月
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Dynamic formation process of Bi line structure on Si(100) surface 査読有り
J.-T.Wang,D.-S.Wang,E.-G.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Computational Materials Science 36 135 - 138 2006年05月
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Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method 査読有り
T.Yamauchi,Y.Takahara,M.Naitoh,N.Narita
Physica B 376-377 778 - 781 2006年04月
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Surface-structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED 査読有り
T.Ikari,K.Kameishi,S.Arikado,H.Kawahara,T.Matsuoka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 4 170 - 173 2006年02月
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Dynamic ad-dimer twisting assisted nanowire self-assembly on Si(100) 査読有り
J.-T.Wang,E.-G.Wang,D.-S.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Physical Review Letters 94 ( 22 ) 226103.1 - 226103.4 2005年06月
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Influence of the incident He* velocity on metastable de-excitation process at a Cs-covered Si(100) surface 査読有り
T.Ikari,N.Uchino,S.Nishioka,H.Fujiwaki,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 232 88 - 93 2005年05月
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STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition 査読有り
T.Itoh,S.Kashirajima,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji
Applied Surface Science 244 161 - 165 2005年05月
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Growth control of carbon nanotubes on slicon carbide surfaces using the laser irradiation effect 査読有り
H.Konishi,H.Matsuoka,N.Toyama,M.Naitoh,S.Nishigaki,M.Kusunoki
Thin Solid Films 464-465 295 - 298 2004年10月
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6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究 査読有り
小野拓磨,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也
表面科学 25 ( 8 ) 519 - 520 2004年08月
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Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100) 査読有り
F.Shoji,H.Shimoji,M.Naitoh
Thin Solid Films 461 116 - 119 2004年08月
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Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface
A.Watanabe,S.Nishioka,N.Uchino,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki
Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 2004年04月
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Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES
T.Inoue,N.Uchino,R.Yoshida,S.Nishioka,K.Yamada,A.Watanabe,M.Naitoh,R.Nishitani,S.Nishigaki
Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 2004年04月
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レーザー照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御 査読有り
小西博文,松岡宏則,遠山尚武,内藤正路,西垣敏,楠美智子
真空 47 ( 3 ) 136 - 139 2004年03月
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Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察 査読有り
大垣真治,内藤正路,西垣敏,大石信弘,生地文也
真空 46 ( 6 ) 501 - 504 2003年06月
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6H-SiC(000-1)再構成表面の走査トンネル顕微鏡/低速電子線回折法による解析 査読有り
北田昌俊,内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也
真空 46 ( 6 ) 505 - 508 2003年06月
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A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface 査読有り
T.Ikari,T.Kojima,K.Yamada,M.Naitoh,S.Nishigaki
Applied Surface Science 212-213 579 - 582 2003年05月
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A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS 査読有り
N.Oishi,N.Saitoh,M.Naitoh,S.Nishigaki,F.Shoji,S.Nakanishi,K.Umezawa
Applied Surface Science 212-213 373 - 377 2003年05月
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Stability of Sb line structure on Si(100) 査読有り
J.-T.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,T.Hashizume,M.Naitoh,D.-S.Wang,E.-G.Wang
Physical Review B 67 ( 19 ) 193307.1 - 193307.4 2003年05月
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シリコンカーバイド表面の原子スケール解析とサーファクタントによる新機能開拓
内藤正路,西垣敏,遠山尚武,生地文也
マツダ財団研究報告書 ( 未設定 ) 15 201 - 208 2003年04月
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An STM observation of the initial process of graphitization at the 6H-SiC(000-1) surface 査読有り
M.Naitoh,M.Kitada,S.Nishigaki,N.Toyama,F.Shoji
Surface Review and Letters 10 ( 2-3 ) 473 - 477 2003年04月
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Sodium-assisted nitrogen adsorption on Si(001) surfaces at room temperature studied by metastable de-excitation spectroscopy 査読有り
K.Yamada,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Science 507-510 207 - 212 2002年06月
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A metastable-induced electron spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces 査読有り
S.Nishigaki,T.Sugiman,T.Ikari,I.Yokoh,K.Yamada,M.Naitoh
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 193 460 - 465 2002年06月
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Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED
K.Tachibana,T.Ikari,M.Naitoh,S.Nishigaki
Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 2002年04月
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STM observation of Bi-nanowire growth on the Si(100) surface
S.Ohgaki,M.Takei,M.Naitoh,N.Oishi,S.Nishigaki,F.Shoji
Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 2002年04月
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走査トンネル顕微鏡による表面原子の観察と操作
内藤正路
明専会報 ( 未設定 ) ( 771 ) 9 - 11 2001年05月
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STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface 査読有り
J.Takami,M.Naitoh,I.Yokoh,S.Nishigaki,N.Toyama
Surface Science 482-485 359 - 364 2001年04月
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Scanning tunneling microscopy observation of Bi-induced surface structures on the Si(100) surface 査読有り
M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Surface Science 482-485 1440 - 1444 2001年04月
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シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成 招待有り 査読有り
内藤正路,武井孝樹,西垣敏,大石信弘,生地文也
真空 43 ( 11 ) 1063 - 1066 2000年11月
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半導体表面における水素原子のサーファクタント作用の解明と新機能抽出に関する研究
内藤正路
財団法人池谷科学技術振興財団年報 ( 未設定 ) 11 41 - 42 2000年04月
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吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(最終報告)
内藤正路,西垣敏
財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 ) 23 19 - 22 2000年04月
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Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface studied by STM 査読有り
M.Naitoh,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Transactions of the Material Research Society of Japan 25 ( 3 ) 857 - 860 2000年04月
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Structure of Bi-dimer linear chains on a Si(100)surface : a scanning tunneling microscopy study 査読有り
M.Naitoh,M.Takei,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Japanese Journal of Applied Physics 39 ( 5A ) 2793 - 2794 2000年04月
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Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy
S.Nishigaki,T.Sugiman,I.Yokoh,M.Yanagibashi,M.Naitoh,K.Yamada
Proceedings of the 4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 2000年04月
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半導体表面における水素原子の能動的作用の原子スケール解析
内藤正路
Annual Report of the Murata Science Foundation ( 未設定 ) 13 155 - 157 1999年04月
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吸着水素の半導体表面変性効果による新物質創製(中間報告)
内藤正路,西垣敏
財団法人岩谷直治記念財団研究報告書 ( 未設定 ) 22 86 - 88 1999年04月
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Bismuth-induced surface structure of Si(100) studied by scanning tunneling microscopy 査読有り
M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Applied Surface Science 142 38 - 42 1999年04月
-
A (2√3×2√13) surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り
M.Naitoh,J.Takami,S.Nishigaki,N.Toyama
Applied Physics Letters 75 ( 5 ) 650 - 652 1999年04月
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Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111) surface : a scanning tunneling microscopy study 査読有り
A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Applied Surface Science 144-145 548 - 553 1999年04月
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Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001)surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms 査読有り
S.Nishigaki,K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh
Ultramicroscopy 73 223 - 228 1998年04月
-
Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(001)surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy 査読有り
K.Yamada,J.Asanari,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Science 402-404 683 - 686 1998年04月
-
A scanning tunneling microscopy investigation of adsorption and clustering of potassium on the Si(111)7×7 surface 査読有り
A.Watanabe,M.Naitoh,S.Nishigaki
Japanese Journal of Applied Physics 37 ( 6B ) 3778 - 3781 1998年04月
-
Cs and oxygen adsorption on Ge(001) and GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy 査読有り
K.Yamada,S.Nishigaki,M.Naitoh
Surface Review and Letters 5 255 - 259 1998年04月
-
Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り
M.Naitoh,H.Shimaya,N.Oishi,F.Shoji,S.Nishigaki
Applied Surface Science 123-124 171 - 175 1998年04月
-
Hydrogen-induced restructuring and crater formation at Si(111)surfaces : a scanning tunneling microscopy study 査読有り
M.Naitoh,H.Shimaya,A.Watanabe,S.Nishigaki
Japanese Journal of Applied Physics 37 ( 4A ) 2033 - 2034 1998年04月
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An ISS study on Ga-dimer arrangement in the GaP(001)4×2 surface 査読有り
N.Oishi,F.Shoji,A.Konishi,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Review and Letters 5 223 - 227 1998年04月
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Ga-rich GaP(001)(2×4)surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy 査読有り
M.Naitoh,A.Konishi,H.Inenaga,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Surface Science 402-404 623 - 627 1998年04月
-
Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS
S.Nishigaki,S.Tandjoeng,T.Kato,S.Sonoda,M.Naitoh,K.Yamada
Proceedings of the 3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 188 - 191 1998年04月
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化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究
内藤正路
第4回新世代研究所研究助成研究成果報告会研究成果報告書 ( 未設定 ) 107 - 113 1997年04月
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Scanning tunneling microscopy observation of bismuth growth on Si(100) surfaces 査読有り
M.Naitoh,H.Shimaya,S.Nishigaki,N.Oishi,F.Shoji
Surface Science 377-379 899 - 903 1997年04月
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Ge(100)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の準安定原子脱励起分光
山田健二,内藤正路,西垣 敏
九州工業大学研究報告 69 15 - 20 1997年04月
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Hydrogen-induced reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り
A.Watanabe,H.Shimaya,M.Naitoh,S.Nishigaki
Journal of Vacuum Science & Technology B 14 3599 - 3602 1996年04月
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A clean GaP(4x2)/c(8x2) surface structure studied by scanning tunneling microscopy and ion scattering spectroscopy 査読有り
M.Naitoh,A.Watanabe,A.Konishi,S.Nishigaki
Japanese Journal of Applied Physics 35 4789 - 4790 1996年04月
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A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces 査読有り
S.Nishigaki,K.Yamada,M.Naitoh,H.Iga
Surface Science 363 121 - 126 1996年04月
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An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces 査読有り
M.Naitoh,A.Watanabe,S.Nishigaki
Surface Science 357-358 140 - 144 1996年04月
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Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy 査読有り
K.Yamada,H.Iga,M.Naitoh,S.Nishigaki
Surface Science 357-358 481 - 485 1996年04月
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低エネルギーイオン散乱によるGaP(001)表面の構造解析
大石信弘,内藤正路,西垣 敏
九州工業大学研究報告 68 41 - 47 1996年04月
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Si表面の水素定量と水素終端面上でのAg薄膜形成初期過程の研究
内藤正路,西垣 敏
九州工業大学研究報告 68 31 - 39 1996年04月
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Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam
S.Nishigaki,H,Iga,K.Yamada,M.Naitoh
Proceedings of the 2nd International Symposium on Advanced Materials 201 - 202 1995年04月
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Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scaning tunneling microscopy
M.Naitoh,A.Watanabe,H.Shimaya,N.Oishi,S.Nishigaki
Proceedings of the 2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces 178 - 182 1995年04月
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Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis 査読有り
M.Watamori,M.Naitoh,H.Morioka,Y.Maeda,K.Oura
Applied Surface Science 82-83 417 - 421 1995年03月
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Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces 査読有り
M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,M.Watamori,K.Oura
Control of Semiconductor Interfaces 45 - 49 1994年03月
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Elastic recoil detection analysis of coadsorption of hydrogen and deuterium on clean Si surfaces 査読有り
K.Oura,M.Naitoh,H.Morioka,M.Watamori,F.Shoji
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 85 344 - 346 1994年03月
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Coadsorption of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces studied by elastic recoil detection analysis 査読有り
M.Naitoh,H.Morioka,F.Shoji,K.Oura
Surface Science 297 135 - 140 1993年12月
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Ion beam analysis of hydrogen on silicon surfaces 査読有り
K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji
Microbeam analysis 2 139 - 150 1993年12月
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シリコン表面の水素変性と薄膜形成初期過程 招待有り
尾浦憲治郎,住友弘二,内藤正路
固体物理 28 ( 12 ) 943 - 949 1993年12月
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Direct observation of the growth process of Ag thin film on a hydrogen-terminated Si(111) surface 査読有り
M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura
Japanese Journal of Applied Physics 31 4018 - 4019 1992年12月
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Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED 査読有り
M.Naitoh,H.Ohnishi,Y.Ozaki,F.Shoji,K.Oura
Applied Surface Science 60-61 190 - 194 1992年08月
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シリコン表面水素の定量とその成膜過程への影響
内藤正路,尾浦憲治郎
大阪大学低温センターだより ( 未設定 ) 79 7 - 11 1992年07月
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高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素終端Si(111)面上の銀薄膜成長過程の観察 査読有り
内藤正路,生地文也,尾浦憲治郎
真空 34 140 - 142 1991年03月
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Hydrogen-termination effects on the growth of Ag thin films on Si(111) surfaces 査読有り
M.Naitoh,F.Shoji,K.Oura
Surface Science 242 152 - 156 1991年02月
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Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Ag surface 査読有り
K.Oura,M.Naitoh,J.Yamane,F.Shoji
Surface Science 230 L151 - L154 1990年05月
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Elastic recoil detection analysis of hydrogen adsorbed on solid surfaces 査読有り
K.Oura,M.Naitoh,F.Shoji,J.Yamane,K.Umezawa,T.Hanawa
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 45 199 - 202 1990年03月
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Hydrogen adsorption on Si(100)-2×1 surfaces studied by elactic recoil detection analysis 査読有り
K.Oura,J.Yamane,K.Umezawa,M.Naitoh,F.Shoji,T.Hanawa
Physical Review B 41 1200 - 1203 1990年01月
著書
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薄膜作製応用ハンドブック
権田俊一監修,内藤正路（１３２名の執筆者の中の一人）（共著 , 範囲: 第３編第４章第６節）
エヌ・ティー・エス 1995年11月 （ ISBN:4-900830-06-2 ）
口頭発表・ポスター発表等
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A study of the desorption process at Pt adsorbed [EMIm]Tf2N/SiC surface with annealing
S. Masuda, F. Yamanaka, M. Miyamoto, S. Emoto, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari
The 22nd International Vacuum Congress 2022年09月
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Pt蒸着した[EMIm]Tf2N/SiC表面の加熱による電子状態観測
山中郁哉, 益田純奨, 杉山宏一, 来海裕之, 渡邊美紀, 内藤正路, 碇 智徳
令和4年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2022） 2022年06月 日本表面真空学会九州支部
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Observation of metal-free phthalocyanine adsorbed on SiC reconstructed surface
S. Emoto, A. Isobe, K. Kawamura, S. Kuroki, M. Naitoh, T. Ikari
The 9th International Symposium on Surface Science
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Surface decomposition of Pt pre-adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy
S. Masuda, T. Watanabe, F. Yamanaka, Y. Yamada, M. Watanabe, M. Naitoh, T. Ikari
The 9th International Symposium on Surface Science
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準安定原子誘起電子分光法によるH2Pc/SiC再構成表面の電子状態の観測
江本 暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇 智徳
令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021） 2021年06月 日本表面真空学会九州支部
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[EMIm]Tf2Nを蒸着したグラファイト/SiC(000-1)表面の電子状態解析
宮本弥凪, 益田純奨, 田中晶貴, 内藤正路, 碇 智徳
令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021） 2021年06月 日本表面真空学会九州支部
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SiC(0001)表面の安定な金属吸着サイトの第一原理計算による探索
石井純子, 松嶋茂憲, 内藤正路
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅲ）
山田雄也, 白土恵輝, 井田 孟, 小野魁士, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察
荒 海成, 金丸廉二朗, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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プラズマ浸漬格子状ターゲット法による機能性薄膜作製に関する研究
宗岡絢太, 徳永浩之, 本田 亘, 森田知希, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測
宮本弥凪, 田中晶貴, 渡邉拓斗, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察
江本 暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅱ）
今浪聡史, 山田雄也, 内藤正路, 碇 智徳
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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プラズマ浸漬格子状ターゲット法による表面改質に関する研究
徳永浩之, 内藤正路, 碇 智徳
令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2019） 日本表面真空学会九州支部
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準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定
田中晶貴, 飯田 涼, 柏谷拓実, 渡邉拓斗, 平山 楓, 田中 悟, 内藤正路, 碇 智徳
第66回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
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ZnPc蒸着したSiC(0001)-(3×3)表面上の電子状態の観察
河村和哉, 山田稜汰, 志賀大真, 村岡幸輔, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇 智徳
第66回応用物理学会春季学術講演会 応用物理学会
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Study on hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) interface by DFT calculation
J. Ishii
第28回日本MRS年次大会 日本MRS学会
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SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件の研究
濱田 聖
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究
元川 陽介
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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グラファイト表面上でのZnPc分子の吸着状態の観察
梅田 恭誠
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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走査トンネル顕微鏡によるSi(100)面上のCuPc吸着過程に関する研究
倉橋 渉太
日本表面真空学会学術講演会 日本表面真空学会
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加熱によるグラファイト表面上のZnPc分子挙動の観測
河村和哉
平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018） 日本表面真空学会九州支部
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水素を導入したグラフェンSiC界面の第一原理計算
石井純子
平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018） 日本表面真空学会九州支部
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SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究
田中晶貴
平成30年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2018） 日本表面真空学会九州支部
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A study of epitaxial graphene on 3C-SiC(111) via Ar+ ion beam irradiation
J. Ishii
The International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 名古屋大学
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Electronic structure of oxygen and cesium co-adsorption on 6H-SiC(0001)_(6√3×6√3)R30°) surface studied by MIES
K. Hirayama
The 8th International Symposium on Surface Science The Surface Science Society of Japan
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Observation of the electronic structure at a zinc-phthalocyanine thin film by MIES
S. Uesugi
The 8th International Symposium on Surface Science The Surface Science Society of Japan
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アルカリ金属及び酸素吸着したSiC(0001)- (6√3×6√3)R30°表面の電子状態
碇 智徳
九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会）
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MIESによるCuPc/SiC(0001)-(1×1)表面の電子状態観測
河村和哉
九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会）
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DCメタンプラズマCVDを利用したナノダイヤモンド合成に関するシース作用
縄田悠人
九州表面・真空研究会2017（第22回九州薄膜・表面研究会）
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Oxidation of Cs/6H-SiC(0001) surface studied by metastable-atom induced electron spectroscopy
T. Nakamura
Interdisciplinary Symposium for Up-and-comingMaterial Scientists 2017 大阪大学
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MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測
中村拓人
日本物理学会 第72回年次大会 日本物理学会
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DCメタンプラズマによるナノダイヤモンド合成に及ぼすシースの効果
小林友樹
第64回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
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A study of surface modification effect in the growth of carbon nanotubes by SiC surface decomposition method
T. Kambara
Symposium on Surface Science & Nanotechnology 日本表面科学会関西支部
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Synthesis of nanodiamonds in sheath of the dc-methane/hydrogen plasma
T. Kobayashi
Symposium on Surface Science & Nanotechnology 日本表面科学会関西支部
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XPS and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation
T. Yamasaki
Symposium on Surface Science & Nanotechnology 日本表面科学会関西支部
-
Effect of M-doping (M=Y, La) on the electronic structure of BiVO#D4#DR
J. Ishii
2017 International Symposium on Innovation in Information Technology and Application
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SiC 表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究(Ⅲ)
尾山貴大
2016年真空・表面科学合同講演会 日本真空学会・日本表面科学会
-
Si(100)上に吸着した銅フタロシアニン薄膜の表面構造解析
内田真仁
2016年真空・表面科学合同講演会 日本真空学会・日本表面科学会
-
DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド合成に関する研究
内田和希
第77回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会
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The study of the electronic structure at CuPc on graphite/4H-SiC(0001) surface by metastable atom induced electron spectroscopy
S. Uesugi
20th International Vacuum Congress
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Raman spectroscopy and STM studies of graphene formation on the SiC(111) surface by ion-beam irradiation
J. Ishii
20th International Vacuum Congress
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Initial oxidation process of the 4H-SiC(0001)-(1×1) reconstructed surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy
K. Hirayama
20th International Vacuum Congress
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銅フタロシアニンを吸着した4H-SiC表面の電子状態の観測
植杉昌平
九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会）
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DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド薄膜合成に関する研究
内田和希
九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会）
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4H-SiC再構成表面における初期酸化過程に関する研究
平山 楓
九州表面・真空研究会2016（第21回九州薄膜・表面研究会）
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Influence of atomic vacancy on the electronic structure of graphene layer on 4H-SiC(0001)
J. Ishii
2016 Kumamoto Symposium on Two Dimensional Nanomaterials
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Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成
内田和希
2015年真空・表面科学合同講演会 日本真空学会・日本表面科学会
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SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究（Ⅱ）
内田真仁
2015年真空・表面科学合同講演会 日本真空学会・日本表面科学会
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Si(100)上に吸着した金属フタロシアニン薄膜表面における電子状態及び構造解析
金子福利
2015年真空・表面科学合同講演会 日本真空学会・日本表面科学会
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A study of the electronic structure at alkali metal adsorbed HOPG surface by MIES and UPS
K. Umeda
10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15 日本表面科学会
-
Oxidation at Cs pre-adsorbed Si/6H-SiC(0001) reconstructiuon surfaces studied by metastable-atom induced electron spectroscopy
T. Nakamura
10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15 日本表面科学会
-
A study in the growth of graphene on the SiC(111) surface with ion beam irradiation
Y. Miyawaki
10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15 日本表面科学会
-
The formation of epitaxial graphene layers on the 4H-SiC(0001) surface studied by first-principles calculation
J. Ishii
10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15 日本表面科学会
-
Electronic structure at MePc/Si(100) surface studied by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy
K. Matsuo
10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’15 日本表面科学会
-
Si基板上ナノダイヤモンド薄膜の柱状プラズマCVD法による合成
首藤大輝
九州表面・真空研究会2015
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自然酸化膜付Si基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長（Ⅱ）
山田晋平
第62回応用物理学関係連合講演会 応用物理学会
-
鉛直柱状プラズマ法によるシリコン基板上へのナノダイヤモンド成長
首藤大輝
第55回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
Cs/グラファイト表面における電子状態の研究
村岡幸輔
第55回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
CuPc/Si表面における加熱温度変化に伴う電子状態の観測
松尾航平
第55回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における表面変性効果に関する研究
内藤正路
第55回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
鉛直柱状プラズマ法によるSi(100)上ナノダイヤモンドの合成
菅 祐志
第34回表面科学学術講演会 日本表面科学会
-
Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究
石井純子
第34回表面科学学術講演会 日本表面科学会
-
A Study of the Formation Process of Graphene on Silicon Carbide-on-Insulator Substrates
N. Tsuboi
The 7th International Symposium on Surface Science 日本表面科学会
-
Oxidation of cesium adsorbed SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy
K. Muraoka
The 7th International Symposium on Surface Science 日本表面科学会
-
The study of the electronic structure at CuPc adsorbed Si(100) surface by Metastable-atom Induced Electron Spectroscopy
K. Matsuo
The 7th International Symposium on Surface Science 日本表面科学会
-
メタンプラズマシース中において生成される球状カーボン微粒子の特徴
菅 祐志
九州表面・真空研究会2014（第19回九州薄膜・表面研究会）
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Comparison of tribological properties of closed-packed and well-aligned carbon nanotube and Peapod films
I. Inoue
2014 International Industrial Information Systems Conference Korea Society of Industrial Information Systems
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準安定原子誘起電子分光法による銅フタロシアニンを吸着したSi(100)表面の電子状態の観測
金子福利
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 応用物理学会九州支部
-
鉛直柱状プラズマ－基板間における球状カーボン微粒子の成長様式の解明
中山泰輔
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会 応用物理学会九州支部
-
Nd-Fe-B系磁石の保留場に対する圧力効果
後藤弘樹
第119回日本物理学会九州支部例会 日本物理学会九州支部
-
メソ多孔体細孔中に合成したDyMnO3ナノ粒子の磁性と結晶構
新納 健
第119回日本物理学会九州支部例会 日本物理学会九州支部
-
SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究
早久和希
第54回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長
菅 祐志
第54回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
イオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究
高松草平
第54回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
Cu(111)面に吸着させた蛍光タンパク質の走査トンネル顕微鏡観察
冨田哲朗
第54回真空に関する連合講演会 日本真空学会
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Observation of the electronic structure of Si/6H-SiC(0001) reconstruction surfaces by metastable atom induced electron spectroscopy
K. Muraoka
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 応用物理学会
-
Ion-beam irradiation effect in the growth process of grapheme using SiC-on-insulator substrates
M. Okano
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 応用物理学会
-
Growth control of carbon nanotubes using ion-beam irradiation in the SiC surface decomposition method
K. Seo
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 応用物理学会
-
SOI基板を用いたSiC膜のグラフェン化におけるイオンビーム照射に関する研究
枝元太希
九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会）
-
MIESを用いた6H-SiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態の観測
村岡幸輔
九州表面・真空研究会2013（第18回九州薄膜・表面研究会）
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Adsorption of fullerene on a Si(100) surface with Bi-line structure as evaluated by scanning tunneling microscopy
K.Uchida
2012 Joint Conference of the International Industrial Information Systems Conference & the International Conference on Computers, Communications and Systems
-
熱CVD法によるAl及びNi金属膜を用いたCNT成長に関する研究
川島智幸
平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 応用物理学会九州支部
-
SiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究
瀬尾甲太郎
平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 応用物理学会九州支部
-
SOI基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究
枝元太希
平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会 応用物理学会九州支部
-
Si基板上3C-SiC薄膜を用いたグラフェン形成に関する研究
内田健太郎
第32回表面科学学術講演会 日本表面科学会
-
準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC(0001)表面の電子状態抽出
森岡明大
第53回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
低温低圧柱状プラズマを用いた球状炭素粒子の形成と構造解析
中山泰輔
第53回真空に関する連合講演会 日本真空学会
-
Si基板上3C-SiC薄膜のグラフェン形成過程に関するSTM研究
内田健太郎
第73回応用物理学会学術講演会 応用物理学会
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Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究
枝元太希
九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会）
-
MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成
中山泰輔
九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会）
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CVD法によるSi基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究
瀬尾甲太郎
九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会）
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高密度配向カーボンナノチューブ及びピーポッドの摩擦力測定
井上一平
九州表面・真空研究会2012（第17回九州薄膜・表面研究会）
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一次元原子鎖形成Si(100)表面上のフラーレン吸着に関する研究
内田健太郎
第31回表面科学学術講演会
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Si基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究とパワーデバイス用素子への可能性
岡野資睦
第31回表面科学学術講演会
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Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma
M.Onoue
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides
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低圧メタンプラズマにおける球状炭素粒子の微細構造と成長に関する研究
尾上雅俊
九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会）
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CVD法によるガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究
竹堂公貴
九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会）
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走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究
大久保雄平
九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会）
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走査トンネル顕微鏡によるBiナノワイヤ形成Si(100)表面上のフラーレン吸着・脱離に関する研究
内田健太郎
九州表面・真空研究会2011（第16回九州薄膜・表面研究会）
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低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅱ
工学研究科電気電子工学専攻 尾上雅俊
第58回応用物理学関係連合講演会
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SiC表面分解法における重水雰囲気の影響
工学研究科先端機能システム工学専攻 野田光洋
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会
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低温低圧柱状プラズマによる炭素系球状粒子成長に関する研究
工学研究科電気電子工学専攻 尾上雅俊
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会
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走査トンネル顕微鏡による3C-SiC表面のグラフェン形成過程に関する研究
工学府博士前期電気電子 佐々木悠祐
平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会
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走査トンネル顕微鏡によるSiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究
工学府博士前期電気電子 北田祐介
第30回表面科学学術講演会
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イオンビーム照射によるSiC表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究
工学府博士前期電気電子 大櫨浩司
第30回表面科学学術講演会
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ガラス及びSi基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究
工学府博士前期電気電子 植田謙介
第30回表面科学学術講演会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面への金属フタロシアニン及びC60吸着のSTM研究
本人
第71回応用物理学会学術講演会
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低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析Ⅰ
工学研究科電気電子工学専攻 尾上雅俊
第71回応用物理学会学術講演会
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イオンビーム照射によるSiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成
工学研究科電気工学専攻 辛山慶訓
九州表面・真空研究会2010（第15回九州薄膜・表面研究会）
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準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面の電子状態抽出
工学研究科電気電子工学専攻 清水洋平
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会
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CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響に関する研究
工学府博士前期電気電子 田中繁文
第29回表面科学講演大会
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イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究
工学府博士前期電気電子 永松謙佑
第29回表面科学講演大会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究
工学府博士前期電気電子 田中繁文
第29回表面科学講演大会
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CVD法により作製したカーボンナノチューブの電界放出特性評価
工学研究科電気工学専攻 上村一平
九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会）
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SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製
工学研究科先端機能システム工学専攻 大門秀朗
九州表面・真空研究会2009（第14回九州薄膜表面研究会）
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A study of adsorption of cobalt phthalocyanine on the Si(100) surface with Bi-line structures by scanning tunneling microscopy
工学府博士前期電気電子 田中繁文
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method
工学府博士前期電気電子 小島健志
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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Influence of the oxygen on the growth of carbon nanotubes by the SiC surface decomposition method
工学府博士前期電気電子 永松謙佑
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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An STM observation of adsorption of cobalt phthalocyanine on the 6H-SiC(0001) surfaces
工学府博士前期電気電子 清水 透
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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Growth control of carbon nanotubes on silicon carbide surface by surface decomposition method
工学府博士前期電気電子 古賀 光
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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Reduction reaction of oxidized Ni(110) surfaces with hydrogen studied by metastable-induced electron spectroscopy
工学府博士前期電気電子 香月将吾
4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
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準安定原子誘起電子分光法を用いたO/Ni(11)表面における水素還元・吸着プロセスの研究
宇部高専 碇智徳
第13回九州薄膜・表面研究会
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SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における酸素の与える影響に関する研究
工学研究科電気工学専攻 永松謙佑
第13回九州薄膜・表面研究会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着のSTM研究
工学研究科電気工学専攻 中村慎太郎
第55回応用物理学会関係連合講演会
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原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究
工学研究科電気工学専攻 川本卓磨
平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会
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準安定ヘリウム原子の脱励起プロセスにおける速度依存性
石川高専 山田健二
平成19年度日本物理学会北陸支部学術講演会
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SiC(0001)3×3表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
大学院工学研究科電気工学専攻 田中圭介
第48回真空に関する連合講演会
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Influence by the difference of the vacuum degree to the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface
大学院工学研究科 吉田順一
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy
宇部工業高等専門学校電気工学科 碇智徳
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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Formation of carbon nanotubes on a polyimide substrate by chemical vapor deposition method
大学院工学研究科電気工学専攻 松本康伸
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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SiC(000-1)表面上での自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究
工学研究科電気工学専攻 米久保喜彦
第27回表面科学講演大会
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Influence of the heating rate upon the growth of carbon-nanotubes by SiC surface decompisition method
山内貴志
17th International Vacuum Congress,13th International Conference on Surface Science andInternational Conference on Nano Sciecen and Technology
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CVD法を用いたポリイミド基板上へのカーボンナノチューブ低温形成
工学研究科電気工学専攻 松本康伸
第12回九州薄膜・表面研究会
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原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究
工学研究科電気工学専攻 村上和大
第12回九州薄膜・表面研究会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのフタロシアニン吸着過程のSTM研究
工学研究科電気工学専攻 中村慎太郎
第12回九州薄膜・表面研究会
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水素終端6H-SiC(0001)3x3表面へのCuPc吸着に関するSTM研究
工学研究科電気工学専攻 安冨一裕
第47回真空に関する連合講演会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのCuPc吸着に関するSTM研究
工学研究科電気工学専攻 上代祐蔵
第47回真空に関する連合講演会
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SiC表面分解法でのCNT配向膜形成に関する研究
工学研究科電気工学専攻 上田大志
第47回真空に関する連合講演会
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Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy
電気工学科 西垣 敏
7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface
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Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy
電気工学科 西垣 敏
7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surface
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Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3x1)-O surface studied by MIES and LEED
宇部工業高等専門学校 碇 智徳
24th European Conference on Surface Science
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An STM observation of adsorption of CuPc on the Si(100) surface with Bi-line structures
工学部電気工学科 上代祐蔵
The 24th European Conference on Surface Science
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Ca吸着Si(111)表面電子状態のMIESによる研究
工学研究科電気工学専攻 嘉屋旨哲
第11回九州薄膜・表面研究会
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水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性－MIESとLEEDによる研究
工学研究科電気工学専攻 川本卓磨
第11回九州薄膜・表面研究会
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表面分解法による6H-SiC-C面のカーボンナノチューブ成長過程
工学部電気工学科 山内貴志
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
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水素ガスによるO/Ni(110)表面の還元反応：MIESとLEEDによる研究
工学研究科電気工学専攻 松岡利幸
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
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低速イオン散乱分光法による酸素吸着Ni(110)表面の構造解析
工学研究科電気工学専攻 松岡悠一郎
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
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Ca/Si(111)表面反応のMIESとLEEDによる研究
工学研究科電気工学専攻 白水康雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
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Surface structure dependent reaction of hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED
工学部電気工学科 碇 智徳
4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
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準安定励起原子を用いた半導体表面の電子状態抽出
石川工業高等専門学校 山田健二
平成17年度電気関係学会北陸支部連合大会
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Co-adsorption of silver and hydrogen on the Si(100) surface with Bi line structures studied by scanning tunneling microscopy
工学研究科電気工学専攻 頭島周
5th Iberian Vacuum Meeting
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Adsorption of hydrogen on the 6H-SiC(0001)(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy
工学研究科電気工学専攻 頭島周
5th Iberian Vacuum Meeting
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6H-SiC(000-1)C面における表面構造のカーボンナノチューブ成長へ与える影響
工学部電気工学科 山内貴志
第66回応用物理学会学術講演会
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Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy
工学部電気工学科 渡邉晃彦
The 23rd European Conference on Surface Science
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Influence of surface structure modifications on the growth of carbon-nanotubes on the SiC(000-1) C-faces
工学研究科電気工学専攻 徳永孝行
The 23rd European Conference on Surface Science
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Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method
工学部電気工学科 山内貴志
The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors
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Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy
工学部電気工学科 碇 智徳
8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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Si(100)表面上のCa吸着とCaシリサイド薄膜形成プロセス
工学研究科電気工学専攻 吉田亮
第10回九州薄膜・表面研究会
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CVT法で作製したZnSe単結晶表面のAFM観察
工学部電気工学科 山内貴志
第10回九州薄膜・表面研究会
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水素原子吸着によるダイヤモンド表面ポテンシャルの変化：UPS/MIESの同時計測による研究
工学研究科電気工学専攻 西岡信介
第10回九州薄膜・表面研究会
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水素曝露されたO/Ni(110)表面のMIESによる表面電子状態密度抽出
工学研究科電気工学専攻 川原宏樹
第10回九州薄膜・表面研究会
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SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究
工学研究科電気工学専攻 矢野祐樹
第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
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カーボンナノチューブの低温形成と選択的成長制御
工学研究科電気工学専攻 山崎宏徳
第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
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酸素吸着Ni(110)表面の水素による還元反応：準安定原子誘起電子分光と低速電子線回折による研究
工学部電気工学科 碇智徳
第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子及び水素の吸着・脱離過程のSTM研究
工学研究科電気工学専攻 頭島周
第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
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水素終端CVDダイヤモンド表面電子状態の準安定原子誘起電子分光法による研究
工学部電気工学科 渡邉晃彦
第1回「水素をモデレートとした電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
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Influences of the incident He* velocity on the metastable de-excitation process at surfaces and the resultant electron spectra
工学研究科電気工学専攻 碇 智徳
15th International Workshop on Inelastic Ion Surface Collisions
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Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface
工学部電気工学科 渡邉晃彦
6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces
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Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES
工学部電気工学科 西垣 敏
6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察
工学研究科電気工学専攻 頭島周
第65回応用物理学会学術講演会
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Hydrogen-induced reordering of the 6H-SiC(0001)-(2√3×2√13) surface studied by scanning tunneling microscopy
工学研究科電気工学専攻 田中博史
12th International Conference on Solid Films and Surfaces
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STM observation of Bi line structures on the Si(100) surface with Ag deposition
工学研究科電気工学専攻 伊藤剛士
12th International Conference on Solid Films and Surfaces
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Biナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程のSTM観察
工学研究科電気工学専攻 頭島 周
第9回九州薄膜・表面研究会
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6H-SiC(000-1)表面への水素吸着過程のSTM研究
工学研究科電気工学専攻 徳永孝行
第9回九州薄膜・表面研究会
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準安定原子脱励起スペクトルのHe*原子入射速度依存性
工学部電気工学科 西垣 敏
第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
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ナノワイヤを含むBi／Si(100)表面の構造変化に関するSTM研究
工学研究科電気工学専攻 伊藤剛士
第109回日本物理学会九州支部例会
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準安定原子脱励起スペクトルの表面－He*相対速度依存性
工学研究科電気工学専攻 内野直喜
第109回日本物理学会九州支部例会
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表面スピン電子密度分布のためのヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化
工学研究科電気工学専攻 亀石浩太
第109回日本物理学会九州支部例会
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6H-SiC(000-1)表面再構成過程のSTM・LEED研究
工学研究科電気工学専攻 小野拓磨
第23回表面科学講演大会
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Formation of carbon-nanotubes on silicon carbide surfaces and selective growth control by the laser irradiation
工学研究科電気工学専攻 小西博文
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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Preparation of Si(100)-1×1-Bi phase by the mass-analyzed low-energy ion deposition method
九州共立大学工学部 生地文也
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
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カーボンナノチューブの生成メカニズム解明および選択的成長制御
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第44回真空に関する連合講演会
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Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100)
九州共立大学工学部 生地文也
International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials
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SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびレーザ照射による表面変性
工学研究科電気工学専攻 松岡宏則
電気関係学会九州支部第56回連合大会
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CCVD法によるカーボンナノチューブの生成及び評価
工学研究科電気工学専攻 御木智幸
電気関係学会九州支部第56回連合大会
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SiC表面上でのカーボンナノチューブの自己組織化形成
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第8回九州薄膜・表面セミナー
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SiC(0001)及び(000-1)表面再構成のSTM-LEED研究
工学研究科電気工学専攻 小野拓磨
第8回九州薄膜・表面セミナー
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Si(100)表面に自己組織的に誘起された一次元構造の形成メカニズムの解明
工学研究科電気工学専攻 伊藤剛士
第8回九州薄膜・表面セミナー
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ヘリウム準安定原子のスピン偏極化及び表面スピン電子状態分析への応用
工学研究科電気工学専攻 碇智徳
第8回九州薄膜・表面セミナー
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低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi多層吸着膜の構造解析
工学研究科電気工学専攻 児玉諭彦
第8回九州薄膜・表面セミナー
-
SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびTEM観察
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第50回応用物理学関係連合講演会
-
6H-SiC(000-1)再構成表面のSTM/LEEDによる解析
工学研究科電気工学専攻 北田昌俊
第43回真空に関する連合講演会
-
低速イオン散乱法によるSi(100)表面上Bi薄膜の構造解析
工学研究科電気工学専攻 斉藤伸之
第43回真空に関する連合講演会
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Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程のSTM観察
工学研究科電気工学専攻 大垣真治
第43回真空に関する連合講演会
-
Bi-induced line structures on Si(100) surfaces
Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference
-
STM observation of Bi-nanowire formation on the Si(100) surface
工学部電気工学科 西垣 敏
5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces
-
Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED
工学部電気工学科 西垣 敏
5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces
-
An STM observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface
本人
7th International Conference on the Structure of Surfaces
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A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface
工学部電気工学科 西垣 敏
11th International Conference on Solid Films and Surfaces
-
A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS
工学部電気工学科 西垣 敏
11th International Conference on Solid Films and Surfaces
-
Si(100)表面上のBi原子ワイヤー形成過程
第7回九州薄膜・表面セミナー
-
低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi薄膜の構造解析
第7回九州薄膜・表面セミナー
-
O吸着Ni(110)表面の準安定原子誘起電子分光
第7回九州薄膜・表面セミナー
-
SiC表面上でのカーボンナノチューブ形成
第7回九州薄膜・表面セミナー
-
スピン偏極MDSによるO/Ni(110)表面研究
第3回表面科学会関西支部学生セッション
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Si(100)面上での鉄シリサイド薄膜の形成
第3回表面科学会関西支部学生セッション
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Scanning tunneling microscopy observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface
本人
Atomic-Scale Surface Designing for Functional Low-Dimensional Materials
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シリコン表面上に吸着した微量ビスマス原子のナノワイヤ形成
本人
第42回真空に関する連合講演会
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Alkali-assisted nitridation of Si(001) surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy
20th European Conference on Surface Science
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A metastable de-excitation spectroscopy study on the promotion of nitridation by oxygen/alkali pre-adsorbates at Si(100) surfaces
19th International Conference on Atomic Collision in Solids
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An STM investigation of formation of Bi nanowires on a Si(100) surface
11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques
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An STM observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(000-1)3×3 surface
本人
11th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques
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シリコン表面でのビスマスナノワイヤ自己組織化形成のSTM観察
第6回九州薄膜・表面セミナー
-
Single-crystal phases on Si surfaces
第6回九州薄膜・表面セミナー
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Promotion of nitrogen adsorption on Si(100) by alkali pre-adsorbates studied by metastable de-excitation spectroscopy
4th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces
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STM and LEED observation of hydrogen adsorption on the 6H-SiC(0001)3×3 surface
19th European Conference on Surface Science
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Scanning tunneling microscopy observation of Bi-dimer linear chains on the Si(100) surface
本人
19th European Conference on Surface Science
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Si(100)表面上のビスマス一次元構造のSTM観察
九州薄膜・表面セミナー(兼第5回九州薄膜・表面研究会)
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Si(100)表面上のBiダイマー鎖構造形成のSTM観察
本人
第47回応用物理学関係連合講演会
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MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究
日本物理学会2000年春の分科会
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Formation of Bi-dimer linear chains on a Si(100) surface studied by STM
本人
第11回日本MRS学術シンポジウム
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TOF-ICISSを用いたSi(100)表面上Bi吸着層の構造解析
平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
MDSによるSi(100)表面窒素化へのK,O吸着効果の研究
平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
スピン偏極ヘリウム準安定原子脱励起分光装置の試作
平成11年度応用物理学会九州支部学術講演会
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準安定原子脱励起分光を用いた表面最外層電子状態の抽出
第3回実用表面分析講演会
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A new surface phase in the 6H-SiC(0001) surface studied by scanning tunneling microscopy
本人
7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces
-
6H-SiC(0001)表面の2√3×2√13構造:STM研究
薄膜・表面の機能・物性研究会
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準安定原子脱励起分光法による半導体表面上のCs吸着とその酸化促進効果の研究
第54回日本物理学会年会
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走査トンネル顕微鏡によるSiC(0001)表面構造解析
本人
第46回応用物理学関係連合講演会
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Si(100)表面におけるBi誘起新構造のSTM観察
本人
日本物理学会1998年秋の分科会
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Si(111)7×7表面上のK吸着過程:中被覆度領域での吸着構造解析
日本物理学会1998年秋の分科会
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Spin-polarized metastable deexcitation spectroscopy at Ni(110) probing surface spin DOS
3rd Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces
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Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111)7×7 surface: a scanning tunneling microscopy
14th International Vacuum Congress and 10th International Conference on Solid Surfaces
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Strain relaxation of bismuth thin films on the Si(100) surface studied by scanning tunneling microscopy
本人
9th International Conference on Solid Films and Surfaces
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スピン偏極MDSの開発とNi(110)表面スピン状態分析への応用
第3回九州薄膜・表面研究会
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Si(111)7×7表面上K吸着の構造と電子状態変化:STM観察
第3回九州薄膜・表面研究会
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スピン偏極He*を用いたNi(110)表面電子状態解析
第53回日本物理学会年会
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Si(111)7×7表面上のK吸着過程の走査トンネル顕微鏡による研究
第45回応用物理学関係連合講演会
-
An STM/STS observation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface
本人
5th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy
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低速イオン散乱分光法によるGa-rich GaP(001)(2×4)清浄表面の構造解析
未入力
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MDSによるGaAs(100)表面上のCs吸着の電子状態
平成9年度応用物理学会九州支部学術講演会
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An MDS study of variation in the local electronic structure during alkali-promoted oxygenation of GaAs(001) surfaces
4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces
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Li+ and Na+ ion scattering study on the structure of the Ga-rich GaP(001)(4×2) surface
4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces
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Bi蒸着Si表面における水素吸着過程のSTM観察
本人
日本物理学会1997年秋の分科会
-
MDSによるSi(111)表面上Cs吸着の電子状態変化と酸化初期過程
日本物理学会1997年秋の分科会
-
Ga-rich GaP(001)(4×2) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy
本人
17th European Conference on Surface Science
-
Coadsorption of cesium and oxygen on GaAs(001) surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy
17th European Conference on Surface Science
-
An STM/STS investigation of the adsorption process of potassium on the Si(111) 7×7 surface
9th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques
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Development of alkali-induced electronic states at GaAs(001) surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms
44th International Field Emission Symposium
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Hydrogen-induced reordering of the Si(111)(√3×√3)-Bi surface studied by scanning tunneling microscopy
本人
6th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces
-
Si(111),(100)表面へのBi吸着のSTM研究
第2回九州薄膜・表面研究会
-
化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究
本人
財団法人新世代研究所第4回研究助成成果報告会
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アルカリ金属吸着シリコン表面の構造及び電子状態の走査トンネル顕微鏡観察
本人
第52回日本物理学会年会
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Cs/GaAs(001)表面上の酸素吸着の準安定原子脱励起分光
第52回日本物理学会年会
-
アルカリイオン散乱によるGaP(001)4×2表面構造の解析
第52回日本物理学会年会
-
原子状水素吸着によるBi蒸着Si(111)表面の構造変化過程のSTM観察
本人
第44回応用物理学関係連合講演会
-
GaAs(001)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の表面局所電子状態
日本物理学会1996年秋の分科会
-
Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
日本物理学会1996年秋の分科会
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スピン偏極MDSによるNi(110)表面の電子状態検出
日本物理学会1996年秋の分科会
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Scanning tunneling microscopy observation of the Si(100)1×1-Bi structure
本人
16th European Conference on Surface Science
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GaAs(001)表面上の酸素とアルカリ金属共吸着の準安定原子脱励起分光法による研究
第57回応用物理学会学術講演会
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An ISS study on the reconstruction of GaP(001)4×2 surfaces
5th International Conference on the Structure of Surfaces
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Cs and oxygen adsorption on Ge and GaAs surfaces studied by metastable deexcitation spectroscopy
5th International Conference on the Structure of Surfaces
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金属/半導体界面における水素誘起構造変態(STM)
本人
第1回九州薄膜・表面研究会
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Ge(001)表面上の酸素・アルカリ金属共吸着系の表面局所電子状態
第51回日本物理学会年会
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GaP(001)清浄及び水素処理面のSTM/STS観察
第51回日本物理学会年会
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GaP(001)清浄表面及び水素処理による再配列構造のSTM/LEED/ISS観察
本人
第43回応用物理学関係連合講演会
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Reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy
本人
2nd Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces
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GaP(001)清浄及びアルカリ金属吸着表面のISS/LEED観察
日本物理学会1995年秋の分科会
-
Interaction of oxygen with alkali metals at the Ge(001) surface studied by metastable deexcitation spectroscopy
13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces
-
Reconstruction of the GaP(001) surface studied by STM
13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces
-
An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces
本人
13th International Vacuum Congress and 9th International Conference on Solid Surfaces
-
A metastable deexcitation spectroscopy study on the oxygenation of alkalated Ge(001) surfaces
S.Nishigaki
International Symposium on Dynamical Quantum Processes on Solid Surfaces
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シリコン表面上の金属・水素共吸着系のSTM/STS観察
内藤正路
第50回日本物理学会年会
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Interaction of oxygen and alkali metals with Si(100) or Ge(100) surfaces studied with a helium metastable-atom beam
S.Nishigaki
2nd International Symposium on Advanced Materials
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シリコン表面水素のイオンビーム定量並びに薄膜形成に及ぼす影響
本人
第10回局所表面分析懇話会
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低温におけるSi表面吸着水素のERDA観察
前田泰宏
日本物理学会1994年秋の分科会
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Low temperature adsorption of hydrogen on Si(111) and (100) surfaces studied by elastic recoil detection analysi
M.Watamori
3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Processes
-
低温におけるSi基板表面水素の挙動のERDA/LEED観察
内藤正路
第41回応用物理学関係連合講演会
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`Heavy-ion RBS/ERDA studies on the growth of silver on hydrogen-terminated Si(111) surfaces
M.Naitoh
1st International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
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Si(111)面上のAg膜成長に及ぼす表面水素の影響の重イオンRBSによる観察
内藤正路
第54回応用物理学会学術講演会
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Si(100)面上の水素吸着過程
内藤正路
第48回日本物理学会年会
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Si(100)面上のAg膜成長過程に及ぼす表面水素の影響
森岡 肇
第40回応用物理学関係連合講演会
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Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
森岡 肇
日本物理学会1992年秋の分科会
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Coadsorption study of hydrogen and deuterium on Si(100) surfaces by elastic recoil detection analysis technique
M.Naitoh
3rd ISSP International Symposium on Dynamical Processes at Solid Surfaces
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UHV-STMによるSi表面観察(II);√3-Ag表面の水素誘起クラスタ形成
片山逸雄
第39回応用物理学関係連合講演会
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ERDA/LEEDによるAl/Si(111)-√7×√7表面への水素吸着の研究
内藤正路
第39回応用物理学関係連合講演会
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Hydrogen-induced reordering of the Si(111)-√3×√3-Al surface studied by ERDA/LEED
M.Naitoh
1st International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces
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ERDA/LEEDによるAl単原子層蒸着Si表面への水素吸着の研究
内藤正路
第52回応用物理学会学術講演会
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高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dの振舞いに関する研究
内藤正路
第46回日本物理学会年会
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Al単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
大西秀朗
第46回日本物理学会年会
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高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
内藤正路
日本物理学会1991年春の分科会
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水素終端Si(111)表面上におけるAgの成長様式のSEM観察
内藤正路
第38回応用物理学関係連合講演会
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高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素ターミネートSi(111)面上の金属膜成長過程
内藤正路
第31回真空に関する連合講演会
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ERDA/LEEDによるAu単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究
内藤正路
第51回応用物理学会学術講演会
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Hydrogen-termination effect on the growth of Ag thin films on Si(111) surface
M.Naitoh
YAMADA Conference 26
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水素ターミネーションによるSi(111)基板上への金属膜成長初期過程の制御
内藤正路
第37回応用物理学関係連合講演会
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水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
尾浦憲治郎
第45回日本物理学会年会
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ERDA/LEEDによるSi(111)-√3×√3Ag表面への水素吸着
尾浦憲治郎
日本物理学会1989年秋の分科会
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ERDA/LEEDによるAg単原子層蒸着Si(111)表面への水素吸着の研究
内藤正路
第50回応用物理学会学術講演会
学術関係受賞
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日本真空協会第10回真空進歩賞
日本真空協会 2001年10月17日
未設定
科研費獲得実績
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シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製
研究課題番号：19510118 2007年04月 - 2009年03月 基盤研究(C)
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水素―表面反応基礎過程:スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源
研究課題番号：17002011 2005年04月 - 2010年03月 特別推進研究
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高配向・高密度カーボンナノチューブの自己組織化形成とナノデバイス応用
研究課題番号：16310089 2004年04月 - 2007年03月 基盤研究(B)
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一次元原子鎖制御によるシリコン・ナノアーキテクチャ
研究課題番号：15651056 2003年04月 - 2005年03月 萌芽研究・萌芽的研究
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表面最外層領域で準安定原子・イオンにより誘起されたオージェ電子の回折と局所構造
研究課題番号：13440098 2001年04月 - 2004年03月 基盤研究(B)
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SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御
研究課題番号：13650028 2001年04月 - 2003年03月 基盤研究(C)
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固体表面でのイオン・準安定原子の中性化・脱励起における集団的励起
研究課題番号：12640317 2000年04月 - 2003年03月 基盤研究(C)
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超低速イオンビーム蒸着によるSi表面低次元相形成とエピタキシーの研究
研究課題番号：12650033 2000年04月 - 2002年03月 基盤研究(C)
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半導体表面変性における水素原子の能動的作用の原子スケ-ル解析
研究課題番号：09750035 1997年04月 - 1999年03月 奨励研究(A)
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スピン編極ヘリウム準安定原子ビームによる表面最外原子層磁気秩序の解明
研究課題番号：08454083 1996年04月 - 1999年03月 基盤研究(B)
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STM-STS法による化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究
研究課題番号：08750037 1996年04月 - 1997年03月 奨励研究(A)
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STM-STS法による半導体表面における吸着水素原子の表面変性効果に関する研究
研究課題番号：07750039 1995年04月 - 1996年03月 奨励研究(A)
受託研究・共同研究実施実績
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炭素系新材料の創製と評価
2013年10月 - 2017年03月
寄附金・講座
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財団法人日本板硝子材料工学助成会 2009年04月
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財団法人マツダ財団 2000年12月
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財団法人 吉田学術教育振興会 2000年04月
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財団法人 池谷科学技術振興財団 1999年04月
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財団法人 村田学術振興財団 1998年08月
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財団法人 矢崎科学技術振興記念財団 1998年04月
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財団法人 泉科学技術振興財団 1997年04月
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財団法人 岩谷直治記念財団 1997年04月
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財団法人 新世代研究所 1996年04月
担当授業科目（学内）
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2022年度 電気電子工学ＰＢＬ実験
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2022年度 電気回路Ⅱ
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2022年度 半導体トピックセミナー
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2022年度 薄膜デバイス特論
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2022年度 先端電気工学特論
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2022年度 半導体トピックセミナー
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2022年度 半導体トピックセミナー
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2022年度 電気電子工学実験Ⅱ
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2022年度 電気電子物性
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2022年度 電気回路Ⅱ
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2021年度 電気電子物性
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2021年度 電気電子工学実験Ⅱ
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2021年度 電気電子工学ＰＢＬ実験
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2021年度 電気回路Ⅱ
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2021年度 半導体トピックセミナー
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2021年度 薄膜デバイス特論
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2021年度 電気回路Ⅱ
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2020年度 電気電子物性
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2020年度 電気電子工学実験Ⅱ
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2020年度 電気回路Ⅱ
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2020年度 薄膜デバイス特論
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2020年度 電気回路Ⅱ
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2019年度 電気電子工学ＰＢＬ実験
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2019年度 電気電子物性
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2019年度 電気電子工学実験Ⅱ
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2019年度 電気回路Ⅱ
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2019年度 薄膜デバイス特論
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2019年度 電気回路Ⅱ
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2018年度 薄膜デバイス特論
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2018年度 電気電子物性
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2018年度 電気回路Ⅱ
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2017年度 電気回路Ⅱ
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2017年度 電気電子物性
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2017年度 薄膜デバイス特論
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2016年度 電気回路Ⅱ
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2016年度 電気電子物性
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2016年度 半導体ナノデバイスプロセス
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2015年度 半導体ナノデバイスプロセス
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2015年度 電気電子物性
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2015年度 電気回路Ⅱ
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2014年度 電気回路Ⅱ
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2014年度 半導体ナノデバイスプロセス
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2014年度 電気電子物性
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2013年度 電気回路Ⅱ
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2013年度 電気電子物性
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2013年度 半導体ナノデバイスプロセス
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2012年度 薄膜デバイス特論
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2012年度 電気電子工学実験ⅠＢ
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2012年度 半導体デバイス
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2012年度 半導体デバイス
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2012年度 電気回路Ⅱ
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2011年度 電気回路Ⅱ
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2011年度 電気電子工学実験ⅠＢ
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2011年度 半導体デバイス
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2011年度 薄膜デバイス特論
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2011年度 サイエンス工房
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2011年度 専門英語
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2011年度 エネルギー・デバイス実験
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2011年度 先端半導体デバイスプロセス特論
担当経験のある授業科目(学外)
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電気基礎学実験
機関名：福岡工業大学
学会・委員会等活動
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日本表面科学会 九州支部役員
2022年04月 - 2024年03月
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日本表面真空学会 九州支部 支部長
2020年04月 - 2022年03月
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日本表面真空学会 九州支部 副支部長
2018年04月 - 2020年03月
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日本表面科学会 九州支部役員
2016年04月 - 2018年03月
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日本真空学会 関西支部役員
2014年01月 - 2018年03月
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応用物理学会 薄膜・表面物理分科会幹事
2009年04月 - 現在
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日本表面科学会 関西支部役員
2009年04月 - 2016年03月
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日本真空学会 関西支部役員
2008年01月 - 2010年12月
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応用物理学会 編集委員
2006年04月 - 2008年03月
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応用物理学会 応用電子物性分科会幹事
2006年04月 - 2007年03月
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日本表面科学会 編集委員
2003年04月 - 2005年03月
社会貢献活動（講演会・出前講義等）
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学研都市サイエンスカフェ
2013年08月20日
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第53回九州工業大学ジュニア・サイエンス・スクール
2011年12月03日
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カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー －カーボンナノチューブとは？－
2010年07月14日
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カーボンナノチューブによる半導体ナノテクノロジー －カーボンナノチューブとは？－
2010年06月10日
国際会議開催（学会主催除く）
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2017 International Symposium on Innovation in Information Technology and Application
Korea Society of Industrial Information Systems ベトナム 2017年01月10日 - 2017年01月13日
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2014 International Industrial Information Systems Conference
Korea Society of Industrial Information Systems タイ 2014年01月21日 - 2014年01月24日
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2012 Joint Conference of The International Industrial Information Systems Conference & The International Conference on Computers, Communications and Systems
Korea Society of Industrial Information Systems タイ 2012年12月20日 - 2012年12月23日
Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数