2023/12/26 更新

ワタナベ　アキヒコ
渡邉　晃彦
WATANABE Akihiko
Scopus 論文情報  
総論文数: 0  総Citation: 0  h-index: 5

Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数

所属
大学院生命体工学研究科 生体機能応用工学専攻
職名
准教授
外部リンク

研究キーワード

  • パワーエレクトロニクス

  • 半導体表面物性

  • パワーデバイス

出身学校

  • 1994年03月   九州工業大学   工学部   電気工学科   卒業   日本国

出身大学院

  • 1999年03月   九州工業大学   工学研究科   電気工学   博士課程・博士後期課程   単位取得満期退学   日本国

取得学位

  • 九州工業大学  -  博士（工学）   1999年06月

学内職務経歴

  • 2020年04月 - 現在   九州工業大学   大学院生命体工学研究科   生体機能応用工学専攻     准教授

  • 2019年12月 - 2020年03月   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     准教授

  • 2008年04月 - 2019年11月   九州工業大学   大学院工学研究院   電気電子工学研究系     助教

学外略歴

  • 1999年04月 - 2003年03月   財団法人ファインセラミックスセンター   研究員   日本国

  • 1999年04月 - 2003年03月   松下電器産業株式会社   研究員   日本国

所属学会・委員会

  • 1995年01月 - 現在   日本物理学会   日本国

  • 1995年01月 - 現在   応用物理学会   日本国

  • 2017年05月 - 現在   産業応用工学会   日本国

  • 2018年08月 - 現在   ニューダイヤモンドフォーラム   日本国

論文

  • Determination of Abnormality of IGBT Images Using VGG16 査読有り

    Toui Ogawa, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura, Tohru Kamiya

    2021 21st International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS) ( IEEE )   2021年12月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Korea   Jeju  

    DOI： 10.23919/ICCAS52745.2021.9650029

    DOI： 10.23919/ICCAS52745.2021.9650029

  • DUT Temperature Coefficient and Power Cycles to Failure 査読有り

    Yuma Kawauchi, Kenji Akimoto, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) ( IEEE )   2021年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    DOI： 10.23919/ISPSD50666.2021.9452298

    DOI： 10.23919/ISPSD50666.2021.9452298

  • Improved DICM with an IR camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of TO packages 査読有り

    Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) ( IEEE )   2021年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Japan   Nagoya   2021年05月30日  -  2021年06月03日

    DOI： 10.23919/ISPSD50666.2021.9452304

    DOI： 10.23919/ISPSD50666.2021.9452304

  • Identification of normal and abnormal from ultrasound images of power devices using VGG16 査読有り

    Ogawa T., Lu H., Watanabe A., Omura I., Kamiya T.

    International Conference on Control, Automation and Systems   2020-October   415 - 418   2020年10月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Power devices are semiconductor devices that handle high voltages and large currents, which are used in electric vehicles, televisions, and trains. Therefore, high reliability and safety are required, and to ensure this, power cycle tests are performed to analyze the breakdown process. Conventional tests are often difficult to analyze due to the influence of sparks generated during the test. Therefore, new tests are being developed by adding ultrasound to conventional methods. The new technology is capable of continuously recording structural changes inside the device during testing, which is expected to make testing much easier than conventional testing. However, the new technology still has some challenges. The main problems are the lack of a method for analyzing large amounts of image data and the extraction of small changes in image features that are difficult to distinguish with the human eye, and the establishment of such a system is required. In this paper, we use deep learning for image classification of the obtained ultrasound images. We propose a new network model with the addition of Batch normalization and Global average pooling to VGG16, which is a pre-trained model. In the experiment, accuracy=98.29%, TPR=98.96% and FPR=7.43% classification accuracy was obtained.

    DOI： 10.23919/ICCAS50221.2020.9268275

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85098091061&origin=inward

  • Simultaneous Imaging of Strain and Temperature using Single IR Camera 査読有り

    Yoshiki Masuda ; Akihiko Watanabe ; Ichiro Omura

    CIPS 2020; 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   2020年05月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • Simultaneous imaging of strain and temperature using single IR camera 査読有り

    Masuda Y., Watanabe A., Omura I.

    CIPS 2020 - 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems   565 - 569   2020年01月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Thermal stress analysis is essential to ensure the reliability of power semiconductors. For this analysis, we propose a method to measure temperature and strain simultaneously. With a single infrared camera, we performed infrared thermography for temperature measurements and image correlations for strain measurements. Along with image processing, surface patterning using differences in emissivity was implemented for this technique. In a demonstration with an insulated-gate bipolar transistor chip, temperature and strain distributions were obtained both with fine spatial resolution. The strain distribution obtained by our setup showed good agreement with previous studies regarding delamination and crack propagation on power semiconductor chips. The system is applicable for thermal stress analysis of power devices, in particular, that are downsizing.

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85099731466&origin=inward

  • Infrared image correlation for thermal stress analysis of power devices 査読有り

    Watanabe A., Masuda Y., Omura I.

    Microelectronics Reliability   100-101   2019年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    © 2019 Elsevier Ltd Thermal stress analysis is indispensable to improve the reliability of power devices. We propose a technique to observe a temperature distribution and a thermal strain simultaneously for thermal stress analysis of power devices. A temperature distribution is measured by an infrared (IR) camera and a thermal strain is measured by a digital image correlation (DIC) with IR images under a power cycling test. To apply DIC to IR images, we propose techniques to make a random pattern on the surface which can be recognized by IR camera even if a surface temperature is changed. This technique realises an observation with completely same field of view even in a localized area on power devices. This method provides an experimental means to verify simulation results of thermal stress analysis.

    DOI： 10.1016/j.microrel.2019.113414

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85074509594&origin=inward

  • Convolutional neural network (CNNs) based image diagnosis for failure analysis of power devices 査読有り

    Watanabe A., Hirose N., Kim H., Omura I.

    Microelectronics Reliability   100-101   2019年09月

    　詳細を見る

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    © 2019 Elsevier Ltd An image diagnosis by deep learning was applied to failure analysis of power devices. A series of images during a process to failure by power cycling test was used for this method. The images were obtained by a scanning acoustic microscopy of our real-time monitoring system. An image classifier was designed based on a convolutional neural network (CNNs). A developed classifier successfully diagnosed input image into a normal device and an abnormal device. The accuracy of classification was improved by introducing a pre-training and an overlapping pooling into the system. A technique to extract a feature related a failure is essential for the failure analysis based on the real-time monitoring and the deep learning is one likely candidate for it.

    DOI： 10.1016/j.microrel.2019.113399

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85074484253&origin=inward

  • A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices 査読有り

    Watanabe A., Omura I.

    Microelectronics Reliability   88-90   458 - 461   2018年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    © 2018 Elsevier Ltd We have proposed a failure analysis based on a real-time monitoring of power devices under acceleration test. The real-time monitoring enables to visualize the mechanism that leads to a failure by obtaining the change of structure inside the device in time domain with high spatial resolution. In this paper, we presented a new analytical instrument based on the proposed failure analysis concept. The essential functions of this instrument are (1) power stress control, (2) non-destructive inspection and (3) water circulation. An original design power-stress control system and a customized scanning acoustic microscopy system enable us a non-destructive inspection inside the device under power cycling test. This instrument exhibits a great advantage especially to monitor failure mechanisms without having to open the module.

    DOI： 10.1016/j.microrel.2018.06.071

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85049352486&origin=inward

  • Real-time imaging of temperature distribution inside a power device under a power cycling test 査読有り

    Watanabe A., Nagao R., Omura I.

    Microelectronics Reliability   76-77   490 - 494   2017年09月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    © 2017 Elsevier Ltd The analysis of temperature distribution in a power device package is essential to increase the reliability of power devices, because the temperature swing during the operation creates mechanical stress at the interfaces between these materials. However, the temperature distribution is difficult to obtain under operating conditions because of the limitation in the use of non-destructive methods to measure the inside temperature of the device. In this paper, we propose a method of real-time imaging of temperature distribution inside a DUT. This method is based on a “real-time simulation”. The real-time simulation was realized by combining surface temperature monitoring and high-speed thermal simulation. The thermal simulator calculates temperature distribution inside the package by using the monitored surface temperature as a parameter. We demonstrate our system with a TO-220 package device under a power cycling test. The system indicated a temperature distribution change in the package with a frame rate of less than 1 s and the temperature difference at the Si chip was within 2 °C by a comparison with that estimated from forward voltage drop.

    DOI： 10.1016/j.microrel.2017.06.092

    Scopus

    その他リンク： https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85022064769&origin=inward

  • Failure analysis of power devices based on real-time monitoring 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   55 ( 9-10 )   2032 - 2035   2015年08月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    DOI： 10.1016/j.microrel.2015.06.128

    Scopus

  • Real-time failure monitoring system for high power IGBT under acceleration test up to 500 A stress 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

    Proceedings of The 26th International Symposium on power semiconductor devices and ICS (ISPSD2014)   338 - 341   2014年06月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    USA   Hawaii   2014年06月15日  -  2014年06月19日

    DOI： 10.1109/ISPSD.2014.6856045

    Scopus

  • Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

    Proceedings of 8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2014)   1 - 6   2014年02月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

    Germany   Nuremberg   2014年02月25日  -  2014年02月27日

  • Real time degradation monitoring system for high power IGBT module under power cycling test 査読有り

    A. Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

    Microelectronics Reliability   53 ( 9-11 )   1692 - 1696   2013年09月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

    DOI： 10.1016/j.microrel.2013.07.084

    Scopus

  • Real Time Failure Imaging System under Power Stress for Power Semiconductors using Scanning Acoustic Tomography (SAT) 査読有り

    A. Watanabe, I. Omura

    Microelectronics Reliability   52 ( 9-10 )   2081 - 2086   2012年09月

    　詳細を見る

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Adsorption and Reaction of Calcium at the Si(111) Surface Studied by Metastable-Induced Electron Spectroscopy 査読有り

    Y. Shirouzu,Y. Kaya,T. Okazaki,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki,T. Ikari,K. Yamada

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   5   89 - 93   2007年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    T. Ikari,T. Matsuoka,K. Murakami,T. Kawamoto,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Surface Science   601   4418 - 4422   2007年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    T. Ikari,S. Arikado,K. Kameishi,H. Kawahara,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Applied Surface Science   252   5424 - 5427   2006年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy 査読有り

    A. Watanabe,S. Nishioka,Y. Shirouzu,K. Yamada,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Surface Science   600   3659 - 3662   2006年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Surface structure dependent reaction of Hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED 査読有り

    T. Ikari,K. Kameishi,S. Arikado,H. Kawahara,T. Matsuoka,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4   170 - 173   2006年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    T. Ikari,T. Matsuoka,T. Kawamoto,K. Murakami,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Proceedings of the 7th Russia-Japan seminar on semiconductor surfaces   164 - 168   2006年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

  • Influences of the incident He* velocity on metastable de-excitation processes at a Cs-covered Si(100) surface 査読有り

    T. Ikari,N. Uchino,S. Nishioka,H. Fujiwaki,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh and S. Nishigaki

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research   B232   88 - 93   2005年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Field emission properties of diamond particles: Electron injection into conduction band by tunneling at thin insulating interface layer

    A. Watanabe,T. Ninomiya,S. Nishigaki,M. Kitabatake

    New Diamond and Frontier Carbon Technology   15   21 - 28   2005年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Observation of electron field emission patterns from B-doped diamond films 査読有り

    K. Kobashi,A. Watanabe,Y. Ando,Y. Nishibayashi,Y. Yokota,T. Hirao,K. Oura,C. Ichihara,A. Kobayashi

    Diamond & Related Materials   13   2113 - 2116   2004年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

    T. Inoue,N. Uchino,R. Yoshida,S. Nishioka,K. Yamada,A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   33 - 40   2004年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

  • Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

    A. Watanabe,S. Nishioka,N. Uchino,K. Yamada,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Proceedings of the 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces   278 - 281   2004年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

  • Field emission from diamond particles studied by scanning field emission microscopy 査読有り

    A. Watanabe,M. Deguchi,M. Kitabatake,S. Kono

    Ultramicroscopy   95   145 - 151   2003年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • 絶縁層を用いたダイヤモンド粒子伝導帯への電子注入機構

    渡邉晃彦,北畠真

    New Diamond   ( 69 )   24 - 25   2003年04月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Field emission properties of diamond particles

    A. Watanabe,M. Deguchi,M. Kitabatake

    New Diamond and Frontier Carbon Technology   13   31 - 46   2003年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Large area deposition of <100>-textured diamond films by a 60-kW microwave plasma CVD reactor 査読有り

    Y. Ando,Y. Yokota,T. Tachibana,A. Watanabe,Y. Nishibayashi,K. Kobashi,T. Hirao,K. Oura

    Diamond and Related Materials   11   596 - 600   2002年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • ダイヤモンドからの電子放出特性

    渡邉　晃彦

    第2回炭素系高機能材料シンポジウム予稿集   87 - 93   2002年04月

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

  • Growth of <100> oriented polycrystalline diamond films of 6 inch diameter

    Y. Yokota,Y. Ando,A. Watanabe,Y. Nishibayashi,K. Kobashi,T. Hirao,K. Oura

    New Diamond and Frontier Carbon Technology   12   117 - 120   2002年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Secondary-electron and field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical vapor deposition grown diamond particles 査読有り

    S. Kono,T. Goto,K. Sato,T. Abukawa,M. Kitabatake,A. Watanabe,M. Deguchi

    Surface Science   493   610 - 618   2001年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Microscopic study of field emission from diamond particles 査読有り

    A. Watanabe,M. Deguchi,M. Kitabatake

    Diamond and Related Materials   10   818 - 823   2001年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Diamond films grown by a 60kW microwave plasma CVD system 査読有り

    T. Tachibana,Y. Ando,A. Watanabe,Y. Nishibayashi,K. Kobashi,T. Hirao,K. Oura

    Diamond and Related Materials   10   1569 - 1572   2001年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Field-emission spectroscopy/microscopy studies of chemical-vapor-deposition grown diamond particles

    S. Kono,T. Goto,K. Sato,T. Abukawa,M. Kitabatake,A. Watanabe,M. Deguchi

    New Diamond and Frontier Carbon Technology   11   299 - 306   2001年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Local charge redistribution at potassium adsorption on the Si(111)7x7 surface: a scanning tunneling microscopy study 査読有り

    A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Applied Surface Science   144/145   548 - 553   1999年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Field Emission from Diamond Particles

    M. Kitabatake,A. Watanabe,M. Deguchi

    Proceedings of ADC/FCT'99   376 - 379   1999年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

  • Hydrogen-induced restructuring and crater formation at Si(111) surfaces: a scanning tunneling microscopy study 査読有り

    M. Naitoh,H. Shimaya,A. Watanabe,S. Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physiscs   37   2033 - 2034   1998年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A scanning tunneling microscopy investigation of the adsorption and clustering of potassium on the Si(111)7x7 surface 査読有り

    A. Watanabe,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physics   37   3778 - 3781   1998年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • A clean GaP(001)4x2/c(8x2) surface structure studied by scanning tunneling microscopy and ion scattering spectroscopy 査読有り

    M. Naitoh,A. Watanabe,A. Konishi,S. Nishigaki

    Japanese Journal of Applied Physics   35   4789 - 4790   1996年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • An STM observation of silver growth on hydrogen-terminated Si(111) surfaces 査読有り

    M. Naitoh,A. Watanabe,S. Nishigaki

    Surface Science   357/358   140 - 144   1996年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

  • Hydrogen-induced reconstruction of the GaP(001) surface studied by scanning tunneling microscopy 査読有り

    A. Watanabe,H. Shimaya,M. Naitoh,S. Nishigaki

    Journal of Vacuum Science & Technology   B14   3599 - 3602   1996年04月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）

▼全件表示

口頭発表・ポスター発表等

  • Snapback of diamond p-n-p structure

    K. Mishima, Y. Matsumoto and A. Watanabe

    10th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2022) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2022年12月12日 - 2022年12月14日   記述言語：英語  

  • Influence of Fabrication Process on Characteristics of Diamond Vertical pin Diodes

    S. Goto, A. Watanabe

    10th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2022) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2022年12月12日 - 2022年12月14日   記述言語：英語  

  • ダイヤモンドpip構造のスナップバック現象

    松本有吾,後藤成雅,渡邉晃彦

    第36回ダイヤモンドシンポジウム 

    　詳細を見る

    開催期間： 2022年11月16日 - 2022年11月18日   記述言語：日本語  

  • n型を起点としたプロセスで作製したダイヤモンドpinダイオードの特性評価

    後藤成雅,渡邉晃彦

    第36回ダイヤモンドシンポジウム 

    　詳細を見る

    開催期間： 2022年11月16日 - 2022年11月18日   記述言語：日本語  

  • TEG design for improving withstanding voltage of diamond power devices

    Y. Matsumoto, A. Watanabe

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2021)  2021年12月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2021年12月05日 - 2021年12月08日   記述言語：英語  

  • Determination of Abnormality of IGBT Images Using VGG16

    Toui Ogawa, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura, Tohru Kamiya

    21th International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS 2021)  2021年10月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2021年10月12日 - 2021年10月15日   記述言語：英語   開催地：Jeju   国名：大韓民国  

  • DUT Temperature Coefficient and Power Cycles to Failure

    Yuma Kawauchi, Kenji Akimoto, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)   2021年06月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2021年05月30日 - 2021年06月03日   記述言語：英語   開催地：名古屋   国名：日本国  

  • Improved DICM with an IR Camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of to Packages

    Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura

    33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)   2021年06月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2021年05月30日 - 2021年06月03日   記述言語：英語   開催地：名古屋   国名：日本国  

  • 薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の⽐較

    有吉和⿇、松本 聡、渡邉晃彦

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

  • パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究

    川内勇真、渡邉晃彦、大村一郎

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

  • 赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング

    増田貴樹、渡邉晃彦、大村一郎

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年12月21日 - 2020年12月22日   記述言語：日本語  

  • Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera

    Y. Masuda, A. Watanabe and I. Omura

    8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2020) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年12月12日 - 2020年12月19日   記述言語：英語  

  • Identification of normal and abnormal from ultrasound images of power devices using VGG16

    T. Ogawa, H. Lu, A. Watanabe, I. Omura and T. Kamiya

    20th International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS 2020)  2020年10月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年10月13日 - 2020年10月16日   記述言語：英語   開催地：Busan   国名：大韓民国  

  • Simultaneous Imaging of Strain and Temperature using Single IR Camera

    Y. Masuda, A. Watanabe and I. Omura

    11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020)  2020年03月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2020年03月24日 - 2020年03月26日   記述言語：英語   開催地：Berlin   国名：ドイツ連邦共和国  

  • パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発

    池亀恵市

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2019年11月28日 - 2019年11月29日   記述言語：日本語  

  • 薄層SOIパワーn MOSFETの高温でのACホットキャリア効果

    有吉和麻

    （第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2019年09月27日 - 2019年09月28日   記述言語：日本語   開催地：北九州市九州工業大学戸畑キャンパス  

  • 高温におけるpチャネル薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果

    金田宜政

    （第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2019年09月27日 - 2019年09月28日   記述言語：日本語   開催地：北九州市九州工業大学戸畑キャンパス  

  • Convolutional neural network (CNNs) based image diagnosis for failure analysis of power devices

    Akihiko Watanabe, Naoto Hirose, Hyoungseop Kim and Ichiro Omura

    30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2019)  2019年09月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2019年09月23日 - 2019年09月26日   記述言語：英語   開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

  • Infrared image correlation for thermal stress analysis of power devices

    Akihiko Watanabe, Yoshiki Masuda and Ichiro Omura

    30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2019)  2019年09月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2019年09月23日 - 2019年09月26日   記述言語：英語   開催地：Toulouse   国名：フランス共和国  

  • DC Hot carrier effect of a thin-film SOI Power p-MOSFET at high temperature

    Y. Kaneda

    6th International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2018) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2018年12月15日 - 2018年12月16日   記述言語：英語  

  • Real-Time Monitoring for Improvement of Reliability of Power Devices

    Akihiko Watanabe

    6th International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2018) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2018年12月15日 - 2018年12月16日   記述言語：英語  

  • 内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証

    廣吉慎吾

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2018年11月01日 - 2018年11月02日   記述言語：日本語  

  • A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices

    A. Watanabe

    29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2018) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2018年10月01日 - 2018年10月05日   記述言語：英語  

  • Device destruction during AC stree of a thin-film SOI power nMOSFET

    M.Nomura

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2017) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2017年11月14日 - 2017年11月15日   記述言語：英語  

  • TOパッケージダイオードのリアルタイムモニタリング評価

    諸岡幸一郎

    先進パワー半導体分科会 第4回講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2017年11月01日 - 2017年11月02日   記述言語：日本語  

  • Real-time imaging of temperature distribution inside a power device under a power cycling test

    A. Watanabe

    28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2017) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2017年09月25日 - 2017年09月28日   記述言語：英語  

  • Temperature Distribution Imaging inside Power Devices by Real-Time Simulation by Real-Time Simulation

    A. Watanabe

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2017年09月19日 - 2017年09月22日   記述言語：英語  

  • AC Hot carrier effect and PBTI of a thin-film SOI Power n-MOSFET at high temperature

    M. Nomura

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2017年09月19日 - 2017年09月22日   記述言語：英語  

  • An observation system for temperature distribution on power semiconductor

    K. Ezaki

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2016年12月17日 - 2016年12月18日   記述言語：英語  

  • Real-time 2D imaging system of temperature distribution inside a power device

    R. Nagao

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2016年12月17日 - 2016年12月18日   記述言語：英語  

  • Combined real-time monitoring system for failure prediction of power devices

    A. Watanabe

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2016年12月17日 - 2016年12月18日   記述言語：英語  

  • Failure analysis of power devices based on real-time monitoring

    A. Watanabe

    26th European Symposium on Reliability of Electron Devices,　Failure Physics and Analysis (ESREF2015) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2015年10月05日 - 2015年10月09日   記述言語：英語  

  • Real-time Temperature Monitoring System inside Package of Power Devices

    N. Hirata

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

  • Current imbalance measurement among chips in IGBT module with ultra-small PCB probe

    H. Yamaguchi

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

  • Current distribution imaging system for power devices using tiny ferrite core sensor

    H. Tomonaga

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

  • Numerical design method of multi-turn coil for wireless power transfer circuit based on electrical circuit simulation

    M. Koga

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年12月20日 - 2014年12月21日   記述言語：英語  

  • IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発

    山口治之

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年10月30日 - 2014年10月31日   記述言語：日本語  

  • High Speed Real-time Temperature Monitoring System inside Power Devices Package Using Infrared Radiation

    N. Hirata

    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年09月08日 - 2014年09月11日   記述言語：英語  

  • Real-time failure monitoring system for high power IGBT under acceleration test up to 500 A stress

    A. Watanabe

    The 26th International Symposium on power semiconductor devices and ICS (ISPSD2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年06月15日 - 2014年06月19日   記述言語：英語  

  • Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test

    A. Watanabe

    8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2014) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2014年02月25日 - 2014年02月27日   記述言語：英語  

  • Real time degradation monitoring system for high power IGBT module under power cycling test

    A. Watanabe

    24th European Symposium on Reliability of Electron Devices,　Failure Physics and Analysis (ESREF2013) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月04日   記述言語：英語  

  • Failure analysis of power semiconductor devices based on real time monitoring

    I. Omura

    International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2013) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2013年09月30日 - 2013年10月01日   記述言語：英語  

  • Real Time Monitoring System for Internal Process to Failure of High Power IGBT

    A. Watanabe

    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2013年09月24日 - 2013年09月27日   記述言語：英語  

  • Real Time Failure Imaging System under Power Stress for Power Semiconductors using Scanning Acoustic Tomography (SAT)

    A. Watanabe

    23rd European Symposium on Reliability of Electron Devices,　Failure Physics and Analysis (ESREF2012) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年10月01日 - 2012年10月05日   記述言語：英語  

  • Real Time Failure Imaging of Power Semiconductors under Power Stress Using Scanning Acoustic Tomography

    A. Watanabe

    2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年09月25日 - 2012年09月27日   記述言語：英語  

  • MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成

    中山泰輔

    九州表面・真空研究会2012(兼第17回九州薄膜表面研究会) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2012年06月09日   記述言語：日本語  

  • p型、n型シリコン基板上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜からの電界電子放出特性

    渡邉晃彦

    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2011年11月27日   記述言語：日本語   開催地：鹿児島  

  • 多結晶ダイヤモンド薄膜の光電子分光

    山田健二

    2011年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2011年11月26日   記述言語：日本語   開催地：福井  

  • Field emission properties of polycrystalline diamond films deposited on p-type and n-type silicon substrates

    A. Watanabe

    22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides (Diamond2011) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2011年09月04日 - 2011年09月08日   記述言語：英語  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面の電子状態の抽出

    清水洋平

    平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年11月22日   記述言語：日本語   開催地：熊本  

  • CVD法により作製したカーボンナノチューブの電界放出特性評価

    上村一平

    九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年06月13日   記述言語：日本語   開催地：福岡  

  • 準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面電子状態の研究

    香月将吾

    九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年06月13日   記述言語：日本語   開催地：福岡  

  • 水素終端ダイヤモンド薄膜の表面抵抗と電子放出特性の相関

    中木原佳宏

    九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2009年06月13日   記述言語：日本語   開催地：福岡  

  • Reduction Reaction of Oxidized Ni (110) Surfaces with Hydrogen Studied by Metastable-Induced Electron Spectroscopy

    S. Katsuki

    The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月28日 - 2008年10月31日   記述言語：英語   開催地：Matsue, Japan  

  • Thermal and field emission characteristics of polycrystalline diamond coated emitter

    A. Watanabe

    The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年10月19日 - 2008年10月23日   記述言語：英語   開催地：Sendai, Japan  

  • 準安定原子誘起電子分光法を用いたO/Ni(110)表面における水素還元・吸着プロセスの研究

    碇智徳

    応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会、（兼）第13回九州薄膜表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2008年06月21日   記述言語：日本語   開催地：福岡  

  • ダイヤモンド薄膜を形成したフィラメント型エミッタの電子放出

    荒木祥之

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年12月01日 - 2007年12月02日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

    川本卓磨

    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年12月01日 - 2007年12月02日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 準安定ヘリウム原子の脱励起プロセスにおける速度依存性

    山田健二

    日本物理学会北陸支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年12月01日   記述言語：日本語   開催地：日本 富山  

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni (110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    T. Ikari

    9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年11月11日 - 2007年11月15日   記述言語：英語   開催地：日本 Tokyo  

  • 原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究

    村上和大

    応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線」（兼）第12回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年06月16日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • ダイヤモンド・エミッタの試作と電子放出特性

    正清義悟

    応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線」（兼）第12回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2007年06月16日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • 水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性－MIESとLEEDによる研究

    村上和大

    平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月25日 - 2006年11月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 大分  

  • Si(111)表面上のCa吸着と反応の準安定原子誘起電子分光法による研究

    白水康雄

    平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月25日 - 2006年11月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 大分  

  • CVDダイヤモンド表面の水素終端による電子親和力変化：MIES/UPSによる観察

    渡邉晃彦

    平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年11月25日 - 2006年11月26日   記述言語：日本語   開催地：日本 大分  

  • Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

    T. Ikari

    The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (RJSSS-7) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年09月17日 - 2006年09月21日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy

    Y. Shirouzu

    The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (RJSSS-7) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年09月17日 - 2006年09月21日   記述言語：英語   開催地： Russia Vladivostok  

  • Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by MIES and LEED

    T. Ikari

    The 24th European Conference on Surface Science (ECOSS24) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年09月04日 - 2006年09月08日   記述言語：英語   開催地： France Paris  

  • 水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性―MIESとLEEDによる研究

    川本卓磨

    応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第11回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年06月17日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • Ca吸着Si(111)表面電子状態のMIESによる研究

    嘉屋旨哲

    応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第11回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2006年06月17日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • 水素ガスによるO/Ni(110)表面の還元反応：MIESとLEEDによる研究

    松岡利幸

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • Ca/Si(111)表面反応のMIESとLEEDによる研究

    白水康雄

    平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月26日 - 2005年11月27日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 水素終端CVDダイヤモンド表面の準安定原子誘起分光法による研究

    渡辺晃彦

    第19回ダイヤモンドシンポジウム 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月24日 - 2005年11月25日   記述言語：日本語   開催地：日本 大阪  

  • Surface structure dependent reaction of Hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED

    T. Ikari

    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年11月16日   記述言語：英語   開催地：日本 埼玉  

  • 準安定励起原子を用いた半導体表面の電子状態抽出

    山田健二

    平成17年度電気関係学会北陸支部連合大会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年09月24日   記述言語：日本語   開催地：日本 石川  

  • Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy

    A. Watanabe

    The 23rd European Conference on Surface Science (ECOSS23) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年09月04日 - 2005年09月09日   記述言語：英語   開催地： Germany Berlin  

  • Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy

    T. Ikari

    13th International Congress on Thin Films/ 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年06月21日   記述言語：英語   開催地： Sweden Stockholm  

  • 水素曝露されたO/Ni(110)表面のMIESによる表面電子状態抽出

    川原宏樹

    応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀  

  • 水素原子吸着によるダイヤモンド表面ポテンシャルの変化：UPS/MIESの同時計測による研究

    西岡信介

    応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀  

  • Si(100)表面上のCa吸着とCaシリサイド薄膜形成プロセス

    吉田亮

    応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年06月18日   記述言語：日本語   開催地： 佐賀  

  • 水素終端CVDダイヤモンド表面電子状態の準安定原子誘起電子分光法による研究

    渡邉晃彦

    第1回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • 酸素吸着Ni(110)表面の水素による還元反応：準安定原子誘起分光と低速電子線回折による研究

    碇智徳

    第1回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2005年05月27日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • Influences of the incident He* velocity on the metastable de-excitation process at surfaces and the resultant electron spectra

    T. Ikari

    15th International workshop on inelastic ion surface collisions 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年10月17日 - 2004年10月22日   記述言語：英語   開催地：日本 三重  

  • Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface

    A. Watanabe

    The 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年10月10日 - 2004年10月17日   記述言語：英語   開催地：日本 富山  

  • Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES

    T. Inoue

    The 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年10月10日 - 2004年10月17日   記述言語：英語   開催地：日本 富山  

  • Si(111)面上でのカルシウムシリサイド薄膜成長様式の研究

    井上高志

    応用物理学会九州支部「機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ」（兼）第9回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年06月19日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • ダイヤモンド－金属基板界面における電子注入機構

    渡邉晃彦

    応用物理学会九州支部「機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ」（兼）第9回九州薄膜・表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年06月19日   記述言語：日本語   開催地： 福岡  

  • Observation of electron field emission patterns from B-doped diamond films

    K. Kobashi

    The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-9) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2004年03月26日 - 2004年03月29日   記述言語：英語   開催地：日本 東京  

  • 表面スピン電子密度分析のためのヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化

    亀井浩太

    平成15年度物理学会九州支部例会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年11月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • 準安定原子脱励起スペクトルの表面ーHe*相対速度依存性

    内野直喜

    平成15年度物理学会九州支部例会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年11月29日   記述言語：日本語   開催地：日本 福岡  

  • Field emission properties of diamond particles: Electron injection into the conduction band by tunneling at thin insulating layer

    A. Watanabe

    Applied Diamond Conference/Frontier Carbon Technology Conference 2003 (ADC/FCT2003) 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年08月18日 - 2003年08月21日   記述言語：英語   開催地：日本 茨城  

  • ダイヤモンド粒子からの電界電子放出機構

    渡邉晃彦

    第8回九州薄膜表面研究会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年07月06日   記述言語：日本語   開催地： 大分  

  • ダイヤモンド粒子の伝導帯への電子注入とその電界電子放出特性

    渡邉晃彦

    第50回応用物理学会学術講演会 

    　詳細を見る

    開催期間： 2003年03月27日 - 2003年03月30日   記述言語：日本語   開催地：日本 神奈川  

▼全件表示

工業所有権

  • 半導体検査装置

    大村一郎、渡邉晃彦、附田正則

    　詳細を見る

    出願番号：特願2015-158228   出願日：2015年08月10日

    登録番号：特許第6718626号  登録日：2020年06月17日

講演

  • 超高耐圧ダイヤモンド・パワー半導体の実現に向けて

    日本技術士会九州本部北九州地区支部支部ＣＰＤ  2021年09月 

    　詳細を見る

    開催期間： 2021年09月11日   発表言語：日本語   講演種別：招待講演   国名：日本国  

  • パワー半導体の高信頼化を促進するイメージング技術およびリアルタイム・モニタリング技術

    電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会  2019年12月 

    　詳細を見る

    発表言語：日本語   講演種別：座談会  

  • パワー半導体の高信頼化を促進するリアルタイム・モニタリング

    第164回産学交流サロン「ひびきサロン」、先端パワーエレクトロニクス研究のオープンイノベーション型産学連携  2018年03月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他   開催地：北九州学研都市、産学連携センター  

  • リアルタイムモニタリングによる故障メカニズム特定と故障予測の可能性

    第8回次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ  2018年02月 

    　詳細を見る

    講演種別：招待講演  

  • パワーデバイスの故障予測を可能にするモニタリング技術

    JST新技術説明会  2017年12月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他   開催地：JST東京本部別館1Fホール  

  • ダイヤモンドの電子デバイス応用

    九州工業大学次世代パワーエレクトロニクス研究センター 第1回 研究会  2017年10月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他  

  • リアルタイム・シミュレーション：赤外線カメラと同期したデバイス内部温度解析

    NPERC-J 第2回ワークショップ：「新しいグリーンエレクトロニクスの創生を目指して」NPERC-J が描く2025 年のパワーエレクトロニクス  2015年11月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他  

  • パワーデバイス用高信頼化評価技術：リアルタイム故障モニタリングシステム

    北九州市学研都市第14回産学連携フェア、産学官連携研究開発成果発表会  2014年10月 

    　詳細を見る

    講演種別：招待講演  

  • パワーデバイス故障の原因に迫る新しい評価技術

    北九州市学研都市第14回産学連携フェア、産総研・九工大・北九州市によるセミナー  2014年10月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他  

  • パワーエレクトロニクスのユビキタス化を支える故障メカニズム特定技術

    第5回次世代ユビキタス・パワーエレクトロニクスのための信頼性科学ワークショップ  2014年01月 

    　詳細を見る

    講演種別：招待講演  

  • パワーデバイス高信頼性技術

    北九州市学研都市第13回産学連携フェア、産総研・九工大・北九州市によるセミナー  2013年10月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他  

  • その他の環境エレクトロニクス研究紹介

    北九州市学研都市第12回産学連携フェア、産総研・九工大・北九州市によるセミナー  2012年10月 

    　詳細を見る

    講演種別：その他  

▼全件表示

科研費獲得実績

  • 超音波による接合温度分布計測：パワー半導体高信頼化の革新的評価技術

    研究課題番号：15K05944  2015年04月 - 2018年03月   基盤研究(C)

その他研究活動

  • イノベーション・ジャパン2018

    2018年08月

    　詳細を見る

    寿命予測・故障予測を可能にするパワー半導体検査装置

  • 産学パートナーシップ創造展

    2016年08月

    　詳細を見る

    パワーデバイス高信頼化技術 複合型リアルタイムモニタリングシステム

担当授業科目（学内）

  • 2022年度   半導体材料とデバイス

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   計測制御システム演習

  • 2022年度   G2E2セミナー

  • 2022年度   グリーンイノベーション概論

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   グリーンイノベーション概論

  • 2022年度   半導体トピックセミナー

  • 2022年度   電気回路演習

  • 2022年度   電気回路演習

  • 2021年度   半導体材料とデバイス

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2021年度   計測制御システム演習

  • 2021年度   G2E2セミナー

  • 2021年度   グリーンテクノロジー概論

  • 2021年度   半導体トピックセミナー

  • 2021年度   電気回路演習

  • 2020年度   G2E2セミナー

  • 2020年度   グリーンテクノロジー概論

  • 2020年度   電気回路演習

  • 2019年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2019年度   電気電子工学実験ⅢB

  • 2019年度   電気回路演習

  • 2019年度   電気回路演習

  • 2018年度   電気電子工学実験ⅢB

  • 2018年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2018年度   電気回路演習

  • 2017年度   電気回路演習

  • 2017年度   電気電子工学実験ⅢB

  • 2017年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2016年度   電気回路演習

  • 2016年度   電気電子工学実験ⅢＢ

  • 2016年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2015年度   電気回路演習

  • 2015年度   電気電子工学実験ⅢＢ

  • 2015年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2014年度   電気回路演習

  • 2014年度   電気電子工学実験ⅢＢ

  • 2014年度   電気電子工学実験Ⅰ

  • 2013年度   電気回路演習

  • 2013年度   電気電子工学実験ⅠＡ

  • 2012年度   電気回路演習

  • 2012年度   電気電子工学実験ⅠＢ

  • 2011年度   電気回路演習

  • 2011年度   電気電子工学実験ⅠＢ

  • 2010年度   電気電子工学実験ⅠＢ

▼全件表示

学会・委員会等活動

  • 産業応用工学会   全国大会2023(現地担当委員長)  

    2022年09月 - 2023年09月

  • 産業応用工学会   全国大会2022(出版委員長)  

    2021年09月 - 2022年09月

  • 産業応用工学会   理事  

    2019年04月 - 現在

  • 産業応用工学会   全国大会2019(プログラム委員長)  

    2018年09月 - 2019年09月

  • 産業応用工学会   監事  

    2018年04月 - 2019年03月

  • 産業応用工学会   全国大会2018 (現地担当委員長)  

    2017年09月 - 2018年09月

  • 産業応用工学会   全国大会2017 (出版委員長)  

    2017年05月 - 2017年09月

▼全件表示

国際会議開催（学会主催除く）

  • The 12th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2024 (ICIAE2024)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  Matsue  2024年03月26日 - 2024年03月30日

  • The 10th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2023 (ICISIP2023)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  Beppu  2023年09月04日 - 2023年09月08日

  • The 11th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2023 (ICIAE2023)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  2023年03月26日 - 2023年03月30日

  • The 9th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2022 (ICISIP2022)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  Kobe  2022年09月05日 - 2022年09月09日

  • The 10th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2022 (ICIAE2022)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  2022年03月26日 - 2022年03月30日

  • The 8th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2021 (ICISIP2021)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  Kobe  2021年09月06日 - 2021年09月10日

  • The 9th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2021 (ICIAE2021)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  2021年03月26日 - 2021年03月30日

  • The 8th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2020 (ICIAE2020)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  2020年03月26日 - 2020年03月30日

  • The 7th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2019 (ICISIP2019)

    The Institute of Industrial Applications Engineers  Taiwan  2019年09月05日 - 2019年09月09日

  • The 7th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2019 (ICIAE2019)

    2019年03月26日 - 2019年03月30日

  • The 6th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2018 (ICISIP2018)

    2018年09月10日 - 2018年09月14日

  • The 6th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2018 (ICIAE2018)

    2018年03月27日 - 2018年03月31日

  • The 5th IIAE International Conference on Intelligent Systems and Image Processing 2017 (ICISIP2017)

    USA  2017年09月07日 - 2017年09月12日

  • IEEE 10th International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS2013)

    2013年04月22日 - 2013年04月25日

▼全件表示