口頭発表・ポスター発表等 - 渡邉 晃彦
-
Influence of Fabrication Process on Characteristics of Diamond Vertical pin Diodes
S. Goto, A. Watanabe
10th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2022)
-
Snapback of diamond p-n-p structure
K. Mishima, Y. Matsumoto and A. Watanabe
10th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2022)
-
ダイヤモンドpip構造のスナップバック現象
松本有吾,後藤成雅,渡邉晃彦
第36回ダイヤモンドシンポジウム
-
n型を起点としたプロセスで作製したダイヤモンドpinダイオードの特性評価
後藤成雅,渡邉晃彦
第36回ダイヤモンドシンポジウム
-
TEG design for improving withstanding voltage of diamond power devices
Y. Matsumoto, A. Watanabe
8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2021) 2021年12月
-
Determination of Abnormality of IGBT Images Using VGG16
Toui Ogawa, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura, Tohru Kamiya
21th International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS 2021) 2021年10月
-
DUT Temperature Coefficient and Power Cycles to Failure
Yuma Kawauchi, Kenji Akimoto, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura
33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年06月
-
Improved DICM with an IR Camera for Imaging of Strain and Temperature in Cross Section of to Packages
Yoshiki Masuda, Akihiko Watanabe, Ichiro Omura
33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021) 2021年06月
-
薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の⽐較
有吉和⿇、松本 聡、渡邉晃彦
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究
川内勇真、渡邉晃彦、大村一郎
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング
増田貴樹、渡邉晃彦、大村一郎
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera
Y. Masuda, A. Watanabe and I. Omura
8th International Symposium on Applied Engineering and Sciences (SAES2020)
-
Identification of normal and abnormal from ultrasound images of power devices using VGG16
T. Ogawa, H. Lu, A. Watanabe, I. Omura and T. Kamiya
20th International Conference on Control, Automation and Systems (ICCAS 2020) 2020年10月
-
Simultaneous Imaging of Strain and Temperature using Single IR Camera
Y. Masuda, A. Watanabe and I. Omura
11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2020) 2020年03月
-
パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発
池亀恵市
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
薄層SOIパワーn MOSFETの高温でのACホットキャリア効果
有吉和麻
（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会
-
高温におけるpチャネル薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
金田宜政
（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会
-
Convolutional neural network (CNNs) based image diagnosis for failure analysis of power devices
Akihiko Watanabe, Naoto Hirose, Hyoungseop Kim and Ichiro Omura
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2019) 2019年09月
-
Infrared image correlation for thermal stress analysis of power devices
Akihiko Watanabe, Yoshiki Masuda and Ichiro Omura
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2019) 2019年09月
-
DC Hot carrier effect of a thin-film SOI Power p-MOSFET at high temperature
Y. Kaneda
6th International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2018)
-
Real-Time Monitoring for Improvement of Reliability of Power Devices
Akihiko Watanabe
6th International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2018)
-
内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証
廣吉慎吾
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices
A. Watanabe
29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2018)
-
Device destruction during AC stree of a thin-film SOI power nMOSFET
M.Nomura
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2017)
-
TOパッケージダイオードのリアルタイムモニタリング評価
諸岡幸一郎
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
-
Real-time imaging of temperature distribution inside a power device under a power cycling test
A. Watanabe
28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2017)
-
Temperature Distribution Imaging inside Power Devices by Real-Time Simulation by Real-Time Simulation
A. Watanabe
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
-
AC Hot carrier effect and PBTI of a thin-film SOI Power n-MOSFET at high temperature
M. Nomura
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)
-
An observation system for temperature distribution on power semiconductor
K. Ezaki
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016)
-
Real-time 2D imaging system of temperature distribution inside a power device
R. Nagao
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016)
-
Combined real-time monitoring system for failure prediction of power devices
A. Watanabe
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2016)
-
Failure analysis of power devices based on real-time monitoring
A. Watanabe
26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2015)
-
Real-time Temperature Monitoring System inside Package of Power Devices
N. Hirata
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014)
-
Current imbalance measurement among chips in IGBT module with ultra-small PCB probe
H. Yamaguchi
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014)
-
Current distribution imaging system for power devices using tiny ferrite core sensor
H. Tomonaga
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014)
-
Numerical design method of multi-turn coil for wireless power transfer circuit based on electrical circuit simulation
M. Koga
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2014)
-
IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発
山口治之
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会「パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術」
-
High Speed Real-time Temperature Monitoring System inside Power Devices Package Using Infrared Radiation
N. Hirata
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
-
Real-time failure monitoring system for high power IGBT under acceleration test up to 500 A stress
A. Watanabe
The 26th International Symposium on power semiconductor devices and ICS (ISPSD2014)
-
Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test
A. Watanabe
8th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS2014)
-
Real time degradation monitoring system for high power IGBT module under power cycling test
A. Watanabe
24th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2013)
-
Failure analysis of power semiconductor devices based on real time monitoring
I. Omura
International Symposium on Applied Engineereing and Sciences (SAES2013)
-
Real Time Monitoring System for Internal Process to Failure of High Power IGBT
A. Watanabe
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
-
Real Time Failure Imaging System under Power Stress for Power Semiconductors using Scanning Acoustic Tomography (SAT)
A. Watanabe
23rd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF2012)
-
Real Time Failure Imaging of Power Semiconductors under Power Stress Using Scanning Acoustic Tomography
A. Watanabe
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
-
MPCVD法によるダイヤモンド薄膜形成
中山泰輔
九州表面・真空研究会2012(兼第17回九州薄膜表面研究会)
-
p型、n型シリコン基板上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜からの電界電子放出特性
渡邉晃彦
平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
多結晶ダイヤモンド薄膜の光電子分光
山田健二
2011年度日本物理学会北陸支部定例学術講演会
-
Field emission properties of polycrystalline diamond films deposited on p-type and n-type silicon substrates
A. Watanabe
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides (Diamond2011)
-
準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面の電子状態の抽出
清水洋平
平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
CVD法により作製したカーボンナノチューブの電界放出特性評価
上村一平
九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会
-
準安定原子誘起電子分光法によるNiO(100)表面電子状態の研究
香月将吾
九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会
-
水素終端ダイヤモンド薄膜の表面抵抗と電子放出特性の相関
中木原佳宏
九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会
-
Reduction Reaction of Oxidized Ni (110) Surfaces with Hydrogen Studied by Metastable-Induced Electron Spectroscopy
S. Katsuki
The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4)
-
Thermal and field emission characteristics of polycrystalline diamond coated emitter
A. Watanabe
The 8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8)
-
準安定原子誘起電子分光法を用いたO/Ni(110)表面における水素還元・吸着プロセスの研究
碇智徳
応用物理学会九州支部と薄膜・表面物理分科会共催による研究会、（兼）第13回九州薄膜表面研究会
-
原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究
川本卓磨
平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
ダイヤモンド薄膜を形成したフィラメント型エミッタの電子放出
荒木祥之
平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
準安定ヘリウム原子の脱励起プロセスにおける速度依存性
山田健二
日本物理学会北陸支部学術講演会
-
Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni (110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy
T. Ikari
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
-
原子状水素を用いた酸化Ni(110)表面還元反応のMIESとLEEDによる研究
村上和大
応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線」（兼）第12回九州薄膜・表面研究会
-
ダイヤモンド・エミッタの試作と電子放出特性
正清義悟
応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面現象とその応用の最前線」（兼）第12回九州薄膜・表面研究会
-
水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性－MIESとLEEDによる研究
村上和大
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
Si(111)表面上のCa吸着と反応の準安定原子誘起電子分光法による研究
白水康雄
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
CVDダイヤモンド表面の水素終端による電子親和力変化：MIES/UPSによる観察
渡邉晃彦
平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
Adsorption and reaction of calcium at the Si(111) surface studied by metastable-induced electron spectroscopy
Y. Shirouzu
The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (RJSSS-7)
-
Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy
T. Ikari
The 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (RJSSS-7)
-
Hydrogen-assisted reduction of the Ni(110)(3×1)-O surface studied by MIES and LEED
T. Ikari
The 24th European Conference on Surface Science (ECOSS24)
-
Ca吸着Si(111)表面電子状態のMIESによる研究
嘉屋旨哲
応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第11回九州薄膜・表面研究会
-
水素によるO/Ni(110)表面還元反応の基板温度依存性―MIESとLEEDによる研究
川本卓磨
応用物理学会九州支部「新規な薄膜・表面とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第11回九州薄膜・表面研究会
-
Ca/Si(111)表面反応のMIESとLEEDによる研究
白水康雄
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
水素ガスによるO/Ni(110)表面の還元反応：MIESとLEEDによる研究
松岡利幸
平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
-
水素終端CVDダイヤモンド表面の準安定原子誘起分光法による研究
渡辺晃彦
第19回ダイヤモンドシンポジウム
-
Surface structure dependent reaction of Hydrogen-assisted reduction at O/Ni(110) surfaces studied by MIES and LEED
T. Ikari
International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4)
-
準安定励起原子を用いた半導体表面の電子状態抽出
山田健二
平成17年度電気関係学会北陸支部連合大会
-
Direct observation of surface potential change due to hydrogen termination of CVD diamond surface by metastable-induced electron spectroscopy
A. Watanabe
The 23rd European Conference on Surface Science (ECOSS23)
-
Oxidation of a cesium-covered Ni(110) surface studied by a metastable-induced electron spectroscopy
T. Ikari
13th International Congress on Thin Films/ 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
-
水素曝露されたO/Ni(110)表面のMIESによる表面電子状態抽出
川原宏樹
応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会
-
水素原子吸着によるダイヤモンド表面ポテンシャルの変化：UPS/MIESの同時計測による研究
西岡信介
応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会
-
Si(100)表面上のCa吸着とCaシリサイド薄膜形成プロセス
吉田亮
応用物理学会九州支部「薄膜・表面の新規な現象とその応用の最前線に関する研究会」（兼）第10回九州薄膜・表面研究会
-
水素終端CVDダイヤモンド表面電子状態の準安定原子誘起電子分光法による研究
渡邉晃彦
第1回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
-
酸素吸着Ni(110)表面の水素による還元反応：準安定原子誘起分光と低速電子線回折による研究
碇智徳
第1回「水素をモデレータとしたナノ電子デバイス要素技術の開発および応用研究」プロジェクト研究報告会
-
Influences of the incident He* velocity on the metastable de-excitation process at surfaces and the resultant electron spectra
T. Ikari
15th International workshop on inelastic ion surface collisions
-
Metastable-induced electron spectroscopy study of hydrogen terminated CVD diamond surface
A. Watanabe
The 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6)
-
Adsorption of Ca on the Si(111) surface and its reaction with the Si substrate studied by AES and MIES
T. Inoue
The 6th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-6)
-
ダイヤモンド－金属基板界面における電子注入機構
渡邉晃彦
応用物理学会九州支部「機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ」（兼）第9回九州薄膜・表面研究会
-
Si(111)面上でのカルシウムシリサイド薄膜成長様式の研究
井上高志
応用物理学会九州支部「機能性薄膜の作製と新規表面・界面現象に関するワークショップ」（兼）第9回九州薄膜・表面研究会
-
Observation of electron field emission patterns from B-doped diamond films
K. Kobashi
The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-9)
-
準安定原子脱励起スペクトルの表面ーHe*相対速度依存性
内野直喜
平成15年度物理学会九州支部例会
-
表面スピン電子密度分析のためのヘリウム準安定原子ビームのスピン偏極化
亀井浩太
平成15年度物理学会九州支部例会
-
Field emission properties of diamond particles: Electron injection into the conduction band by tunneling at thin insulating layer
A. Watanabe
Applied Diamond Conference/Frontier Carbon Technology Conference 2003 (ADC/FCT2003)
-
ダイヤモンド粒子からの電界電子放出機構
渡邉晃彦
第8回九州薄膜表面研究会
-
ダイヤモンド粒子の伝導帯への電子注入とその電界電子放出特性
渡邉晃彦
第50回応用物理学会学術講演会