口頭発表・ポスター発表等 - 佐竹 昭泰
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Thermal escape process of photogenerated carriers from GaAs single-quantumwell contained in GaAs/AlAs superlattices
本人
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14) Th-mP20
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Anti-Stokes and Stokes photoluminescence in non-uniform GaAs-based quantum wells
K. Fujiwara（電気電子工学研究系）
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14) Th-mP14
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Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices
R. Kido（電気電子工学専攻）
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14) Th-mP18
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GaAs/AlAs超格子に閉じ込められたGaAs単一量子井戸のフォトルミネッセンス
城戸良祐 （電気電子工学専攻）
平成２０年度 応用物理学会九州支部学術講演会 30Fa-1
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緑色(In,Ga)N多重量子井戸発光ダイオードのフォトルミネッセンス
佐藤淳一 （電気電子工学専攻）
平成２０年度 応用物理学会九州支部学術講演会 30Fa-4
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GaAs/AlAs超格子閉じ込めGaAs量子井戸からの光生成キャリアの熱離脱過程
谷川知弘 （電気工学専攻）
平成２０年度 応用物理学会九州支部学術講演会 30Fa-2
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青色(In,Ga)N量子井戸発光ダイオードにおけるエレクトロルミネッセンス効率の温度依存性
自見弘幸 （電気工学専攻）
平成２０年度 応用物理学会九州支部学術講演会 30Fa-6
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(In,Ga)As量子井戸ダイオードの光電流スペクトル強度
鹿谷怜史 （電気工学専攻）
平成２０年度 応用物理学会九州支部学術講演会 30Fa-5
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Bias dependence of inertnal quantum efficiency and carrier capture in a green (In,Ga)N single-quantum-well diode
本人
International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (Th5-F3)
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青色及び緑色InGaN多重量子井戸発光ダイオードの発光効率Ⅱ
自見弘幸 （電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-7
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白色発光ダイオードの試作と基本特性評価
高橋康文 （電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Ba-11
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半導体レーザの接合温度評価
鹿谷怜史 （電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Ba-10
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シャクリー法によるGaAs量子井戸構造のレーザ利得
谷川知弘 （電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Ba-9
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電子溜層付InGaN発光ダイオードのフォトルミネッセンス
井上貴雄（電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-5
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緑色InGaN単一量子井戸発光ダイオードの発光スペクトル：電界効果
堀口雅司（電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-6
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Enhanced capture of photogenerated carriers by optimum forward bias condition in blue and green (In,Ga)N single-quantum-well diodes
本人
7th International Conference on Nitride Semiconductors (U4)
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Comparative study of temperature-dependent electroluminescence efficiency in blue and green InGaN multiple-quantum-well diodes
K. Fujiwara（電気工学科）
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ThP40)
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青色・緑色InGaN多重量子井戸発光ダイオードの発光効率
稲田隆之（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Ca-7
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InGaN単一量子井戸発光ダイオードの電界印加フォトルミネッセンス強度の温度依存性
本人
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-6
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電子溜め層付き青色InGaN発光ダイオードの発光効率
山根勇一（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-7