口頭発表・ポスター発表等 - 佐竹 昭泰
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Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under, under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy
本人
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Th-P-101)
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Photoluminescence up-conversion in five Inx(Al0.17Ga0.83)1-xAs/ Al0.17Ga0.83As quantum wells with different x values
S. Machida （電気工学専攻）
Conference on Laser and Electro-Optics in Pacific Rim
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電子溜層付き青色InGaN量子井戸発光ダイオードの発光特性
加藤博文（電気工学専攻）
第５２回応用物理学関係連合講演会 31a-V30
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異なる(Ga,In)As量子井戸構造を活性領域にもつpinダイオードのフォトルミネッセンス
本人
第５２回応用物理学関係連合講演会 31a-V31
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InGaAs量子井戸における光電流自己発振：励起強度依存性
谷川兼一（電気工学専攻）
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 27Cp-3
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複合GaAs量子井戸構造における励起準位フォトルミネッセンス（Ⅲ）
塚本哲平（電気工学専攻）
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 27Cp-4
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電子溜層付InGaN量子井戸発光ダイオードにおけるフォトルミネッセンスのバイアス依存性
本人
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 28Ca-10
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電子溜層付加による青色InGaN量子井戸発光ダイオードの発光効率の増大
尾辻直樹（電気工学専攻）
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 28Ca-9
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Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer
K. Fujiwara (電気工学科)
13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference
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Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer
T. Tsukamoto (電気工学専攻)
13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference(P3)
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Competitive capture of photoexcited carriers in a novel step-graded InX(Al0.17Ga0.83)1-XAs quantum well heterostructure
K. Fujiwara (電気工学科)
16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagoshima, Japan (P1-36)
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Observation of ultra-low frequency photocurrent self-oscillation in InXGa1-XAs quantum wells
K. Tanigawa (電気工学専攻)
16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagoshima, Japan (P1-39)
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InxGa1-xAs多重量子井戸における超低周波数光電流自己発振
谷川兼一（電気工学科）
第５１回応用物理学関係連合講演会 30p-ZE9
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緑色InGaN SQW LEDにおける内部量子効率の電界および温度効果
本人
第５１回応用物理学関係連合講演会 30p-ZE2
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緑色InGaN量子井戸発光ダイオードのフォトルミネッセンス電界効果
相澤秀幸（電気工学専攻）
平成１５年度応用物理学会九州支部学術講演会 1Bp-19
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InxGa1-xAs/Al0.15Ga0.85As量子井戸発光ダイオードにおける光電流スペクトルと強度振動
谷川兼一（電気工学科）
平成１５年度応用物理学会九州支部学術講演会 1Bp-22
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緑色InGaN SQW LEDのフォトルミネッセンス強度の印可電圧及び温度依存性
本人
平成１５年度応用物理学会九州支部学術講演会 1Bp-20
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電子溜付InGaN量子井戸発光ダイオードにおける光電流の温度およびバイアス依存性
尾辻直樹（電気工学専攻）
平成１５年度応用物理学会九州支部学術講演会 1Bp-21
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GaAs/AlxGa1-xAs複合量子井戸構造における時間分解発光の温度依存性
塚本哲平（電気工学専攻）
第６４回応用物理学会学術講演会 31a-ZF8
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電子溜付InGaN量子井戸発光ダイオードのエレクトロルミネッセンス温度依存性
高橋慶彦（電気工学専攻）
第６４回応用物理学会学術講演会 31a-ZF11