口頭発表・ポスター発表等 - 佐竹 昭泰
-
青色InGaN発光ダイオードのフォトルミネッセンス電界効果
井上貴雄（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-2
-
InGaN発光ダイオードの電流電圧特性の温度依存性
堀口雅司（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-1
-
Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes
T. Inada （電気工学専攻）
International Workshop on Nitride Semiconductor 2006 (IWN2006) TuP2-28
-
InGaN SQW LEDにおけるフォトルミネッセンスの電界依存性 －励起波長による影響－
本人
第６７回応用物理学会学術講演会 立命館大学 1a-RE-11
-
InGaN多重量子井戸ダイオードの垂直キャリア捕獲とエレクトロルミネセンス効率
稲田隆之（電気工学専攻）
第６７回応用物理学会学術講演会 立命館大学 31a-RE-10
-
ホールトンネル注入型青色InGaN発光ダイオードの発光特性
山根勇一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-3
-
緑色及び青色InGaN単一量子井戸発光ダイオードのフォトルミネッセンス電界効果
副島健一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-10
-
青色・緑色多重量子井戸発光ダイオードのエレクトロルミネッセンス強度の温度依存性
稲田隆之（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-12
-
ハイブリット集積型多重量子井戸ダイオードに時間分解フォトルミネッセンス
阿多保夫（電気工学科）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-11
-
InxGa1-xAs量子井戸ダイオードにおける光電流自己発振：励起波長依存性
谷川兼一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-8
-
電子溜層付き青色InGaN発光ダイオードのフォトルミネッセンス特性
加藤博文（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-4
-
InGaAs多重量子井戸ダイオードにおける光電流強度の温度依存性：トンネル効果
西口浩（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-7
-
Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
K. Fujiwara （電気工学科）
32nd International Symposium on Compound Semiconductors (Th1.3)
-
Spectral evidence for escape of injected carriers in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes under high forward-bias conditions
K. Fujiwara（電気工学科）
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Th-P-101)
-
Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under, under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy
本人
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Th-P-101)
-
Photoluminescence up-conversion in five Inx(Al0.17Ga0.83)1-xAs/ Al0.17Ga0.83As quantum wells with different x values
S. Machida （電気工学専攻）
Conference on Laser and Electro-Optics in Pacific Rim
-
電子溜層付き青色InGaN量子井戸発光ダイオードの発光特性
加藤博文（電気工学専攻）
第５２回応用物理学関係連合講演会 31a-V30
-
異なる(Ga,In)As量子井戸構造を活性領域にもつpinダイオードのフォトルミネッセンス
本人
第５２回応用物理学関係連合講演会 31a-V31
-
InGaAs量子井戸における光電流自己発振：励起強度依存性
谷川兼一（電気工学専攻）
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 27Cp-3
-
複合GaAs量子井戸構造における励起準位フォトルミネッセンス（Ⅲ）
塚本哲平（電気工学専攻）
平成１６年度応用物理学会九州支部講演会 27Cp-4