口頭発表・ポスター発表等 - 佐竹 昭泰
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緑色InGaN単一量子井戸発光ダイオードの発光スペクトル：電界効果
堀口雅司（電気工学専攻）
平成１９年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-6
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Enhanced capture of photogenerated carriers by optimum forward bias condition in blue and green (In,Ga)N single-quantum-well diodes
本人
7th International Conference on Nitride Semiconductors (U4)
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Comparative study of temperature-dependent electroluminescence efficiency in blue and green InGaN multiple-quantum-well diodes
K. Fujiwara（電気工学科）
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ThP40)
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青色・緑色InGaN多重量子井戸発光ダイオードの発光効率
稲田隆之（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Ca-7
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InGaN単一量子井戸発光ダイオードの電界印加フォトルミネッセンス強度の温度依存性
本人
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-6
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電子溜め層付き青色InGaN発光ダイオードの発光効率
山根勇一（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-7
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青色InGaN発光ダイオードのフォトルミネッセンス電界効果
井上貴雄（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-2
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InGaN発光ダイオードの電流電圧特性の温度依存性
堀口雅司（電気工学専攻）
平成１８年度 応用物理学会九州支部学術講演会 25Cp-1
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Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes
T. Inada （電気工学専攻）
International Workshop on Nitride Semiconductor 2006 (IWN2006) TuP2-28
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InGaN SQW LEDにおけるフォトルミネッセンスの電界依存性 －励起波長による影響－
本人
第６７回応用物理学会学術講演会 立命館大学 1a-RE-11
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InGaN多重量子井戸ダイオードの垂直キャリア捕獲とエレクトロルミネセンス効率
稲田隆之（電気工学専攻）
第６７回応用物理学会学術講演会 立命館大学 31a-RE-10
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ホールトンネル注入型青色InGaN発光ダイオードの発光特性
山根勇一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-3
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緑色及び青色InGaN単一量子井戸発光ダイオードのフォトルミネッセンス電界効果
副島健一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-10
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青色・緑色多重量子井戸発光ダイオードのエレクトロルミネッセンス強度の温度依存性
稲田隆之（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-12
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ハイブリット集積型多重量子井戸ダイオードに時間分解フォトルミネッセンス
阿多保夫（電気工学科）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 2Aa-11
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InxGa1-xAs量子井戸ダイオードにおける光電流自己発振：励起波長依存性
谷川兼一（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-8
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電子溜層付き青色InGaN発光ダイオードのフォトルミネッセンス特性
加藤博文（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-4
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InGaAs多重量子井戸ダイオードにおける光電流強度の温度依存性：トンネル効果
西口浩（電気工学専攻）
平成１７年度 応用物理学会九州支部学術講演会 1Ba-7
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Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
K. Fujiwara （電気工学科）
32nd International Symposium on Compound Semiconductors (Th1.3)
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Spectral evidence for escape of injected carriers in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes under high forward-bias conditions
K. Fujiwara（電気工学科）
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Th-P-101)