口頭発表・ポスター発表等 - 大村 一郎
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磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法の開発
未入力
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EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBT の限界設計
電気学会合同研究会
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GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路
電子情報通信学会 研究会
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低オン抵抗高耐圧GaN-MISFET
２００６年春期 第53回応用物理学関係連合講演会
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電源用GaNパワーデバイス
電子情報通信学会 総合大会
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VRM 開発用マイクロ電流プローブ（高dI/dt (≧2000A/μsec) 逆回復動作の測定）
電気学会 半導体電力変換研究会
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フィールドプレート構造による高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制
２００６年春期 第53回応用物理学関係連合講演会
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高耐圧（>1000V）Semi Super junction MOSFET
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合 同研究会
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1200V系Si-IGBTと1200V系SiC-SBDによる2レベル三相インバータの損失予測
平成１７年電気学会全国大会
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次世代パワーデバイス開発に向けて：IGBT開発動向
電気学会、電子デバイス技術委員会
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ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望
本人
応用物理学会 応用電子物性研究例会
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600V-SiC-SBDを用いた300Wチョッパ変換器の体積予測
平成16年電気学会全国大会電力変換・制御回路方式 DC/DC変換回路（II）
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600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
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チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
電気学会 半導体電力変換研究会
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IGBTモジュール内のチップ電流測定
平成１６年電気学会全国大会
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600V AlGaN/GaN HEMT の試作とDC-DC コンバータ連続運転試験
電気学会 電子デバイス研究会
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20mΩcm2-600V クラスSuperjunction MOSFET
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会
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4.5kV-6kA 遮断IEGT 圧接型パッケージの開発
本人
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会
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プレーナ型4HSiC-SITの試作・評価
電気学会全国大会
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600V Semi-Superjunction MOSFET
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会