口頭発表・ポスター発表等 - 大村 一郎
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高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会
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高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明
第12回 ＴＩＡＲＡ研究発表会― イオンビームを利用した最新の材料・バイオ研究 ―
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フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
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AlGaN/GaN HEMTのパワーデバイス応用
応用物理学会 学術講演会 シンポジウムGaN電子デバイスの進展と実用化への課題
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高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴの数ＭＨｚスイッチング動作検討
電気学会産業応用部門大会(JIASC03)
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次々世代CPU用電源
照明学会 公開研究会「照明機器における光の発生と回路技術、部品・デバイス・材料技術」
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埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
電気学会 電子デバイス 半導体電力変換 合同研究会
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高電圧電力用半導体素子の宇宙線による破壊メカニズムの解明
第1１回 ＴＩＡＲＡ研究発表会