Conference Prsentations (Oral, Poster) -
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カーボンナノチューブの生成メカニズム解明および選択的成長制御
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第44回真空に関する連合講演会
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Surface analysis of β-FeSi2 layer epitaxially grown on Si(100)
International Union of Materials Research Societies - International Conference on Advanced Materials
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CCVD法によるカーボンナノチューブの生成及び評価
工学研究科電気工学専攻 御木智幸
電気関係学会九州支部第56回連合大会
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SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびレーザ照射による表面変性
工学研究科電気工学専攻 松岡宏則
電気関係学会九州支部第56回連合大会
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低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi多層吸着膜の構造解析
工学研究科電気工学専攻 児玉諭彦
第8回九州薄膜・表面セミナー
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ヘリウム準安定原子のスピン偏極化及び表面スピン電子状態分析への応用
工学研究科電気工学専攻 碇智徳
第8回九州薄膜・表面セミナー
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SiC表面上でのカーボンナノチューブの自己組織化形成
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第8回九州薄膜・表面セミナー
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SiC(0001)及び(000-1)表面再構成のSTM-LEED研究
工学研究科電気工学専攻 小野拓磨
第8回九州薄膜・表面セミナー
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Si(100)表面に自己組織的に誘起された一次元構造の形成メカニズムの解明
工学研究科電気工学専攻 伊藤剛士
第8回九州薄膜・表面セミナー
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SiC表面上でのカーボンナノチューブの生成およびTEM観察
工学研究科電気工学専攻 小西博文
第50回応用物理学関係連合講演会
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Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程のSTM観察
工学研究科電気工学専攻 大垣真治
第43回真空に関する連合講演会
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6H-SiC(000-1)再構成表面のSTM/LEEDによる解析
工学研究科電気工学専攻 北田昌俊
第43回真空に関する連合講演会
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低速イオン散乱法によるSi(100)表面上Bi薄膜の構造解析
工学研究科電気工学専攻 斉藤伸之
第43回真空に関する連合講演会
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Bi-induced line structures on Si(100) surfaces
Asia-Pacific Surface & Interface Analysis Conference
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Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED
5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces
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STM observation of Bi-nanowire formation on the Si(100) surface
5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces
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An STM observation of initial process of graphitization on the 6H-SiC(000-1) surface
7th International Conference on the Structure of Surfaces
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A metastable-induced electron spectroscopy study on the process of oxygen adsorption at a Ni(110) surface
11th International Conference on Solid Films and Surfaces
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A structural analysis of Bi/Si(100) 2×n surfaces by ICISS
11th International Conference on Solid Films and Surfaces
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低速イオン散乱法によるSi(100)上Bi薄膜の構造解析
第7回九州薄膜・表面セミナー