研究者詳細 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

口頭発表・ポスター発表等 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

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超伝導バルクを利用した磁気浮上工具による中空加工技術に関する研究

田中佑季, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 小田部荘司, 中島秀隆

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

近年，加工形状の複雑化に伴い，工具干渉の問題が顕在化している．そこで，マイスナー効果やピンニング効果などの超伝導現象を利用した磁気浮上工具が考案された．超伝導により磁石を空中で回転させることが可能なため，磁石を工具として用いれば工具干渉を低減した新加工技術に応用できると考えた．超伝導による磁石の固定力の計測結果を用いて行った研削・研磨加工の結果について報告する．

CiNii Article

低屈折率の透明樹脂パッドを用いたCMPにおけるモニタリング技術に関する研究

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2017年01月記述言語：日本語

水と同等の屈折率を有する透明な樹脂パッドを用いて、スラリー中の微粒子観察やシリコン酸化膜の膜測など、CMPにおけるモニタリング技術に関する研究を行っている。今回は低屈折率の透明樹脂パッドを用いたモニタリング技術のコンセプトと、その足がかりとなる実験データについて報告する。

CiNii Article

ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究

Khajornrungruang Panart, 白川裕晃, 鈴木恵友, 堺航也

精密工学会学術講演会講演論文集

ポリシング前後におけるスラリー中の研磨微粒子径に関する研究

永井利幸, 八尋新, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

CMPでは，複数の加工材料に対して最適なスラリーやポリシングパッドを適用させる必要がある．これらの部材を最適化するためには，材料除去メカニズムに基づき，スラリー中微粒子の種類や微粒子径，材質，薬液を選定することが重要である．そこで本研究では，サファイア，SiO2などの複数の基板に対して動的光散乱法（DLS）を用いて微粒子径の変化について評価したので報告する．

CiNii Article

透明マイクロパターンパッドを用いた CMP 中の微粒子観察に関する研究

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

年次大会

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

<p>Transparency micro-patterned pad is used to observe fine particles by an epi-illumination microscope. The material of transparency micro-patterned pad is resin which has almost same as the refractive index of water. Therefore, it has characteristic that the micro pattern could disappear in the observation image by filling water. Epi-illumination microscope has illumination system and the detection system on the same side. In this study, we succeeded to observe the diamond particles with a diameter of 1μm on the glass substrate at 1000 frame/s in dark-field illumination. This results show that the fine particles could be observed simplicity, and also suggest the possibility that the fine particles observation on opaque substrate using the epi-illumination microscope.</p>

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超伝導バルクを利用した磁気浮上工具による中空加工技術に関する研究

日高裕, 上原和晃, カチョーンルンルアンパナート, 小田部荘司, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2016年01月記述言語：日本語

本研究では超電導現象である磁気浮上を利用し、金型や3Dプリンタなどの中空部品成形技術が抱える問題を解消する新規中空加工技術の確立を目指している。その概要としては、磁気浮上を利用して磁性体や超伝導体を一定間隔離して浮上させトラップし、さらに回転運動を加え回転工具とすることで被加工物を切削する技術である。本報では樹脂などを用いて本加工技術の原理検証を行ったので、その内容について報告する。

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Imaging of Siver Nanoparticles and Ribbons by Evanescent Wave Scattering

Angshuman Pal

Center for Advanced Materials Processing's Annual Technical Meeting 2015 Clarkson University, NYSTAR

10106 光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッド表面形状評価法に関する研究

田尻貴寛, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 松尾尚典

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2015年03月20日記述言語：日本語

In the CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, the polishing pad is a factor which greatly affects the polishing performance, since the surface shape of contributing to the polishing pad has a very fine and complex shape, the analysis of polishing pad surface is difficult. We have analyzed the polishing pad surface shape by using the method of optical Fourier transform was devised on the basis of the diffraction phenomenon of light. In this study, by altering the incident angle of the laser beam to be irradiated to the polishing pad, we report makes it possible to clarify the difference of the polishing pad surface shape.

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水酸化フラーレン混合スラリーにおける研磨微粒子の挙動観察:材料除去メカニズムに関する考察

村川渉, 鬼木喬玄, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

これまでシリカやダイヤモンドスラリーに水酸化フラーレンを混合させた場合，サファイアCMPの材料除去レートが向上することを明らかにしてきた．しかしながら水酸化フラーレンは直径1nmであることから，水酸化フラーレンの分散状態や研磨に与える影響など未解明であった．そのため本研究では動的光散乱や透明パッドによる微粒子挙動観察法を導入することにより，これの現象に関する考察を行なったので報告する．

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CMP中における材料除去現象に関する研究:透明パッドによる微粒子の挙動観察

鬼木喬玄, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

CMPにおける材料除去メカニズムを解明するため，透過率や屈折率を制御した専用透明パッドを作製し，高速度カメラで研磨微粒子の挙動観察を行なった．ここでは研磨圧力や相対速度，スラリー液層膜厚に対して研磨微粒子と被加工面に対する接触する場所や頻度について解析を行なった．そしてこれらの結果と材料除去レートの関係について評価することで研磨性能に対する支配因子の考察を行なったのでこれらの内容について報告する．

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ナノスケールにおける加工現象可視化に関する研究：装置の開発

Khajornrungruang Panart, Babu Suryadevara, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2015年01月記述言語：日本語

本研究では半導体基板の表面（例えばポリシング）加工において加工液に含まれているナノ粒子が被加工表面に与える加工因子などを解析するため，本稿ではエバネッセント光（近接場光）を用い，加工機に搭載可能な被加工表面であるナノスケールにおける加工現象の可視化装置を開発した．本手法は被加工表面近傍である近接場光領域に侵入した個々のナノ粒子からの散乱光を追跡することにより，加工に関わる遊動粒子の挙動を可視化するものである．開発した光学系の性能評価のち粒径100nm以下のナノ粒子挙動の観察を試みたので報告する．

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822 レーザビーム形状成形による光回折応用マイクロ工具測定精度の向上

城島悠, 鈴木恵友, 力チョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

826 エバネッセント光を用いたナノ微粒子観察によるポリシング加工の現象解析

今井祐太, 鈴木恵友, 力チョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

824 超伝導体を用いた磁気援用加工技術に関する研究

日高裕, 鈴木恵友, 副島一紀, カチョーンルンルアンパナート, 松田将和, 小田部荘司

日本機械学会九州支部講演論文集

823 CMP材料除去モデルに関する研究

八尋新, 永井利幸, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

Gap Measurement Between Substrate and Polishing Pad

Panart Khajornrungruang

the 19th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization Clarkson University and NYSTAR

C30 CMPにおける材料除去メカニズムの支配要因に関する研究(OS10 研磨技術(2))

永井利幸, 八尋新, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

The material removal mechanisms on the SiO_2-CMP have been studied to develop new slurries and polishing pads for the advanced ULSI devices. We focus on the chemical reacted layer at the surface of SiO_2 film because formation of the layer is effected by pH of the slurry. Relationship between the MRR (Material removal rate) and chemical reacted layer was suggested by the results of the CMP tests and SEM observations at various pH conditions from 7.5 to 12.5. The size of the SiO_2 fine particles increase as the higher pH reason because the surface of the SiO_2 fine particles might be changed during the CMP. In our report, we discuss the material removal mechanism based on the experimental result of the SEM observation on the SiO_2 fine particles.

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紫外線照射による新規ナノ炭素微粒子を用いた難加工材研磨手法に関する研究

村川渉, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

難加工材料の基板形成プロセスでは研磨効率の向上は不可欠である．難加工材料の研磨技術としては現在プロズマ援用による高効率研磨技術が注目を集めているがこの場合新規に装置開発をする必要がある．本研究では研磨微粒子自体の高硬度化や化学反応性の向上を目的とし，紫外線照射により水酸化フラーレンやダイヤモンドから新規ナノ微粒子を生成することで，研磨性能の向上を試みたのでこれらの結果について報告する．

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SiO<sub>2</sub>-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 福田孝佑, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

これまでのCMP材料除去メカニズムに関する研究では，スラリー中の微粒子が被研磨物表面に接触した際に凝着現象によって材料除去が発生することが報告されているものの、凝着現象についての定量的評価法が確立されておらず，凝着量と研磨量との相関性について評価を行うことができない．そこで本研究では，FE-SEMやDLSを用いた凝着量の定量的評価法の確立及び凝着量と研磨量との相関性について評価を試みたのでその内容について報告する．

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C31 サファイアCMPにおける水酸化フラーレン混合微粒子に関する研究(OS10 研磨技術(2))

村川渉, 大石高史, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会

開催期間： 2014年01月記述言語：日本語

Material Removal Rate of sapphire CMP using silica slurry with the fullerenol increase as the higher concentration of the fullerenol in the slurry. The surface roughness of the sapphire substrate gives the influence against the MRR of sapphire CMP. Raman spectra indicate that molecule structure did not change during CMP process. The structure of fine particle by silica particle and fullerenol in the liquid characterize using DLS method. As results, two layers fullerenol molecules are adsorbed on the silica particle. And we discuss on the fine particle with the fullerenol based on our results.

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