研究者詳細 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

口頭発表・ポスター発表等 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

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K42 CMPにおけるポリシングパッドーウェハ間のスラリー層の厚さ測定法に関する研究(K4 CMPIII)

山根康志, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

K24 CMPにおけるウエハーポリシングパッド間の摩擦に関する研究(K2CMPI)

由井隆司, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会九州支部講演論文集

220402 エバネッセント場を用いたCMPプロセスでの研磨微粒子の挙動の観察(OS16 東京ブロック・山梨ブロック共同企画機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)2(研磨プロセス),オーガナイズド・セッション)

出井良和, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 城山順基

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

We focused on the fine particles motion being close to polishing surface in the CMP process of SiO_2 film, and then the fine particles motion was observed by evanescent field. In the case of ceria fine particles, the motion close to SiO_2 surface was observed. In the case of silica fine particles, the motion being close to SiO_2 surface was not identified. The cause was in the formation of the hydration layer on the surface by confirming the observation by use of the slurry of Wet/Dry state including the silica fine particles. Next, in the case of ceria fine particles and silica fine particles, the adhesion phenomena of fine particles to the surface were confirmed by FE-SEM observation. It is considered that the adhesion of fine particles to the polishing surface occurs in the CMP process of SiO_2 film.

CiNii Article

光学的フーリエ変換に基づいたCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかし，ポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため，有効な解析手法は確立されていない．そこで本稿ではポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案する．さらにポリシングパッド表面形状の空間的FFT解析と比較して本手法の有効性を検討した．

CiNii Article

サファイアCMPにおける水酸化フラーレン混合スラリーに関する研究

齊藤貴志, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 烏谷恵里香, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

LEDに使用されるサファイア基板には平坦性が求められ，表面仕上げ加工にCMP技術が広く用いられているが，サファイアは耐薬品性，耐摩耗性に優れているため長時間の加工が必要となる．そこで加工時間短縮のため，SiO2スラリーに水酸化フラーレンを研磨粒子として混合した新たなサファイアCMP加工技術を提案し，SiO2+ C60(OH)n混合スラリーの有効性を検討した．

CiNii Article

エバネッセント光を応用したSiO<sub>2</sub>膜CMPにおける研磨微粒子の挙動に関する研究

出井良和, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。実際の研磨時の研磨微粒子の挙動を研磨面表面近傍に限定して観察し、研磨現象の把握と、研磨への微粒子の寄与を明らかにすることを目的とする。コロイダルシリカスラリー、セリアスラリーを用いて実験を行い、研磨面での微粒子の転動・滑り運動を確認した。微粒子単独での材料除去現象への作用が推察される。

CiNii Article

MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究

安田佳祐, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 磯野慎太郎

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMP技術に使用されるポリシングパッドの表面形状はコンディショニングによりランダムで複雑であり，その表面形状が研磨に及ぼす影響は未だ解明されていない．そこでマイクロメートルオーダーの表面形状を設計したポリシングパッドを製作し，研磨を行うことで最適な表面形状を追求する．本研究では設計した表面形状を研磨中より長く保つ必要がある．そこで本報告ではPEEK材を用い，耐摩耗性の向上を図る．

CiNii Article

K44 原子間力顕微鏡を用いたCMPの材料除去メカニズムに関する研究(K4 CMPIII)

田中明穂, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 高橋昂

日本機械学会九州支部講演論文集

K22 水酸化フラーレン混合スラリーを用いたAl203-CMPに関する研究(K2CMPI)

齊藤貴志, 木村景一, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 是澤龍哉

日本機械学会九州支部講演論文集

FFT解析に基づいたポリシングパッドの表面形状評価とその研磨性能に関する研究

奥園貴久, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 櫛田高志

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2011年01月記述言語：日本語

CMP（Chemical Mechanical Polishing）を進行するにつれてポリシングパッドの研磨性能が低下する．そのため，コンディショニングを行う必要がある．コンディショニングを行うにあたって，コンディショニングされたポリシングパッドの表面形状とMRR（Material Removal Rate）の関係は重要である．本研究では，異なる条件でコンディショニングされたポリシングパッドの表面形状をFFT解析に基づいて評価を行い，その研磨特性を検討した．

CiNii Article

FFTを用いた研磨パッドの表面トポグラフィー解析

カチョーンルンルアン　パナート

可視化情報学会全国講演会

CMPプロセス中のウェハ面内における温度測定およびスラリー流れの可視化

由井隆司

可視化情報学会全国講演会

SiO2系膜のCMPにおける材料除去メカニスムの研究―第1報スラリー中のSiO2微粒子の材料除去作用―

木村景一

2010年度精密工学会全国秋季大会

レーザ回折光による高速回転中の工具先端と被加工物間の距離計測

カチョーンルンルアン　パナート

2010年度精密工学会全国秋季大会

An Attempt on Conditioned Polishing Pad Surface Evaluation with FFT Analysis

Keiichi Kimura

The 15th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization (CAMP)

20305 CMPプロセスにおける材料除去モデルの研究 : 第四報 : スラリー中の微粒子の機能に関する研究(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)

橋山雄一, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

This paper studies fine particles in slurry on chemical mechanical polishing (CMP) process for SiO_2 layer. The material removal phenomena in CMP process is not revealed perfectly yet. Therefore, the function of fine particles in slurry acting on the wafer surface have not explained. It is said that material removal phenomena in oxide wafer CMP process was considered conventionally that fine particles in slurry are thrusted into wafer surface with polishing pad, and then scratch and remove wafer material as small fragments. However, this assumption has a lot of contradictions. In addition it is not clear that the function of fine particles in slurry acting on the wafer surface. In this study, we focused on basic function of particles in slurry. First, we attempted to observe material removal phenomena with AFM in the way that AFM stylus tip was presumed as SiO_2 particle. Next, fine particles in slurry before and after CMP were obserbed by super- dynamic light scattering spectrophotometer and transmission electron microscope (TEM).

CiNii Article

307 MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究 : 異なる形状パターンによる研磨レートの比較(GS 生産加工I)

安田佳祐, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 田中明穂

日本機械学会九州支部講演論文集

大型の角型石英ガラス基板に対するCMPにおけるスラリー流れに関する研究

和田なぎさ, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

液晶ディスプレイパネル等に使用されるガラス材や，パターンを転写するフォトマスクとして表面を高精度に研磨された角型の石英ガラス基板が用いられる．研磨にはChemical Mechanical Polishing (CMP)が用いられるが，基板の大型化に伴いスラリー(研磨液)の非流入領域が形成される．そこで本研究では，従来と異なるスラリー供給方法でCMPを行い，スラリー流れを比較・検討したので報告する．

CiNii Article

レーザ回折光による高速回転中の工具先端と被加工物間の距離計測

KHAJORNRUNGRUANG PANART, 木村景一, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

本研究はオンマシンにおける工具先端位置の精密測定を行っている．本稿では，高速回転中（160,000 min<sup>-1</sup>）の工具先端および被加工物のエッジそのものからなるエッジ間隙に，レーザ光を照射して発生した回折パターンを利用し，工具と被加工物の間距離の精密測定を検証し，測定値の不均一性は55 nm未満であった．

CiNii Article

CMP用ポリシングパッド表面形状のFFT解析に関する研究

奥園貴久, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2010年01月記述言語：日本語

コンディショニングしたポリシングパッドの表面形状と研磨性能との関係を明らかにするために，異なる条件でコンディショニングを行い，ポリシングパッド表面形状の観察と，その観察した形状データを用いて空間的FFT解析を行うことで，表面形状の評価を行ったので報告する．

CiNii Article

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