研究者詳細 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

口頭発表・ポスター発表等 - PANART　KHAJORNRUNGRUANG

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Nano-Sized Particle Identification using Evanescent Field

Panart Khajornrungruang

Center for Advanced Materials Processing's Fall Meeting 2013 Clarkson University

MEMS技術を応用したCMP用マイクロパターンパッドの研究:Niめっき金型を用いたマイクロパターンパッドの製作

磯野慎太郎, 鈴木恵友, 伊藤高廣, カチョーンルンルアンパナート, 占部正和, 木村景一, 田代康典, 鬼木喬玄

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

CMPで使用されているポリシングパッドの表面形状は，研磨能力を決定する重要な要素である．そこで，ポリシングパッド表面上に任意の形状とパターンを形成したマイクロパターンパッドを製作し，より研磨性能の優れたポリシングパッドの開発を行う．これまで，MEMS製造技術である結晶異方性ウェットエッチングを応用したSi型によりマイクロパターンパッドを製作してきた．そのSi型をマスターとしてNiめっき金型を製作し，それを用いてマイクロパターンパッドを成形し，研磨実験を行ったので報告する．

1001 マイクロバブルによるSiO2-CMPの高効率化に関する研究(生産加工・工作機械1)

長岡敦志, パナートカチョーンルンルアン, 木村景一, 鈴木恵友

日本機械学会九州支部講演論文集

21210 Cu-CMP におけるスラリー劣化要因に関する研究(OS4-3【機械工学が支援する微細加工技術(3)】)

深川博信, 鈴木恵友, 木村景一, パナート・カチョーンルンルアン, 檜山浩國

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

In our study, degradation factors of slurry to determine the polishing performance were evaluated by analysis of the slurry parameters such as pH, ORP and conductivity after the polishing Cu-CMP process. From the experiment results, relationship between the parameters of the slurry and polishing performance were investigated. To control the slurry parameters such as pH and ORP, the slurry additive such as KOH and oxidizing agent were mixed with the slurry. In this CMP experiment, pH was adjusted by pH 12 constant during polishing. Base on these results, we discuss about relationship between material removal rate and the slurry parameters.

21211 ポリジンクパッド表面におけるドレッシングメカニズムに関する研究(OS4-3【機械工学が支援する微細加工技術(3)】)

是澤龍哉, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアン・パナート, 檜山浩國, 松尾尚典

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

In order to clarify the phenomenon and effect upon the dresser to refresh the polishing pad surface in CMP process. A single point dressing processing on the surface of the polishing pad with a diamond bite was observed by a high-speed camera. Machining scar can be seen on the edge portion of the pore on the polishing pad surface. Deformation of the polishing pad surface was also observed with a microscope

水酸化フラーレンを利用したサファイアCMP高効率研磨手法に関する研究

河北誠也, 山城天心, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

サファイアCMPプロセスは，耐薬品性，耐摩耗性に優れておりポリシングレートが低いため，長時間必要となる．これまでサファイア基板のポリシング高効率化としては，シリカスラリーに水酸化フラーレンを混合する手法が報告されている．しかしながら,ここでは加工条件について最適化されていない．そこで本研究では，ポリシングパッドの最適化により表面粗さの改善と高効率研磨を試みたので報告する.

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究(第四報)

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 田尻貴寛

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかしポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため有効な表面形状の評価法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本報告ではレーザ光入射角が散乱光強度分布に及ぼす影響を検討し，適切な角度の選定を試みた．

Study on Variable Rotation Polishing in CMP Process (1st report)

Phaisalpanumas Pipat, Keiichi Kimura, Keisuke Suzuki, Khajornrungruang Panart

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：英語

In this study, a novel Variable Rotation Polishing method would be proposed in order to increase the unsteady slurry flow in CMP process for increasing the polishing efficiency and for flowing slurry into the center of wafer sufficiently when the wafer becomes larger and also in case of saving the slurry. We developed a control unit to control platen variable rotation speed and rotation direction and rotation angle. This paper investigates the efficiency of variable rotation in CMP process. Consequently, material removals of all conditions in case of Variable Rotation Polishing were higher than only forward rotation.

SiO<sub>2</sub>-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2013年01月記述言語：日本語

これまでCMP材料除去メカニズムに関する研究は，吸着挙動の解明やAFMによる凝着現象に関する評価がなされてきた．しかしながらこれらの研究はモデル実験であり現実の加工機での評価ではないため，実際の加工現象を反映しているか定かではない．そこで本研究では，小型研磨機でBPSG膜を研磨し，研磨後のSiO<sub>2</sub>微粒子上に付着する不純物の定量的解析による凝着量の評価を行ったのでその内容について報告する．

水酸化フラーレン混合スラリーによるサファイアCMPに関する研究̶材料除去メカニズムの検討̶

齊藤貴志

2012年度精密工学会全国春季大会

レーザ回折を用いたマイクロ工具形状測定法に関する研究

矢島裕一, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

デジタル電子機器などの各種デバイスの小型化，高精度化を実現するために金型加工等において工作機機器，工具の高精度化，小径化が進んでいる．小径工具の形状計測は，従来から光学的計測法が広く使用されていたが測定分解能，測定精度ともに不十分であり新しい測定方法が求められていた．本研究では，光回折を用いた微小工具形状計測法において直径数10μmの微小工具形状計測の高精度化を実現する測定手法について報告する．

1721 ウェハーポリジンクパッド間で発生する諸現象の動的観察および解析(OS1-1 機械工学が支援する微細加工技術I,OS1 機械工学が支援する微細加工技術)

木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 山根康志

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

This paper describes how to directly monitor the slurry layer thickness created between the wafer and the polishing pad during Chemical Mechanical Polishing (CMP) process We propose a new method to measure the slurry layer thickness, which is observed directly by Light-section method The measuring error of this proposed method was less than about 3|im in calibration experiments The liquid layer thickness while the polishing pad rotates also was experimentally observed Consequently, the proposed measurement method can be an effective way to directly observe the slurry layer thickness, even if the polishing pad is rotating Finally, we have been a new optical device to observe the region between the wafer and the polishing pad This device can be adjustable pressure applied to the glass substrate and rotational speed of the pad.

1722 Si0_2-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究 : SiO_2-CMPにおける研磨微粒子の吸着特性(OS1-1 機械工学が支援する微細加工技術I,OS1 機械工学が支援する微細加工技術)

田中明穂, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 高野祐一, 木村景一

日本機械学会関東支部総会講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

Material removal mechanism of CMP (Chemical Mechanical Polishing) remain largely unknown because CMP material removal phenomena are influenced by a lot of polishing parameters CMP simulation method based on new model of the CMP material removal phenomena can be calculated to CMP performance without optimization of the CMP condition by human experience In order to clarify influence on adsorption between SiO_2 fine particles and SiO_2 wafer surface by KOH slurry (pH 10 5, 11 5, 12 5), we attempted dipping experiment, dropping slurry experiment and observing experiment As results of these experiments, it is indicated that adsorption of SiO_2 fine particles depend on temperature and pH of solution.

606 ポリジンクパッド表面におけるドレッシングメカニズムに関する研究(0S.3 機械要素の性能とトライボロジー2)

是澤龍哉, 木村景一, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 松尾尚典, 和田雄高, 檜山浩國, 福永明

日本機械学会九州支部講演論文集

エバネッセント光を応用した酸化膜CMPにおける研磨界面での現象解析

出井良和, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友, 迫田卓

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の凝着・その後の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。エバネッセント光を応用して研磨時の材料除去現象を観察することで、材料除去時の研磨微粒子の機能を明らかにすることを目的とする。実験より、研磨条件変更時の研磨面での微粒子の挙動を捉え、研磨条件と研磨微粒子移動速度の関係を確認した。

水酸化フラーレン混合スラリーによるサファイアCMPに関する研究

齊藤貴志, 鈴木恵友, パナートカチョーンルンルアン, 烏谷恵里香, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

LEDに使用されるサファイア基板には平坦性が求められ，表面仕上げ加工にCMP技術が広く用いられているが，サファイアは耐薬品性，耐摩耗性に優れているためポリシングレートが低く長時間の加工が必要となる．そこで加工時間短縮のため化学反応を活発化して，コロイダルシリカスラリーに水酸化フラーレンを混合した新たなサファイアCMP加工技術を提案している．今回はサファイアCMPにおける材料除去メカニズムの検討を行った．

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究（第二報）

櫛田高志, 木村景一, パナートカチョーンルンルアン, 鈴木恵友

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が著しく低下することが問題視されている．しかし，ポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため，有効な解析手法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本稿では提案手法に基づく測定装置を試作し，その有効性を検討したので報告する．

光学的フーリエ変換に基づくCMP用ポリシングパッドの表面形状評価に関する研究(第三報)

櫛田高志, 木村景一, カチョーンルンルアンパナート, 鈴木恵友, 田尻貴寛

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPプロセスではポリシングの進行に伴いポリシングパッド表面が劣化し加工性能が低下することが問題視されている．しかしポリシングパッドの表面形状は複雑かつ微細な凹凸が混在しているため有効な表面形状の評価法は確立されていない．そこで我々はポリシングパッド表面形状評価法として，光学的フーリエ変換に基づいた手法を提案している．本報告では撮像素子を大型化して測定空間波長領域を拡大したので、実験的に検証を行った．

SiO2-CMPにおける材料除去メカニズムに関する研究

高野祐一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 木村景一

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMP材料除去メカニズムに関する研究は，これまでAFMスタイラスによる凝着現象の評価やアルカリ溶液の浸漬後の SiO<sub>2</sub>微粒子の吸着現象の観察により行われてきた．ここでは，ｐHの増加により吸着量の増加が確認されたが定量的でないため，研磨性能との関係については未解明である．そこで本研究では、スラリー微粒子の吸着挙動の定量的評価を行うとともに研磨性能との関係を明らかにする．

CMP用マイクロパターンパッドの開発

磯野慎太郎, 木村景一, 鈴木恵友, カチョーンルンルアンパナート, 占部正和

精密工学会学術講演会講演論文集

開催期間： 2012年01月記述言語：日本語

CMPで使用されているポリシングパッドの表面形状は，研磨能力を決定する重要な要素である．そこで，ポリシングパッド表面上に任意の形状とパターンを形成したマイクロパターンパッドを製作し，研磨実験を行うことで研磨性能との関係性を明らかにする．その結果をもとに，より研磨性能の優れたマイクロパターンパッドの開発を行う．本稿では研磨に適用可能なサイズのマイクロパターンパッドを製作したので報告する．

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